KR100883072B1 - 표시장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- SHXWCVYOXRDMCX-UHFFFAOYSA-N 3,4-methylenedioxymethamphetamine Chemical compound CNC(C)CC1=CC=C2OCOC2=C1 SHXWCVYOXRDMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000110847 Kochia Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPRTVCQOQBVGM-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;zinc Chemical compound [Zn].[Si]=O BRPRTVCQOQBVGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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Abstract
본 발명은 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 다수개의 서브픽셀을 포함하는 발광부, 상기 제 1 기판과 대향하며 상기 발광부를 밀봉하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하며 상기 발광부의 주변에 위치하고, 직선부와 곡선부를 포함하는 실을 포함하며, 상기 실의 곡선부의 곡률반경(R)은 0.2 내지 2.5mm이고, 상기 실의 직선부의 폭과 상기 실의 곡선부의 폭의 비율은 1:1 초과 1:1.5 이하인 표시장치를 제공한다.
프릿, 표시장치
Description
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치를 도시한 평면도.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 표시장치의 단면도.
도 3은 도 1의 A 영역을 확대한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 제 1 기판 180 : 실
190 : 제 2 기판 200 : 발광부
250 : 단위화소 300 : 구동부
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 유기전계발광표시장치는 유기물을 포함하는 발광층에서 자발광하는 표시장치로, 발광층의 유기물이 외부의 수분 또는 산소에 의해 쉽게 열화되는 성질을 가지고 있다. 따라서, 발광층의 유기물이 외부의 수분 또는 산소에 의해 열화되는 것을 방지해야 한다.
따라서, 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하는 발광부가 형성된 제 1 기판은 발광부의 주변에 실을 이용하여 제 2 기판과 밀봉하고 있다. 여기서, 발광부 주변을 따라 실을 도포할 경우에, 실은 직선부와 곡선부를 갖을 수 있다.
그러나, 종래에는 발광부 주변에 도포되는 실의 직선부와 곡선부의 공정 규격이 일정치 않아, 제 1 기판과 제 2 기판의 합착시 실이 밖으로 밀려나가거나 발광부 내로 밀려들어오게 되어 발광부가 축소되는거나 패널 외곽의 베젤영역이 확장되게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 제 1 기판과 제 2 기판을 밀봉하기 위한 실의 공정 규격을 정의하여 밀봉 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 제 1 기판, 상기 제 1 기판 상에 위치하며, 다수개의 서브픽셀을 포함하는 발광부, 상기 제 1 기판과 대향하며 상기 발광부를 밀봉하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하며 상기 발광부의 주변에 위치하고, 직선부와 곡선부를 포함하는 실을 포함하며, 상기 실의 곡선부의 곡률반경(R)은 0.2 내지 2.5mm이고, 상기 실의 직선부의 폭과 상기 실의 곡선부의 폭의 비율은 1:1 초과 1:1.5 이하인 표시장치를 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다. 하기의 실시 예들에서는 유기전계발광표시장치를 표시장치의 예로 설명한다.
<실시예>
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치는 제 1 기판(100), 제 1 기판(100)에 대향하는 제 2 기판(190), 제 1 기판(100) 상에 위치하는 발광부(200), 발광부(200) 내에 위치하는 다수개의 단위화소(250), 발광부(200) 주변에 위치하여, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(190)을 접착하는 실(180) 및 발광부(200)에 신호를 인가하는 구동부(300)를 포함한다.
제 1 기판(100) 상에 위치하는 발광부(200)는 화상을 표시하는 영역으로, 다수개의 단위화소(250)를 포함할 수 있다. 상기 단위화소(250)는 R, G, B의 3개의 부화소들을 포함할 수 있다.
구동부(300)는 발광부(200)에 신호를 인가하는 역할을 하며, COG(Chip On Glass) 타입으로 실장될 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(190)을 접착하여 발광부(200)를 밀봉하는 실(180)은 실런트(sealant) 또는 프릿(frit)일 수 있다. 실런트로는 예를 들어, 아크릴계 수지 등을 사용할 수 있다. 프릿은 10-3cc/m2day의 산소 차단능력과 10-6g/m2day의 수분 차단능력을 나타내는 밀봉특성을 지닌 물질로서 IR 경화가 가능한 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어 산화비스무스(Bi2O3), 산화규소(SiO2), 산화붕소(B2O3), 산화납(PbO) 등의 물질을 주요 구성요소로 포함할 수 있다.
또한, 프릿은 하나 이상의 충전물 또는 첨가물을 포함할 수 있다. 상기 충전물 또는 첨가물은 봉지재의 열팽창 특성을 조정하고 선택된 주파수에 따른 흡수 특성을 조정하기 위함이다.
또한, 충전물 또는 첨가물은 프릿의 열팽창 계를 조정하기 위해 첨가된 충전물을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 충전물 또는 첨가물은 전이 금속, 크롬 (Cr), 철 (Fe), 망간 (Mn), 코발트 (Co), 구리 (Cu) 및 바나듐을 포함할 수 있다. 또한 부가적으로 충전물 또는 첨가물은 산화 아연 규소(ZnSiO4), 산화 납 티타늄(PbTiO3), 산화 지르코늄(ZrO2) 및 유크립타이트(eucrytite)를 더 포함할 수 있다.
제 1 기판(100) 상에 위치하는 실(180)은 직선부와 곡선부를 포함할 수 있다. 실(180)의 직선부는 발광부(200) 주변에 직선으로 도포된 부분일 수 있고, 실(180)의 곡선부는 발광부(200)의 모서리 부 주변에 곡선으로 도포된 부분일 수 있다.
여기서, 실(180)은 직선부의 폭과 곡선부의 폭의 비율이 1:1 초과 1:1.5 이하일 수 있다. 실(180)의 직선부의 폭과 곡선부의 폭의 비율이 1:1을 초과하면, 실의 곡선부의 폭이 좁아 곡선부의 접착력이 저하되는 것을 방지하고, 실의 토출량을 제어하는 공정 조건을 확보하기 용이한 이점이 있고, 실(180)의 직선부의 폭과 곡선부의 폭의 비율이 1:1.5 이하이면, 실의 곡선부의 폭이 넓어져 패널의 베젤영역이 커지게 되어 패널 크기가 증가하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 2는 도 1의 I-I'에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 표시장치의 발광부(200)를 이루는 단위화소 또는 부화소들을 살펴보면 다음과 같다.
기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105)은 기판(100)에서 유출 되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.
버퍼층(105) 상에 반도체층(110)이 위치한다. 반도체층(110)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 반도체층(110)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다.
반도체층(110)을 포함하는 기판(100) 상에 게이트 절연막(115)이 위치한다. 게이트 절연막(115)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.
반도체층(110)의 일정 영역, 즉 채널 영역에 대응되는 게이트 절연막(115) 상에 게이트 전극(120)이 위치한다. 게이트 전극(120)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(120)을 포함한 기판(100) 상에 층간 절연막(125)이 위치한다. 층간 절연막(125)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다. 있다. 층간 절연막(125)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 포함할 수 있으며, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지 를 포함할 수 있다.
층간절연막(125) 및 게이트 절연막(115)을 관통하여 반도체층(110)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130a, 130b)이 위치한다.
콘택홀들(130a, 130b)을 통하여 반도체층(110)과 전기적으로 연결되는 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 위치한다. 소오스 전극 및 드레인 전극(135a, 135b)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질을 포함할 수 있으며, 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어진 다층막일 수 있다. 다층막으로는 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 또는 몰리 텅스텐/알루미늄/몰리 텅스텐(MoW/Al/MoW)의 적층구조가 사용될 수 있다.
그리고, 드레인 전극(135b)과 전기적으로 연결된 제 1 전극(150)이 위치한다. 제 1 전극(150)은 애노드일 수 있으며 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전층을 포함할 수 있다. 또는, 제 1 전극(150)은 ITO/Ag/ITO와 같은 적층구조를 가질 수도 있다.
제 1 전극(150)이 형성된 기판(100) 상에 제 1 전극(150)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층(155)이 위치한다. 뱅크층(250)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다.
뱅크층(155)에 의해 노출된 제 1 전극(150) 상에 발광층(160)이 위치한다. 발광층(160)은 유기물로 이루어질 수 있으며, 발광층(160)의 상부 또는 하부에 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층 또는 정공주입층을 더 포함할 수 있다.
발광층(160)을 포함하는 기판(100) 상에 제 2 전극(170)이 위치한다. 제 2 전극(170)은 발광층(160)에 전자를 공급하는 캐소드일 수 있으며, 마스네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제 1 기판(100)과 대향하는 제 2 기판(190)은 실(180)에 의해 접착되어 발광부(200)를 밀봉할 수 있다.
도 3은 도 1의 A영역을 확대한 도면이다.
도 3을 참조하면, 제 1 기판(100) 상의 발광부(200)를 밀봉하기 위한 실(180)이 위치한다. 실(180)은 발광부(200) 주변을 둘러싸면서 형성될 수 있다.
여기서, 실(180)은 발광부(200) 주변에 직선으로 도포된 부분인 직선부와, 발광부(200) 모서리 부에 곡선으로 도포된 부분인 곡선부를 포함할 수 있다.
이때, 실(180)의 곡선부는 0.2 내지 2.5mm의 곡률반경(R)으로 이루어질 수 있다. 실(180)의 곡선부의 곡률반경(R)이 0.2mm 이상이면, 실 도포 후, 기판들을 합착할 시 실이 밖으로 밀려나가는 양을 제어하기 용이하고, 밖으로 밀려나간 실에 의해 패널 스크라이빙이 어려워지는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 실(180)의 곡선부의 곡률반경(R)이 2.5mm 이하이면, 실의 곡선부의 곡률반경(R)이 커져 베젤영역이 커지거나 발광부가 축소되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
이상과 같은 구조를 갖는 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치는 제 1 기판과 제 2 기판을 밀봉하기 위한 실을 형성할 때, 실의 직선부의 폭과 곡선부의 폭의 비율이 1:1 초과 1:1.5 이하가 되도록 형성하고, 실의 곡선부의 곡률반경(R)이 0.2 내지 2.5mm가 되도록 형성함으로써, 실이 도포된 영역 밖으로 밀려나가는 것을 방지하고, 베젤영역이 커지거나 발광부가 축소되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치는 표시장치의 제조공정을 용이하게 할 수 있고, 이에 따라 표시장치의 제조수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시장치는 표시장치의 제조공정을 용이하게 하고, 이에 따라 제조수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
Claims (5)
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 위치하며, 다수개의 단위화소를 포함하는 발광부;상기 제 1 기판과 대향하며 상기 발광부를 밀봉하는 제 2 기판; 및상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하며 상기 발광부의 주변에 위치하고, 직선부와 곡선부를 포함하는 실을 포함하며,상기 실의 곡선부의 곡률반경(R)은 0.2 내지 2.5mm이고,상기 실의 직선부의 폭과 상기 실의 곡선부의 폭의 비율은 1:1.1 내지 1:1.5이며,상기 실은 실런트이고,상기 단위화소는 다수개의 부화소를 포함하며,상기 부화소는 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극을 포함하고 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
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Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070070138A KR100883072B1 (ko) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 표시장치 |
US12/026,228 US7999468B2 (en) | 2007-07-12 | 2008-02-05 | Display device having sealant and bezel area |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070070138A KR100883072B1 (ko) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 표시장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100883072B1 true KR100883072B1 (ko) | 2009-02-10 |
Family
ID=40252523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070070138A KR100883072B1 (ko) | 2007-07-12 | 2007-07-12 | 표시장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7999468B2 (ko) |
KR (1) | KR100883072B1 (ko) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100995068B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8440479B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-05-14 | Corning Incorporated | Method for forming an organic light emitting diode device |
TWI639237B (zh) | 2011-05-05 | 2018-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US20120320327A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Park Young-Bae | Variable width seal |
TWI570906B (zh) | 2011-11-29 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封結構,發光裝置,電子裝置,及照明裝置 |
KR20130060131A (ko) | 2011-11-29 | 2013-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102036908B1 (ko) * | 2013-04-19 | 2019-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102339284B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2021-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치 |
KR20160081101A (ko) | 2014-12-30 | 2016-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치 |
TWI582734B (zh) * | 2015-10-28 | 2017-05-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
US10304813B2 (en) * | 2015-11-05 | 2019-05-28 | Innolux Corporation | Display device having a plurality of bank structures |
KR102607770B1 (ko) | 2017-12-08 | 2023-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050119277A (ko) * | 2004-06-16 | 2005-12-21 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
US20060082298A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-20 | Becken Keith J | Optimization of parameters for sealing organic emitting light diode (OLED) displays |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6317186B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Method for sealing corner regions of a liquid crystal display |
KR100706151B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2007-04-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 가스 방전형 표시 패널 및 그 제조 방법 |
JPWO2003032064A1 (ja) * | 2001-10-03 | 2005-01-27 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル |
JP2006120478A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
JP4167651B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2008-10-15 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
US7597603B2 (en) * | 2005-12-06 | 2009-10-06 | Corning Incorporated | Method of encapsulating a display element |
US7537504B2 (en) * | 2005-12-06 | 2009-05-26 | Corning Incorporated | Method of encapsulating a display element with frit wall and laser beam |
US20080079880A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Nano Loa, Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
KR100824531B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR101378852B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2014-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2007
- 2007-07-12 KR KR1020070070138A patent/KR100883072B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-05 US US12/026,228 patent/US7999468B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050119277A (ko) * | 2004-06-16 | 2005-12-21 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
US20060082298A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-20 | Becken Keith J | Optimization of parameters for sealing organic emitting light diode (OLED) displays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7999468B2 (en) | 2011-08-16 |
US20090015136A1 (en) | 2009-01-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
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E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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