KR100834837B1 - 반도체 다이 픽업 장치와 이를 이용한 반도체 다이 픽업방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 281
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 154
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 147
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000012762 magnetic filler Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 76
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 42
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 19
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 239000000306 component Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 4
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000002907 paramagnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
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- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75733—Magnetic holding means
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- 소잉된 반도체 다이를 고정시키기 위하여 웨이퍼 후면에 부착되며, 자기력을 갖는 마그네틱 접착 필름을 포함하는 웨이퍼 접착 테이프와;전기가 인가되면 상기 웨이퍼 접착 테이프의 마그네틱 접착 필름과 인력이 발생되도록 하는 전자석 구조의 콜레트부와;상기 콜레트부에 의해 픽업된 소잉된 반도체 다이를 구동장치의 구동에 의해 이동시키는 트랜스퍼 헤드부;를 포함함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 웨이퍼 접착 테이프는;베이스 필름,상기 베이스 필름 상부에 형성되어 있는 UV 필름, 및상기 UV 필름 상부에 형성되어 있는 마그네틱 접착 필름으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 마그네틱 접착 필름에는 페라이트 물질로 이루어진 마그네틱 필러가 포함되어 있음을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 13항에 있어서, 상기 페라이트 물질은 철, 니켈 또는 코발트등의 전자석 구조의 물질임을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 콜레트는 전기를 인가하면 자기장을 형성하는 금속 물질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 금속 물질은 페라이트 계열의 전자석 물질임을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 금속 물질은 철, 니켈 또는 코발트중의 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 콜레트부의 하부에는 상기 반도체 다이를 보호하기 위한 프로텍션 레이어를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 11항에 있어서, 상기 콜레트부는 내부에 반도체 다이를 진공 흡착하기 위한 진공 라인을 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
- 제 12항에 있어서, 상기 베이스 필름은 다이싱 테입 형상을 띠고 있음을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 장치.
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- 웨이퍼 후면에 마그네틱 접착 필름을 포함하는 웨이퍼 접착 테이프를 접착시키는 단계와;상기 웨이퍼를 각각의 반도체 다이로 소잉하는 단계와;상기 소잉된 반도체 다이의 상부에서 상기 마그네틱 접착 필름과의 사이에 인력이 발생되도록 전자석 구조로 이루어지는 콜레트부를 포함하는 반도체 다이 픽업 장치를 위치시키는 단계와;상기 콜레트부에 전기를 인가하여 상기 콜레트부에 자기장이 발생되게 하고, 상기 마그네틱 접착 필름과의 사이에 인력이 발생되게 하여 상기 콜레트부에 상기 반도체 다이를 흡착시키는 단계;로서 이루어지는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 웨이퍼 접착 테이프는 베이스 필름, UV 필름, 마그네틱 접착 필름이 차례로 적층된 구조, 또는 베이스 필름, UV 필름, 제1접착 필름, 마그네틱 접착 필름, 제2접착 필름이 차례로 적층된 구조 중의 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 마그네틱 접착 필름은 페라이트 물질로 이루어진 마그네틱 필러가 포함되어 있음을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 29항에 있어서, 상기 페라이트 물질은 철, 니켈 또는 코발트 등의 전자석 구조의 물질임을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 콜레트부는 전기를 인가하면 자기장을 형성하는 금속 물질로 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 31항에 있어서, 상기 금속 물질은 페라이트 계열의 전자석 물질임을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 31항에 있어서, 상기 금속 물질은 철, 니켈 또는 코발트 중의 어느 하나로 형성함을 특징으로 하는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 콜레트부에 의해 픽업된 상기 반도체 다이는 트랜스퍼 헤드를 이용하여 PCB 상부에 안착되도록 하고, 상기 콜레트부에 인가한 전기 공급을 중단시켜 상기 콜레트부에 발생된 자기장을 소멸시키는 단계로 이루어지는 반도체 다이 픽업 방법.
- 제 27항에 있어서, 상기 콜레트부에는 내부에 진공 라인을 형성하여 상기 콜레트부와 마그네틱 접착 필름과의 사이에 전자기적으로 인력을 발생시킴과 동시에 상기 진공 라인을 통해 진공을 공급하여 상기 반도체 다이를 진공 흡착하도록 하는 단계로 이루어지는 반도체 다이 픽업 방법.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060137510A KR100834837B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 반도체 다이 픽업 장치와 이를 이용한 반도체 다이 픽업방법 |
US11/959,299 US20080160725A1 (en) | 2006-12-29 | 2007-12-18 | Semiconductor die pick up apparatus and method thereof |
JP2007328502A JP2008166774A (ja) | 2006-12-29 | 2007-12-20 | 半導体ダイピックアップ装置と半導体ダイピックアップ方法 |
TW096150576A TW200834794A (en) | 2006-12-29 | 2007-12-27 | Semiconductor die pick up apparatus and method thereof |
CNA2007103058697A CN101211809A (zh) | 2006-12-29 | 2007-12-28 | 用于拾取半导体芯片的装置和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060137510A KR100834837B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 반도체 다이 픽업 장치와 이를 이용한 반도체 다이 픽업방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100834837B1 true KR100834837B1 (ko) | 2008-06-03 |
Family
ID=39584593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060137510A KR100834837B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 반도체 다이 픽업 장치와 이를 이용한 반도체 다이 픽업방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080160725A1 (ko) |
JP (1) | JP2008166774A (ko) |
KR (1) | KR100834837B1 (ko) |
CN (1) | CN101211809A (ko) |
TW (1) | TW200834794A (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101285852B1 (ko) | 2011-08-23 | 2013-07-15 | 도레이첨단소재 주식회사 | 자석부착층을 갖는 점착테이프를 이용한 전자부품의 봉지 방법 |
US9035466B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-05-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
KR101606224B1 (ko) | 2010-07-20 | 2016-03-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치 |
KR20180057987A (ko) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 광주과학기술원 | 자기유도 기반의 마이크로 소자 이송 어레이 및 마이크로 소자의 이송 방법 |
KR101946138B1 (ko) | 2016-03-30 | 2019-02-11 | 광주과학기술원 | 자기유도 기반의 이송 매체를 이용한 전자 소자의 이송방법 |
KR20210076472A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4397429B1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-01-13 | 株式会社新川 | 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法 |
KR101405301B1 (ko) * | 2009-06-11 | 2014-06-16 | (주)테크윙 | 테스트 핸들러용 픽앤플레이스모듈 |
KR20140124871A (ko) * | 2011-02-28 | 2014-10-27 | 샌디스크 세미컨덕터 (상하이) 컴퍼니, 리미티드 | 비균일 진공 프로파일 다이 부착 팁 |
CN102881587B (zh) * | 2012-10-17 | 2015-03-25 | 如皋市大昌电子有限公司 | 一种叠片二极管制造工艺及其芯片筛盘 |
KR102175471B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US9607907B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-03-28 | Industrial Technology Research Institute | Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices |
US9773711B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-09-26 | Industrial Technology Research Institute | Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module |
CN105789122B (zh) * | 2014-12-12 | 2019-05-03 | 财团法人工业技术研究院 | 光电元件的转移方法 |
TWI566918B (zh) * | 2015-07-29 | 2017-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 立體列印系統 |
WO2017107097A1 (en) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Goertek.Inc | Micro-led transfer method and manufacturing method |
JP6889614B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-06-18 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
TWI703649B (zh) * | 2017-12-06 | 2020-09-01 | 旺矽科技股份有限公司 | 多晶粒選取設備及方法 |
KR102617347B1 (ko) * | 2018-10-04 | 2023-12-26 | 삼성전자주식회사 | 다이 이젝터 및 상기 다이 이젝터를 포함하는 다이 공급 장치 |
US11302248B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | U-led, u-led device, display and method for the same |
US12183261B2 (en) | 2019-01-29 | 2024-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Video wall, driver circuits, controls and method thereof |
US11271143B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11538852B2 (en) * | 2019-04-23 | 2022-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
WO2020233873A1 (de) | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungsanordnung, lichtführungsanordnung und verfahren |
KR20210100480A (ko) * | 2020-02-06 | 2021-08-17 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 칩의 분리 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200149425Y1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-06-15 | 김춘호 | 그린 쉬트의 픽업장치 |
KR20010038913A (ko) * | 1999-10-28 | 2001-05-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 칩 유니트의 픽업 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05131386A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-28 | Rohm Co Ltd | ダイハンドリング部コレツト上下機構 |
JP4447206B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2010-04-07 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法 |
-
2006
- 2006-12-29 KR KR1020060137510A patent/KR100834837B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-12-18 US US11/959,299 patent/US20080160725A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-20 JP JP2007328502A patent/JP2008166774A/ja active Pending
- 2007-12-27 TW TW096150576A patent/TW200834794A/zh unknown
- 2007-12-28 CN CNA2007103058697A patent/CN101211809A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200149425Y1 (ko) * | 1995-12-30 | 1999-06-15 | 김춘호 | 그린 쉬트의 픽업장치 |
KR20010038913A (ko) * | 1999-10-28 | 2001-05-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 칩 유니트의 픽업 장치 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9035466B2 (en) | 2009-12-24 | 2015-05-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
KR101539471B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2015-07-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 |
US9362156B2 (en) | 2009-12-24 | 2016-06-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface |
KR101606224B1 (ko) | 2010-07-20 | 2016-03-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 플립 칩형 반도체 이면용 필름, 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 플립 칩형 반도체 장치 |
KR101285852B1 (ko) | 2011-08-23 | 2013-07-15 | 도레이첨단소재 주식회사 | 자석부착층을 갖는 점착테이프를 이용한 전자부품의 봉지 방법 |
KR101946138B1 (ko) | 2016-03-30 | 2019-02-11 | 광주과학기술원 | 자기유도 기반의 이송 매체를 이용한 전자 소자의 이송방법 |
KR20180057987A (ko) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | 광주과학기술원 | 자기유도 기반의 마이크로 소자 이송 어레이 및 마이크로 소자의 이송 방법 |
KR101874199B1 (ko) | 2016-11-23 | 2018-07-04 | 광주과학기술원 | 자기유도 기반의 마이크로 소자 이송 어레이 및 마이크로 소자의 이송 방법 |
KR20210076472A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법 |
KR102382558B1 (ko) * | 2019-12-16 | 2022-04-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 다이 픽업 장치 및 다이 픽업 장치의 동작방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200834794A (en) | 2008-08-16 |
US20080160725A1 (en) | 2008-07-03 |
JP2008166774A (ja) | 2008-07-17 |
CN101211809A (zh) | 2008-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20061229 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20071116 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20080515 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20080528 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20080529 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110429 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120430 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120430 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |