KR100825965B1 - 기판 세정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 공정시 세정액에 의해 세정이 이루어져 소수성을 띄는 기판에 이소프로필 알코올 가스를 사용하여 기판의 성질을 변화시켜, 소수성을 띄는 기판이 주변에 잔류하는 이물질에 의해 오염되는 것을 방지함으로써, 기판의 세정 효율을 향상시킨다.

반도체, 기판, 웨이퍼, 세정, 린스, 건조, 이소프로필 알코올, 소수성

Description

기판 세정 방법{SUBSTRATE CLEANING METHOD}

도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 방법이 적용되는 기판 세정 장치의 사시도이다.

도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 방법을 보여주는 순서도이다.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 기판 세정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 약액처리실의 구성도이다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액처리실의 구성도이다.

도 6은 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 실험 데이터를 보여주는 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*

10 : 기판 세정 장치

20 : 약액처리실

100 : 건조실

200 : 수세실

300 : 이송수단

본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 세정 공정은 웨이퍼 표면에 부착된 이물질을 제거하는 공정이다. 세정 공정 중 습식 세정 공정은 소정의 처리액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 공정이다. 일반적인 습식 세정 공정은 약액으로 기판을 세정하는 단계, 세정액으로 기판을 린스하는 단계, 그리고 건조가스로 기판을 건조하는 단계를 포함한다. 여기서, 보통 약액으로는 다양한 종류의 케미칼(chemical)들이 사용되고, 세정액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용되며, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA gas:Isopropyl alcohol gas)가 사용된다.

그러나, 일반적인 기판 세정 방법은 웨이퍼 표면으로부터 이물질을 완전히 제거하기 어려웠다. 예컨대, 세정액에 웨이퍼들을 침지시켜 웨이퍼를 세정하면 웨이퍼 표면이 소수성을 띄게되어 인력이 발생된다. 따라서, 이러한 소수성을 띄는 웨이퍼는 웨이퍼 주변에 잔류하는 이물질들을 다시 웨이퍼 표면에 흡착시킨다. 특히, 상기 약액으로 불산 용액(DHF:Dilute Hydrofluoric Acid solution), 표준세정액-1(SC-1:Standard clean-1), 과산화수소(H2O2), 그리고 불화암모늄(NH4F) 용액 등을 사용하는 경우에는 세정 공정 후 웨이퍼 표면의 성질이 강한 소수성을 띈다. 따라서, 상술한 세정액으로 세정 공정이 이루어진 이후에는 웨이퍼 주변에 잔류하는 이물질에 의해 웨이퍼가 오염된다. 즉, 세정 공정시에 제거되는 이물질들은 점 차 소수성을 띄는 웨이퍼 표면에 재부착되어 웨이퍼 표면을 오염시킨다. 그리고, 세정 공정 후 진행되는 린스 공정시에는 세정액에 잔류하는 이물질들이 웨이퍼 표면에 재부착되어 웨이퍼를 오염시킨다.

본 발명은 기판의 세정 효율을 향상시키는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 세정 공정시 기판으로부터 제거된 이물질이 다시 기판 표면에 재흡착되는 것을 방지하는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 약액에 의한 기판의 세정이 수행되어 소수성을 띄는 기판의 성질을 소수성의 정도를 경감시키도록 기판의 성질을 변화시킨 후 린스 공정을 수행한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 표면의 성질 변화는 기판으로 이소프로필 알코올 가스를 분사함으로써 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액은 불산 용액, 표준세정액-1, 과산화수소, 그리고 불화암모늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나이다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 약액으로 기판을 세정하는 단계, 소수성을 띄는 기판을 소수성이 경감되도록 기판의 성질을 변화시키는 단계, 그리고 세정액으로 기판을 린스하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 성질을 변화시키는 단계는 기판을 향해 이소프로필 알코올 가스를 분사함으로써 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판의 성질을 변화시키는 단계 및 상기 기판을 건조하는 단계는 기판상에 동일한 가스를 분사함으로써 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 약액으로 기판을 세정하는 단계는 기판을 회전시키는 스핀척에 의해 회전되는 기판의 처리면으로 상기 약액을 분사함으로써 이루어지거나, 상기 약액이 채워지는 세정조에 기판을 침지시켜 이루어진다.

본 발명에 따른 기판 세정 방법은 약액에 의한 세정이 이루어진 기판에 세정액에 의한 기판의 린스가 이루어지는 수세실, 상기 수세실의 상부에 배치되어 기판의 건조가 이루어지는 건조실을 구비하여 기판을 세정하는 방법에 있어서, 상기 건조실이 기판들을 향해 가스를 분사하여, 소수성을 띄는 기판들의 소수성이 경감되도록 기판들의 성질을 변화시키는 단계, 기판들을 상기 건조실로부터 상기 수세실로 이송시키고, 상기 수세실이 세정액을 사용하여 기판을 린스하는 단계, 그리고 상기 수세실로부터 상기 건조실로 기판들을 이송시키고, 상기 건조실이 상기 기판들을 향해 건조가스를 분사하여 기판들을 건조하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액은 불산 용액, 표준세정액-1, 과산화수소, 그리고 초순수로 이루어진 그룹중에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 상기 기판들의 성질을 변화시키는 단계는 상기 기판들을 향해 이소프로필 알코올 가스를 분사하여 이루어진다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판들을 건조하는 단계는 상기 기판들의 성질을 변화시키는 단계에서 사용되는 가스와 동일한 가스를 사용함으로써 이루어진다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.

또한, 본 실시예에서는 약액처리실, 수세실, 그리고 건조실을 구비하여 복수의 반도체 웨이퍼들을 세정하는 배치식 기판 세정 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용이 가능하다.

(실시예)

도 1은 본 발명에 따른 기판 세정 방법이 적용되는 기판 세정 장치의 사시도이다. 그리고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정실의 구성도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정실의 구성도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 세정 장치(substrate cleaning apparatus)(10)는 복수의 기판들(W)의 세정 공정을 수행한다. 상기 세정 공정은 약액에 의한 기판의 세정 공정, 세정액에 의한 기판의 린스 공정, 그리고 건조가스에 의한 기판의 건조 공정을 포함한다. 기판 세정 장치(10)는 약액처리 실(chemical treating room)(20), 건조실(dry process room)(100), 수세실(rinse process room)(200), 그리고 이송수단(transfer method)(300)을 포함한다.

약액처리실(20)은 약액을 사용하여 기판(W)을 세정한다. 약액처리실(20)은 용기(22), 스핀척(24), 그리고 노즐(26)을 포함한다. 용기(22)는 상부가 개방되며, 공정시 내부에 기판을 수용하여 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 스핀척(24)은 공정시 용기(22) 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 그리고, 노즐(26)은 스핀척(24)에 안착되어 회전되는 기판의 처리면으로 약액을 공급한다. 상술한 구조를 가지는 약액처리실(20)은 낱장의 기판(W)을 순차적으로 세정한다. 이때, 약액은 다양한 종류의 케미칼(chemical)이 사용될 수 있다. 예컨대, 약액은 불산 용액(DHF:Dilute Hydrofluoric Acid solution), 표준세정액-1(Standard Clean-1), 과산화수소(H2O2), 그리고 불화암모늄(NH4F)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 케미칼이 사용될 수 있다. 약액처리실이 기판을 세정하는 방식은 다양한 방식이 적용될 수 있으며, 상술한 예로 인해 한정되지 않는다.

본 발명의 일 실시예에 따른 약액처리실은 매엽식으로 기판(W)을 세정하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 약액처리실이 기판(W)을 세정하는 방식은 다양한 기술이 적용될 수 있다. 예컨대, 도 5를 참조하면, 본 발명에 다른 실시예에 따른 세정실(30)은 세정조(32), 분사부재(34), 그리고 로봇암(36)을 포함한다. 세정조(32)는 내부에 약액이 채워지는 공간을 제공하고, 공정시 복수의 기판들(W)이 침지되는 공간을 제공한다. 분사부재(34)는 공정시 세정조(32) 내부에 침지된 기판들(W)을 향해 약액을 분사한다. 분사부재(34)는 복수의 분사홀들(미도시됨)이 형성 되는 적어도 하나의 분사관(34a)을 구비한다. 그리고, 로봇암(36)은 공정시 기판들(W)을 세정조(32)에 침지시킨다. 상술한 구조를 가지는 세정실(30)은 복수의 기판들(W)을 배치식으로 세정시킨다.

건조실(100)은 건조가스를 사용하여 기판을 건조한다. 건조실(100)은 하우징(housing)(110), 분사부재(injection member)(120)를 포함한다. 하우징(110)은 내부에 건조 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 또한, 하우징(110)은 내부에 복수의 기판들(W)이 수용되는 공간을 가진다. 하우징(110)의 상부에는 공정시 기판들(W)의 출입이 이루어지도록 개방되어 있으며, 개방된 상부는 커버(112)에 의해 개폐된다. 또한, 하우징(110)의 하부는 기판들(W)이 하우징(110)과 수세실(200) 상호간에 이동가능하도록 개방된다.

분사부재(120)는 건조 공정시 하우징(110) 내부에 위치되는 기판들(W)을 향해 건조가스를 분사한다. 분사부재(120)는 복수의 분사홀들이 형성되는 분사관들(122)을 포함한다. 각각의 분사관들(122)은 긴 바(bar) 형상을 가지며, 공정시 하우징(110) 내부에 위치되는 기판들(W)을 향해 건조가스를 분사한다. 여기서, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA gas:Isopropyl alcohol gas)가 사용된다. 공정시 이소프로필 알코올 가스는 마랑고니 효과(marangoni effect)를 이용하여 기판(W)을 건조시킨다.

수세실(200)는 세정액을 사용하여 기판을 린스(rinse)한다. 수세실(200)은 하우징(housing)(210), 공급부재(supply part)(220), 그리고 개폐부재(open/close member)(230)를 포함한다. 하우징(210)은 건조실(100)의 하우징(110)의 하부에 배 치된다. 하우징(210)의 상부는 하우징(110)과 통하도록 개방된다. 따라서, 하우징(110)과 하우징(210) 사이에는 공정시 기판들(W)의 이동을 위한 통로(a)가 제공된다. 그리고, 하우징(210)은 내부에 수세 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(210)은 공정시 내부에 복수의 기판들(W)이 수용되는 공간을 제공한다. 또한, 하우징(210)의 상부에는 후술할 개폐부재(230)의 제1 및 제2 게이트(232, 234)가 통로(a)를 개폐하는 동작을 위한 공간을 제공한다.

공급부재(220)는 공정시 하우징(210) 내부에 수용된 기판들(W)을 향해 세정액을 분사한다. 공급부재(220)는 적어도 하나의 공급관(222)을 포함한다. 공급관(222)은 긴 바(bar) 형상을 가진다. 각각의 공급관(222)에는 공정시 세정액을 분사하는 복수의 공급홀들이 형성된다. 공급관(222)은 하우징(210) 내부 하측에 평행하게 설치되며, 공정시 기판들(W)을 향해 세정액을 분사한다. 세정액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있다.

개폐부재(230)는 하우징(210)과 하우징(110) 사이 통로(a)를 개폐한다. 일 실시예로서, 개폐부재(230)는 제1 및 제2 게이트(232, 234)를 구비한다. 제1 및 제2 게이트(232, 234)는 서로 대칭되는 구조를 가지며, 수평으로 이동가능하도록 설치된다. 제1 및 제2 게이트(232, 234) 각각은 서로 반대방향으로 동작함으로써, 하우징(210)의 개방된 상부를 개폐한다. 즉, 통로(a)의 개방시에는 제1 게이트(232)가 좌측으로 이동되고 제2 게이트(234)는 우측으로 이동되고, 통로(a)의 밀폐시에는 제1 게이트(234)가 우측으로 이동되고 제2 게이트(234)가 좌측으로 이동된다.

이송수단(300)은 공정시 건조실(100)과 수세실(200) 상호간에 기판들(W)을 이송시킨다. 이를 위해, 이송수단(300)은 공정시 기판들(W)을 지지하여 건조실(100) 및 수세실(200) 상호간에 이동시키는 지지부재(310)를 구비한다. 지지부재(310)는 기판들(W)을 상하로 수직하게, 그리고 각각의 처리면 또는 피처리면이 서로 마주보도록 지지한다. 또한, 지지부재(310)는 건조실(100) 및 수세실(200) 내부에서 하우징(110) 및 하우징(210) 상호간에 직선 왕복이동이 가능하도록 설치되어, 공정시 건조실(100) 및 수세실(200) 상호간에 기판들(W)을 이송시킨다.

본 실시예에서는 건조실(100)과 수세실(200)을 상하로 인접하게 구비하는 기판 세정 장치(10)를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판 세정 방법에 적용될 수 있는 기판 세정 장치(10)의 구조 및 구성은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다.

이하, 상술한 기판 세정 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 기판을 불산 용액, 초순수, 그리고 이소프로필 알코올 가스를 순차적 또는 선택적으로 사용하여 세정하는 것을 예로 들어 설명한다. 그러나, 기판을 세정하기 위한 처리유체들은 다양한 유체가 사용될 수 있다.

도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 방법을 보여주는 순서도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 기판 세정 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 2를 참조하면, 기판(W)의 세정 공정이 개시되면, 약액처리실(20)은 세정액을 사용하여 기판들(W)을 세정시킨다(S110). 즉, 약액처리실(20)은 낱장의 기판(W)을 스핀척(24)에 로딩시키고, 노즐(26)은 스핀척(24)에 의해 회전되는 기판(W)을 향해 불산 용액을 공급함으로써 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 세정한다. 또는, 본 발명의 다른 실시예로서, 약액처리실(30)은 불산 용액이 채워진 액조(32)에 기판들(W)을 침지시켜 기판들(W) 표면에 잔류하는 이물질을 세정한다. 이때, 이물질은 불필요한 처리액, 금속오염물질, 유기오염물질, 그리고 기타 파티클(particle)등을 포함한다. 불산 용액에 의한 세정 공정이 완료되면, 기판들(W)은 약액처리실(20, 30)로부터 건조실(100)로 이동된다.

건조실(100)은 이송받은 기판들(W)에 이소프로필 알코올 가스를 분사시켜 기판들(W)의 성질을 소수성이 경감되도록 변화시킨다(S120). 즉, 도 3a를 참조하면, 세정 공정이 완료된 기판들(W)은 건조실(100)의 하우징(110) 내부로 반입된 후 지지부재(310)에 안치된다. 지지부재(310)에 의해 기판들(W)이 지지되면, 지지부재(310)는 건조 공정이 이루어지기 위한 위치로 이동되고, 커버(112)는 하우징(110)의 개방된 상부를 밀폐한다. 그리고, 분사부재(120)의 각각의 분사관들(122)은 기판들(W)을 향해 이소프로필 알코올 가스를 분사시킨다. 분사된 이소프로필 알코올 가스는 불산 용액에 의한 세정 공정이 완료되어 소수성을 띄는 기판 표면의 성질을 변화시킨다. 즉, 일반적으로 불산 용액에 의한 기판의 세정이 완료되면, 기판 표면은 소수성을 띈다. 기판이 소수성을 띠면, 주변에 잔류하는 이물질은 기판과의 인력에 의해 기판에 흡착된다. 이를 방지하기 위해, 린스공정이 수행되기 전에 기판상에 이소프로필 알코올 가스를 분사하여, 소수성을 띄는 기판의 성질을 변화시켜 이물질들이 기판 표면에 흡착되는 것을 방지한다.

기판의 성질이 변화되면, 초순수를 사용하여 기판들(W)의 수세 공정을 수행한다(S130). 즉, 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 기판들(W)의 일차적인 건조 공정이 완료되면, 분사부재(120)의 이소프로필 알코올 가스의 공급이 중단되고, 개폐부재(230)의 제1 게이트(232)는 좌측으로 제2 게이트(234)는 우측으로 이동됨으로써, 건조실(100)과 수세실(200) 사이의 통로를 개방시킨다. 통로가 개방되면, 지지부재(310)는 건조실(100)로부터 수세실(200)로 이동된다. 이때, 수세실(200)의 하우징(210) 내부에는 기설정된 공정 온도를 만족하는 초순수가 채워져 있다. 따라서, 지지부재(310)의 하강에 의해 기판들(W)은 초순수에 침지된다. 기판들(W)이 침지되면, 개폐부재(230)의 제1 게이트(232)는 우측으로 제2 게이트(234)는 좌측으로 이동됨으로써 통로를 밀폐한다. 그리고, 공급부재(220)의 공급관들(222)은 기판들(W)을 향해 초순수를 분사한다. 분사되는 초순수는 기판들(W) 표면에 잔류하는 불산 용액을 린스(rinse)한다.

기판들(W)의 수세 공정이 완료되면, 기판들(W)을 건조한다(S140). 즉, 도 3d를 참조하면, 개폐부재(230)는 통로를 개방하고, 지지부재(310)는 수세실(200)로부터 건조실(100)로 이동된다. 지지부재(310)가 건조실(100)로 이동되면, 개폐부재(230)는 통로를 밀폐시킨다. 그리고, 분사부재(120)의 분사관들(122)은 기판들(W)을 향해 이소프로필 알코올 가스를 분사한다. 분사되는 이소프로필 알코올 가스는 기판들(W)을 건조시킨다. 기판의 건조 공정이 완료되면, 하우징(110)의 커버(112)가 오픈된 후 기판들(W)은 지지부재(310)로부터 후속 공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 반출된다.

상술한 기판 세정 방법은 수세 공정이 수행되기 전에 소수성을 띄는 기판의 성질을 변화시켜, 수세 공정시 세정액에 잔류하는 이물질이 기판을 오염시키는 것을 방지한다. 특히, 표준세정액-1, 불산 용액, 그리고 염화암모늄과 같은 세정액으로 기판을 세정하는 경우에는 기판이 강한 소수성을 띄므로, 기판 주변의 이물질들에 의해 기판이 쉽게 오염될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 수세 공정을 수행하기 전에 소수성을 띄는 기판 표면에 이소프로필 알코올 가스를 분사하여 기판의 성질을 변화시켜 이물질들이 기판을 오염시키는 것을 방지한다.

또한, 상술한 기판 세정 방법은 수세 공정 시간을 단축할 수 있다. 즉, 종래의 소수성의 기판을 린스하기 위해서는 세정액 내 이물질에 의한 오염을 방지하도록 장시간의 수세 공정이 수행되었다. 그러나, 소수성의 기판 성질을 변화한 후 수세 공정을 수행하면, 세정액 내 이물질에 의한 오염률이 감사하므로, 단시간에 기판의 수세 공정을 수행할 수 있다.

여기서, 본 발명에 따른 기판 세정 방법과 종래 기술에 따른 기판 세정 방법을 비교한다. 도 6은 본 발명에 따른 기판 세정 방법의 실험 데이터를 보여주는 도면이다. 이때, 본 실험에 사용된 약액은 표준세정액-1 및 불산 용액이고, 세정액으로는 초순수를 사용하며, 건조가스로는 이소프로필 알코올 가스를 사용하였다.

도 6을 참조하면, 종래 기술에 따른 기판 세정 방법은 세정 공정이 수행된 후에 기판상에 이물질(파티클)의 개수가 증가하는 것을 볼 수 있다. 즉, 세정 공정 전후의 개수가 119개에서 837개로 증가한다. 이는 종래의 기판 세정 방법은 약액에 의한 세정 공정이 수행된 후 소수성을 띄는 기판은 주변에 잔류하는 이물질을 강하 게 흡착하므로, 세정 공정이 수행되는 동안에 이물질에 의해 오염되기 때문이다. 그러나, 본원 발명에 따른 기판 세정 방법은 세정 공정 전후의 개수가 178에서 115로 감소한다. 이는 소수성의 띄는 기판의 성질을 소수성을 경감되도록 변화시킴으로써, 세정 공정시 기판 주변에 이물질이 기판에 흡착되는 것을 방지하기 때문이다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 세정 공정시 기판이 오염되는 것을 방지한다. 특히, 약액에 의한 세정 공정이 수행되어 소수성을 띄는 기판의 성질을 변화시켜 이물질에 의해 기판이 오염되는 현상을 방지함으로써, 기판의 세정 효율을 향상시킨다.

또한, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 수세 공정 전에 소수성의 기판 성질을 변화시켜 수세 공정이 세정액 내 이물질에 의한 오염을 방지할 수 있어, 수세 공정 시간을 단축할 수 있다.

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 약액에 의한 세정이 이루어진 기판에 세정액에 의한 기판의 린스가 이루어지는 수세실, 상기 수세실의 상부에 배치되어 기판의 건조가 이루어지는 건조실을 구비하여 기판을 세정하는 방법에 있어서,

   상기 건조실에서 기판들을 향해 이소프로필 알코올 가스를 분사하여, 소수성을 띄는 기판들의 소수성이 경감되도록 기판들의 성질을 변화시키는 단계와,

   기판들을 상기 건조실로부터 상기 수세실로 이송시키고, 상기 수세실에서 세정액을 사용하여 기판을 린스하는 단계와,

   상기 수세실로부터 상기 건조실로 기판들을 이송시키고, 상기 건조실에서 상기 기판들을 향해 건조가스를 분사하여 기판들을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 세정액은,

   불산 용액, 표준세정액-1, 그리고 과산화수소로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,

    상기 기판들을 건조하는 단계는,

    상기 이소프로필 알코올 가스를 사용함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.

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