KR101903679B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101903679B1 KR101903679B1 KR1020120012920A KR20120012920A KR101903679B1 KR 101903679 B1 KR101903679 B1 KR 101903679B1 KR 1020120012920 A KR1020120012920 A KR 1020120012920A KR 20120012920 A KR20120012920 A KR 20120012920A KR 101903679 B1 KR101903679 B1 KR 101903679B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- layer
- electrode
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- -1 graphene nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 102
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Chemical compound O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Chemical group 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 위치하며 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 가지는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 위에 형성되어 있는 충진층, 충진층 위에 형성되어 있는 보호막을 포함하고, 보호막은 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물 중 적어도 하나를 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판 위에 형성된 제1 전극과 제2 전극 사이에 유기 발광층이 형성되어 있으며, 전극 및 유기 발광층은 보호막에 의해서 보호된다.
즉, 유기 발광 표시 장치의 기판은 유리 또는 가요성 고분자 필름으로 이루어져, 외부의 수분이나 산소가 침투하여 산화 및 부식이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그리고 반대편에도 수분 및 산소의 침투를 방지하기 위해서 기판을 부착한다.
그러나 유리 등으로 이루어지는 기판은 가격이 높고, 외부 충격에 약하여 깨지기 용이한 문제점이 있다.
그리고 유리 기판을 대신해서 폴리이미드 등의 유기막 및 산화규소막과 같은 무기막을 이용해서 보호막을 형성하고 있으나 수분 및 산소 투과에 의한 패널 신뢰성 저하로 인하여 적용에 한계를 갖고 있다.
따라서 본 발명은 무겁고, 고가이면서 외부 충격에 약한 유기 기판을 대체하여 수분 및 산소 투과 방지 특성이 우수한 보호막을 제공하여 신뢰성이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 위치하며 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 가지는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 위에 형성되어 있는 충진층, 충진층 위에 형성되어 있는 보호막을 포함하고, 보호막은 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 충진층은 유기물질 또는 무기물질로 이루어질 수 있고, 충진층은 복수로 적층되어 있을 수 있다.
상기 기판은 유리 또는 가요성 고분자로 이루어질 수 있고, 기판은 가요성 고분자로 이루어지는 상부 기판과 그래핀 화합물로 이루어지는 하부 기판을 포함할 수 있다.
상기 가요성 고분자는 폴리 이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에칠렌나프탈레이트 중 어느 하나이고, 그래핀 화합물은 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물일 수 있다.
본 발명에서와 같이 그래핀 화합물을 이용하여 보호막을 형성하면, 저비용으로 산소 및 수분을 효과적으로 차단할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치가 갖는 화소 회로를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 그래핀 산화물의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치가 갖는 화소 회로를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 그래핀 산화물의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(111), 기판(111) 위에 형성되어 있는 유기 발광 소자(70), 유기 발광 소자(70) 위에 형성되어 있는 충진층(250), 충진층(250) 위에 형성되어 있는 보호막(260)을 포함한다.
기판(111)은 유리 기판 또는 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르설폰(polyethersulfone), 폴리에칠렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate)과 같은 고분자 물질로 이루어지는 가요성 기판일 수 있다.
유기 발광 소자(70)는 제1 전극(710), 유기 발광층(720) 및 제2 전극(730)을 포함한다.
충진층(250)은 유기 발광 소자(70)를 덮으며 기판에 평탄면을 제공한다. 그리고 충진층(250)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 유기물질 또는 산화규소 또는 질화규소와 같은 무기 물질 등으로 단층 또는 복수층으로 형성할 수 있다.
보호막(260)은 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그래핀 산화물 및 그래핀 질화물은 절연특성을 가질 수 있다.
그래핀 산화물은 도 8에 도시한 바와 같이 그래핀의 표면에 산소가 결합되어 있는 형태로 수직방향으로는 절연 특성을 나타낸다. 이는 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 크롬산(H2CrO4) 및 염소산칼륨(KClO3) 등으로 흑연을 산화시키는 화학적 박리법으로부터 용이하게 형성할 수 있다.
그래핀 화합물은 형성되는 그래핀에 따라서 단층 또는 복수층의 그래핀층을 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이 그래핀 화합물로 보호막을 형성하면 고가의 유리 기판을 사용하지 않으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
그래핀 화합물은 물방울 분자들의 내부 결합에너지 보다 H2O와 그래핀 화합물과의 흡착 에너지가 매우 작아서 매우 높은 소수성 특성을 가진다. 따라서 외부 수분으로부터 유기 발광 소자를 보호할 수 있어 부식 및 산화를 방지할 수 있다.
또한, 그래핀 화합물은 강도 및 탄성이 우수하므로 가요성 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.
또한, 충진층을 이루는 무기물 또는 유기물과의 결합력 또한 우수하여 유기 발광 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다.
그럼 이상의 그래핀 화합물을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대해서 도 2 내지 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치가 갖는 화소 회로를 나타낸 회로도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NA)으로 구분된 기판(111)을 포함한다. 기판(111)의 표시 영역(DA)에는 다수의 화소들(PE)이 형성되어 화상을 표시하고, 비표시 영역(NA)에는 하나 이상의 구동 회로(GD, DD)가 형성된다.
구체적으로 하나의 화소(PE)는 도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광 소자(organic light emitting diode)(70), 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) (10, 20), 그리고 하나의 캐패시터(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조를 갖는다. 하지만, 본 발명의 한 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 하나의 화소(PE)에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 캐패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 이와 같이 추가로 형성되는 박막 트랜지스터 및 캐패시터는 보상 회로의 구성이 될 수 있다.
보상 회로는 각 화소(PE)마다 형성된 유기 발광 소자(70)의 균일성을 향상시켜 화질에 편차가 생기는 것을 억제한다. 일반적으로 보상 회로는 2개 내지 8개의 박막 트랜지스터를 포함한다.
또한, 기판(111)의 비 표시 영역(NA) 상에 형성된 구동 회로(GD, DD)도 추가의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(70)는 정공 주입 전극인 애노드(anode) 전극과 전자 주입 전극인 캐소드(cathode) 전극, 그리고 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서 하나의 화소(PE)는 제1 박막 트랜지스터(10)와 제2 박막 트랜지스터(20)를 포함한다.
제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터의 반도체층은 불순물이 도핑된 다결정 규소막을 포함한다. 즉, 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터는 다결정 규소 박막 트랜지스터이다.
도 3에는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 공통 전원 라인(VDD)과 함께 캐패시터 라인(CL)이 나타나 있으나, 캐패시터 라인(CL)은 경우에 따라 생략될 수도 있다.
데이터 라인(DL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 소스 전극이 연결되고, 게이트 라인(GL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극은 캐패시터(80)를 통하여 캐패시터 라인(CL)에 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극과 캐패시터(80) 사이에 노드가 형성되어 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극에는 공통 전원 라인(VDD)이 연결되며, 드레인 전극에는 유기 발광 소자(70)의 애노드 전극이 연결된다.
제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소(PE)를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 박막 트랜지스터(10)가 순간적으로 턴온되며 캐패시터(80)는 충전되고, 이때 충전되는 전하량은 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 전압의 전위에 비례한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)가 턴오프된 상태에서 캐패시터 라인(CL)에 한 프레임 주기로 전압이 증가하는 신호가 입력되면, 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전위는 캐패시터(80)에 충전된 전위를 기준으로 인가되는 전압의 레벨이 캐패시터 라인(CL)을 통하여 인가되는 전압을 따라서 상승한다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)는 게이트 전위가 문턱 전압을 넘으면 턴온된다. 그러면 공통 전원 라인(VDD)에 인가되던 전압이 제2 박막 트랜지스터(20)를 통하여 유기 발광 소자(70)에 인가되고, 유기 발광 소자(70)는 발광한다.
이하에서는 도 2 및 도 3의 유기 발광 표시 장치의 층간 구성에 대해서 도 4를 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4에서는 도 2의 제2 박막 트랜지스터(20) 및 화소 전극(710)을 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 박막 트랜지스터라 한다.
기판(111)은 유리, 석영, 세라믹 등으로 이루어진 절연성 기판 일 수 있다.
기판(111) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다.
버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조(도시하지 않음)로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
버퍼층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 반도체(135)가 형성되어 있다.
반도체(135)는 채널 영역(1355)과 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)으로 구분된다. 반도체(135)의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 반도체(135)의 소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다.
소스 영역(1356) 및 드레인 영역(1357)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다.
반도체(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(155)과 화소 전극(710)이 형성되어 있다. 게이트 전극(155)은 채널 영역(1355)과 중첩하고, 화소 전극(710)은 도 1의 제1 전극일 수 있다.
게이트 전극(155)은 제1 하부 금속층(1551)과 제1 상부 금속층(1553)으로 이루어지고, 화소 전극(710)은 제2 하부 금속층(7101)과 제2 상부 금속층(7103)으로 이루어진다.
제1 하부 금속층(1551) 및 제2 하부 금속층(7101)은 투명한 도전성 물질인 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(indium oxide) 등의 물질로 이루어질 수 있다.
제1 상부 금속층(1553) 및 제2 상부 금속층(7103)은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 합금으로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(155) 및 화소 전극(710) 위에는 층간 절연막(160)이 형성된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1356)과 드레인 영역(1357)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(166)과 드레인 접촉 구멍(167)을 갖는다. 그리고 층간 절연막(160)과 제2 상부 금속층(7103)은 제2 하부 금속층(7101)을 노출하는 개구부(65)를 가진다.
층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)이 형성되어 있다. 소스 전극(176)은 소스 접촉 구멍(166)을 통해서 소스 영역(1356)과 연결된다. 그리고 드레인 전극(177)은 드레인 접촉 구멍(167) 및 화소 접촉 구멍(168)을 통해서 각각 드레인 영역(1357) 및 제2 상부 금속층(7103)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(710)은 드레인 전극(177)과 연결되어 유기 발광 소자의 애노드 전극이 된다. 화소 전극(710)은 소스 전극과 연결될 수도 있다(도시하지 않음)
층간 절연막(160) 위에는 화소 정의막(190)이 형성되어 있다.
화소 정의막(190)은 개구부(65)를 통해서 제2 하부 금속층(7101)을 노출하는 개구부(95)을 가진다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(95)에는 유기 발광층(720)이 형성되어 있다.
유기 발광층(720)은 발광층, 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다.
유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 화소 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 위에는 공통 전극(730)이 형성된다.
공통 전극(730)은 도 1의 제2 전극일 수 있으며, 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통 전극(730)은 유기 발광 소자(70)를 이룬다.
공통 전극(730)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 사용하여 이루어지는 반사막 또는 반투과막일 수 있다.
또한, 공통 전극(730)은 화소 전극(710)의 제2 하부 금속층(7101)과 같이 투명막일 수 있다.
공통 전극(730) 위에는 충진층(250)이 형성되어 있다.
충진층(250)은 평탄면을 제공하기 위한 것으로, 유기물질 등을 도포하여 형성할 수 있다.
충진층(250) 위에는 보호막(260)이 형성되어 있다. 보호막(260)은 그래핀 화합물로 이루어지며, 그래핀 산화물 및 그래핀 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그래핀 산화물 및 그래핀 질화물은 그래핀의 표면에 산소 또는 질소가 결합되어 있는 형태로 절연성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 한 실시예에서와 같이 그래핀 화합물로 보호막을 형성하면 고가의 유리 기판을 사용하지 않으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
그래핀 화합물은 물방울 분자들의 내부 결합에너지 보다 H2O와 그래핀 화합물과의 흡착 에너지가 매우 작아서 매우 높은 소수성 특성을 가진다. 따라서 외부 수분으로부터 유기 발광 소자를 보호할 수 있어 부식 및 산화를 방지할 수 있다.
또한, 그래핀 화합물은 강도 및 탄성이 우수하므로 가요성 유기 발광 표시 장치를 형성할 수 있다.
또한, 충진층을 이루는 무기물 또는 유기물과의 결합력 또한 우수하여 유기 발광 표시 장치의 내구성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
대부분의 층간 구성은 도 4에서와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(111), 기판(111) 위에 형성되어 있는 버퍼층(120), 버퍼층(120) 위에 형성되어 있는 반도체(135), 반도체(135) 위에 형성되어 있는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있는 게이트 전극(155) 및 화소 전극(710), 화소 전극(710) 및 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있는 층간 절연막(160), 층간 절연막(160) 위에 형성되어 있는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177) 위에 형성되어 있으며 개구부(95)를 가지는 화소 정의막(190), 개구부(95)에 형성되어 있는 유기 발광층(720), 유기 발광층(720) 위에 형성되어 있는 공통 전극(730), 공통 전극(730) 및 화소 정의막(190) 위에 적층되어 있는 충진층(250) 및 보호막(260)을 포함한다.
그러나 도 5의 충진층(250)은 복수의 소충진층(25)을 포함한다. 소충진층(25)은 유기물질 또는 무기물질로 이루어질 수 있다. 도 5에서는 3개의 층만을 도시하였으나 더 많게 적층할 수 있다.
도 5에서와 같이 무기물질을 포함하여 복수의 소충진층(25)을 포함하여 충진층(250)을 형성하면 도 4에서와 같이 단층으로 충진층을 형성하는 것보다 기계적 특성을 향상시킬 수 있으며, 수분 및 산소의 내부 화산을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
대부분의 층간 구성은 각각 도 4 및 도 5에서와 동일하므로 다른 부분에 대해서만 구체적으로 설명한다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(111), 기판(111) 위에 형성되어 있는 버퍼층(120), 버퍼층(120) 위에 형성되어 있는 반도체(135), 반도체(135) 위에 형성되어 있는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있는 게이트 전극(155) 및 화소 전극(710), 화소 전극(710) 및 게이트 절연막(140) 위에 형성되어 있는 층간 절연막(160), 층간 절연막(160) 위에 형성되어 있는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177) 위에 형성되어 있으며 개구부(95)를 가지는 화소 정의막(190), 개구부(95)에 형성되어 있는 유기 발광층(720), 유기 발광층(720) 위에 형성되어 있는 공통 전극(730), 공통 전극(730) 및 화소 정의막(190) 위에 적층되어 있는 충진층(250) 및 보호막(260)을 포함한다.
그러나 도 6 및 도 7의 기판(111)은 폴리이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에칠렌나프탈레이트과 같은 고분자 물질로 이루어지는 가요성 기판일 수 있다.
그리고 도 6 및 도 7의 기판(111)은 유기 발광 소자가 위치하지 않은 반대면에 형성되어 있는 하부 기판(110)을 더 포함한다.
하부 기판(111)은 보호막(260)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 외부의 산소 및 수분의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 가요성 기판인 기판(111)의 기계적 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터
70: 유기 발광 소자 80: 캐패시터
110: 하부 기판 111: 기판
120: 버퍼층 135: 반도체
140: 게이트 절연막 155: 게이트 전극
160: 층간 절연막 190: 화소 정의막
195: 개구부 250: 충진층
260: 보호막
710: 화소 전극 720: 유기 발광층
730: 공통 전극 1355: 채널 영역
1356: 소스 영역 1357: 드레인 영역
1551: 제1 하부 금속층 1553: 제1 상부 금속층
7101: 제2 하부 금속층 7103: 제2 상부 금속층
70: 유기 발광 소자 80: 캐패시터
110: 하부 기판 111: 기판
120: 버퍼층 135: 반도체
140: 게이트 절연막 155: 게이트 전극
160: 층간 절연막 190: 화소 정의막
195: 개구부 250: 충진층
260: 보호막
710: 화소 전극 720: 유기 발광층
730: 공통 전극 1355: 채널 영역
1356: 소스 영역 1357: 드레인 영역
1551: 제1 하부 금속층 1553: 제1 상부 금속층
7101: 제2 하부 금속층 7103: 제2 상부 금속층
Claims (6)
- 기판,
상기 기판 위에 위치하며 제1 전극, 유기 발광층 및 제2 전극을 가지는 유기 발광 소자,
상기 유기 발광 소자 위에 형성되어 있는 충진층,
상기 충진층 위에 형성되어 있는 보호막
을 포함하고,
상기 기판은 상부 기판과 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물로 이루어지는 하부 기판을 포함하고,
상기 보호막은 절연 특성을 가지는 그래핀 산화물 또는 그래핀 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에서,
상기 충진층은 유기물질 또는 무기물질로 이루어지는 유기 발광 표시 장치. - 제2항에서,
상기 충진층은 복수로 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치. - 제1항에서,
상기 상부 기판은 유리 또는 가요성 고분자로 이루어지는 유기 발광 표시 장치. - 삭제
- 제4항에서,
상기 가요성 고분자는 폴리 이미드, 폴리에테르설폰, 폴리에칠렌나프탈레이트 중 어느 하나인 유기 발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120012920A KR101903679B1 (ko) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 유기 발광 표시 장치 |
| US13/552,100 US8536609B2 (en) | 2012-02-08 | 2012-07-18 | Organic light emitting diode display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120012920A KR101903679B1 (ko) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130091545A KR20130091545A (ko) | 2013-08-19 |
| KR101903679B1 true KR101903679B1 (ko) | 2018-10-04 |
Family
ID=48902156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120012920A KR101903679B1 (ko) | 2012-02-08 | 2012-02-08 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8536609B2 (ko) |
| KR (1) | KR101903679B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140139304A (ko) * | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102188030B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102316211B1 (ko) * | 2014-11-24 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104952905A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010093013A1 (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 学校法人東京工芸大学 | 画像表示装置および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2011048374A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置及びその製造方法 |
| WO2011087301A2 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 성균관대학교산학협력단 | 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도 |
| JP2011249301A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100882668B1 (ko) | 2007-07-18 | 2009-02-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP5119865B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| KR100922951B1 (ko) | 2007-11-08 | 2009-10-22 | 경북대학교 산학협력단 | 플라스틱 필름에 투습 방지성이 향상된 보호막의 형성 방법및 이를 이용한 플렉시블 유기 전계 발광 소자 |
| KR101435999B1 (ko) | 2007-12-07 | 2014-08-29 | 삼성전자주식회사 | 도펀트로 도핑된 산화그라펜의 환원물, 이를 포함하는 박막및 투명전극 |
| KR20090122680A (ko) | 2008-05-26 | 2009-12-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| SE534257C2 (sv) * | 2009-10-28 | 2011-06-21 | Lunavation Ab | En ljusemitterande elektrokemisk anordning, ett system innefattande en sådan anordning samt användning av en sådan anordning |
| KR20110095751A (ko) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀의 층간에 도펀트를 포함하는 다층 그래핀, 이를 포함하는 박막 및 투명전극 |
| KR101320173B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2013-10-22 | 삼성전기주식회사 | 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
-
2012
- 2012-02-08 KR KR1020120012920A patent/KR101903679B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-18 US US13/552,100 patent/US8536609B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010093013A1 (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 学校法人東京工芸大学 | 画像表示装置および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2011048374A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置及びその製造方法 |
| WO2011087301A2 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 성균관대학교산학협력단 | 기체 및 수분 차단용 그래핀 보호막, 이의 형성 방법 및 그의 용도 |
| JP2011249301A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130091545A (ko) | 2013-08-19 |
| US20130200422A1 (en) | 2013-08-08 |
| US8536609B2 (en) | 2013-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102158771B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101147428B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101117642B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100989135B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US9741782B2 (en) | Active matrix organic light-emitting display and display apparatus | |
| KR101398448B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101309863B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100995071B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20130135613A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102048941B1 (ko) | 가요성 기판 및 그 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 | |
| TWI596755B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
| TWI639045B (zh) | 顯示裝置 | |
| KR100959106B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102268493B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101903679B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101975957B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102517448B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20150019951A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20100066885A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20080104875A (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| US9293729B2 (en) | Organic light emitting diode display package with sealant and adhesive reinforcing member | |
| US9224988B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| KR100685841B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR100778443B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101393703B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |