KR100902221B1 - Pixel and organic light emitting display using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 유기 발광 다이오드의 열화를 보상함과 아울러 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an organic light emitting display.
평판 표시장치 중 유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시한다. 이러한, 유기전계발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점 이 있다.Among flat panel displays, an organic light emitting display device displays an image using an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes. Such an organic light emitting display device has an advantage of having a fast response speed and driving with low power consumption.
도 1은 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a conventional organic light emitting display device.
도 1을 참조하면, 종래의 유기전계발광 표시장치의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소회로(2)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a pixel 4 of a conventional organic light emitting display device is connected to an organic light emitting diode OLED, a data line Dm, and a scanning line Sn to control the organic light emitting diode OLED. The
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(2)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(2)로부터 공급되는 전류에 대응되어 소정 휘도의 빛을 생성한다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the
화소회로(2)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호에 대응되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어한다. 이를 위해, 화소회로(2)는 제 1전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속된 제 2트랜지스터(M2)와, 제 2트랜지스터(M2), 데이터선(Dm) 및 주사선(Sn)의 사이에 접속된 제 1트랜지스터(M1)와, 제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극과 제 1전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. The
제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속된다. 여기서, 제 1전극은 소오스전극 및 드레인전극 중 어느 하나로 설정되고, 제 2전극은 제 1전극과 다른 전극으로 설정된다. 예를 들어, 제 1전극이 소오스전극으로 설정되면 제 2전극은 드레인전극으로 설정된다. 주사선(Sn) 및 데이터선(Dm)에 접속된 제 1트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)으로부터 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급한다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터신호에 대응되는 전압을 충전한다. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the scan line Sn, and the first electrode is connected to the data line Dm. The second electrode of the first transistor M1 is connected to one terminal of the storage capacitor Cst. Here, the first electrode is set to any one of a source electrode and a drain electrode, and the second electrode is set to an electrode different from the first electrode. For example, when the first electrode is set as the source electrode, the second electrode is set as the drain electrode. The first transistor M1 connected to the scan line Sn and the data line Dm is turned on when a scan signal is supplied from the scan line Sn to receive a data signal supplied from the data line Dm to the storage capacitor Cst. ). In this case, the storage capacitor Cst charges a voltage corresponding to the data signal.
제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일측단자에 접속되고, 제 1전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 다른측단자 및 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제 2트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성한다. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to one terminal of the storage capacitor Cst, and the first electrode is connected to the other terminal of the storage capacitor Cst and the first power supply ELVDD. The second electrode of the second transistor M2 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The second transistor M2 controls the amount of current flowing from the first power source ELVDD to the second power source ELVSS via the organic light emitting diode OLED in response to the voltage value stored in the storage capacitor Cst. In this case, the organic light emitting diode OLED generates light corresponding to the amount of current supplied from the second transistor M2.
하지만, 이와 같은 종래의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 따른 효율변화에 의하여 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없는 문제점이 있다. 다시 말하여, 시간이 지남에 따라서 유기 발광 다이오드가 열화되고, 이에 따라 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 없다. 실제로, 유기 발광 다이오드가 열화 될수록 낮은 휘도의 빛이 생성된다. However, such a conventional pixel 4 has a problem in that an image having a desired luminance cannot be displayed due to a change in efficiency due to deterioration of the organic light emitting diode OLED. In other words, the organic light emitting diode deteriorates with time, and thus an image having a desired brightness cannot be displayed. In fact, as the organic light emitting diode deteriorates, light of low luminance is generated.
또한, 종래의 화소(4)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가되는 전압이 캐소드전극에 인가되는 전압보다 항상 높게 설정되기 때문에 열화가 빠르게 진행되는 문제점이 있다.In addition, since the voltage applied to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) is always set higher than the voltage applied to the cathode, the conventional pixel 4 has a problem in that deterioration proceeds quickly.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 발광 다이오드의 열화를 보상함과 아울러 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a pixel and an organic light emitting display using the same, which compensate for degradation of the organic light emitting diode and slow down the degradation rate of the organic light emitting diode.
본 발명의 실시예에 화소는 캐소드전극이 제 2전원에 접속되는 유기 발광 다이오드와; 제 1전원으로부터 상기 유기 발광 다이오드로 공급되는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소회로와; 상기 유기 발광 다이오드와 상기 화소회로 사이에 접속되며, 상기 유기 발광 다이오드의 열화에 대응하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극의 전압을 조절하는 제 1구동부와; 상기 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부를 구비하며; 상기 제 1구동부는 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 초기화 전원 사이에 접속되는 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터와; 상기 제 6트랜지스터 및 제 7트랜지스터 사이의 공통노드와 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 사이에 접속되는 피드백 커패시터를 구비한다. In an embodiment of the present invention, the pixel includes an organic light emitting diode having a cathode electrode connected to a second power source; A pixel circuit including a driving transistor for controlling the amount of current supplied from the first power source to the organic light emitting diode; A first driver connected between the organic light emitting diode and the pixel circuit and adjusting a voltage of a gate electrode of the driving transistor in response to deterioration of the organic light emitting diode; A second driver for applying a reverse bias voltage to the organic light emitting diode; The first driver includes a sixth transistor and a seventh transistor connected between the anode electrode of the organic light emitting diode and the initialization power supply; And a feedback capacitor connected between the common node between the sixth and seventh transistors and the gate electrode of the driving transistor.
본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들로 주사신호를 순차적으로 공급하고, 발광 제어선들로 발광 제어신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부와; 데이터선들로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와; 상기 제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 11항, 제 13항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 기재된 화소를 구비한다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes: a scan driver for sequentially supplying a scan signal to scan lines and sequentially supplying a light emission control signal to emission control lines; A data driver for supplying a data signal to the data lines; The pixel of any one of Claims 1-4, 6-11, and 13-15 is provided.
본 발명의 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 의하면 유기 발광 다이오드의 열화를 보상하여 원하는 휘도의 영상을 표시할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 유기 발광 다이오드로 역 바이어스 전압을 인가하여 유기 발광 다이오드의 열화 속도를 늦출 수 있는 장점이 있다. According to the pixel of the present invention and the organic light emitting display device using the same, an image having a desired luminance can be displayed by compensating deterioration of the organic light emitting diode. In addition, the present invention has the advantage of slowing the degradation rate of the organic light emitting diode by applying a reverse bias voltage to the organic light emitting diode.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예가 첨부된 도 2 내지 도 9를 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 to FIG. 9 with which preferred embodiments in which the present invention pertains can easily carry out the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)과 접속되도록 위치되는 화소들(140)을 포함하는 화소부(130)와, 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)을 구동하기 위한 주사 구동부(110)와, 데이터선들(D1 내지 Dm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(120)와, 주사 구동부(110) 및 데이터 구동부(120)를 제어하기 위한 타이밍 제어부(150)를 구비한다.Referring to FIG. 2, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes pixels positioned to be connected to scan lines S1 to Sn, emission control lines E1 to En, and data lines D1 to Dm. Driving the
주사 구동부(110)는 타이밍 제어부(150)로부터 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받는다. 주사 구동제어신호(SCS)를 공급받은 주사 구동부(110)는 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다. 또한 주사 구동부(110)는 주사 구동제어신호(SCS)에 응답하여 발광 제어신호를 생성하고, 생성된 발광 제어신호를 발광 제어선들(E1 내지 En)로 순차적으로 공급한다. 여기서, 발광 제어신호의 폭은 주사신호와 동일하거나 넓은 폭으로 설정된다. 예를 들어, i(i는 자연수)번째 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 i번째 주사선으로 공급되는 주사신호와 중첩될 수 있도록 그 폭이 설정된다. 또한, 필요에 의하여 i번째 발광 제어선으로 공급되는 발광 제어신호는 i-1번째 주사선 및 i번째 주사선으로 공급되는 주사신호와 중첩될 수 있도록 그 폭이 설정된다. The
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(150)로부터 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받는다. 데이터 구동제어신호(DCS)를 공급받은 데이터 구동부(120)는 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 주사신호와 동기되도록 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다. The
타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 동기신호들에 대응하여 데이터 구동제어신호(DCS) 및 주사 구동제어신호(SCS)를 생성한다. 타이밍 제어부(150)에서 생성된 데이터 구동제어신호(DCS)는 데이터 구동부(120)로 공급되고, 주사 구동제어신호(SCS)는 주사 구동부(110)로 공급된다. 그리고, 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 공급되는 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)로 공급한다.The
화소부(130)는 외부로부터 제 1전원(ELVDD) 및 제 2전원(ELVSS)을 공급받아 각각의 화소들(140)로 공급한다. 제 1전원(ELVDD) 및 제 2전원(ELVSS)을 공급받은 화소들(140) 각각은 데이터신호에 대응하는 빛을 생성한다. 여기서, 화소들(140)의 발광 시간은 발광 제어신호에 의하여 제어된다. 한편, 제 1전원(ELVDD)은 제 2 전원(ELVSS) 보다 높은 전압값으로 설정된다. The
한편, 도 2에서는 화소들(140)이 하나의 주사선(S) 및 발광 제어선(E)과 접속되는 것으로 도시하였지만 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 실제로, 화소들(140)에 포함되는 화소회로의 구조에 대응하여 화소들(140)은 2개 이상의 주사선들(S) 및 발광 제어선(E)과 접속될 수 있다. 그리고, 화소들(140)은 외부로부터 초기화전원을 추가로 공급받을 수 있다. 여기서, 초기화전원은 화소들(140) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트전극을 초기화하기 위하여 사용된다. In FIG. 2, the
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의성을 위하여 제 n주사선(Sn) 및 제 m데이터선(Dm)과 접속된 화소를 도시하기로 한다.3 is a diagram illustrating a pixel according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 3, pixels connected to the nth scan line Sn and the mth data line Dm are illustrated for convenience of description.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142)와, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상하기 위한 제 1구동부(144)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부(146)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the pixel according to the first exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다. 이를 위해, 제 1전원(ELVDD)은 제 2전원(ELVSS)보다 높은 전압값을 갖는다. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the
한편, 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 변화된다. 실제로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압은 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 상승한다. On the other hand, the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED) is changed in response to deterioration of the organic light emitting diode (OLED). In fact, the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED increases as the organic light emitting diode OLED deteriorates.
화소회로(142)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급함과 아울러 제 1트랜지스터(M1)(즉, 구동 트랜지스터)의 문턱전압을 보상한다. 이를 위해, 화소회로(142)는 제 1 내지 제 5트랜지스터(M5)를 구비한다. The
제 2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2)의 제 2전극은 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)의 공통노드인 제 1노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호를 제 1노드(N1)로 공급한다. The gate electrode of the second transistor M2 is connected to the nth scan line Sn, and the first electrode is connected to the data line Dm. The second electrode of the second transistor M2 is connected to the first node N1 which is a common node of the first capacitor C1 and the second capacitor C2. The second transistor M2 is turned on when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn to supply the data signal supplied to the data line Dm to the first node N1.
제 1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 제 2노드(N2)에 접속되고, 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극은 제 5트랜지스터(M5)의 제 1전극에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1)는 제 2노드(N2)에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다. The gate electrode of the first transistor M1 is connected to the second node N2, and the first electrode is connected to the first power source ELVDD. The second electrode of the first transistor M1 is connected to the first electrode of the fifth transistor M5. The first transistor M1 supplies a current corresponding to the voltage applied to the second node N2 to the organic light emitting diode OLED.
제 3트랜지스터(M3)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 제 2노드(N2)에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3)의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 접속시킨다. The first electrode of the third transistor M3 is connected to the second electrode of the first transistor M1, and the second electrode is connected to the second node N2. The gate electrode of the third transistor M3 is connected to the n-1 th scan line Sn-1. The third transistor M3 is turned on when the scan signal is supplied to the n-1 th scan line Sn-1 to connect the first transistor M1 in the form of a diode.
제 4트랜지스터(M4)의 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 1노드(N1)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4)의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4)는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 제 1전원(ELVDD)의 전압을 제 1노드(N1)로 공급한다.The first electrode of the fourth transistor M4 is connected to the first power source ELVDD, and the second electrode is connected to the first node N1. The gate electrode of the fourth transistor M4 is connected to the n-1 th scan line Sn-1. The fourth transistor M4 supplies the voltage of the first power supply ELVDD to the first node N1 when the scan signal is supplied to the n-1 th scan line Sn-1.
제 5트랜지스터(M5)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 그리고, 제 5트랜지스터(M5)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 5트랜지스터(M5)는 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호(하이레벨 전압)가 공급되지 않을 때(즉, 로우레벨 전압) 턴-온되어 유기 발광 다이오드(OLED)와 제 1트랜지스터(M1)를 전기적으로 접속시킨다. The first electrode of the fifth transistor M5 is connected to the second electrode of the first transistor M1, and the second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the fifth transistor M5 is connected to the emission control line En. The fifth transistor M5 is turned on when the emission control signal (high level voltage) is not supplied to the emission control line En (that is, the low level voltage), so that the organic light emitting diode OLED and the first transistor are turned on. (M1) is electrically connected.
제 1커패시터(C1)는 제 1노드(N1)와 제 1전원(ELVDD) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1)는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다. The first capacitor C1 is positioned between the first node N1 and the first power source ELVDD. The first capacitor C1 charges a voltage corresponding to the data signal.
제 2커패시터(C2)는 제 1노드(N1)와 제 2노드(N2) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 2커패시터(C2)는 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전한다. The second capacitor C2 is positioned between the first node N1 and the second node N2. The second capacitor C2 charges a voltage corresponding to the threshold voltage of the first transistor M1.
제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 1트랜지스터(M1)의 게이트전극의 전압(즉, 제 2노드(N2)의 전압)을 제어한다. 다시 말하여, 제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압 하강폭을 제어하면서 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다. The
이를 위해, 제 1구동부(144)는 발광 제어선(En)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7)와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7) 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다. To this end, the
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다. The sixth transistor M6 is positioned between the third node N3 and the organic light emitting diode OLED and is turned on when a scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1.
제 7트랜지스터(M7)는 발광 제어선(En)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 여기서, 제 7트랜지스터(M7)의 제 2전극 및 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 즉, 제 7트랜지스터(M7)는 다이오드 형태로 접속되어 발광 제어신호가 공급되지 않을 때(즉, 로우레벨의 전압) 제 3노드(N3)의 전압을 발광 제어선(En)으로 공급한다. 한편, 제 n-1주사선(Sn-1)과 접속된 제 6트랜지스터(M6)와 발광 제어선(En)과 접속된 제 7트랜지스터(M7)는 동시에 턴-온되지 않는다.(턴-온되는 시간이 중첩되지 않는다.)The seventh transistor M7 is positioned between the emission control line En and the third node N3. Here, the second electrode and the gate electrode of the seventh transistor M7 are connected to the emission control line En. That is, the seventh transistor M7 is connected in the form of a diode to supply the voltage of the third node N3 to the emission control line En when the emission control signal is not supplied (that is, a low level voltage). On the other hand, the sixth transistor M6 connected to the n-1 th scan line Sn-1 and the seventh transistor M7 connected to the emission control line En are not turned on at the same time. Time does not overlap.)
피드백 커패시터(Cfb)는 제 3노드(N3)의 전압 변화량을 제 2노드(N2)로 전달한다. The feedback capacitor Cfb transfers the voltage change amount of the third node N3 to the second node N2.
제 2구동부(146)는 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가한다. 이를 위해, 제 2구동부(146)는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 8트랜지스터(M8)를 구비한다. 제 8트랜지스터(M8)는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극으로 공급한다. 여기서, 초기화 전원(Vint)의 전압값은 제 2전원(ELVSS)의 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 한편, 제 8트랜지스터(M8)의 턴-온시간은 제 6트랜지스터(M6)의 턴-온 시 간과 중첩되지 않도록 설정된다. The
도 4는 도 3에 도시된 화소로 공급되는 구동파형을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a driving waveform supplied to the pixel illustrated in FIG. 3.
도 3 및 도 4를 결부하여 동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급된다. 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제 3트랜지스터(M3), 제 4트랜지스터(M4) 및 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되면 제 7트랜지스터(M7) 및 제 5트랜지스터(M5)가 턴-오프된다.Referring to FIGS. 3 and 4, the operation process is described in detail. First, a scan signal is supplied to the n-th scan line Sn-1, and a light emission control signal is supplied to the emission control line En. When the scan signal is supplied to the n-1 th scan line Sn-1, the third transistor M3, the fourth transistor M4, and the sixth transistor M6 are turned on. When the emission control signal is supplied to the emission control line En, the seventh transistor M7 and the fifth transistor M5 are turned off.
제 3트랜지스터(M3)가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1)가 다이오드 형태로 접속된다. 제 4트랜지스터(M4)가 턴-온되면 제 1노드(N1)로 제 1전원(ELVDD)의 전압이 공급된다. 이때, 제 2커패시터(C2)에는 제 1트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압이 충전된다.When the third transistor M3 is turned on, the first transistor M1 is connected in the form of a diode. When the fourth transistor M4 is turned on, the voltage of the first power source ELVDD is supplied to the first node N1. At this time, the second capacitor C2 is charged with a voltage corresponding to the threshold voltage of the first transistor M1.
제 6트랜지스터(M6)가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 제 3노드(N3)로 공급된다. 여기서, 제 3노드(N3)는 제 1커패시터(C1) 및 제 2커패시터(C2)에 소정의 전압이 충전되는 기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압을 유지한다. When the sixth transistor M6 is turned on, the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is supplied to the third node N3. Here, the third node N3 maintains the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during a period in which the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are charged with a predetermined voltage.
이후, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급이 중단되고, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급된다 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2) 및 제 8트랜지스터(M8)가 턴-온된다. Subsequently, the scan signal is stopped from the n-th scan line Sn- 1 and the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn. When the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn, the second transistor M2 is supplied. ) And the eighth transistor M8 are turned on.
제 2트랜지스터(M2)가 턴-온되면 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 1노드(N1)로 공급된다. 이때, 제 1커패시터(C1)는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다. 한편, 제 2노드(N2)가 플로팅 상태로 설정되기 때문에 제 1노드(N1)로 데이터신호가 공급되더라도 제 2커패시터(C2)에 충전된 전압은 변화되지 않는다. When the second transistor M2 is turned on, the data signal supplied to the data line Dm is supplied to the first node N1. At this time, the first capacitor C1 charges a voltage corresponding to the data signal. On the other hand, since the second node N2 is set to the floating state, the voltage charged in the second capacitor C2 does not change even when the data signal is supplied to the first node N1.
제 8트랜지스터(M8)가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)의 전압이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)에는 역 바이어스(reverse bias) 전압이 인가된다. 이와 같이 유기 발광 다이오드(OLED)에 역 바이어스 전압이 인가되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 진행속도를 늦출 수 있다. When the eighth transistor M8 is turned on, the voltage of the initialization power supply Vint is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. In this case, a reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED. As described above, when the reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED, the degradation progress rate of the organic light emitting diode OLED may be slowed down.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다. 발광 제어신호의 공급이 중단될 때 발광 제어선(En)으로는 제 3전압(V3)이 인가된다. 여기서, 제 3전압(V3)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압, 예를 들면 초기화 전원(Vint)과 동일한 전압이 공급될 수 있다.Thereafter, the supply of the scan signal to the nth scan line Sn is stopped, and the supply of the emission control signal to the emission control line En is stopped. When the supply of the emission control signal is stopped, the third voltage V3 is applied to the emission control line En. Here, the third voltage V3 may be supplied with a voltage lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED, for example, the same voltage as the initialization power supply Vint.
발광 제어선(En)으로 제 3전압(V3)이 인가되면 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7)가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 제 3전압(V3)으로 하강한다. 제 3노드(N3)의 전압이 제 3전압(V3)으로 하강하게 되면 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 2노드(N2)의 전압도 하강한다. 이때, 제 1트랜지스터(M1)는 하강한 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다. When the third voltage V3 is applied to the emission control line En, the seventh transistor M7 is turned on. When the seventh transistor M7 is turned on, the voltage of the third node N3 drops to the third voltage V3. When the voltage of the third node N3 falls to the third voltage V3, the voltage of the second node N2 also decreases by the feedback capacitor Cfb. In this case, the first transistor M1 supplies a current corresponding to the lowered voltage to the organic light emitting diode OLED.
한편, 유기 발광 다이오드(OLED)는 시간이 지남에 따라서 열화된다. 여기 서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화 될수록 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 상승한다. 따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 3노드(N3)의 전압 하강폭이 커진다. 다시 말하여, 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 3노드(N3)로 공급되는 유기 발광 다이오드(OLED)의 전압이 상승하고, 이에 따라 제 3노드(N3)의 전압 하강폭은 열화되지 않은 경우보다 높게 설정된다. On the other hand, the organic light emitting diode OLED deteriorates with time. Here, as the OLED degrades, the threshold voltage of the OLED increases. Therefore, as the organic light emitting diode OLED deteriorates, the voltage drop width of the third node N3 increases. In other words, as the OLED degrades, the voltage of the OLED supplied to the third node N3 increases, so that the voltage drop width of the third node N3 does not deteriorate. It is set higher than the case.
제 3노드(N3)의 전압 하강폭(즉, 하강되는 전압)이 증가되면 제 2노드(N2)의 하강 전압도 증가한다. 즉, 제 1구동부(144)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 제 2노드(N2)의 전압이 더 많이 하강하도록 제어함으로써 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다. When the voltage drop width (ie, the voltage falling down) of the third node N3 increases, the drop voltage of the second node N2 also increases. That is, the
한편, 본 발명에서 제 1구동부(144), 화소회로(142)의 구조는 다양한 형태로 변경 할 수 있다.Meanwhile, in the present invention, the structures of the
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 5를 설명할 때 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다. 5 is a diagram illustrating a pixel according to a second exemplary embodiment of the present invention. 5, the same reference numerals are assigned to the same parts as in FIG. 3, and detailed description thereof will be omitted.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 화소(140)의 제 1구동부(144')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7')와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다. Referring to FIG. 5, the
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다. The sixth transistor M6 is positioned between the third node N3 and the organic light emitting diode OLED and is turned on when a scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1.
제 7트랜지스터(M7')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(M7')는 발광 제어선(En)과 접속되어 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되고, 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프된다. The seventh transistor M7 'is positioned between the initialization power supply Vint and the third node N3. The seventh transistor M7 'is connected to the emission control line En and turned on when the emission control signal is not supplied, and is turned off when the emission control signal is supplied.
동작과정을 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제6트랜지스터(M6)가 턴-온되어 제 3노드(N3)로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 공급된다. 이후, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단되어 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 3노드(N3)의 전압 변화량에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압이 변화된다.Referring to the operation process, first, when the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn-1, the sixth transistor M6 is turned on and the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is turned on to the third node N3. Is supplied. Subsequently, the supply of the emission control signal to the emission control line En is stopped so that the seventh transistor M7 'is turned on. When the seventh transistor M7 'is turned on, the voltage of the third node N3 drops to the voltage of the initialization power supply Vint. At this time, the voltage of the second node N2 is changed by the feedback capacitor Cfb to correspond to the voltage change amount of the third node N3.
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 6을 설명할 때 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다. 6 is a diagram illustrating a pixel according to a third exemplary embodiment of the present invention. 6, the same reference numerals are assigned to the same parts as in FIG. 3, and detailed description thereof will be omitted.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 3실시예에 의한 화소(140)의 제 1구동부(144'')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6) 및 제 7트랜지스터(M7'')와, 제 6트랜지스터(M6)와 제 7트랜지스터(M7'') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3)와 제 2노드(N2) 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다. Referring to FIG. 6, the
제 6트랜지스터(M6)는 제 3노드(N3)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다. The sixth transistor M6 is positioned between the third node N3 and the organic light emitting diode OLED and is turned on when a scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1.
제 7트랜지스터(M7'')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3) 사이에 위치된다. 이와 같은 제 7트랜지스터(M7'')는 제 n주사선(Sn)과 접속되어 주사신호가 공급될 때 턴-온되고, 주사신호가 공급되지 않을 때 턴-오프된다. The seventh transistor M7 ″ is positioned between the initialization power supply Vint and the third node N3. The seventh transistor M7 ″ is connected to the nth scan line Sn and is turned on when the scan signal is supplied, and is turned off when the scan signal is not supplied.
동작과정을 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제6트랜지스터(M6)가 턴-온되어 제 3노드(N3)로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 공급된다. 이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되어 제 7트랜지스터(M7'')가 턴-온된다. 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3)의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 3노드(N3)의 전압 변화량에 대응하여 제 2노드(N2)의 전압이 변화된다.Referring to the operation process, first, when the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn-1, the sixth transistor M6 is turned on and the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is turned on to the third node N3. Is supplied. Thereafter, the scan signal is supplied to the nth scan line Sn to turn on the seventh transistor M7 ″. When the seventh transistor M7 'is turned on, the voltage of the third node N3 drops to the voltage of the initialization power supply Vint. At this time, the voltage of the second node N2 is changed by the feedback capacitor Cfb to correspond to the voltage change amount of the third node N3.
도 7은 본 발명의 제 4실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 7은 도 3에 도시된 화소와 비교하여 화소구조가 변경된다. 7 is a diagram illustrating a pixel according to a fourth exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 7, the pixel structure is changed compared to the pixel illustrated in FIG. 3.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 4실시예에 의한 화소는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(142')와, 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상하기 위한 제 1구동부(144''')와, 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가하기 위한 제 2구동부(146')를 구비한다. Referring to FIG. 7, a pixel according to a fourth embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극은 화소회로(142')에 접속되고, 캐소 드전극은 제 2전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로(142')로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the pixel circuit 142 ', and the cathode electrode is connected to the second power source ELVSS. The organic light emitting diode OLED generates light having a predetermined luminance in correspondence with the amount of current supplied from the pixel circuit 142 '.
화소회로(142')는 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류를 공급함과 아울러 제 1트랜지스터(M1')(즉, 구동 트랜지스터)의 문턱전압을 보상한다. 이를 위해, 화소회로(142')는 제 1트랜지스터(M1'), 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3'), 제 4트랜지스터(M4'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)를 구비한다. The
제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극은 제 10트랜지스터(M10)를 경유하여 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 11트랜지스터(M11)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극은 제 2노드(N2')에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(M1')는 제 1커패시터(C1')에 충전된 전압에, 즉 제 2노드(N2')에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다. The first electrode of the first transistor M1 'is connected to the first power supply ELVDD via the tenth transistor M10, and the second electrode is connected to the organic light emitting diode OLED through the eleventh transistor M11. Is connected to the anode electrode. The gate electrode of the first transistor M1 'is connected to the second node N2'. The first transistor M1 'supplies a current corresponding to the voltage applied to the first capacitor C1', that is, the voltage applied to the second node N2 ', to the organic light emitting diode OLED.
제 3트랜지스터(M3')의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 2전극에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극에 접속된다. 그리고, 제 3트랜지스터(M3')의 게이트전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 3트랜지스터(M3')는 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1')를 다이오드 형태로 접속시킨다. 즉, 제 3트랜지스터(M3')가 턴-온될 때 제 1트랜지스터(M1')는 다이오드 형태로 접속된다. The first electrode of the third transistor M3 'is connected to the second electrode of the first transistor M1, and the second electrode is connected to the gate electrode of the first transistor M1'. The gate electrode of the third transistor M3 'is connected to the nth scan line Sn. When the scan signal is supplied to the nth scan line Sn, the third transistor M3 'is turned on to connect the first transistor M1' in the form of a diode. That is, when the third transistor M3 'is turned on, the first transistor M1' is connected in the form of a diode.
제 2트랜지스터(M2')의 제 1전극은 데이터선(Dm)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1)의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 2트랜지스터(M2')의 게이트 전극은 제 n주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제 2트랜지스터(M2')는 제 n주사선(Sn)에 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호를 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급한다.The first electrode of the second transistor M2 'is connected to the data line Dm, and the second electrode is connected to the first electrode of the first transistor M1. The gate electrode of the second transistor M2 'is connected to the nth scan line Sn. The second transistor M2 'is turned on when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn to supply the data signal supplied to the data line D to the first electrode of the first transistor M1'. Supply.
제 4트랜지스터(M4')의 제 1전극은 제 2노드(N2')에 접속되고, 제 2전극은 초기화전원(Vint)에 접속된다. 그리고, 제 4트랜지스터(M4')의 게이트전극은 제 n-1주사선(Sn-1)에 접속된다. 이와 같은 제 4트랜지스터(M4')는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 2노드(N2')를 초기화한다. The first electrode of the fourth transistor M4 'is connected to the second node N2', and the second electrode is connected to the initialization power supply Vint. The gate electrode of the fourth transistor M4 'is connected to the n-th scan line Sn-1. The fourth transistor M4 'is turned on when the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn-1 to initialize the second node N2'.
제 10트랜지스터(M10)의 제 1전극은 제 1전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극에 접속된다. 그리고, 제 10트랜지스터(M10)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 10트랜지스터(M10)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1전원(ELVDD)과 제 1트랜지스터(M1')를 전기적으로 접속시킨다. The first electrode of the tenth transistor M10 is connected to the first power source ELVDD, and the second electrode is connected to the first electrode of the first transistor M1 '. The gate electrode of the tenth transistor M10 is connected to the emission control line En. The tenth transistor M10 is turned on when the emission control signal is not supplied to electrically connect the first power source ELVDD and the first transistor M1 ′.
제 11트랜지스터(M11)의 제 1전극은 제 1트랜지스터(M1')에 접속되고, 제 2전극은 유기 발광 다이오드(OLED)에 접속된다. 그리고, 제 11트랜지스터(M11)의 게이트전극은 발광 제어선(En)에 접속된다. 이와 같은 제 11트랜지스터(M11)는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 제 1트랜지스터(M1')와 유기 발광 다이오드(OLED)를 전기적으로 접속시킨다. The first electrode of the eleventh transistor M11 is connected to the first transistor M1 ', and the second electrode is connected to the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the eleventh transistor M11 is connected to the emission control line En. The eleventh transistor M11 is turned on when the emission control signal is not supplied to electrically connect the first transistor M1 ′ to the organic light emitting diode OLED.
제 2커패시터(C2')는 제 2노드(N2')와 제 n주사선(Sn) 사이에 접속된다. 이와 같은 제 2커패시터(C2')는 주사신호의 공급이 중단될 때 제 2노드(N2)의 전압을 상승시킨다. The second capacitor C2 'is connected between the second node N2' and the nth scan line Sn. The second capacitor C2 ′ increases the voltage of the second node N2 when the supply of the scan signal is stopped.
제 1커패시터(C1')는 제 1전원(ELVDD)과 제 2노드(N2') 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1')는 데이터신호에 대응하는 전압을 저장한다. The first capacitor C1 'is connected between the first power source ELVDD and the second node N2'. The first capacitor C1 ′ stores a voltage corresponding to the data signal.
제 1구동부(144''')는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 1트랜지스터(M1')의 게이트전극의 전압(즉, 제 2노드(N2')의 전압)을 제어한다. 다시 말하여, 제 1구동부(144''')는 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 대응하여 제 2노드(N2')의 전압 하강폭을 제어하면서 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화를 보상한다.The
이를 위해, 제 1구동부(144''')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 6트랜지스터(M6') 및 제 7트랜지스터(M7')와, 제 6트랜지스터(M6')와 제 7트랜지스터(M7') 사이의 공통노드인 제 3노드(N3')와 제 2노드(N2') 사이에 위치되는 피드백 커패시터(Cfb)를 구비한다. To this end, the
제 6트랜지스터(M6')는 제 3노드(N3')와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 위치되며, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온된다. The sixth transistor M6 'is positioned between the third node N3' and the organic light emitting diode OLED, and is turned on when the scan signal is supplied to the nth scan line Sn.
제 7트랜지스터(M7')는 초기화 전원(Vint)과 제 3노드(N3') 사이에 위치된다. 제 7트랜지스터(M7')는 발광 제어신호가 공급되지 않을 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)을 제 3노드(N3)로 공급한다. 여기서, 제 6트랜지스터(M6') 및 제 7트랜지스터(M7')는 서로 다른 시간 동안 턴-온된다. The seventh transistor M7 'is positioned between the initialization power supply Vint and the third node N3'. The seventh transistor M7 'is turned on when the emission control signal is not supplied to supply the initialization power supply Vint to the third node N3. Here, the sixth transistor M6 'and the seventh transistor M7' are turned on for different times.
피드백 커패시터(Cfb)는 제 3노드(N3')의 전압 변화량을 제 2노드(N2')로 전달한다. The feedback capacitor Cfb transfers the voltage change amount of the third node N3 'to the second node N2'.
제 2구동부(146')는 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압을 인가한 다. 이를 위해, 제 2구동부(146')는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극 사이에 위치되는 제 8트랜지스터(M8')를 구비한다. 제 8트랜지스터(M8')는 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드전극으로 공급한다. The
동작과정을 도 4와 결부하여 설명하면, 먼저 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되어 제 4트랜지스터(M4') 및 제 8트랜지스터(M8')가 턴-온된다. 그리고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되어 제 7트랜지스터(M7'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-오프된다.Referring to FIG. 4, the scan signal is first supplied to the n-th scan line Sn- 1 so that the fourth transistor M4 'and the eighth transistor M8' are turned on. The emission control signal is supplied to the emission control line En to turn off the seventh transistor M7 ′, the tenth transistor M10, and the eleventh transistor M11.
제 4트랜지스터(M4')가 턴-온되면 초기화 전원(Vint)의 전압이 제 2노드(N2')로 공급된다. 그러면, 제 2노드(N2')의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 초기화된다.When the fourth transistor M4 'is turned on, the voltage of the initialization power supply Vint is supplied to the second node N2'. Then, the voltage of the second node N2 'is initialized to the voltage of the initialization power supply Vint.
제 8트랜지스터(M8')가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)에 역바이어스 전압이 인가된다.When the eighth transistor M8 'is turned on, a reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED.
이후, 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급된다. 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3') 및 제 6트랜지스터(M6')가 턴-온된다. Thereafter, the scan signal is supplied to the nth scan line Sn. When the scan signal is supplied to the nth scan line Sn, the second transistor M2 ', the third transistor M3', and the sixth transistor M6 'are turned on.
제 3트랜지스터(M3')가 턴-온되면 제 1트랜지스터(M1')가 다이오드 형태로 접속된다. 제 2트랜지스터(M2')가 턴-온되면 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급된다. 여기서, 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 초기화되었기 때문에 제 1트랜지스터(M1')의 제 1전극으로 공급되는 데이터신호는 제 3트랜지스터(M3')를 경유하여 제 1트랜지스터(M1')의 게이트전극으로 공급된다. 이때, 제 1커패시터(C1')는 데이터신호에 대응하는 전압을 충전한다.When the third transistor M3 'is turned on, the first transistor M1' is connected in the form of a diode. When the second transistor M2 'is turned on, the data signal supplied to the data line Dm is supplied to the first electrode of the first transistor M1'. Here, since the gate electrode of the first transistor M1 'is initialized to the voltage of the initialization power supply Vint, the data signal supplied to the first electrode of the first transistor M1' passes through the third transistor M3 '. Is supplied to the gate electrode of the first transistor M1 '. In this case, the first capacitor C1 ′ charges a voltage corresponding to the data signal.
제 6트랜지스터(M6')가 턴-온되면 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 제 3노드(N3')로 인가된다.When the sixth transistor M6 'is turned on, the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is applied to the third node N3'.
제 3노드(N3')로 유기 발광 다이오드(OLED)의 문턱전압이 인가된 이후에 제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되고, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다. After the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is applied to the third node N3 ′, the supply of the scan signal to the nth scan line Sn is stopped and the emission control signal is supplied to the emission control line En. It stops.
제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되면 제 2트랜지스터(M2'), 제 3트랜지스터(M3') 및 제 6트랜지스터(M6')가 턴-오프된다. 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단되면 제 7트랜지스터(M7'), 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-온된다.When the supply of the scan signal to the nth scan line Sn is stopped, the second transistor M2 ', the third transistor M3', and the sixth transistor M6 'are turned off. When the supply of the emission control signal to the emission control line En is stopped, the seventh transistor M7 ′, the tenth transistor M10, and the eleventh transistor M11 are turned on.
제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되면 제 3노드(N3')의 전압이 초기화 전원(Vint)의 전압으로 하강한다. 이때, 피드백 커패시터(Cfb)에 의하여 제 2노드(N2')의 전압도 제 3노드(N3')의 전압 하강량에 대응하는 전압만큼 하강한다. 여기서, 제 3노드(N3')의 전압 하강량에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 보상된다. When the seventh transistor M7 'is turned on, the voltage of the third node N3' drops to the voltage of the initialization power supply Vint. At this time, the voltage of the second node N2 'is also lowered by the feedback capacitor Cfb by a voltage corresponding to the voltage drop amount of the third node N3'. Here, deterioration of the organic light emitting diode OLED is compensated for in response to the voltage drop amount of the third node N3 '.
제 n주사선(Sn)으로 주사신호의 공급이 중단되면 제 2커패시터(C2')에 의하여 제 2노드(N2')의 전압이 상승한다. 여기서, 제 2노드(N2')의 전압이 상승되면 라인 저항성분에 의한 데이터신호의 전압 하강량이 보상된다. 여기서, 제 2커패시 터(C2')의 의한 제 2노드(N2')의 전압 상승량은 항상 일정하게 설정되고, 피드백 커패시터(Cfb)에 의한 제 2노드(N2')의 전압 하강량은 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화에 의하여 결정된다.When the supply of the scan signal to the nth scan line Sn is stopped, the voltage of the second node N2 'is increased by the second capacitor C2'. Here, when the voltage of the second node N2 'rises, the voltage drop of the data signal due to the line resistance component is compensated. Here, the voltage increase amount of the second node N2 'by the second capacitor C2' is always set constant, and the voltage drop amount of the second node N2 'by the feedback capacitor Cfb is organic. It is determined by the deterioration of the light emitting diode OLED.
제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-온되면 제 1전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 전류 패스가 형성된다. 이때, 제 1트랜지스터(M1')는 제 2노드(N2')의 전압에 대응하는 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급한다. When the tenth transistor M10 and the eleventh transistor M11 are turned on, a current path is formed from the first power source ELVDD to the organic light emitting diode OLED. In this case, the first transistor M1 ′ supplies a current corresponding to the voltage of the second node N2 ′ to the organic light emitting diode OLED.
도 8은 본 발명의 제 5실시예에 의한 화소를 나타내는 도면이다. 도 8에 도시된 화소회로(142'')는 제 4트랜지스터(M4')가 제거되고, 제 2트랜지스터(M2'') 및 제 3트랜지스터(M3''), 제 2커패시터(C2'')가 제 n-1주사선(Sn-1)과 접속된다는 점을 제외하고 도 7에 도시된 화소회로(142')와 동일하게 설정된다. 그리고, 도 8의 제 1구동부(144') 및 제 2구동부(146)의 구성 및 동작은 이전에 설명되었기 때문에 상세한 설명은 생략하기로 한다.8 is a diagram illustrating a pixel according to a fifth exemplary embodiment of the present invention. In the
도 8의 화소회로(142'')의 동작과정을 도 9의 파형도와 결부하여 설명하기로 한다. 도 9에서 발광 제어선(En)으로 공급되는 발광 제어신호는 제 n-1주사선(Sn)이 공급된 이후에 공급된다. An operation process of the
제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급되면 제 2트랜지스터(M2''), 제 3트랜지스터(M3'') 및 제 6트랜지스터(M6)가 턴-온된다. When the scan signal is supplied to the n−1 th scan line Sn−1, the second transistor M2 ″, the third transistor M3 ″, and the sixth transistor M6 are turned on.
제 3트랜지스터(M3'')가 턴-온되면 제 2노드(N2')의 전압이 제 11트랜지스 터(M11) 및 유기 발광 다이오드(OLED)로 경유하여 제 2전원(ELVSS)으로 공급된다. 즉, 제 n-1주사선(Sn-1)으로 주사신호가 공급됨과 동시에 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되지 않는 기간 동안 제 2노드(N2')의 전압이 초기화된다.When the third transistor M3 ″ is turned on, the voltage of the second node N2 ′ is supplied to the second power supply ELVSS via the eleventh transistor M11 and the organic light emitting diode OLED. . That is, the voltage of the second node N2 'is initialized during the period in which the scan signal is supplied to the n-th scan line Sn-1 and the emission control signal is not supplied to the emission control line En.
이후, 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호가 공급되어 제 10트랜지스터(M10) 및 제 11트랜지스터(M11)가 턴-오프된다. 그러면, 데이터선(Dm)으로 공급되는 데이터신호가 제 2노드(N2')로 공급되어 데이터신호에 대응하는 전압이 제 1커패시터(C1')에 충전된다.Thereafter, the emission control signal is supplied to the emission control line En so that the tenth transistor M10 and the eleventh transistor M11 are turned off. Then, the data signal supplied to the data line Dm is supplied to the second node N2 ', and a voltage corresponding to the data signal is charged in the first capacitor C1'.
제 1커패시터(C1')에 발광 제어신호가 공급된 이후에 제 n주사선(Sn)으로 주사신호가 공급되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 역 바이어스 전압이 인가된다. 이후, 제 n주사선(Sn)으로 공급되는 주사신호 및 발광 제어선(En)으로 발광 제어신호의 공급이 중단된다. 그러면, 제 7트랜지스터(M7')가 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압이 제 3노드(N3')로 공급되고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화가 보상될 수 있도록 제 2노드(N2')의 전압이 변화된다. After the light emission control signal is supplied to the first capacitor C1 ′, a scan signal is supplied to the nth scan line Sn to apply a reverse bias voltage to the organic light emitting diode OLED. Subsequently, the supply of the emission control signal to the scan signal supplied to the nth scan line Sn and the emission control line En is stopped. Then, the seventh transistor M7 'is turned on so that the voltage of the initialization power supply Vint is supplied to the third node N3', thereby degrading the organic light emitting diode OLED. The voltage at the node N2 'is changed.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 일반적인 화소를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a general pixel.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 제 1실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a first embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2.
도 4는 도 3에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다.4 is a waveform diagram illustrating a method of driving the pixel illustrated in FIG. 3.
도 5는 도 2에 도시된 화소의 제 2실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a second embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2.
도 6은 도 2에 도시된 화소의 제 3실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a third embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2.
도 7은 도 2에 도시된 화소의 제 4실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating a fourth embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2.
도 8은 도 2에 도시된 화소의 제 5실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a fifth embodiment of the pixel illustrated in FIG. 2.
도 9는 도 8에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다. 9 is a waveform diagram illustrating a method of driving the pixel illustrated in FIG. 8.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
2 : 화소회로 4 : 화소2: pixel circuit 4: pixel
110 : 주사 구동부 120 : 데이터 구동부110: scan driver 120: data driver
130 : 화소부 140 : 화소130: pixel portion 140: pixel
142 : 화소회로 144, 146 : 구동부142:
150 : 타이밍 제어부150: timing controller
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