KR100829791B1

KR100829791B1 - 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로, 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법

Info

Publication number: KR100829791B1
Application number: KR1020060099156A
Authority: KR
Inventors: 이두섭
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-10-12
Filing date: 2006-10-12
Publication date: 2008-05-19
Also published as: US7428170B2; KR20080032943A; US20080089142A1; CN101162611A; CN101162611B

Abstract

플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로는, 고전압 발생기, 워드라인 전압 조절기 및 열 선택 전압 스위치를 포함한다. 고전압 발생기는 전원 전압에 기초하여 고전압을 발생한다. 워드라인 전압 조절기는 상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력한다. 열 선택 전압 스위치는 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력한다. 따라서, 열 선택 전압의 제한에 따른 지연을 방지하여 프로그램 시간을 단축함으로써 플래시 메모리 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.

플래시 메모리, NOR형, 열 선택 전압, 증가형 스텝 펄스 프로그램 방식, ISPP

Description

플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로, 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법{VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT, FLASH MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR PROVIDING PROGRAM VOLTAGE IN FLASH MEMORY DEVICE}

도 1은 일반적인 플래시 메모리 장치를 나타내는 도면이다.

도 2는 플래시 메모리 장치의 종래의 전압 공급 회로를 나타내는 블록도이다.

도 3은 도 2의 전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로를 나타내는 블록도이다.

도 5는 도 4의 전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로를 나타내는 블록도이다.

도 7은 도 6의 열 선택 전압 스위치를 나타내는 회로도이다.

도 8은 도 6의 전압 공급 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치를 나타내는 블록도이다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법을 나타내는 순서도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

11: 셀 트랜지스터 12: 로컬 비트라인

13: 글로벌 비트라인 35, 36: 선택 트랜지스터

210, 310: 고전압 발생기 220, 320: 워드라인 전압 조절기

230, 330: 열 선택 전압 스위치 240, 340: 타이밍 제어 회로

250: 고전압 검출기 350: 독출 전압 발생기

VPI: 고전압 VPW:워드라인 프로그램 전압

VPPY: 열 선택 전압 VPB: 비트라인 프로그램 전압

VPRDX: 워드라인 독출 전압 VPRDY: 독출 열 선택 전압

본 발명은 플래시 메모리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플래시 메모리 장치의 프로그램 시간을 단축할 수 있는 전압 공급 회로, 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 관한 것이다.

반도체 메모리 장치는 전원 공급이 중단될 때 저장된 데이터를 상실하는지 여부에 따라, 휘발성 메모리 장치(volatile memory device)와 불휘발성 메모리 장치(non-volatile memory device)로 구분될 수 있다. 불휘발성 메모리 장치는 전기적으로 소거 및 프로그램이 가능한 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)을 포함한다.

일반적으로 EEPROM의 동작은 데이터를 메모리 셀에 기입(write)하는 프로그램 모드, 저장된 데이터를 읽는 독출 모드 및 저장된 데이터를 삭제하는 소거 모드로 구분된다.

플래시 메모리 장치는 EEPROM에 속하고, 소거 동작이 블록 또는 섹터 단위로 동시에 수행되는 특징을 갖는다. 플래시 메모리 장치는 메모리 셀 어레이의 구조에 따라, 비트 라인과 접지 사이에 셀 트랜지스터들이 직렬로 배치된 NAND형 플래시 메모리 장치와 병렬로 배치된 NOR형 플래시 메모리 장치로 구분된다. NOR형 플래시 메모리 장치는 독출 동작 및 프로그램 동작이 바이트 단위로 수행되어 랜덤 액세스가 가능한 장점이 있으나, NAND형 플래시 메모리 장치와 비교하여 프로그램 및 소거 속도가 느린 단점이 있다.

도 1은 일반적인 플래시 메모리 장치를 나타내는 도면이다.

도 1을 참조하면, 플래시 메모리 장치는 메모리 셀 어레이(10), 행 선택 회로(20), 열 선택 회로(30) 및 기입 드라이버(40)를 포함한다. 도 1에는 종래의 플래시 메모리 장치의 문제점을 설명하기 위한 구성요소만 도시되어 있다.

메모리 셀 어레이(10)는 복수의 워드라인들과 복수의 비트라인에 각각 연결된 메모리 셀(예를 들어, 셀 트랜지스터)들을 포함한다. 도 1에는 NOR형 구조의 메모리 셀 어레이(10)에 포함된 복수의 셀 트랜지스터들 중에서, 프로그램되도록 선택된 하나의 셀 트랜지스터(11)만이 도시되어 있다.

행 선택 회로(20)는 행 어드레스 신호(ADDX)를 디코딩하여 프로그램될 셀 트 랜지스터(11)가 연결된 워드라인(12)을 선택한다. 워드라인 프로그램 전압(VPW)은 선택된 워드라인(12)을 통하여 셀 트랜지스터의 제어 게이트에 인가된다. 제어 게이트에 인가된 높은 전압에 의해 플로팅 게이트에 전자가 주입되어 선택된 셀이 프로그램된다.

NOR형 플래시 메모리의 프로그램 모드에서는, 예를 들어, 비트 라인에 약 4V 이상의 고전압을 인가하고, 워드라인에는 약 10V의 고전압을 인가하여 프로그램 동작을 수행한다. 예를 들어, 상기 고전압들은 차지 펌프(charge pump)에 의해 생성될 수 있다. 통상의 NOR형 플래시 메모리 장치에서는, 두 고전압의 승압이 개시되어 목표하는 최대값에 도달하면 프로그램 동작이 수행된다.

도 1에 도시된 바와 같이 열 선택 회로(30)는 로컬 칼럼 디코더(31), 글로벌 칼럼 디코더(32), 레벨 쉬프터들(33, 34) 및 선택 트랜지스터들(35, 36)을 포함한다. 열 선택 회로(30)는 열 어드레스(ADDY)를 디코딩하여 프로그램될 셀 트랜지스터(11)가 포함된 비트라인(13)을 선택한다.

일반적으로 메모리 장치의 비트라인들은 일정 단위의 메모리 셀들에 연결되는 로컬 비트라인과 복수의 로컬 비트라인들에 공통으로 연결된 글로벌 비트라인으로 구성되는 계층적 구조를 가진다. 도 1에는 선택된 하나의 로컬 비트라인(13)과 하나의 글로벌 비트라인(14)만이 도시되어 있다. 비트라인의 선택은 로컬 비트라인 선택 트랜지스터(35) 및 글로벌 비트라인 선택 트랜지스터(36)의 스위칭 동작에 의해 수행될 수 있다. 칼럼 디코더들(31, 32)은 열 어드레스 신호(ADDY)를 디코딩하여 비트라인을 선택하기 위한 선택 신호를 출력한다. 레벨 쉬프터들(33, 34)은 상기 선택 신호의 전압 레벨을 열 선택 전압(VPPY)으로 증가시켜 비트라인 선택 트랜지스터들(35, 36)의 게이트 전압으로 제공한다.

기입 드라이버(40)는 프로그램 데이터(DQ)를 수신하여, 비트라인 프로그램 전압(VPB)에 의해 프로그램 데이터(DQ)의 전압 레벨을 증가시켜 열 선택회로(30)에 출력한다. 플래시 메모리 장치에서는 프로그램 동작시 비트라인에 높은 전압이 인가된다. 특히, NOR형 플래시 메모리 장치에서는 채널 핫 일렉트론(CHE: channel hot electron)의 주입에 의한 프로그램 동작을 수행하기 위하여, 약 10V의 워드라인 프로그램 전압에 대하여 약 4V 이상의 비트라인 프로그램 전압이 필요하다. 이러한 높은 전압이 기입 드라이버(40)에서부터 선택된 로컬 비트라인(13)까지 손실 없이 전달되기 위해서는, 그 경로상의 선택 트랜지스터들(35, 36)의 게이트에 높은 전압이 인가되어야 한다. 따라서 게이트 전압을 출력하는 레벨 쉬프터들(33, 34)을 구동하기 위한 열 선택 전압(VPPY)은 일정한 레벨 이상이 요구된다.

도 2를 참조하면, 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로(100)는 고전압 발생기(110), 워드라인 전압 조절기(120) 및 열 선택 전압 스위치(130)를 포함한다.

고전압 발생기(110)는 전원 전압에 기초하여 고전압(VPI)을 발생하여 출력하고, 고전압(VPI)이 최대값으로 셋업되었음을 나타내는 고전압 셋업 신호(SUVPI)를 발생한다. 고전압 발생기(110)의 승압 수단으로는 차지 펌프(charge pump)가 주로 이용된다.

워드라인 전압 조절기(120)는 고전압 발생기(110)로부터 고전압(VPI)을 수신하여 증가형 스텝 펄스를 발생한다. 워드라인 전압 조절기(120)는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 증가형 스텝 펄스(incremental step pulse)를 행 선택 회로(20)로 출력하기 시작한다. 예를 들어, 플래시 메모리 장치의 컨트롤러는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 제어 신호(CTLREG)를 발생하고, 워드라인 전압 조절기(120)는 상기 제어 신호(CTLREG)에 응답하여 증가형 스텝 펄스의 전압 레벨을 단계적으로 증가시킨다. 도 1의 행 선택 회로(20)는 수신된 증가형 스텝 펄스를 프로그램 워드전압(VPW)으로서 선택된 워드라인에 출력한다.

이와 같이, 워드라인 전압 조절기(120)는 증가형 스텝 펄스 프로그램(ISPP: incremental step pulse programming) 방식에 의해 프로그램 동작을 수행하며, 증가형 스텝 펄스 프로그램 방식이란 단계적으로 증가하는 전압을 워드라인 프로그램 전압으로 이용하는 방식을 말한다.

열 선택 전압 스위치(130)는 고전압 발생기(110)로부터 고전압(VPI)을 수신하고, 비트라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력한다. 프로그램 모드에서는 높은 열 선택 전압이 요구되므로, 열 선택 전압 스위치(130)는 프로그램 모드에서는 상기 고전압(VPI)을 출력하고 독출 모드에서는 고전압(VPI)보다 낮은 독출 열 선택 전압(VPRDY)을 출력한다.

고전압 발생기(110)는 시간 t0에서 활성화되는 프로그램 인에이블 신호에 응답하여 전원 전압(VDD)의 승압을 시작하고 고전압(VPI)을 출력한다. 고전압 발생 기(110)는 고전압(VPI)이 시간 t2에서 최대값(V2)으로 셋업될 때 활성화되는 고전압 셋업 신호(SUVPI)를 출력한다. 워드라인 전압 조절기(120)는 고전압 발생기(110)로부터 고전압을 수신하여 증가형 스텝 펄스를 발생한다. 워드라인 전압 조절기(120)는 시간 t1에서 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었을 때 활성화되는 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)를 발생한다.

상기 설명한 바와 같이 프로그램 모드에서는 높은 열 선택 전압(VPPY)이 요구되므로, 열 선택 전압(VPPY)으로 이용되는 고전압(VPI)이 최대값으로 셋업될 때 워드라인 전압 조절기(120)는 증가형 스텝 펄스 형태의 워드라인 프로그램 전압(VPW)을 출력한다. 증가형 스텝 펄스의 출력을 트리거링(triggering)하기 위해, 전압 공급 회로(100)는 타이밍 제어 회로(140)를 포함할 수 있다. 타이밍 제어 회로(140)는 고전압 셋업 신호(SUVPI) 및 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)가 모두 활성화될 때 활성화되는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)를 발생한다. 플래시 메모리 장치의 컨트롤러는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 증가형 스텝 펄스의 전압 레벨을 단계적으로 증가하기 위한 제어 신호(CTLREG)를 발생한다.

이와 같이, 종래의 전압 공급 회로(100)는, 프로그램 모드에서 열 선택 전압(VPPY)으로 이용되는 고전압(VPI)이 최대값으로 셋업되기 위한 지연 시간(TD1)이 경과한 후, 증가형 스텝 펄스를 출력한다. 이 경우, 프로그램 시간은 도 3에 나타낸 바와 같이 지연 시간(TD1)과 스텝 펄스 출력 시간(TSP)을 합한 시간이 된다. 이와 같이 열 선택 전압(VPPY)가 일정한 레벨 이상이 요구되는 제한에 의해 프로그램 시간이 증가하고, 플래시 메모리 장치의 성능 저하의 원인이 된다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 열 선택 전압의 제한에 따른 지연을 방지하여 프로그램 시간을 단축할 수 있는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 열 선택 전압의 제한에 따른 지연을 방지하여 프로그램 시간을 단축할 수 있는 플래시 메모리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 열 선택 전압의 제한에 따른 지연을 방지하여 프로그램 시간을 단축할 수 있는 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로는, 고전압 발생기, 워드라인 전압 조절기 및 열 선택 전압 스위치를 포함한다.

고전압 발생기는 전원 전압에 기초하여 고전압을 발생한다. 워드라인 전압 조절기는 상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력한다. 열 선택 전압 스위치는 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력한다.

일 실시예에서, 전압 공급 회로는 상기 고전압을 기준 전압과 비교하여 상기 고전압이 상기 기준 전압보다 클 때 활성화되는 기준 전압 셋업 신호를 발생하는 고전압 검출기를 더 포함할 수 있다.

상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값으로 설정될 수 있다. 상기 고전압 검출기는, 상기 고전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 기준 전압 셋업 신호를 발생하는 비교기를 포함할 수 있다.

상기 실시예에서, 상기 워드 라인 전압 조절기는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 활성화 되는 워드 라인 전압 셋업 신호를 발생하고, 상기 워드 라인 전압 셋업 신호 및 상기 기준 전압 셋업 신호가 모두 활성화되었을 때 활성화되는 프로그램 셋업 신호에 응답하여 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력할 수 있다.

이를 위하여, 전압 공급 회로는 상기 워드 라인 전압 셋업 신호 및 상기 기준 전압 셋업 신호를 논리 연산하여 상기 프로그램 셋업 신호를 발생하는 타이밍 제어 회로를 더 포함할 수 있다.

다른 실시예에서, 전압 공급 회로는 상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 스탠바이 고전압을 발생하는 스탠바이 펌프를 더 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 워드 라인 전압 조절기는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력할 수 있다.

상기 열 선택 전압 스위치는, 프로그램 동작 초기에 상기 스탠바이 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하고, 상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압을 비교하여 상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력할 수 있다.

이를 위하여, 상기 열 선택 전압 스위치는 비교기 및 전압 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 비교기는 상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압을 비교하여 비교 신호를 출력한다. 전압 스위칭 소자는 상기 비교 신호에 기초하여 상기 고전압 및 스탠바이 고전압 중 하나를 선택하여 출력한다.

상기 열 선택 전압 스위치는, 프로그램 모드 및 독출 모드 중 하나에 상응하는 전압을 선택하여 상기 열 선택 전압으로서 출력하는 모드 스위칭 소자를 포함할 수 있으며, 상기 플래시 메모리 장치는 NOR형 플래시 메모리 장치일 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치는, 컨트롤러, 메모리 셀 어레이, 행 선택 회로, 열 선택 회로, 기입 드라이버, 및 전압 공급 회로를 포함한다.

컨트롤러는 프로그램 동작을 제어한다. 메모리 셀 어레이는 복수의 워드라인들과 복수의 비트라인들에 각각 연결된 복수의 셀 트랜지스터들을 포함한다. 행 선택 회로는 프로그램 모드에서 행 어드레스 신호에 응답하여 상기 워드라인들 중 하나를 선택하여 워드라인 프로그램 전압을 인가하고, 열 선택회로는 프로그램 모드에서 열 어드레스 신호에 응답하여 상기 비트라인들 중 하나를 선택하여 프로그램 데이터를 인가한다. 기입 드라이버는 비트라인 프로그램 전압에 기초하여 상기 프로그램 데이터를 출력한다.

플래시 메모리 장치에 포함된 상기 전압 공급 회로는, 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 상기 행 선택 회로에 출력하고, 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 상기 열 선택 회로에 출력한다.

상기 전압 공급 회로는, 전원 전압에 기초하여 상기 고전압을 발생하는 고전압 발생기, 상기 고전압에 기초하여 상기 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 워드라인 전압 조절기, 및 상기 열 선택 전압을 상기 열 선택 회로에 출력하는 열 선택 전압 스위치를 포함할 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법에 따르면, 전원 전압에 기초하여 고전압을 발생한다. 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력하고, 또한, 상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생한다. 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력한다.

일 실시예에서, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계는, 상기 고전압이 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계일 수 있다.

이 경우, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계는, 상기 고전압과 기준 전압을 비교하는 단계; 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었는지 여부를 감지하는 단계; 상기 고전압이 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값으로 설정될 수 있다.

다른 실시예에서, 상기 열 선택 전압을 출력하는 단계는, 상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 스탠바이 고전압을 발생하는 단계; 프로그램 동작 초기에 상기 스탠바이 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 단계; 상기 고전압과 상기 스탠바이 고전압을 비교하는 단계; 및 상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 단계를 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 행 선택 회로에 출력하는 단계는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었는지 여부를 감지하는 단계, 및 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 레벨의 전압이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계를 포함할 수 있다.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 전압 공급 회로, 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 열 선택 전압의 제한에 따른 지연을 방지하여 프로그램 시간을 단축함으로써 플래시 메모리 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.

본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안될 것이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에" 와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.

도 4를 참조하면, 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로(200)는 고전압 발생기(210), 워드라인 전압 조절기(220) 및 열 선택 전압 스위치(230)를 포함한다.

고전압 발생기(210)는 전원 전압(VDD)에 기초하여 고전압(VPI)을 발생한다. 고전압 발생기(210)는 승압 수단으로서 차지 펌프(charge pump)를 포함할 수 있으며, 프로그램 동작의 개시를 나타내는 프로그램 인에이블 신호에 응답하여 승압을 개시할 수 있다.

워드라인 전압 조절기(220)는 상기 고전압(VPI)에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값(V2)으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 출력한다. 워드라인 전압 조절기(220)는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 증가형 스텝 펄스를 플래시 메모리 장치의 행 선택 회로로 출력한다. 예를 들어, 플래시 메모리 장치의 컨트롤러는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 제어 신호(CTLREG)를 발생하고, 워드라인 전압 조절기(220)는 상기 제어 신호(CTLREG)에 응답하여 증가형 스텝 펄스의 전압 레벨을 단계적으로 증가시킨다.

열 선택 전압 스위치(230)는 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압(VPPY)을 출력한다. 열 선택 전압 스위치(230)는 프로그램 모드에서는 상기 고전압(VPI)을 출력하고 독출 모드에서는 고전압(VPI)보다 낮은 독출 열 선택 전압(VPRDY)을 출력한다. 이와 같이 동작 모드에 따른 전압의 선택 출력을 위하여 열 선택 전압 스위치(230)는 모드 스위칭 소자(도 7 참조)를 포함할 수 있다. 상기 모드 스위칭 소자는 프로그램 모드 및 독출 모드 중 하나에 상응하는 전압을 선택하여 상기 열 선택 전압으로서 출력한다.

플래시 메모리 장치의 프로그램 시간을 단축하기 위하여, 전압 공급 회로(200)는 고전압 검출기(250) 및 타이밍 제어 회로(240)를 더 포함할 수 있다.

고전압 검출기(250)는 고전압(VPI)을 기준 전압(도 5의 V3)과 비교하여 고전압(VPI)이 상기 기준 전압보다 클 때 활성화되는 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)를 발생할 수 있다. 상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작시키기 위한 열 선택 전압의 최소값으로 설정될 수 있다. 상기 기준 전압은 메모리 장치의 구성에 따라 가변될 수 있고, 모드 레지스터 셋(MRS)신호로서 제공되거나, 고전압 검출기(250) 내에 고정된 값으로 저장될 수 있다. 이와 같이, 비트라인을 선택하기 위한 열 선택 트랜지스터의 게이트 전압이 충분한 레벨이 되었을 때 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)가 활성화된다.

타이밍 제어 회로(240)는 워드 라인 전압 셋업 신호(SUPVW) 및 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)를 논리 연산하여 상기 프로그램 셋업 신호(SUPGM)를 발생한다. 예를 들어, 워드 라인 전압 셋업 신호(SUPVW) 및 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)가 논리 하이 레벨로 활성화되는 경우, 타이밍 제어 회로(240)는 도 4에 도시된 NAND 연산자 및 인버터와 같은 논리 소자들로 구성될 수 있다.

고전압 발생기(210)는 시간 t0에서 전원 전압(VDD)의 승압을 시작하여 고전압(VPI)을 출력한다. 워드라인 전압 조절기(120)는 시간 t1에서 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨(V1)이 셋업되었을 때 활성화되는 워드라인 전압 셋업 신 호(SUVPW)를 발생한다.

고전압 검출기 (250)는 고전압(VPI)이 기준 전압(V3)보다 클 때, 즉 시간 t3에서 활성화되는 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)를 발생한다. 타이밍 제어 회로(240)는 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW) 및 기준 전압 셋업 신호(SUVRF)가 모두 활성화되었을 때 활성화되는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)를 발생한다. 즉, 프로그램 셋업 신호(SUPGM)가 활성화되는 시간 t3는, 열 선택 스위치(230)가 충분한 레벨의 열 선택 전압(VPPY)을 출력할 수 있고 동시에 워드라인 전압 조절기(220)가 증가형 스텝 펄스를 출력할 수 있는 시점을 나타낸다.

워드라인 전압 조절기(220)는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 시간 t3에서 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)로서 출력한다. 플래시 메모리 장치의 프로그램 시간은 지연 시간(TD2)과 스텝 펄스 출력 시간(TSP)을 합한 시간이 된다. 즉, 도 4의 전압 공급 회로(200)는 도 2의 전압 공급 회로(100)와 비교할 때 지연 시간의 차(TD1-TD2)만큼 프로그램 시간을 단축할 수 있다. 이와 같이, 도 4의 전압 공급 회로(200)는 고전압(VPI)이 최대값(V2)으로 셋업되기 전에 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 출력하여 프로그램 시간을 단축할 수 있다.

도 6을 참조하면, 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로(300)는 고전압 발생기(310), 워드라인 전압 조절기(320) 및 열 선택 전압 스위치(330)를 포함한다. 이하에서는, 도 4의 전압 공급 회로(200)와 중복되는 설명은 생략하고, 차이점을 중심으로 도 6의 전압 공급 회로(300)를 설명한다.

플래시 메모리 장치의 프로그램 시간을 단축하기 위하여, 전압 공급 회로(300)는 독출 전압 발생기(350)를 더 포함할 수 있다.

상기 독출 전압 발생기(350)는 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호(또는 칩 인에이블 신호)에 응답하여 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 발생한다. 즉, 독출 전압 발생기(350)는 프로그램 동작이 개시되기 전에 목표로 하는 전압으로 셋업되어 있다. NOR형 플래시 메모리 장치는 독출 모드에서 빠른 독출 동작을 수행하기 위하여 약 4V 이상의 스탠바이 고전압을 발생하는 스탠바이 펌프를 구비한다. 전압 공급 회로(300)는 이러한 스탠바이 펌프를 독출 전압 발생기(350)로 이용할 수 있으며, 도 6에는 상기 스탠바이 펌프를 독출 전압 발생기(350)로 이용하는 예가 도시되어 있다.

열 선택 전압 스위치(330)는 프로그램 동작 초기에는 상기 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 열 선택 전압(VPPY)으로서 출력한다. 열 선택 전압 스위치(330)는 상기 고전압(VPI) 및 상기 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 비교하여, 상기 고전압(VPI)이 상기 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 클 때 상기 고전압(VPI)을 열 선택 전압(VPPY)으로서 출력한다.

도 6에는 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 프로그램 동작 초기의 열 선택 전압(VPPY)으로 이용하는 예가 도시되어 있으나, 워드라인 독출 전압(VPRDX)에 한정되는 것은 아니며, 상기 설명한 바와 같이, 프로그램 동작에 앞서 셋업되는 스탠바 이 고전압이 프로그램 동작 초기의 열 선택 전압(VPPY)으로 이용될 수 있다.

도 7은 도 6의 열 선택 전압 스위치를 나타내는 회로도이다.

도 7을 참조하면, 열 선택 전압 스위치(330)는 비교기(331), 전압 스위칭 소자(332) 및 모드 스위칭 소자(333)를 포함할 수 있다.

비교기(331)는 고전압(VPI) 및 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 비교하여 비교 신호(CMP)를 출력한다. 비교 신호(CMP)는 고전압(VPI)이 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 클 때 활성화된다. 전압 스위칭 소자(332)는 비교 신호(CMP)에 기초하여 고전압(VPI) 및 상기 워드라인 독출 전압(VPRDX) 중 하나를 선택하여 출력한다.

프로그램 동작 초기에는 승압 중의 고전압(VPI)는 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 작다. 예를 들어, 고전압(VPI)이 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 작으면 비교 신호(CMP)는 논리 로우 레벨로 출력된다. 전압 스위칭 소자(332)는 비교 신호(CMP)의 논리 로우 레벨에 응답하여 워드라인 독출 전압(VPRDX)을 열 선택 전압(VPPY)로서 출력한다.

그 후, 고전압(VPI)이 점차 상승되어 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 크게 되는 시점에서 비교 신호(CMP)는 논리 하이 레벨로 천이한다. 전압 스위칭 소자(332)는 비교 신호(CMP)의 논리 하이 레벨에 응답하여 충분히 승압된 상기 고전압(VPI)을 열 선택 전압(VPPY)으로서 출력한다.

한편, 열 선택 전압 스위치(330)는 독출 모드에서는 고전압(VPI) 및 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 낮은 독출 열 선택 전압(VPRDY)을 출력한다. 이와 같이 동작 모드에 따른 전압의 선택 출력을 위하여 모드 스위칭 소자(333)는 프로그램 모드 및 독출 모드 중 하나에 상응하는 전압을 선택하여 상기 열 선택 전압으로서 출력한다. 예를 들어, 열 선택 전압 스위치(330)에 포함된 모드 스위칭 소자(333)는 프로그램 동작의 시작을 나타내는 프로그램 인에이블 신호(PGMEN)에 응답하여 전압 스위칭 소자(332)의 출력을 열 선택 전압(VPPY)으로 선택한다.

다시 도 6을 참조하면, 워드라인 전압 조절기(320)는 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었을 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 출력한다. 워드라인 전압 조절기(320)는 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 활성화되는 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)를 발생하고, 타이밍 제어 회로(340)는 이를 지연시켜 프로그램 셋업 신호(SUPGM)를 발생한다. 워드라인 전압 조절기(320)는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 증가형 스텝 펄스를 플래시 메모리 장치의 행 선택 회로로 출력한다. 예를 들어, 플래시 메모리 장치의 컨트롤러는 프로그램 셋업 신호(SUPGM)에 응답하여 제어 신호(CTLREG)를 발생하고, 워드라인 전압 조절기(320)는 상기 제어 신호(CTLREG)에 응답하여 증가형 스텝 펄스의 전압 레벨을 단계적으로 증가시킨다.

다른 실시예에서, 도 6에 도시된 상기 타이밍 제어 회로(340)는 생략될 수 있으며, 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)가 프로그램 셋업 신호(SUPGM)의 역할을 수행할 수 있다.

고전압 발생기(310)는 시간 t0에서 전원 전압(VDD)의 승압을 시작하여 고전 압(VPI)을 출력한다. 워드라인 전압 조절기(320)는 시간 t1에서 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨(V1)이 셋업되었을 때 활성화되는 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)를 발생한다. 워드라인 전압 셋업 신호(SUVPW)는 증가형 스텝 펄스의 출력 시점(즉, 도 8의 t1)을 결정하기 위한 프로그램 셋업 신호(SUPGM)로 이용될 수 있다.

이와 같이 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨(V1)이 셋업되었을 때(시간 t1) 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 제공할 수 있도록 프로그램 동작 초기에는 워드라인 독출 전압(VPRDX)이 열 선택 전압(VPPY)으로서 출력된다. 고전압(VPI)이 충분히 승압되어 워드라인 독출 전압(VPRDX)보다 크게 되는 시간 t4에서, 전압 스위칭 소자(332)는 고전압(VPI)을 열 선택 전압(VPPY)으로서 출력한다.

고전압(VPI)이 최대값(V3)으로 셋업되는 시간 t2에서 도 2의 전압 공급 회로(100)가 증가형 스텝 펄스를 출력하는 것과는 달리, 도 6의 전압 공급 회로(300)는 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨(V1)이 셋업되는 시간 t1에서 증가형 스텝 펄스를 출력한다. 플래시 메모리 장치의 프로그램 시간은 지연 시간(TD3)과 스텝 펄스 출력 시간(TSP)을 합한 시간이 된다. 즉, 도 4의 전압 공급 회로(200)는 도 2의 전압 공급 회로(100)와 비교할 때 지연 시간의 차이(TD1-TD3)만큼 프로그램 시간을 단축할 수 있다.

도 9를 참조하면, 플래시 메모리 장치(500)는 메모리 셀 어레이(510), 행 선택 회로(520), 열 선택 회로(530), 기입 드라이버(540), 컨트롤러(550) 및 전압 공급 회로(400)를 포함한다.

컨트롤러(550)는 플래시 메모리 장치의 프로그램 동작을 제어한다. 메모리 셀 어레이(510)는 복수의 워드라인들과 복수의 비트라인들에 각각 연결된 복수의 셀 트랜지스터들을 포함한다. 행 선택 회로(520)는 프로그램 모드에서 행 어드레스 신호에 응답하여 상기 워드라인들 중 하나를 선택하여 워드라인 프로그램 전압을 인가하고, 열 선택 회로(530)는 프로그램 모드에서 열 어드레스 신호에 응답하여 상기 비트라인들 중 하나를 선택하여 프로그램 데이터를 인가한다. 기입 드라이버(540)는 비트라인 프로그램 전압(VPB)에 기초하여 상기 프로그램 데이터(DQ)를 출력한다.

플래시 메모리 장치의 프로그램 시간을 단축하기 위한 전압 공급 회로(400)로서 도 4의 전압 공급 회로(200) 또는 도 6의 전압 공급 회로(300)가 이용될 수 있다. 전압 공급 회로(400)는 고전압(VPI)이 최대값으로 셋업되기 전에 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 행 선택 회로(520)에 출력한다. 또한, 전압 공급 회로(400)는 고전압(VPI)에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압(VPPY)을 열 선택 회로(530)에 출력한다.

상기 설명한 바와 같이, 도 4의 전압 공급 회로를 이용하는 경우에는, 고전압(VPI)이 최대값으로 셋업되기 전이라도 열 선택 전압(VPPY)으로 사용되기에 충분한 전압 레벨로 고전압(VPI)이 승압되면 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전 압(VPW)으로서 행 선택 회로(520)에 출력할 수 있다. 또한, 도 6의 전압 공급 회로를 이용하는 경우에는 고전압(VPI)의 셋업 시간에 관계없이 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었을 때 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압(VPW)으로서 행 선택 회로(520)에 출력할 수 있다. 따라서, 플래시 메모리 장치(500)는 불필요한 대기 시간을 감소하여 프로그램 시간을 단축할 수 있다. 컨트롤러(550)는 이와 같이 단축된 프로그램 시간에 상응하도록 프로그램 동작을 제어한다.

도 10을 참조하면, 플래시 메모리 장치의 프로그램을 위해 전원 전압에 기초하여 고전압이 발생된다(단계 S10). 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압이 출력되고(단계 S20), 상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스가 발생된다(단계 S30). 프로그램 시간을 단축하기 위하여, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스가 워드라인 프로그램 전압으로서 출력된다(단계 S40).

증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계(단계 S30)는, 상기 고전압이 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었을 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계일 수 있다. 이 때, 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계(S30)는, 상기 고전압과 기준 전압을 비교하고, 상기 증가형 스텝 펄 스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었는지 여부를 감지하여 수행될 수 있다. 즉, 상기 고전압이 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었을 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력될 수 있다.

상기 설명한 바와 같이, 상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작시키기 위한 열 선택 전압의 최소값으로 설정될 수 있다.

한편, 상기 열 선택 전압을 출력(S20)하기 위하여, 먼저, 상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 발생되는 스탠바이 고전압을 이용할 수 있다. 프로그램 동작 초기에는 상기 스탠바이 고전압이 열 선택 전압으로서 출력된다. 상기 고전압과 상기 스탠바이 고전압을 비교하여 상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력한다. 따라서, 증가형 스텝 펄스의 전압 레벨이 최대값에 가까워지면 고전압이 충분히 승압된 상태이므로 고전압을 열 선택 전압으로 전환할 수 있다.

이와 같이, 프로그램 동작의 개시 전에 파워업되어 있는 스탠바이 고전압(예를 들어, 워드라인 독출 전압)을 이용하는 경우에는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되면 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로 출력하는 것이 가능하다. 따라서, 플래시 메모리 장치의 프로그램 시간을 단축시킬 수 있다.

본 발명은 프로그램 모드에서 높은 비트라인 전압이 요구되고 따라서 높은 열 선택 전압이 요구되는 NOR형 플래시 메모리 장치에 적용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 해당 기술 분야의 당업자는 ISPP방식의 플래시 메모리 장치로서 높은 열 선택 전압이 요구되는 경우에 본 발명이 유용하게 적용될 수 있음을 이해할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전압 공급 회로, 이를 포함하는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법은, 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 제공할 수 있다. 따라서, 불필요한 대기 시간을 감소하여 프로그램 시간을 단축함으로써 플래시 메모리 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

전원 전압에 기초하여 고전압을 발생하는 고전압 발생기;

상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전으로서 상기 고전압이 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값에 도달할 때 또는 상기 고전압이 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨에 도달할 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 워드라인 전압 조절기; 및

상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력하는 열 선택 전압 스위치를 포함하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 고전압을 기준 전압과 비교하여 상기 고전압이 상기 기준 전압보다 클 때 활성화되는 기준 전압 셋업 신호를 발생하는 고전압 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 2 항에 있어서,

상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 2 항에 있어서, 상기 고전압 검출기는,

상기 고전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 기준 전압 셋업 신호를 발생하는 비교기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 2 항에 있어서, 상기 워드 라인 전압 조절기는,

상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 활성화 되는 워드 라인 전압 셋업 신호를 발생하고,

상기 워드 라인 전압 셋업 신호 및 상기 기준 전압 셋업 신호가 모두 활성화되었을 때 활성화되는 프로그램 셋업 신호에 응답하여 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 5 항에 있어서,

상기 워드 라인 전압 셋업 신호 및 상기 기준 전압 셋업 신호를 논리 연산하여 상기 프로그램 셋업 신호를 발생하는 타이밍 제어 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 스탠바이 고전압을 발생하는 스탠바이 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치 의 전압 공급 회로.
제 7 항에 있어서, 상기 워드 라인 전압 조절기는,

상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 7 항에 있어서, 상기 열 선택 전압 스위치는,

프로그램 동작 초기에 상기 스탠바이 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하고,

상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압을 비교하여 상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 9 항에 있어서, 상기 열 선택 전압 스위치는,

상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압을 비교하여 비교 신호를 출력하는 비교기; 및

상기 비교 신호에 기초하여 상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압 중 하나를 선택하여 출력하는 전압 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 1 항에 있어서, 상기 열 선택 전압 스위치는,

프로그램 모드 및 독출 모드 중 하나에 상응하는 전압을 선택하여 상기 열 선택 전압으로서 출력하는 모드 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
제 1 항에 있어서,

상기 플래시 메모리 장치는 NOR형 플래시 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 전압 공급 회로.
프로그램 동작을 제어하는 컨트롤러;

복수의 워드라인들과 복수의 비트라인들에 각각 연결된 복수의 셀 트랜지스터들을 포함하는 메모리 셀 어레이;

프로그램 모드에서 행 어드레스 신호에 응답하여 상기 워드라인들 중 하나를 선택하여 워드라인 프로그램 전압을 인가하는 행 선택 회로;

프로그램 모드에서 열 어드레스 신호에 응답하여 상기 비트라인들 중 하나를 선택하여 프로그램 데이터를 인가하는 열 선택 회로;

비트라인 프로그램 전압에 기초하여 상기 프로그램 데이터를 출력하는 기입 드라이버; 및

고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 상기 행 선택 회로에 출력하고, 상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 상기 열 선택 회로에 출력하는 전압 공급 회로를 포함하는 플래시 메모리 장치.
제 13 항에 있어서, 상기 전압 공급 회로는,

전원 전압에 기초하여 상기 고전압을 발생하는 고전압 발생기;

상기 고전압에 기초하여 상기 증가형 스텝 펄스를 발생하고, 상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전에 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 워드라인 전압 조절기; 및

상기 열 선택 전압을 상기 열 선택 회로에 출력하는 열 선택 전압 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치.
제 14 항에 있어서,

상기 전압 공급 회로는, 상기 고전압을 비교하여 상기 수신된 고전압이 기준 전압보다 클 때 활성화되는 기준 전압 셋업 신호를 발생하는 고전압 검출기를 더 포함하고,

상기 워드 라인 전압 조절기는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 활성화 되는 워드 라인 전압 셋업 신호를 발생하고, 상기 워드 라인 전압 셋업 신호 및 상기 기준 전압 셋업 신호가 모두 활성화되었을 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치.
제 14 항에 있어서,

상기 전압 공급 회로는, 상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 스탠바이 고전압을 발생하는 스탠바이 펌프를 더 포함하고,

상기 워드 라인 전압 조절기는, 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치.
제 16항에 있어서, 상기 열 선택 전압 스위치는,

상기 고전압 및 상기 스탠바이 고전압을 비교하고,

프로그램 동작 초기에 상기 스탠바이 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하고,

상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치.
제 13항에 있어서,

NOR형 플래시 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치.
전원 전압에 기초하여 고전압을 발생하는 단계;

상기 고전압에 기초하여 비트 라인을 선택하기 위한 열 선택 전압을 출력하는 단계;

상기 고전압에 기초하여 증가형 스텝 펄스를 발생하는 단계; 및

상기 고전압이 최대값으로 셋업되기 전으로서 상기 고전압이 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값에 도달할 때 또는 상기 고전압이 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨에 도달할 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법.
제 19 항에 있어서, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계는,

상기 고전압이 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법.
제 20 항에 있어서, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계는,

상기 고전압과 상기 기준 전압을 비교하는 단계;

상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었는지 여부를 감지하는 단계; 및

상기 고전압이 상기 기준 전압보다 크고 상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법.
제 20 항에 있어서, 상기 기준 전압은 프로그램 모드에서 비트 라인 선택 트랜지스터를 동작하기 위한 열 선택 전압의 최소값인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급 방법.
제 19 항에 있어서, 상기 열 선택 전압을 출력하는 단계는,

상기 플래시 메모리 장치의 파워 온 리셋 신호에 응답하여 스탠바이 고전압을 발생하는 단계;

프로그램 동작 초기에 상기 스탠바이 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 단계;

상기 고전압과 상기 스탠바이 고전압을 비교하는 단계; 및

상기 고전압이 상기 스탠바이 고전압보다 클 때 상기 고전압을 열 선택 전압으로서 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급방법.
제 23 항에 있어서, 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계는,

상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 전압 레벨이 셋업되었는지 여부를 감지하는 단계; 및

상기 증가형 스텝 펄스의 첫 번째 레벨의 전압이 셋업될 때 상기 증가형 스텝 펄스를 워드라인 프로그램 전압으로서 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급방법.
제 19 항에 있어서,

상기 플래시 메모리 장치는 NOR형 플래시 메모리 장치인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 장치의 프로그램 전압 공급방법.