KR100891316B1 - Heat Pipe Type Hot Plate by Induction Heating - Google Patents
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Abstract
본 발명은 온도의 균일성과 급속 가열을 구현하기 위한 유도가열에 의한 히트파이프 방식 핫플레이트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 비열전도성을 갖으며 중심부로부터 가장자리까지 유도코일이 권선 된 하부플레이트와; 하측의 중심과 가장자리의 일정 두께는 돌출부를 형성하고, 상측은 중심과 동심이며 상기 중심으로부터 일정한 간격으로 유도홈이 형성된 유도막과 상측의 가장자리에 차단막을 형성하여 상기 유도코일의 발열을 유도하는 상부플레이트와; 상기 상부플레이트의 유도열을 재유도하기 위해 상부플레이트와 결합되는 상판; 을 포함하여 구성하되,The present invention relates to a heat pipe type hot plate by induction heating for realizing uniformity of temperature and rapid heating, and more particularly, a lower plate having a non-thermal conductivity and having an induction coil wound from the center to the edge; A certain thickness of the lower center and the edge forms a protrusion, and the upper side is concentric with the center, and the upper side inducing heat generation of the induction coil by forming a barrier film on the upper edge and an induction film formed with guide grooves at regular intervals from the center. A plate; An upper plate coupled to the upper plate to induce induced heat of the upper plate; Including but not limited to
상기 상부플레이트의 중심 측 돌출부의 외측과 가장자리 돌출부의 내측은 상기 하부플레이트의 유도코일에 면접 되도록 구성하여 하부플레이트와 상부플레이트를 결합한 것을 특징으로 하는 핫플레이트에 관한 것이다.The outer side of the central side protrusion of the upper plate and the inner side of the edge protrusion is configured to be interviewed to the guide coil of the lower plate relates to a hot plate, characterized in that to combine the lower plate and the upper plate.
핫플레이트, 베이킹, 웨이퍼, 히트파이프, 반도체 Hot Plates, Baking, Wafers, Heat Pipes, Semiconductors
Description
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 핫플레이트의 분리사시도,1 is an exploded perspective view of a hot plate according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1의 하부플레이트의 평면을 나타낸 도면,2 is a view showing a plane of the lower plate of FIG.
도 3은 도 1의 상부플레이트의 평면도,3 is a plan view of the upper plate of FIG.
도 4는 도 1의 상부플레이트의 평면을 나타낸 사시도,4 is a perspective view showing a plane of the upper plate of FIG.
도 5는 도 1의 상부플레이트의 저면을 나타낸 사시도,5 is a perspective view showing a bottom surface of the upper plate of FIG.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 핫플레이트의 분리사시도,6 is an exploded perspective view of a hot plate according to another embodiment of the present invention;
도 7은 도 6의 상부플레이트의 저면도,7 is a bottom view of the upper plate of FIG. 6, FIG.
도 8은 도 6의 상부플레이트의 평면을 나타낸 사시도,8 is a perspective view showing a plane of the upper plate of FIG.
도 9는 도 6의 상부플레이트의 저면을 나타낸 사시도이다.9 is a perspective view illustrating a bottom surface of the upper plate of FIG. 6.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
10: 하부플레이트 11: 열선10: lower plate 11: heating wire
20: 상부플레이트 21,22: 돌출부20:
23: 유도홈 24: 유도막23: guide groove 24: guide membrane
25: 차단막 30: 상판25: barrier 30: top plate
본 발명은 반도체의 집적도를 향상시키기 위하여 응답속도와 온도의 균일도가 향상된 웨이퍼를 가열하는 유도가열에 의한 히트파이프방식 핫플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to a heat pipe type hot plate by induction heating for heating a wafer having improved response speed and temperature uniformity in order to improve the degree of integration of a semiconductor.
최근 반도체 집적회로가 점차 고집적화됨에 따라 포토공정의 임계선폭(Critical dimension)이 작아지고 있다. 이에 따라 포토공정을 수행할 때 웨이퍼의 온도가 균일성(Uniformity)을 가질 것을 요구한다. 이는 포토공정 중 설계된 반도체 회로를 웨이퍼에 전사시킬 때 빛의 조사여부에 따라 달리 감응함으로써 미세회로 패턴을 형성할 수 있도록 노광 공정용 포토레지스트(Photoresist: 감광막)를 웨이퍼에 도포(1 ~ 3㎛ 정도)한 후, 이를 에칭이나 디벨로프(Develop)할 때 감광막의 접착력을 증가시키기 위해 웨이퍼 상에 도포 된 감광막을 베이킹(Baking)할 때, 웨이퍼에 고온의 열을 가하게 되는 베이크의 단계가 요구되게 된다. 이때 만일 온도가 균일하지 않으면 웨이퍼 상에 접착된 감광막에 예기치 않은 특성의 변화를 줄 수 있기 때문이다.Recently, as semiconductor integrated circuits are increasingly integrated, the critical dimension of a photo process is decreasing. Accordingly, when performing the photo process, it is required that the temperature of the wafer have uniformity. This is because the photoresist (photoresist film) for the exposure process is applied to the wafer (1 ~ 3㎛) so that a fine circuit pattern can be formed by differently responding to the irradiation of light when transferring the semiconductor circuit designed during the photo process to the wafer. After baking, the baking step of applying a high temperature heat to the wafer is required when baking the photosensitive film applied on the wafer to increase the adhesion of the photosensitive film when etching or developing it. . This is because if the temperature is not uniform, unexpected changes may be made to the photosensitive film deposited on the wafer.
한편, 종래의 핫플레이트는 내부에 열선을 삽입한 후 상기 열선을 외부로부터 보호되도록 금속재질로 덮은 후 티그용접, 플라즈마 용접 및 레이저용접을 실시하나 이 경우 열변형 및 잔류 응력이 커지고 용접깊이의 제한이 있어 핫플레이트의 응답속도 및 온도균일성이 저하되는 문제점이 있었다.On the other hand, the conventional hot plate is covered with a metal material to protect the heat wire from the outside after inserting the hot wire inside, and then performing a TIG welding, plasma welding and laser welding, in this case, the thermal deformation and residual stress is increased and the welding depth is limited There was a problem that the response speed and temperature uniformity of the hot plate is lowered.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 온도의 균일성과 급속 가열을 구현하여 더욱 정밀한 반도체 부품을 제작하는데 기여하는 핫플레이트를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a hot plate that contributes to the production of more precise semiconductor components by implementing a uniform temperature and rapid heating.
상기와 같은 본 발명의 목적은, 비열전도성을 갖으며 중심부로부터 가장자리까지 유도코일이 권선 된 하부플레이트와; 하측의 중심과 가장자리의 일정 두께는 돌출부를 형성하고, 상측은 중심과 동심이며 상기 중심으로부터 일정한 간격으로 유도홈이 형성된 유도막과 상측의 가장자리에 차단막을 형성하여 상기 유도코일의 발열을 유도하는 상부플레이트와; 상기 상부플레이트의 유도열을 재유도하기 위해 상부플레이트와 결합되는 상판; 을 포함하여 구성하되,An object of the present invention as described above, the lower plate having a non-thermal conductivity and the induction coil is wound from the center to the edge; A certain thickness of the lower center and the edge forms a protrusion, and the upper side is concentric with the center, and the upper side inducing heat generation of the induction coil by forming a barrier film on the upper edge and an induction film formed with guide grooves at regular intervals from the center. A plate; An upper plate coupled to the upper plate to induce induced heat of the upper plate; Including but not limited to
상기 상부플레이트의 중심 측 돌출부의 외측과 가장자리 돌출부의 내측은 상기 하부플레이트의 유도코일에 면접 되도록 구성하여 하부플레이트와 상부플레이트를 결합한 것을 특징으로 하는 유도가열에 의한 히트파이프방식 핫플레이트에 의해 달성된다.The outer side of the center side protrusion of the upper plate and the inner side of the edge protrusion are configured to be interviewed by the induction coil of the lower plate, and is achieved by a heat pipe type hot plate by induction heating, characterized in that the lower plate and the upper plate are combined. .
여기서, 상기 상부플레이트의 상측은 작동유체를 주입되고, 유도홈이 형성된 유도막 간에는 히트파이프가 더 구비되어 구성되는 것이 특징이다.Here, the upper side of the upper plate is injected with a working fluid, characterized in that the heat pipe is further provided between the induction film formed with the guide groove.
또한, 본 발명의 다른 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합 하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Further features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims are defined in the technical spirit of the present invention on the basis of the principle that the inventor can appropriately define the concept of the term in order to explain his invention in the best way. It should be interpreted as a meaning and concept that is consistent.
이하, 본 발명의 양호한 실시예를 도시한 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하되, 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 하며, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings showing a preferred embodiment of the present invention will be described in detail, in adding reference numerals to the components of each drawing, the same components are possible even if displayed on different drawings It should be noted that the same reference numerals are used. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
본 발명은 온도의 균일성과 급속 가열을 구현하기 위한 유도가열에 의한 히트파이프방식 핫플레이트에 관한 것으로, 구성은 크게 비열전도성을 갖으며 중심부로부터 가장자리까지 유도코일(11)이 권선 된 하부플레이트(10)와, 하측의 중심과 가장자리의 일정 두께는 돌출부(21,22)를 형성하고, 상측은 중심과 동심이며 상기 중심으로부터 일정한 간격으로 유도홈(23)이 형성된 유도막(24)과 상측의 가장자리에 차단막(25)을 형성하여 상기 유도코일(11)의 발열을 유도하는 상부플레이트(20)와, 상기 상부플레이트(20)의 유도열을 재유도하기 위해 상부플레이트(20)와 결합되는 상판(30)으로 이루어진다.The present invention relates to a heat pipe type hot plate by induction heating for realizing uniformity of temperature and rapid heating, and has a large non-thermal conductivity and a
이와 같은 구성의 핫플레이트는 반도체 웨이퍼 제조시 가열 및 건조, LCD (액정) 디스플레이 기판 가열, CVD ,플라즈마 에칭의 가열, 기타 전자부품 가열 및 건조에 쓰여 해당 부품의 품질과 수율에 결정적인 영향을 미치는 장치 중 하나이며 온도 균일도가 무엇보다 중요한 것이니만큼 유도코일(11)의 권선과 상기 유도코일(11)의 발열을 유도하는 상부플레이트(20)와 상기 상부플레이트(20)의 유도열을 재유도하는 상판(30)의 재질 선택이 관건이다.This hot plate is used for heating and drying semiconductor wafers, heating LCD (liquid crystal) display substrates, heating CVD, plasma etching, heating and drying other electronic components, and decisively affecting the quality and yield of the components. Since the temperature uniformity is one of the most important factors, the winding of the
따라서, 상부플레이트(20)와 상판(30)은 인코넬(inconel), 티타늄(titanium), 니켈(nickel), 서스(STS), 알루미늄(aluminum) 등과 같은 열전도성이 우수한 금속모재로 제작되는 것이 바람직하며, 금속모재의 내구성과 신뢰성을 향상하도록 내마모성, 내부식성, 내산화성, 단열성이 우수한 세라믹층으로 코팅될 수도 있다.Accordingly, the
이와 더불어 상기 상부플레이트(20)의 중심 측 돌출부(21)의 외 측과 가장자리 돌출부(22)의 내측은 상기 하부플레이트(10)의 유도코일(11)에 면접 되도록 구성하여 하부플레이트(10)와 상부플레이트(20)를 결합하여 열전도성을 향상시킨다. 구체적으로 하부플레이트(10)의 중심부(유도코일이 권선 되지 않은 부위)는 상부플레이트(20)의 중심 측 돌출부(21)의 면적과 일치하며, 상기 돌출부(21)의 높이는 하부플레이트(10)의 중심부를 기준으로 한 유도코일(11)의 높이와 일치하여야 한다. 이는 하부플레이트(10)의 가장자리까지 권선 된 유도코일(11)의 외 측과 상부플레이트(20)의 가장자리에 형성된 돌출부(22)와의 관계에서도 적용된다. 따라서, 이와 같은 구성으로 상부플레이트(20)에 전달된 유도열을 재유도하는 상판(30)은 균일한 열 분포를 갖게 된다.In addition, the outer side of the
한편, 이와 같은 구성의 핫플레이트는 사용용도, 설치장소, 크기 등을 고려하여 사각형, 팔각형, 원형 등 다양한 형태를 갖출 수 있으나, 본 발명에서는 도면에서도 나타난 바와 같이 원 형상의 예를 들어 설명하는 것임을 참고하여야 한다.On the other hand, the hot plate of such a configuration may have a variety of forms, such as rectangular, octagonal, circular, etc. in consideration of the intended use, installation location, size, etc., the present invention will be described by taking an example of a circular shape as shown in the drawings. Reference should be made.
상기 상부플레이트(20)와 상판(30)과의 결합은 브레이징(Brazing) 작업으로 이루어지며 바람직하게는 용접시 열변형이 적고 잔류 응력이 우수한 전자빔 용접을 사용한다.Coupling of the
한편, 본 발명에서는 상부플레이트(20)의 상측에 작동유체를 주입하고, 유도홈(23)이 형성된 유도막(24) 간에는 히트파이프를 구비하여 하부플레이트(10)의 유도코일(11)과 함께 열을 발생함으로써 핫플레이트의 급속가열과 온도균일성을 달성할 수 있다. 이때 상기 유도홈(23)과 유도막(24)은 상판 위에서 작업하는 웨이퍼에 압력을 가하는 공정의 경우 상판의 변형을 막기위한 지지 구조물의 역할을 하기위해 구비한 것이므로, 만일 위에서 가하는 압력이 없는 공정의 경우에는 유도홈(23)과 유도막(24) 없이 전체를 빈공간으로 만들어 히트파이프로 구비할 수도 있다. 이때 상기 유도홈(23)은 유체가 서로 다른 유도막(24)을 경유할 때 작동유체의 이동을 최대한 간섭하지 않는 위치에 형성된다. 즉, 유도홈(23)을 통하여 작동유체의 열전도가 전 공간으로 신속히 확산되는 구조이다.Meanwhile, in the present invention, a working fluid is injected into the upper side of the
상기 히트파이프는 금속관의 내부를 진공으로 한 뒤에 민감한 작동 유체를 삽입하여 일측에 뜨거운 온수나 전기를 접촉하면 금속관 내부에서 작동 유체가 증기상태로 변해 열을 가하지 않은 다른 방향으로 이동하면서 금속관 전체에 열을 전달하는 방식으로, 액체가 기체로 바뀌는 증발과 기체가 액체로 응축될 때, 흡수 및 방출되는 높은 잠열을 이용하여 순간적으로 대량의 열을 이동시키는 열 전달기구이다. 따라서, 이와 같은 히트파이프의 열을 전달받은 유체는 유도홈(23)이 형성된 유도막(24)을 따라 대류하게 되고, 유체의 기화 및 응축의 촉진으로 상부플레이트(20)의 압력장을 균일하게 유지하여 상판(30)에 고른 열 분포를 갖게 한다.The heat pipe vacuums the inside of the metal tube, and then inserts a sensitive working fluid into contact with hot hot water or electricity on one side, and the working fluid turns into a vapor state inside the metal tube and moves in the other direction without applying heat to heat the entire metal tube. It is a heat transfer mechanism that transfers a large amount of heat in an instant by using evaporation of converting liquid into gas and high latent heat absorbed and released when the gas condenses into liquid. Therefore, the fluid receiving the heat of the heat pipe convex along the
한편, 본 발명에 따른 핫플레이트의 다른 실시예는 비열전도성을 갖으며 중심부로부터 가장자리까지 유도코일(11)이 권선 된 하부플레이트(10)와, 하측의 중심과 가장자리의 일정 두께는 돌출부(21,22)를 형성하고, 상측은 평평하게 형성하여 상기 유도코일(11)의 발열을 유도하는 상부플레이트(20)를 포함하여 구성된다.On the other hand, another embodiment of the hot plate according to the present invention has a non-thermal conductivity and the
여기서, 상기 상부플레이트(20)의 중심 측 돌출부(21,22)의 외측과 가장자리 돌출부(21,22)의 내측은 상기 하부플레이트(10)의 유도코일(11)에 면접 되도록 구성되며, 이와 같은 구성의 특징들은 상기 실시예에서 기술된 것이므로 생략하며, 상기 상부플레이트(20)와 하부플레이트(10)의 결합은 볼트, 너트와 같은 다양한 결합수단에 의해 결합될 수 있다.Here, the outer side of the
상기 전술한 바와 같은 본 발명은 급속가열과, 온도의 균일성을 달성함으로써 핫플레이트의 작업처리기능을 향상시키는 효과가 있다.The present invention as described above has the effect of improving the work function of the hot plate by achieving rapid heating and uniformity of temperature.
이상 본 발명이 바람직한 실시예와 관련하여 설명되었으나, 본 발명의 기술 분야에 속하는 자들은 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 변경 및 수정을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 진정한 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the present invention has been described in connection with a preferred embodiment, those of ordinary skill in the art will be able to easily make various changes and modifications without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation, and the true scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the equivalent scope are included in the present invention. Should be interpreted as.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070065353A KR100891316B1 (en) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | Heat Pipe Type Hot Plate by Induction Heating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070065353A KR100891316B1 (en) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | Heat Pipe Type Hot Plate by Induction Heating |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090001168A KR20090001168A (en) | 2009-01-08 |
KR100891316B1 true KR100891316B1 (en) | 2009-04-01 |
Family
ID=40484274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070065353A KR100891316B1 (en) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | Heat Pipe Type Hot Plate by Induction Heating |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100891316B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013058610A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Hot plate and method of manufacturing the same |
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-
2007
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Also Published As
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---|---|
KR20090001168A (en) | 2009-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20131001 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161222 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171204 Year of fee payment: 10 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |