KR100897873B1

KR100897873B1 - 정보 기록 매체 및 정보 기억 장치

Info

Publication number: KR100897873B1
Application number: KR1020020079058A
Authority: KR
Inventors: 스기모토도시오; 우즈마키다쿠야
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2001-12-27
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2009-05-15
Also published as: JP2003203322A; EP1324317B1; DE60203093D1; KR20030057311A; CN1212610C; JP3947001B2; US6875527B2; DE60203093T2; CN1430208A; US20030169615A1; EP1324317A1

Abstract

본 발명은 뒤붙임층 및 기록층으로부터의 누설 자계의 영향을 억제하고, 매체 노이즈를 저감할 수 있는 수직 자기 기록 매체를 제공하는 것을 과제로 한다.

수직 자기 기록 매체로서, 기판과, 기판 위에 설치된 연자성 뒤붙임층과, 뒤붙임층 위에 설치된 수직 자기 이방성을 갖는 자기 기록층과, 자기 기록층 위에 설치된 페리자성을 갖는 누설 자계 제어층을 포함하고 있다. 누설 자계 제어층이 자기 기록층과 반강자성적 또는 페리적으로 교환 결합함으로써, 뒤붙임층 및 자기 기록층으로부터의 누설 자계의 영향을 완화하고, 매체 노이즈의 저감을 도모할 수 있다.

누설 자계, 노이즈, 자기 기록

Description

정보 기록 매체 및 정보 기억 장치{INFORMATION RECORDING MEDIUM AND INFORMATION STORING DEVICE}

도 1은 2층막 수직 자기 기록 매체의 주파수 의존성을 나타내는 도면.

도 2a는 기록 주파수가 30㎒일 때의 소거 방향에 대한 주파수 특성과 재생 파형을 나타내는 도면, 도 2b는 기록 주파수가 50㎒일 때의 소거 방향에 대한 주파수 특성과 재생 파형을 나타내는 도면.

도 3은 기록층으로부터의 누설 자계의 영향을 나타내는 도면.

도 4a는 뒤붙임층으로부터의 누설 자계의 영향을 나타내는 도면, 도 4b는 뒤붙임층의 자화(磁化)의 수직 방향 성분과 면내 방향 성분을 설명하는 도면.

도 5는 누설 자계가 기록 자계를 보조하는 경우의 본 발명의 원리를 설명하는 도면.

도 6은 기록층의 누설 자계가 기록 자계를 소거하는 경우의 본 발명의 원리를 설명하는 도면.

도 7은 누설 자계 제어층의 포화 자화(Ms) 및 보자력(Hc)의 온도 의존성 및 자화 상태를 나타내는 도면.

도 8은 실시예 1의 매체 구성을 나타내는 도면.

도 9는 신호 출력의 기록 주파수 의존성을 나타내는 도면.

도 10은 매체 노이즈의 누설 자계 제어층의 두께 의존성을 나타내는 도면.

도 11은 실시예 3의 매체 구성을 나타내는 도면.

도 12는 매체 노이즈의 교환 결합 제어층의 두께 의존성을 나타내는 도면.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

12 : 뒤붙임층

14 : 비(非)자성층

16 : 기록층

18 : 기록 도메인

20 : 초기화 도메인

22 : 자벽(磁壁)

24 : 기록층으로부터의 누설 자계

26 : 뒤붙임층으로부터의 누설 자계

28 : 누설 자계 제어층

30 : 누설 자계 제어층으로부터의 누설 자계

본 발명은 일반적으로 정보 기록 매체에 관한 것으로서, 특히, 수직 자화막을 갖는 수직 자기 기록 매체에 관한 것이다.

최근, 자기 디스크 장치의 소형 대용량화에 따라, 매체 내의 자성 입자의 미 세화가 요구되고 있으나, 면내(길이) 기록 방식이라고 불리는 종래의 기록 방식에서는, 열적 불안정성의 요인이 되기 때문에 자성 입자의 현저한 미세화는 곤란하다.

따라서, 열자기 완화 등에서 우위성을 갖는 수직 자기 기록 방식이 검토되고 있다. 일반적인 수직 자기 기록 방식에서는, 기판 위에 연자성 뒤붙임층(하지층)을 적층하고, 이 연자성 뒤붙임층 위에 비자성층을 통하여 수직 자화막을 적층한 2층막 매체가 사용된다.

하드 디스크용 수직 자기 기록 매체에서, Co/Pd 또는 Co/Pt 다층막을 수직 자화막에 사용하는 방법이 연구되고 있다. 이들 다층막은 0.05㎚∼2㎚의 매우 얇은 자성막과 0.1㎚∼5㎚의 매우 얇은 비자성막을 번갈아 적층한 것이며, 종래의 Co-Cr계 합금을 사용한 기록 매체에 비하여 상당히 강한 수직 자기 이방성을 나타내서, 유력한 수직 자성막 후보가 되고 있다.

그러나, 상술한 다층막은 다음과 같은 문제를 갖고 있다.

(1) 연속막 때문에 매체 노이즈가 크다.

이 매체 노이즈의 요인은, 주로 자화 반전에 따른 천이(遷移) 노이즈 또는 역자구(逆磁區) 노이즈이다. 여기서, 천이 노이즈는 자성 결정립에 의한 입계 노이즈나 기록 자구 경계 부근의 자화 반전의 불균일성에 유래한다. 역자구 노이즈는 자성립의 불균일성, 기록막의 반자계나 기록 자구 주변 자화의 누설 자계 등에 기인한다.

일반적인 대책으로서 이용되는 것은, 서로 인접하는 자성립끼리가 자기적으로 고립화되도록 막 조직을 형성하는 것이다. 자기적인 고립화를 도모함으로써, 매체 유래의 노이즈(매체 노이즈)는 저감되고, S/N가 개선되며, 더 나아가서는 선 기록 밀도의 향상이 가능해진다.

서로 인접하는 자성립끼리의 고립화에 의해 자기 특성은 크게 변화된다. 즉, 보자력은 증가하고, M-H 루프의 보자력 부근의 기울기 α(=4πdM/dH)는 저하된다(이상적인 조건에서는 α=1).

Co/Pd 또는 Co/Pt 다층자성막에서, 서로 인접하는 자성립끼리의 자기적인 고립화를 도모하는 수단으로서는 높은 가스압 하에서의 스퍼터링에 의해 성막하는 방법, 또는 그래뉼러(granular) 하지층을 사용하는 방법 등이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법을 이용하여도, 단자구(單磁區)를 형성하는 것은 용이하지 않다. 또한, 기록막 1층만에 의한 자기 특성 제어는 어렵다.

(2) 뒤붙임층에 의한 노이즈의 증가

뒤붙임층은 그 자체가 자성체이기 때문에, 뒤붙임층의 자화에 유래하는 자속이 헤드 재생 신호에 중첩되어 노이즈원으로 된다. 뒤붙임층은 보자력(Hc)이 수 에르스텟(Oe) 정도인 연자성막이기 때문에, 외부 자계의 영향을 받기 쉽다. 따라서, 기록 헤드로부터의 기록 자계에 뒤붙임층의 누설 자계가 중첩되고, 균일한 수직 자기 기록이 불가능하여 노이즈원으로 된다.

이들 대책으로서 일반적으로 이용되는 것은, 반(反)강자성막으로 이루어진 자구 제어층을 뒤붙임층에 인접하도록 형성하여, 뒤붙임층의 자구를 제어하는 방법 이 있으나, 노이즈를 충분히 저감할 수는 없었다.

따라서, 본 발명의 목적은, 자기 기록층 및 뒤붙임층의 누설 자계에 유래하는 노이즈를 저감할 수 있는 수직 자기 기록 매체를 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면, 기판과, 상기 기판 위에 설치된 연자성 뒤붙임층과, 상기 연자성 뒤붙임층 위에 설치된 수직 자기 이방성을 갖는 다층막으로 이루어지는 강자성 기록층과, 상기 강자성 기록층의 상하 적어도 한쪽에 설치되고, 상기 강자성 기록층이 자화된 상태에서 상기 강자성 기록층과 반대의 자화를 나타내며, 희토류-천이 금속 비정질 합금막으로 구성되어, 상기 연자성 뒤붙임층으로부터의 누설 자계를 소거하는 비정질 페리자성층을 구비한 것을 특징으로 하는 정보 기록 매체가 제공된다.

희토류-천이 금속 비정질 합금막은 희토류 금속으로서 가돌리늄(Gd)을 포함하고 있다.

바람직하게는, 페리자성층은 20㎚ 이하의 두께를 갖고 있다. 강자성 기록층은 Co/Pd, Co/Pt, CoB/PdB 등의 다층자성막으로 형성된다. 바람직하게는, 강자성 기록층과 페리자성층 사이에 양 자성막의 교환 결합력을 제어하기 위한 교환 결합 제어층이 개재되어 있다. 바람직하게는, 교환 결합 제어층은 10㎚ 이하의 두께를 갖고 있다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판과, 상기 기판 위에 설치된 연자성 뒤붙임층과, 상기 연자성 뒤붙임층 위에 설치된 수직 자기 이방성을 갖는 다층막으로 이루어지는 강자성 기록층과, 상기 강자성 기록층의 상하 적어도 한쪽에 설치되고, 상기 강자성 기록층이 자화된 상태에서 상기 강자성 기록층과 반대의 자화를 나타내며, 희토류-천이 금속 비정질 합금막으로 구성되어, 상기 연자성 뒤붙임층으로부터의 누설 자계를 소거하는 비정질 페리자성층을 구비한 것을 특징으로 하는 정보 기록 매체를 갖는 정보 기억 장치가 제공된다.

먼저, 자기 기록층과 연자성 뒤붙임층으로 이루어진 2층 수직 자기 기록 매체의 각 자성층으로부터의 누설 자계의 영향에 대해서 검토한다.

도 1에 유리 기판/CoZrNd(100㎚) 연자성 뒤붙임층/Pd 비자성층/CoB/PdB 자성다층막/C(5㎚) 보호층의 매체 구성을 갖는 2층막 수직 자기 기록 매체의 주파수 의존성을 나타낸다.

기록 매체를 플러스(+) 또는 마이너스(-)로 균일하게 자화시킨 상태(초기화)에서, 기록 주파수를 바꿔서 기록했을 때의 신호 출력의 크기를 나타낸 것이다. 도 1로부터 명확히 알 수 있듯이, 초기화 방향에 따라 주파수 의존성이 상이하다.

또한, 도 2a의 화살표(2) 및 도 2b의 화살표(4, 6)에 나타낸 바와 같이, 고주파로 될수록 기록되지 않은 개소가 존재한다. 또한, 도 2a에서 참조부호 8, 10에 나타낸 바와 같이 플러스 신호와 마이너스 신호의 시간축에서의 폭이 상이하다. 이것은 기록 자화 방향에 따라 기록 자구의 크기가 상이한 것을 의미하며, 이하와 같은 각 자성층으로부터의 누설 자계의 영향이라고 생각할 수 있다.

먼저, 수직 자기 기록층으로부터의 누설 자계의 영향에 대해서 검토한다. 도 3은 자기 기록층으로부터의 누설 자계가 기록 자계에 미치는 영향을 모식적으로 나타낸 것이다. 연자성 뒤붙임층(12) 위에 비자성층(14)이 적층되고, 비자성층(14) 위에 자기 기록층(16)이 적층되어 있다.

참조부호 18은 기록 도메인(자구), 참조부호 20은 초기화 도메인이다. 기록 도메인(18)과 초기화 도메인(20) 사이에는 자벽 또는 천이 영역(22)이 형성되어 있 다. 참조부호 24는 기록층(16)의 누설 자계를 나타낸다.

도 3으로부터 명확히 알 수 있듯이, 기록 자계(Hex)가 인가된 기록 자구(기록 도메인)(18) 주변의 균일하게 초기화된 영역(20)으로부터의 누설 자계(24)가 하향의 기록 자계(Hex)에 대하여 보조하도록 중첩된다.

한편, 상향으로 기록 자계(Hex)가 인가되었을 경우에는, 초기화된 영역(20)으로부터의 누설 자계는 기록 자계(Hex)를 감소시키는 방향으로 중첩된다.

따라서, 기록 자계가 상향 및 하향으로 균일하게 인가되지 않아, 상향 기록 자구와 하향 기록 자구에서 형상 또는 크기가 상이하게 된다. 그 결과, 재생 신호 강도 또는 매체 노이즈가 증가한다.

도 4a는 뒤붙임층(12)으로부터의 누설 자계(26)가 기록 자계에 미치는 영향을 모식적으로 나타낸 것이다. 뒤붙임층(12)으로서는 일반적으로 이하의 자기 특성을 갖는 막이 사용된다.

즉, 면내 자화막이며, 보자력(Hc)이 수십 에르스텟(Oe) 이하인 연자성막이다. 또한, 자기 기록층(16)과 교환 결합하고 있지 않기 때문에, 용이하게 외부 인가 자계 방향으로 자화 반전되기 쉽다.

또한, 큰 기록 자계를 기록층을 통과시켜 환류시키기 때문에, 포화 자화가 크다. 자속 밀도(Bs)로 환산하여, CoZrNd 뒤붙임층에서 1.1 테슬라(T) 이상, FeTaC 뒤붙임층에서 1.6 테슬라(T) 이상의 자속 밀도를 갖는다. 이것으로부터, 기록층(16)의 누설 자계(24)보다도 뒤붙임층(12)의 누설 자계(26)의 영향이 더 클 가능성이 있음을 시사한다.

따라서, 기록층의 보자력(Hc) 이상의 기록 자계(Hex)가 인가되면, 뒤붙임층(12)의 자화는 기록 자계 방향을 향하려고 하지만, 뒤붙임층은 면내 자화막이기 때문에 용이하게 수직 방향을 향할 수 없어, 도 4a에 나타낸 바와 같이 경사 방향을 향한다.

이 때, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 뒤붙임층(12)의 자화는 수직 방향 및 면내 방향의 자화 성분을 갖게 되고, 수직 방향 성분이 기록 자계에 영향을 미친다. 이 수직 방향 성분의 기록 자계에 대한 영향은, 상술한 기록층(16)의 누설 자계의 효과와 정성적(定性的)으로 동일한 경향이다.

이어서, 누설 자계의 영향을 완화하는 본 발명의 원리에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. 본 발명에서는 기록층(16) 위에 페리자성을 나타내는 누설 자계 제어층(28)을 적층한다. 누설 자계 제어층(28)으로서는, 예를 들어, GdFeCo 등의 희토류-천이 금속 비정질 합금막을 채용할 수 있다.

기록층(16)의 천이 금속(예를 들어, Co)과 누설 자계 제어층(28)의 희토류 금속(예를 들어, Gd)을 교환 결합시킴으로써, 도 5 및 도 6에 나타낸 자화 배치로 된다.

도 5는 뒤붙임층(12) 및 기록층(16)으로부터의 누설 자계가 기록 자계를 보조하는 경우의 모식도이며, 페리자성을 갖는 누설 자계 제어층(28)으로부터의 자계(30)는 뒤붙임층(12) 및 기록층(16)으로부터의 누설 자계(24, 26)를 소거하는 방향으로 작용한다.

즉, 기록층(16)과 누설 자계 제어층(28)이 페리(ferri)적인 자화 배치를 형 성함으로써, 누설 자계 제어층(28)으로부터의 누설 자계(30)가 기록층(16) 및 뒤붙임층(12)으로부터의 누설 자계의 영향을 소거한다. 그 결과, 기록 자계의 과도한 인가를 피할 수 있다.

도 6은 뒤붙임층(12)의 누설 자계(26)가 기록 자계를 보조하고, 기록층(16)으로부터의 누설 자계(24)가 기록 자계를 소거하는 경우의 모식도이다. 이 경우에는, 누설 자계 제어층(28)으로부터의 자계(30)는 뒤붙임층(12)으로부터의 누설 자계(26)를 소거하는 방향으로 작용한다.

본 발명에서는 기록층(16) 위에 페리자성을 갖는 누설 자계 제어층(28)을 설치함으로써, 각 자성층(12, 16)으로부터의 누설 자계의 영향을 저감하고, 기록 자계를 방향에 상관없이 균일하게 인가하는 것이 가능해진다.

누설 자계 제어층(28)에 사용한 희토류-천이 금속 비정질 합금막의 자기 특성을 도 7에 나타낸다. 누설 자계 제어층(28)으로서 희토류-천이 금속 비정질 합금막을 사용했을 때의 효과는 다음과 같다.

도 7로부터 명확히 알 수 있듯이, 희토류-천이 금속 비정질 합금막은 페리자성을 갖고 있다. 즉, 희토류 자화 우성(優性)(RE 리치 조성)에서는, 네트 자화는 희토류 금속 자화의 방향을 향하고, 천이 금속 자화 우성(TM 리치 조성)에서는, 네트 자화는 천이 금속 자화의 방향을 향한다.

희토류-천이 금속 비정질 합금막을 기록층(16)과 교환 결합하도록 배치한다. 따라서, 천이 금속끼리의 교환 결합에 의해 기록층(16)의 자화에 대하여 누설 자계 제어층(28)의 자화를 반강자성(antiferro)적으로 배치 할 수 있다. 이 때, 천이 금속끼리의 교환 결합은 자화가 동일한 방향으로 일치하기 때문에, 막 두께 방향(계면) 자벽은 발생하지 않아 자구는 안정되게 존재한다.

희토류-천이 금속 비정질 합금막으로 형성된 누설 자계 제어층(28)의 희토류 금속(본 실시예에서는 Gd)과 기록층(16)의 천이 금속(본 실시예에서는 Co)은 페리 커플링하기 때문에, 희토류-천이 금속 비정질 합금막을 RE 리치 조성으로 변화시킴으로써, 누설 자계 제어층(28)의 자기 특성 또는 자화 배치를 제어할 수 있다.

누설 자계 제어층(28)으로서 비정질 합금막을 사용하고 있기 때문에, 기록층(16)의 결정성이나 배향성의 영향을 받기 어렵다. 결정막이 아니기 때문에, 자성립의 불균일성 등에 기인하는 입계 노이즈를 저감할 수 있다.

희토류 금속 원소로서 가장 적합한 원소를 선택함으로써(본 실시예에서는 Gd), 자성막의 천이 폭을 좁게 할 수 있다. 그 결과, 자화 천이(반전)에 기인하는 천이 노이즈를 저감할 수 있다. 여기서, 자성막의 천이 폭은, 희토류 금속과 천이 금속의 교환 결합력과 수직 자기 이방성에 비례한다.

이하, 본 발명을 실시예 에 의거하여 상세하게 설명한다.

<실시예 1>

수직 자기 기록 매체(31)는 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 성막했다. 매체 구성은, 도 8에 나타낸 바와 같이, 유리 기판(32) 위에 CoZrNd 뒤붙임층(34), PdB 비자성층(36), CoB/PdB 다층막 기록층(38), GdFeCo 누설 자계 제어층(40), C 보호층(42)을 차례로 성막했다. 또한, 자기 헤드에 의한 기록 재생 특성 평가를 위해, 보호층(42) 위에 윤활층(44)을 도포했다.

상술한 바와 같이, 다층막 기록층(38)은 수직 자화막, 뒤붙임층(34)은 면내 자화막이기 때문에, 기록층(38)을 뒤붙임층(34) 위에 직접 적층하면 뒤붙임층(34)의 자기 특성이 기록층(38)에 영향을 주어, 매체 노이즈의 증대나 열적 요동의 영향을 받기 쉬워진다.

그래서, 기록층(38)과 뒤붙임층(34)을 자기적으로 분리하기 위해, 다층막 기록층(38)은 PdB 비자성층(36)으로부터 적층했다. 여기서, 기록층(38)과 뒤붙임층(34)의 자기적인 분리에는 붕소(B), 탄소(C), 실리콘(Si) 등의 메타로이드 단체(單體), 또는 메타로이드를 적어도 1종류 포함하는 PdB과 같은 합금막 또는 산화막을 사용할 수 있다.

실시예 1의 구체적인 매체 구성은, C(5㎚)/GdFeCo(5㎚)/CoB/PdB 다층막/CoZrNd(100㎚)/유리 기판이다. 비교 매체로서, C(5㎚)/CoB/PdB 다층막/CoZrNd(100㎚)/유리 기판으로 이루어진 매체를 제작했다.

전기 자기 특성 평가에서는, 기록 헤드의 트랙 폭(기록 폭) 및 갭 길이는 각각 2㎛, 0.3㎛이고, 재생 헤드의 트랙 폭 및 갭 길이는 각각 1㎛, 0.2㎛인 자기 헤드를 사용했다. 기록 재생 선속도는 5m/s로 했다.

기록 주파수에 대한 신호 출력 변화를 도 9에 나타낸다. 도 9로부터 명확히 알 수 있듯이, 실시예 1의 기록 매체는 넓은 주파수 대역에 걸쳐 소정 이상의 신호 출력을 취할 수 있다.

이것에 대하여 비교 매체에서는, 기록 주파수가 고주파수로 되면, 신호 출력이 극단적으로 열화된다. 이 때문에, 실시예 1의 기록 매체가 비교 매체보다도 주 파수 특성이 더 향상되고 있다고 할 수 있다.

또한, 화살표 46으로 도시된 실시예 1의 매체와 비교 매체가 거의 동일한 출력으로 되는 100㎒ 부근에서 S/N를 평가한 결과, 매체 노이즈의 저하에 의해, 비교 매체에 대하여 실시예 1의 매체의 S/N가 약 3dB 높음이 확인되었다.

<실시예 2>

실시예 1의 매체와 동일한 매체 구성으로 하고, GdFeCo 누설 자계 제어층(40)의 층 두께를 5∼25㎚의 범위에서 변화시켜 기록 주파수 5㎒에서의 S/N 특성을 평가한 결과를 도 10에 나타낸다.

매체 노이즈는 GdFeCo층의 층 두께를 증가시키면 단조롭게 증가하고, 약 20㎚ 정도에서 비교 매체의 매체 노이즈와 거의 동일해졌다. 이 때문에, GdFeCo 누설 자계 제어층(40)의 층 두께는 20㎚ 이하가 바람직하다.

<실시예 3>

다음으로, GdFeCo 누설 자계 제어층(40)과 기록층(38)의 교환 결합력을 제어하기 위해, 도 11의 매체 구성과 같이 기록층(38')과 누설 자계 제어층(40) 사이에 CoB 교환 결합 제어층(48)을 개재시킨 수직 자기 기록 매체(31')에 대해서 특성 평가를 했다.

기록층(38')으로서 Co/Pd 다층막을 사용하고, GdFeCo 누설 자계 제어층(40)의 막 두께는 5㎚로 했다. 교환 결합 제어층(48)으로서는 CoB를 사용하고, 붕소(B)의 함유량은 8at%로 했다.

도 12는 매체 노이즈의 교환 결합 제어층(48)의 두께 의존성을 나타낸다. GdFeCo 누설 자계 제어층을 형성하지 않는 매체를 비교 매체로 했다. 도 12로부터 명확히 알 수 있듯이, 매체 노이즈는 교환 결합 제어층(48)의 두께가 약 10㎚ 정도에서 비교 매체와 거의 동일하고, 그 이상의 두께에서는 매체 노이즈가 비교 매체보다 커지고 있다. 이 때문에, CoB 교환 결합 제어층(48)의 막 두께는 10㎚ 이하가 바람직하다.

또한, 교환 결합 제어층(48)으로서, 붕소(B), 탄소(C), 실리콘(Si) 등의 메타로이드 단체 또는 메타로이드를 적어도 1종 포함하는 합금막/산화막을 사용하여도 정성적으로는 동일한 결과가 얻어진다.

본 발명에 의하면, 뒤붙임층 및 기록층 등으로부터의 누설 자계의 영향을 억제하고, 매체 노이즈의 저감을 도모한 수직 자기 기록 매체를 제공할 수 있다.

Claims

기판과,

상기 기판 위에 설치된 연자성 뒤붙임층과,

상기 연자성 뒤붙임층 위에 설치된 수직 자기 이방성을 갖는 다층막으로 이루어지는 강자성 기록층과,

상기 강자성 기록층의 상하 적어도 한쪽에 설치되고, 상기 강자성 기록층이 자화된 상태에서 상기 강자성 기록층과 반대의 자화를 나타내며, 희토류-천이 금속 비정질 합금막으로 구성되어, 상기 연자성 뒤붙임층으로부터의 누설 자계를 소거하는 비정질 페리자성층을 구비한 것을 특징으로 하는 정보 기록 매체.
삭제
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 희토류-천이 금속 비정질 합금막은 희토류 금속으로서 Gd을 포함하고 있는 정보 기록 매체.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 강자성 기록층과 상기 비정질 페리자성층 사이에 개재된 교환 결합 제어층을 더 구비한 정보 기록 매체.
삭제
제 1 항에 있어서,

상기 강자성 기록층은 Co/Pd, Co/Pt, CoB/PdB으로 이루어진 그룹에서 선택되는 다층막으로 구성되는 정보 기록 매체.
제 1 항, 제 4 항, 제 6 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 정보 기록 매체를 갖는 정보 기억 장치.