KR100890739B1 - 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 - Google Patents
전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100890739B1 KR100890739B1 KR1020030008691A KR20030008691A KR100890739B1 KR 100890739 B1 KR100890739 B1 KR 100890739B1 KR 1020030008691 A KR1020030008691 A KR 1020030008691A KR 20030008691 A KR20030008691 A KR 20030008691A KR 100890739 B1 KR100890739 B1 KR 100890739B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituted
- substituent
- acid
- atom
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
- Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
- Y10S430/123—Sulfur in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/126—Halogen compound containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
플라스크에 p-아미노페놀 1mol, 아세트산나트륨 1mol 및 아세톤 1L를 넣고, 이 혼합물에 빙냉하 이소부티르산클로리드(isobutyric chloride) 1mol을 적하하였다. 5시간 후, 반응혼합물을 빙수에 부어 결정을 석출시켰다. 이 결정을 여과수집하여 HM-0-X를 수율 80%로 얻었다.
EUV 평가 | |||
실시예 | 조성물 | 감도(mJ/㎠) | γ값 |
137 | 실시예 101 | 3.0 | 9.5 |
138 | 실시예 102 | 2.0 | 10.5 |
비교예 111 | 비교예 101 | >5.0 | 6.5 |
Claims (19)
- 삭제
- (A1)-0.78V 보다 높은 환원전위를 가지며, 하기 일반식(1), (2) 또는 (3)으로 표시되는, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물; (A3)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 불소원자 함유 카르복실산을 발생하는 화합물 및 (A4)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 불소원자 비함유 카르복실산을 발생하는 화합물에서 선택되는 1종 이상의 화합물; 및 (BP)알칼리 수용액에 대해 불용 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대해 가용성으로 되는 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, Y는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기를 나타내고; R1a~R8a는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 카르복실기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고; R1~R15는 각각 독립적으로 수소원자, 니트로기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, 단 R1~R15 중 2개 이상은 니트로기, 시아노기 및 트리플루오로메틸기에서 선택되는 기이고; R16~R27는 각각 독립적으로 수소원자, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기 또는 할로겐원자를 나타내고; y는 0 또는 1을 나타내며; X-는 불소원자, 1개 이상의 불소원자로 치환된 알킬기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 알콕시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아실기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아실옥시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐옥시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐아미노기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아릴기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아랄킬기 및 1개 이상의 불소원자로 치환된 알콕시카르보닐기에서 선택되는 1종 이상을 갖는, 알킬술폰산, 벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산 또는 안트라센술폰산의 음이온을 나타낸다)
- 삭제
- 제2항에 있어서, (A2)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하고, 하기 일반식(I)~(III) 중 어느 하나로 표시되는 구조를 갖는 화합물을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, R1~R37은 같거나 달라도 좋고, 각각은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기, 할로겐원자 또는 -S-R38기를 나타내고; R38은 알킬기 또는 아릴기를 나타내며; X-는 불소원자, 1개 이상의 불소원자로 치환된 알킬기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 알콕시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아실기, 1개 이상의 불소원자로 치환 된 아실옥시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐옥시기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 술포닐아미노기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아릴기, 1개 이상의 불소원자로 치환된 아랄킬기 및 1개 이상의 불소원자로 치환된 알콕시카르보닐기에서 선택되는 1종 이상을 갖는, 알킬술폰산, 벤젠술폰산, 나프탈렌술폰산 또는 안트라센술폰산의 음이온을 나타낸다)
- 삭제
- 제2항에 있어서, 상기 (BP)알칼리 수용액에 대해 불용 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대해 가용성으로 되는 폴리머는 하기 일반식(X1) 또는 (X2)로 표시되는 기를 함유하는 구조단위를 가진 폴리머인 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, R1b 및 R2b는 같거나 달라도 좋고, 각각은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고; R3b 및 R4b는 같거나 달라도 좋고, 각각은 수소원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기를 나타내고; R5b는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아랄킬기를 나타내고; m은 0~20의 정수를 나타내며; n은 0~5의 정수를 나타낸다)(식중, R6b 및 R7b는 같거나 달라도 좋고, 각각은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고; W는 2가 유기기를 나타내며; R8b는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 시클로알킬기, 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아랄킬기를 나타낸다)
- 제2항에 있어서, 상기 (BP)알칼리 수용액에 대해 불용 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대해 가용성으로 되는 폴리머는 산의 작용에 의해 분해되는 3급 에스테르기를 함유하는 구조단위를 가진 폴리머인 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 (BP)알칼리 수용액에 대해 불용 또는 난용성이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 대해 가용성으로 되는 폴리머는 산의 작용에 의해 분해되는 tert-부톡시카르보닐기를 함유하는 구조단위를 가진 폴리머인 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제2항에 있어서, 상기 (A3)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 불소원자 함유 카르복실산을 발생하는 화합물은 하기 일반식(IF)~(IIIF) 중 어느 하나로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, R1∼R37는 각각 독립적으로 수소원자, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알콕시기, 히드록시기, 할로겐원자 또는 -S-R38기를 나타내고; R38은 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기를 나타내며; X-는 1개 이상의 불소원자로 치환된 지방족 또는 방향족 카르복실산의 음이온을 나타낸다)
- 제2항에 있어서, 상기 (A4)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 불소원자 비함유 카르복실산을 발생하는 화합물은 하기 일반식(AI)~(AV) 중 어느 하나로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, R301~R337은 각각 독립적으로 수소원자, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알콕시기, 히드록시기, 할로겐원자 또는 -S-R0기를 나타내고; R0는 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 또는 아릴기를 나타내고; Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소원자, 니트로기, 할로겐원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 알콕시기를 나타내고; Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 할로겐원자, 치환기를 갖고 있어도 좋은 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 좋은 아릴기를 나타내거나, 또는 Rc와 Rd가 서로 결합하여 방향족환, 또는 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소환(환은 산소원자 또는 질소원자를 함유하고 있어도 좋음)을 형성해도 좋고; Y1 및 Y2는 각각 탄소원자를 나타내고, Y1-Y2 결합은 단결합 또는 이중결합이어도 좋고; X-는 하기 일반식(C1) 내지 (C10)으로 표시되는 하나 이상의 카르복실산 화합물의 음이온을 나타내며; X1 및 X2는 각각 독립적으로 하기 일반식(C1) 내지 (C10)으로 표시되는 하나 이상의 카르복실산 화합물의 카르복실기에 형성된 에스테르기를 나타낸다.식중, R338은 탄소수 1~30개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기(여기서, 알킬기는 그 알킬기의 쇄 중에 산소원자 또는 질소원자를 함유하고 있어도 좋음), 탄소수 2~20개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알케닐기, 탄소수 2~20개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알키닐기, 탄소수 1~20개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알콕시기, 상기 알킬기의 수소원자의 적어도 일부가 할로겐원자 및/또는 히드록시기로 치환된 기, 상기 알케닐기의 수소원자의 적어도 일부가 할로겐원자 및/또는 히드록시기로 치환된 기, 또는 탄소수 6~20개의 치환 또는 미치환의 아릴기를 나타내고; R339는 단결합, 탄소수 1~20개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬렌기(여기서, 알킬렌기는 그 알킬렌기의 쇄 중에 산소원자 또는 질소원자를 함유하고 있어도 좋음), 탄소수 2~20개의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알케닐렌기, 상기 알킬렌기의 수소원자의 적어도 일부가 할로겐원자 및/또는 히드록시기로 치환된 기, 상기 알케닐렌기의 수소원자의 적어도 일부가 할로겐원자 및/또는 히드록시기로 치환된 기, 또는 탄소수 2~20개의 알콕시알킬렌기를 나타내고; 복수의 R338 및 R339은 서로 같거나 달라도 좋고; R340은 히드록시기 또는 할로겐원자를 나타내고; 복수의 R340은 서로 같거나 달라도 좋고; m, n, p 및 q는 각각 독립적으로 0~3의 정수를 나타내고, 상기 일반식(C7)에서 m + n ≤4이고, p + q ≤3이고, 상기 일반식(C8), (C9)에서 m + n ≤5이고, p + q ≤4이고, 상기 일반식(C10)에서 m + n ≤4이며; z는 0 또는 1을 나타낸다)
- 삭제
- 제2항에 있어서, 하기 일반식(A), (B), (C), (D) 또는 (E)로 표시되는 구조를 함유하는 유기염기성 화합물을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.(식중, R250, R251 및 R252은 같거나 또는 달라도 좋고, 각각은 수소원자, 탄소수 1~6개의 알킬기, 탄소수 1~6개의 아미노알킬기, 탄소수 1~6개의 히드록시알킬기 또는 탄소수 6~20개의 치환 또는 미치환의 아릴기를 나타내고, 또는 R251과 R252이 서로 결합하여 환을 형성하여도 좋으며; R253, R254 , R 255 및 R256은 같거나 또는 달라도 좋고, 각각은 탄소수 1~6개의 알킬기를 나타낸다)
- 제2항에 있어서, 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선, EUV 또는 X선용 포지티브 레지스트 조성물.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002035685 | 2002-02-13 | ||
JPJP-P-2002-00035685 | 2002-02-13 | ||
JPJP-P-2002-00038494 | 2002-02-15 | ||
JP2002038494 | 2002-02-15 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080090814A Division KR100931616B1 (ko) | 2002-02-13 | 2008-09-16 | 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030080195A KR20030080195A (ko) | 2003-10-11 |
KR100890739B1 true KR100890739B1 (ko) | 2009-03-26 |
Family
ID=27667525
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030008691A KR100890739B1 (ko) | 2002-02-13 | 2003-02-12 | 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 |
KR1020080090814A KR100931616B1 (ko) | 2002-02-13 | 2008-09-16 | 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080090814A KR100931616B1 (ko) | 2002-02-13 | 2008-09-16 | 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521168B2 (ko) |
EP (2) | EP1338921A3 (ko) |
KR (2) | KR100890739B1 (ko) |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5970359A (en) * | 1998-11-06 | 1999-10-19 | United Microelectronics Corp. | Method of forming a capacitor for DRAM |
US7083892B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resist composition |
JP3852593B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2006-11-29 | 日産化学工業株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
DE60327141D1 (de) | 2002-09-30 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | Polymerisierbare Zusammensetzung und Flachdruckplattenvorläufer |
JP4137577B2 (ja) | 2002-09-30 | 2008-08-20 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JP2004126050A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版 |
CN100590525C (zh) * | 2002-12-18 | 2010-02-17 | 富士胶片株式会社 | 可聚合组合物和平版印刷版前体 |
JP4150261B2 (ja) | 2003-01-14 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版の製版方法 |
JP2004252201A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版原版 |
JP4115322B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-07-09 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4299639B2 (ja) | 2003-07-29 | 2009-07-22 | 富士フイルム株式会社 | 重合性組成物及びそれを用いた画像記録材料 |
JP2005099284A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及び平版印刷版原版 |
JP4347110B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2009-10-21 | 東京応化工業株式会社 | 電子線又はeuv用ポジ型レジスト組成物 |
US7449573B2 (en) * | 2004-02-16 | 2008-11-11 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition |
JP4716749B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2011-07-06 | 株式会社Adeka | 新規な芳香族スルホニウム塩化合物、これからなる光酸発生剤およびこれを含む光重合性組成物、光学的立体造形用樹脂組成物ならびに光学的立体造形法 |
JP4365236B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2009-11-18 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4308051B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2009-08-05 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4505357B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-07-21 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7524606B2 (en) * | 2005-04-11 | 2009-04-28 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite photoresist composition for imaging thick films |
US7247419B2 (en) * | 2005-04-11 | 2007-07-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Nanocomposite photosensitive composition and use thereof |
JP4524234B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008037857A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
JP4562784B2 (ja) | 2007-04-13 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液 |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
JP4558064B2 (ja) | 2007-05-15 | 2010-10-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
KR101452229B1 (ko) | 2007-06-12 | 2014-10-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
US20080311515A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive resist composition and method of forming resist pattern |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
JP4617337B2 (ja) | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP5066405B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
KR101440941B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2014-09-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 신규의 술포늄 화합물을 함유하는 레지스트 조성물, 그 레지스트 조성물을 사용한 패턴 형성 방법, 및 신규의 술포늄 화합물 |
JP5303142B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-10-02 | 東京応化工業株式会社 | 含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5557550B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子線又はeuv光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法 |
JP5439124B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-03-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
CN102884479B (zh) | 2010-05-04 | 2015-04-15 | 株式会社Lg化学 | 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法 |
US9469941B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-10-18 | Empire Technology Development Llc | Paraben derivatives for preserving cellulosic materials |
KR20130076364A (ko) * | 2011-12-28 | 2013-07-08 | 금호석유화학 주식회사 | 레지스트용 첨가제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
JP5856991B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2016-02-10 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法 |
JP6046646B2 (ja) | 2014-01-10 | 2016-12-21 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、化学増幅型ポジ型レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
US9872399B1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-16 | International Business Machines Corporation | Implementing backdrilling elimination utilizing anti-electroplate coating |
US11765921B2 (en) * | 2016-11-25 | 2023-09-19 | Lg Chem, Ltd. | Ionic compound, and coating composition and organic light-emitting device comprising same |
JP6973279B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-11-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7334683B2 (ja) | 2019-08-02 | 2023-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7334684B2 (ja) | 2019-08-02 | 2023-08-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7351257B2 (ja) * | 2019-08-14 | 2023-09-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7354954B2 (ja) | 2019-09-04 | 2023-10-03 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2021182133A (ja) | 2020-05-18 | 2021-11-25 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7484846B2 (ja) | 2020-09-28 | 2024-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 分子レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000258902A (ja) | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
KR20010030199A (ko) * | 1999-09-06 | 2001-04-16 | 무네유키 가코우 | 포지티브 전자선 또는 엑스선 레지스트 조성물 |
KR20020006602A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-23 | 무네유키 가코우 | 포지티브 감광성 조성물 |
Family Cites Families (131)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2883827A (en) | 1953-08-04 | 1959-04-28 | Elgin Nat Watch Co | Electrically actuated horological instrument |
US3902114A (en) | 1967-10-20 | 1975-08-26 | Gunther Alich | Method of and apparatus for measuring the distance between cooperating rollers of a rolling mill |
US3987037A (en) | 1971-09-03 | 1976-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines |
DE2150691C2 (de) | 1971-10-12 | 1982-09-09 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte |
US3905815A (en) | 1971-12-17 | 1975-09-16 | Minnesota Mining & Mfg | Photopolymerizable sheet material with diazo resin layer |
US3779778A (en) | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
DE2242106A1 (de) | 1972-08-26 | 1974-03-21 | Agfa Gevaert Ag | Lichtempfindliches photographisches material |
USRE27992E (en) | 1973-01-31 | 1974-04-30 | Fig.io | |
GB1512982A (en) | 1974-05-02 | 1978-06-01 | Gen Electric | Salts |
US4069056A (en) | 1974-05-02 | 1978-01-17 | General Electric Company | Photopolymerizable composition containing group Va aromatic onium salts |
DE2718130C2 (de) | 1977-04-23 | 1979-05-17 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf | lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
US4173476A (en) | 1978-02-08 | 1979-11-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Complex salt photoinitiator |
US4181531A (en) | 1978-04-07 | 1980-01-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive non-silver systems containing nitrofuryldihydropyridine |
JPS6053300B2 (ja) | 1978-08-29 | 1985-11-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
DE2922746A1 (de) | 1979-06-05 | 1980-12-11 | Basf Ag | Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial |
EP0044115B2 (en) | 1980-07-14 | 1987-06-03 | Akzo N.V. | Thermosetting coating composition containing a blocked acid catalyst |
US4478967A (en) | 1980-08-11 | 1984-10-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photolabile blocked surfactants and compositions containing the same |
US4371605A (en) | 1980-12-09 | 1983-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photopolymerizable compositions containing N-hydroxyamide and N-hydroxyimide sulfonates |
US4431774A (en) | 1981-09-14 | 1984-02-14 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the curing of stoving lacquers |
US4510290A (en) | 1982-01-11 | 1985-04-09 | Ciba Geigy Corporation | Acid-curable composition containing a masked curing catalyst, and a process for the curing thereof |
JPS58137951A (ja) | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Kyoritsu Denki Kk | 超高圧放電灯 |
ATE20474T1 (de) | 1982-08-09 | 1986-07-15 | Akzo Nv | Waermehaertbare ueberzugszusammensetzung, die eine blockierte saeure als katalysator enthaelt. |
US4518676A (en) | 1982-09-18 | 1985-05-21 | Ciba Geigy Corporation | Photopolymerizable compositions containing diaryliodosyl salts |
US5073476A (en) | 1983-05-18 | 1991-12-17 | Ciba-Geigy Corporation | Curable composition and the use thereof |
US4554238A (en) | 1984-03-20 | 1985-11-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Spectrally-sensitized imaging system |
JPS60198538A (ja) | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | ポジ型レジスト材料 |
JPS60218309A (ja) | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | パ−ル状ヘア−リンス |
JPS60239736A (ja) | 1984-05-14 | 1985-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
JP2525568B2 (ja) | 1985-01-18 | 1996-08-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 光可溶化組成物 |
JPS61169837A (ja) | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光可溶化組成物 |
JPS61169835A (ja) | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光可溶化組成物 |
JPS61226745A (ja) | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
JPS61226746A (ja) | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
JPS62153853A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
EP0199672B1 (de) | 1985-04-12 | 1988-06-01 | Ciba-Geigy Ag | Oximsulfonate mit reaktiven Gruppen |
JPH0616174B2 (ja) | 1985-08-12 | 1994-03-02 | 三菱化成株式会社 | ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH0766185B2 (ja) | 1985-09-09 | 1995-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JPS6269263A (ja) | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
CA1307695C (en) | 1986-01-13 | 1992-09-22 | Wayne Edmund Feely | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images |
JPH083630B2 (ja) | 1986-01-23 | 1996-01-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
DE3604581A1 (de) | 1986-02-14 | 1987-08-20 | Basf Ag | 4-acylbenzylsulfoniumsalze, ihre herstellung sowie sie enthaltende photohaertbare gemische und aufzeichnungsmaterialien |
DE3604580A1 (de) | 1986-02-14 | 1987-08-20 | Basf Ag | Haertbare mischungen, enthaltend n-sulfonylaminosulfoniumsalze als kationisch wirksame katalysatoren |
JPS62212401A (ja) | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光重合性組成物 |
JPS6326653A (ja) | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Tosoh Corp | フオトレジスト材 |
JPS6336240A (ja) | 1986-07-28 | 1988-02-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | レジスト構造の作成方法 |
JPS6334540A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPS6370243A (ja) | 1986-09-11 | 1988-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
JPH0769611B2 (ja) | 1986-12-01 | 1995-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂用下地材料 |
JPS63146038A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
JPS63146029A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
DE3642855C1 (de) | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Du Pont Deutschland | Lichtempfindliches Gemisch |
GB8630129D0 (en) | 1986-12-17 | 1987-01-28 | Ciba Geigy Ag | Formation of image |
US4760013A (en) | 1987-02-17 | 1988-07-26 | International Business Machines Corporation | Sulfonium salt photoinitiators |
AU612143B2 (en) | 1987-03-19 | 1991-07-04 | Xytronyx, Inc. | Systems for the visualization of exposure to ultraviolet radiation and for the utilization of ultraviolet radiation to effect color changes |
JPH0743536B2 (ja) | 1987-05-29 | 1995-05-15 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
DE3721740A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Sulfoniumsalze mit saeurelabilen gruppierungen |
DE3721741A1 (de) | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
JP2582578B2 (ja) | 1987-07-14 | 1997-02-19 | 日本化薬株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
US4846009A (en) | 1987-10-21 | 1989-07-11 | Caterpillar Inc. | Countershaft transmission |
US4933377A (en) | 1988-02-29 | 1990-06-12 | Saeva Franklin D | Novel sulfonium salts and the use thereof as photoinitiators |
DE3821584A1 (de) | 1988-06-25 | 1989-12-28 | Hoechst Ag | Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung |
JPH0215270A (ja) | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Tosoh Corp | フォトレジスト組成物 |
JPH0225850A (ja) | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
CA2002873A1 (en) | 1988-11-21 | 1990-05-21 | Franklin Donald Saeva | Onium salts and the use thereof as photoinitiators |
JP2505033B2 (ja) | 1988-11-28 | 1996-06-05 | 東京応化工業株式会社 | 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法 |
JPH02150848A (ja) | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 光退色性放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
JPH02161445A (ja) | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Fujitsu Ltd | 可視レーザ記録用感光材料 |
DE69027799T2 (de) | 1989-03-14 | 1997-01-23 | Ibm | Chemisch amplifizierter Photolack |
JP2661671B2 (ja) | 1989-03-20 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | パタン形成材料とそれを用いたパタン形成方法 |
DE3914407A1 (de) | 1989-04-29 | 1990-10-31 | Basf Ag | Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial |
JPH02296514A (ja) | 1989-05-12 | 1990-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 車両用サスペンション制御装置 |
US5128232A (en) | 1989-05-22 | 1992-07-07 | Shiply Company Inc. | Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units |
IT1233538B (it) | 1989-07-25 | 1992-04-03 | Dolomite Spa | Scarpone da sci a calzata posteriore |
GB8923480D0 (en) | 1989-10-18 | 1989-12-06 | Moore John A | Improvements relating to hanger support elements |
JP2845995B2 (ja) | 1989-10-27 | 1999-01-13 | 株式会社日立製作所 | 領域抽出手法 |
JPH03200968A (ja) | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2500533B2 (ja) | 1990-01-30 | 1996-05-29 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なジアゾジスルホン化合物 |
JPH03223860A (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規レジスト材料 |
DE4006190A1 (de) | 1990-02-28 | 1991-08-29 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JP2973585B2 (ja) | 1990-06-15 | 1999-11-08 | 三菱化学株式会社 | ネガ型感光性組成物 |
JP3008594B2 (ja) | 1990-08-31 | 2000-02-14 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
JPH04291259A (ja) | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
JP2722870B2 (ja) | 1991-06-14 | 1998-03-09 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
JPH04367864A (ja) | 1991-06-14 | 1992-12-21 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
US6165697A (en) | 1991-11-15 | 2000-12-26 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
DE4222968A1 (de) | 1992-07-13 | 1994-01-20 | Hoechst Ag | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
US5294680A (en) | 1992-07-24 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Polymeric dyes for antireflective coatings |
JPH0667431A (ja) | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型フォトレジスト組成物 |
JP2944327B2 (ja) | 1992-09-14 | 1999-09-06 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性平版印刷版 |
JPH06236024A (ja) | 1992-09-24 | 1994-08-23 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP3082473B2 (ja) | 1992-10-05 | 2000-08-28 | ジェイエスアール株式会社 | 反射防止膜およびレジストパターンの形成方法 |
JPH06199770A (ja) | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 新規オニウム塩およびそれを含有する感放射線性樹脂 組成物 |
FR2703553B1 (fr) | 1993-04-02 | 1995-05-12 | Gec Alsthom Transport Sa | Procédé de contrôle actif du bruit produit par un appareil et dispositif de mise en Óoeuvre du procédé. |
US5344742A (en) | 1993-04-21 | 1994-09-06 | Shipley Company Inc. | Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same |
JPH0792680A (ja) | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
EP0632003B1 (en) | 1993-06-30 | 1998-01-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Novel phenol compounds containing methoxymethyl group or hydroxymethyl group |
JP3112229B2 (ja) | 1993-06-30 | 2000-11-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JP3130188B2 (ja) | 1993-08-31 | 2001-01-31 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性平版印刷版 |
JP2962145B2 (ja) | 1994-05-16 | 1999-10-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型パターン形成材料 |
JP2953562B2 (ja) | 1994-07-18 | 1999-09-27 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料 |
JPH0862834A (ja) | 1994-08-22 | 1996-03-08 | Mitsubishi Chem Corp | フォトレジスト組成物 |
JPH08179509A (ja) | 1994-10-28 | 1996-07-12 | Mitsubishi Chem Corp | 反射防止組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP3424357B2 (ja) | 1994-11-29 | 2003-07-07 | 住友化学工業株式会社 | 電子線用化学増幅ネガ型レジスト組成物 |
JP3433564B2 (ja) | 1995-04-12 | 2003-08-04 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及び化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP3330254B2 (ja) | 1995-04-19 | 2002-09-30 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
JPH095988A (ja) | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Mitsubishi Chem Corp | 感放射線性塗布組成物 |
JP3562599B2 (ja) | 1995-08-18 | 2004-09-08 | 大日本インキ化学工業株式会社 | フォトレジスト組成物 |
US5863699A (en) * | 1995-10-12 | 1999-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo-sensitive composition |
JP3520643B2 (ja) | 1995-12-14 | 2004-04-19 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
US5731364A (en) * | 1996-01-24 | 1998-03-24 | Shipley Company, L.L.C. | Photoimageable compositions comprising multiple arylsulfonium photoactive compounds |
JPH1097075A (ja) * | 1996-06-07 | 1998-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3780569B2 (ja) | 1996-06-20 | 2006-05-31 | Jsr株式会社 | KrFエキシマレーザー照射用化学増幅型ネガ型レジスト |
JP4048600B2 (ja) | 1997-04-30 | 2008-02-20 | 和光純薬工業株式会社 | レジストの基板依存性改善剤 |
KR100551653B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2006-05-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성수지조성물 |
JP3055617B2 (ja) * | 1997-08-27 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | ネガ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
EP0919867B1 (de) | 1997-11-28 | 2003-05-21 | Infineon Technologies AG | Chemisch verstärkter Resist für die Elektronenstrahllithographie |
JP4007570B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2007-11-14 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2000181065A (ja) | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
TWI277830B (en) * | 1999-01-28 | 2007-04-01 | Sumitomo Chemical Co | Resist composition |
TW565746B (en) | 1999-10-29 | 2003-12-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive-type photoresist composition |
JP4049237B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型電子線又はx線レジスト組成物 |
JP3989149B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
JP4070393B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2008-04-02 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
JP2001235869A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2002023376A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR20040004429A (ko) | 2000-11-09 | 2004-01-13 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 미세리쏘그래피용 포토레지스트 조성물의 광산 발생제 |
US20030054287A1 (en) * | 2001-04-13 | 2003-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resist composition |
WO2002092559A1 (fr) | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Sels de triphenylsulfonium fluores |
EP1267210B1 (en) * | 2001-06-12 | 2018-02-21 | FUJIFILM Corporation | Positive resist composition |
JP4604605B2 (ja) | 2004-08-10 | 2011-01-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 印刷制御装置および方法およびプログラム |
-
2003
- 2003-02-11 US US10/361,505 patent/US7521168B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-12 EP EP03002684A patent/EP1338921A3/en not_active Withdrawn
- 2003-02-12 EP EP12153033A patent/EP2477073A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-12 KR KR1020030008691A patent/KR100890739B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-09-16 KR KR1020080090814A patent/KR100931616B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000258902A (ja) | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
KR20010030199A (ko) * | 1999-09-06 | 2001-04-16 | 무네유키 가코우 | 포지티브 전자선 또는 엑스선 레지스트 조성물 |
KR20020006602A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-23 | 무네유키 가코우 | 포지티브 감광성 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100931616B1 (ko) | 2009-12-14 |
EP1338921A2 (en) | 2003-08-27 |
EP2477073A1 (en) | 2012-07-18 |
KR20030080195A (ko) | 2003-10-11 |
US7521168B2 (en) | 2009-04-21 |
KR20080088563A (ko) | 2008-10-02 |
US20030198894A1 (en) | 2003-10-23 |
EP1338921A3 (en) | 2007-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100890739B1 (ko) | 전자선, 극자외선 또는 엑스선용 레지스트 조성물 | |
KR100535223B1 (ko) | 포지티브레지스트조성물 | |
KR100574257B1 (ko) | 포지티브 감광성 조성물 | |
KR100721788B1 (ko) | 전자선 또는 엑스선용 화학증폭계 네거티브 레지스트 조성물 | |
JP4083035B2 (ja) | 電子線、euv又はx線用レジスト組成物 | |
JP3909818B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
KR20010062405A (ko) | 전자선 또는 엑스선용 화학증폭계 네거티브 레지스트 조성물 | |
JP4225699B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JP4701231B2 (ja) | 電子線、euv又はx線用ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4243029B2 (ja) | ポジ型化学増幅レジスト組成物 | |
KR100795112B1 (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
JP4007569B2 (ja) | ポジ型電子線又はx線レジスト組成物 | |
KR100685234B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 패턴형성방법 | |
JP4166598B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JP3856290B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP4276773B2 (ja) | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 | |
JP2004101818A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP2005049695A (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
KR100504706B1 (ko) | 포지티브레지스트조성물및그것을사용한패턴형성방법 | |
JP2006215271A (ja) | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
KR100913732B1 (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 및 이 조성물을 이용한 패턴형성방법 | |
JP3755690B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JP4439409B2 (ja) | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
KR100821283B1 (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
JP4208418B2 (ja) | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170221 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190306 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200303 Year of fee payment: 12 |