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JP6419053B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
従来、シリコンウェハや液晶基板等の基板上に残留する処理液を除去する乾燥処理において、基板の表面に形成されたパターンに処理液の表面張力が作用することによってパターン倒壊が発生するおそれがあった。
そこで、近年、乾燥処理前に、基板の表面に撥水化剤を供給して基板表面を撥水化させる技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。かかる技術によれば、基板表面を撥水化させることにより、基板表面のパターンに表面張力が作用しにくくなるため、パターン倒壊を抑制することができる。
特開２０１２−２２２３２９号公報
しかしながら、上述した従来技術には、撥水化処理において、基板の裏面に水分が存在している場合、撥水化剤の雰囲気が基板の裏面に回り込んで上記水分と作用して、基板の裏面にシミを生じさせるおそれがある。
実施形態の一態様は、裏面にシミのない基板を提供することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理方法は、第１面洗浄工程と、第２面洗浄工程と、水分除去工程と、撥水化工程と、乾燥工程とを含む。第１面洗浄工程は、基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する。第２面洗浄工程は、第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、水分を含んだ第２の洗浄液を供給する。水分除去工程は、第２面洗浄工程後、基板における第２の面に残存する水分を除去する。撥水化工程は、水分除去工程後、基板における第１の面に対して撥水化剤を供給する。乾燥工程は、撥水化工程後、基板を乾燥させる。
実施形態の一態様によれば、裏面にシミのない基板を提供することができる。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、ウェハの裏面に発生するシミの模式図である。 図３は、第１の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。 図４は、処理ユニットが実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図５Ａは、薬液処理の説明図である。 図５Ｂは、リンス処理の説明図である。 図５Ｃは、第１置換処理の説明図である。 図５Ｄは、水分除去処理の説明図である。 図５Ｅは、撥水化処理の説明図である。 図５Ｆは、第２置換処理の説明図である。 図６は、第２の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。 図７は、第２の実施形態に係る水分除去処理の説明図である。 図８は、第１変形例に係る第５ノズルの構成を示す図である。 図９は、第２変形例に係る第５ノズルの構成を示す図である。 図１０Ａは、リンス処理の説明図である。 図１０Ｂは、水分除去処理の説明図である 図１０Ｃは、第１置換処理の説明図である。 図１１は、第４の実施形態に係る水分除去処理の説明図である。 図１２は、第５の実施形態に係る処理ユニットが実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１３Ａは、撥水化処理の説明図である。 図１３Ｂは、撥水化処理の説明図である。 図１３Ｃは、除去液供給処理の説明図である。 図１４Ａは、第２置換処理の説明図である。 図１４Ｂは、変形例に係る除去液供給処理の説明図である。 図１５は、第７の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
（第１の実施形態）
＜基板処理システムの構成＞
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
第１の実施形態に係る処理ユニット１６は、ウェハＷを各種の処理液で処理した後、ウェハＷに撥水化剤を供給してウェハＷの表面を撥水化させたうえで、ウェハＷを乾燥させる。ウェハＷの表面を撥水化させることで、ウェハＷ上に残存する処理液は、パターンとの接触角度を９０°近くに保ったまま乾燥していくため、パターンに作用する表面張力が低減される。したがって、パターンの倒壊を抑制することができる。
ここで、撥水化処理を行う際に、ウェハＷの裏面に水分が存在していると、撥水化剤の雰囲気がウェハＷの裏面に回り込んで水分と作用することにより、ウェハＷの裏面にシミが発生するおそれがある。
図２は、ウェハＷの裏面に発生するシミの模式図である。図２に示すように、シミＤは、ウェハＷの裏面外周部に発生することが本願発明者らによって確認されている。なお、シミＤは、有機系のシミであり、白色を呈する。
かかるシミＤは、転写等により装置等を汚染するおそれがある。そこで、第１の実施形態に係る基板処理システム１では、シミＤの発生を抑えるべく、撥水化処理前に、ウェハＷ裏面に残存する水分を除去する工程を行うこととした。以下、かかる点について具体的に説明する。
＜処理ユニットの構成＞
まず、処理ユニット１６の構成例について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る処理ユニット１６の構成例を示す図である。
図３に示すように、処理ユニット１６は、ウェハＷを水平姿勢で保持する基板保持部２０を有している。基板保持部２０は、円板状のベース部２２とベース部２２に取り付けられた複数例えば３つのチャック爪２４とを有しており、ウェハＷ周縁部の複数箇所をチャック爪２４により保持するメカニカルスピンチャックとして形成されている。ベース部２２には、基板搬送装置１７との間でウェハＷの受け渡しを行う際に、ウェハＷの裏面を支持して持ち上げるリフトピン２６を有する図示しないプレートが組み込まれている。基板保持部２０は、電動モータを有する回転駆動部２８によって回転させることができ、これにより、基板保持部２０により保持されたウェハＷを鉛直方向軸線周りに回転させることができる。
カップ４０は、最も外側に位置する不動の環状の第１カップ４１すなわち外カップと、その内側に位置する昇降可能な環状の第２カップ４２と、さらにその内側に位置する昇降可能な環状の第３カップ４３と、さらにその内側に位置する不動の内壁４４とを有している。第２カップ４２及び第３カップ４３は、図３に概略的に示したそれぞれの昇降機構４２Ａ、４３Ａにより昇降する。第１〜第３カップ４１〜４３及び内壁４４は回転しない。第１カップ４１と第２カップ４２との間には第１流路４１１が形成され、第２カップ４２と第３カップ４３との間には第２流路４２１が形成され、第３カップ４３と内壁４４との間には第３流路４３１が形成される。
カップ４０の底部には、第１流路４１１、第２流路４２１及び第３流路４３１に連通するカップ排気口４５が形成されている。カップ排気口４５には、カップ排気路４６が接続されている。
第１流路４１１、第２流路４２１及び第３流路４３１の各々の途中に屈曲部が設けられており、屈曲部で急激に向きを変えられることにより各流路を流れる気液混合流体から液体成分が分離される。分離された液体成分は、第１流路４１１に対応する液受け４１２、第２流路４２１に対応する液受け４２２、及び第３流路４３１に対応する液受け４３２内に落下する。液受け４１２，４２２，４３２の底部には、それぞれ排液口４１３，４２３，４３３が形成される。
処理ユニット１６はさらに、基板保持部２０に保持されて回転するウェハＷに向けて処理液を供給する複数の処理液ノズルを備えている。本例では、薬液（例えばＤＨＦ（希フッ酸））を供給する第１ノズル６１と、リンス液であるＤＩＷ（純水）を供給する第２ノズル６２と、揮発性有機溶剤であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給する第３ノズル６３と、撥水化剤を供給する第４ノズル６４とが設けられている。各ノズル６１〜６４には、処理液供給源に接続されるとともに開閉弁及び流量調整弁等の流量調整器が介設された処理液供給路を備えた図示しない処理液供給機構から、それぞれの処理液が供給される。
ここで、撥水化剤は、たとえば、ウェハＷの表面を撥水化するための撥水化剤をシンナーで所定の濃度に希釈したものである。撥水化剤としては、シリル化剤（またはシランカップリング剤）を用いることができる。具体的には、たとえばＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）、ＤＭＳＤＭＡ（ジメチルシリルジメチルアミン）、ＴＭＳＤＥＡ（トリメチルシリルジエチルアミン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジンラザン）、および、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−テトラメチルジシラザン）などを撥水化剤として用いることができる。
また、シンナーとしては、エーテル類溶媒や、ケトンに属する有機溶媒などを用いることができる。具体的には、たとえばＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、シクロヘキサノン、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などをシンナーとして用いることができる。
なお、ここでは、リンス液としてＤＩＷを用いる場合の例について説明するが、リンス液は、少なくとも水分を含んだものであればよく、必ずしもＤＩＷであることを要しない。また、ここでは、有機溶剤としてＩＰＡを用いる場合の例について説明するが、有機溶剤は、ＩＰＡに限定されず、水および撥水化剤の両方に対して親和性を有するものであればよい。
また、ここでは、処理ユニット１６が、薬液用の第１ノズル６１とＤＩＷ用の第２ノズル６２とＩＰＡ用の第３ノズル６３と撥水化剤用の第４ノズル６４とを備えることとしたが、処理ユニット１６は、薬液、ＤＩＷ、ＩＰＡおよび撥水化剤を１つのノズルから供給してもよい。
基板保持部２０及びカップ４０は、ハウジング７０内に収容されている。ハウジング７０の天井には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）８０が設けられている。
ハウジング７０の天井の下方には、多数の貫通穴８６が形成された整流板８５が設けられている。整流板８５は、ＦＦＵ８０から下方に吹き出された清浄エア（ＣＡ）が、ウェハＷ上に集中して流れるように整流する。ハウジング７０内には、整流板８５の貫通穴８６からウェハＷに向かって下向きに流れる清浄エアのダウンフローが常時形成される。
ハウジング７０の下部（具体的には少なくともカップ４０の上部開口部より低い位置）であって、かつ、カップ４０の外部には、ハウジング７０内の雰囲気を排気するためのハウジング排気口７２が設けられている。ハウジング排気口７２には、ハウジング排気路７４が接続されている。
カップ排気路４６及びハウジング排気路７４は、切替弁５０の弁体の位置に応じて、工場排気系の一部をなす第１排気ライン９１、第２排気ライン９２及び第３排気ライン９３に選択的に接続される。各排気ライン９１〜９３は負圧になっているため、切替弁５０の弁体の位置に応じて、カップ４０の内部空間及びハウジング７０の内部空間が吸引される。
また、処理ユニット１６は、第５ノズル６５を備える。第５ノズル６５は、ベース部２２の中央部に形成された中空部（図示せず）に挿通され、ウェハＷの裏面に流体を供給する。第５ノズル６５には、バルブ６５１を介して薬液供給源６５２が、バルブ６５３を介してリンス液供給源６５４がそれぞれ接続されている。第５ノズル６５は、これら薬液供給源６５２およびリンス液供給源６５４から供給されるＤＨＦおよびＤＩＷをウェハＷの裏面中央部へ供給する。
＜処理ユニットの具体的動作＞
次に、処理ユニット１６が実行する基板洗浄処理の内容について図４および図５Ａ〜図５Ｆを参照して説明する。図４は、処理ユニット１６が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図５Ａは薬液処理の説明図であり、図５Ｂはリンス処理の説明図であり、図５Ｃは第１置換処理の説明図であり、図５Ｄは水分除去処理の説明図であり、図５Ｅは撥水化処理の説明図であり、図５Ｆは第２置換処理の説明図である。
なお、図４に示す基板洗浄処理の処理手順は、制御装置４の記憶部１９に格納されているプログラムを制御部１８が読み出すとともに、読み出した命令に基づいて処理ユニット１６等を制御することにより実行される。
図４に示すように、まず、基板搬送装置１７（図１参照）は、処理ユニット１６のハウジング７０内にウェハＷを搬入する（ステップＳ１０１）。ウェハＷは、パターン形成面を上方に向けた状態でチャック爪２４（図３参照）に保持される。その後、制御部１８は、基板保持部２０を所定の回転速度で回転させる。
つづいて、処理ユニット１６は、薬液処理を行う（ステップＳ１０２）。具体的には、処理ユニット１６は、第１ノズル６１から回転するウェハＷの表面へ向けて薬液であるＤＨＦを所定時間吐出させると同時に、第５ノズル６５から回転するウェハＷの裏面へ向けて薬液であるＤＨＦを所定時間吐出させる。ＤＨＦの供給時間は、第１ノズル６１と第５ノズル６５とで同じである。ウェハＷの表面および裏面に供給されたＤＨＦは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの両面全体に広がる。これにより、ウェハＷの表面および裏面が洗浄される（図５Ａ参照）。
なお、薬液処理において、第２カップ４２および第３カップ４３は、下降位置に位置しており、薬液であるＤＨＦは、第１カップ４１と第２カップ４２との間の第１流路４１１を通って流れる。また、ウェハＷの上方の空間に存在する清浄エアは、第１流路４１１を通って流れ、カップ排気口４５から排出され、カップ排気路４６及び切替弁５０を通って第１排気ライン９１に流れる。
つづいて、処理ユニット１６は、リンス処理を行う（ステップＳ１０３）。具体的には、処理ユニット１６は、第２ノズル６２から回転するウェハＷの表面へ向けてリンス液であるＤＩＷを所定時間吐出させると同時に、第５ノズル６５から回転するウェハＷの裏面へ向けてリンス液であるＤＩＷを所定時間吐出させる。ＤＩＷの供給時間は、第２ノズル６２と第５ノズル６５とで同じである。ウェハＷの表面および裏面に供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの両面全体に広がる。これにより、ウェハＷの表面および裏面に残存するＤＨＦがＤＩＷによって洗い流される（図５Ｂ参照）。
なお、リンス処理において、第２カップ４２は上昇位置に位置するとともに、第３カップ４３は下降位置に位置しており、リンス液であるＤＩＷは、第２流路４２１を通って流れ、液受け４２２に落下し、排液口４２３を介してカップ４０内から排出される。また、ウェハＷの上方の空間にあるガス（清浄エア）は、第１カップ４１の上部開口を介してカップ４０内に流入した後、第２カップ４２と第３カップ４３との間の第２流路４２１を通って流れ、カップ排気口４５から排出され、カップ排気路４６及び切替弁５０を通って第２排気ライン９２に流れる。ハウジング７０の内部空間のカップ４０の周辺の空間に存在するガスは、ハウジング排気口７２から排出され、ハウジング排気路７４及び切替弁５０を通って第２排気ライン９２に流れる。
このように、処理ユニット１６では、薬液処理において、ウェハＷの両面にＤＨＦを供給する。また、これに伴い、処理ユニット１６では、リンス処理において、ウェハＷの両面にＤＩＷを供給してウェハＷの両面に残存するＤＨＦを洗い流す。このように、処理ユニット１６では、ウェハＷの裏面にＤＩＷが供給されるため、ウェハＷの裏面に水分が残存し易い。ウェハＷの裏面に供給された水分は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの裏面外周部に集中する。このため、水分は、ウェハＷの裏面外周部に残存し易い。
なお、リンス処理は、基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する第１面洗浄工程および第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、第２の洗浄液を供給する第２面洗浄工程の一例に相当する。
つづいて、処理ユニット１６は、水分除去処理およびウェハＷ表面に対する第１置換処理を行う（ステップＳ１０４）。具体的には、処理ユニット１６は、水分除去処理として、リンス処理（ステップＳ１０３）が終了した後、撥水化処理（ステップＳ１０４）が開始されるまでの間、ウェハＷを回転させることにより、ウェハＷの裏面外周部に残存するＤＩＷをウェハＷの回転に伴う遠心力によって除去する。
これにより、撥水化処理の開始前に、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分を除去することができる。したがって、後述する撥水化処理において撥水化剤の雰囲気がウェハＷの裏面に回り込んだとしても、シミＤの発生を抑制することができる。
また、処理ユニット１６は、第１置換処理として、リンス処理（ステップＳ１０３）が終了した後、撥水化処理（ステップＳ１０４）が開始されるまでの間、第３ノズル６３から回転するウェハＷの表面に対してＩＰＡを所定時間吐出させる。ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面全体に広がる。これにより、ウェハＷ表面に残存するＤＩＷが、後段の撥水化処理においてウェハＷに吐出される撥水化剤と親和性を有するＩＰＡに置換される。なお、ＩＰＡは、ＤＩＷとの親和性も有するため、ＤＩＷからＩＰＡへの置換も容易である。
このように、処理ユニット１６は、水分除去処理を行うときに、ウェハＷの表面に対して有機溶剤であるＩＰＡを供給してウェハＷ表面上のＤＩＷをＩＰＡに置換する置換処理を行う。このため、処理ユニット１６によれば、水分除去処理中にウェハＷの表面が露出することを防止することができる（図５Ｃおよび図５Ｄ参照）。
ウェハＷの表面が露出した状態、言い換えれば、ウェハＷの表面に処理液が供給されない状態が続くと、ウェハＷ表面に形成されたパターンにＤＩＷの表面張力が作用することによってパターン倒壊が発生するおそれがある。したがって、処理ユニット１６によれば、水分除去処理中におけるウェハＷ表面の露出を防止することで、水分除去処理中におけるパターンの倒壊を抑制することができる。
つづいて、処理ユニット１６は、撥水化処理を行う（ステップＳ１０５）。具体的には、処理ユニット１６は、第４ノズル６４から回転するウェハＷの表面へ向けて撥水化剤であるシリル化剤を所定時間吐出させる。ウェハＷの表面に供給された撥水化剤は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの表面全体に広がる。これにより、ウェハＷ表面のＯＨ基にシリル基が結合して、ウェハＷ表面に撥水膜が形成される。
図５Ｅに示すように、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分は、撥水化処理の開始前に除去されている。このため、撥水化処理において撥水化剤の雰囲気がウェハＷの裏面に回り込んだとしても、シミＤの発生を抑制することができる。
なお、撥水化処理において、第２カップ４２および第３カップ４３は上昇位置に位置しており、撥水化剤は、第３流路４３１を通って流れ、液受け４３２に落下し、排液口４３３を介してカップ４０内から排出される。また、ウェハＷの上方の空間にあるガス（清浄エア）は、第１カップ４１の上部開口を介してカップ４０内に流入した後、第３カップ４３と内壁４４の間の第３流路４３１を通って流れ、カップ排気口４５から排出され、カップ排気路４６及び切替弁５０を通って第３排気ライン９３に流れる。ハウジング７０の内部空間のカップ４０の周辺の空間に存在するガスは、ハウジング排気口７２から排出され、ハウジング排気路７４及び切替弁５０を通って第３排気ライン９３に流れる。
つづいて、処理ユニット１６は、第２置換処理を行う（ステップＳ１０６）。第２置換処理は、上述した第１置換処理と同様の手順で行われる。かかる第２置換処理により、ウェハＷの表面に残存する撥水化剤がＩＰＡに置換される（図５Ｆ参照）。
つづいて、処理ユニット１６は、乾燥処理を行う（ステップＳ１０７）。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷの回転速度を増速させることによってウェハＷに残存するＩＰＡを振り切ってウェハＷを乾燥させる。
その後、処理ユニット１６は、搬出処理を行う（ステップＳ１０８）。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷの回転を停止させた後、ウェハＷを基板搬送装置１７（図１参照）によって処理ユニット１６から搬出する。かかる搬出処理が完了すると、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が完了する。
上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理方法は、リンス処理（「第１面洗浄工程」および「第２面洗浄工程」の一例に相当）と、水分除去処理（「水分除去工程」の一例に相当）と、撥水化処理（「撥水化工程」の一例に相当）と、乾燥処理（「乾燥工程」の一例に相当）とを含む。リンス処理は、ウェハＷの表面（「第１の面」の一例に相当）に対し、ＤＩＷ（「水分を含んだ第１の洗浄液」の一例に相当）を供給するとともに、ウェハＷの裏面（「第２の面」の一例に相当）に対し、ＤＩＷ（「水分を含んだ第２の洗浄液」の一例に相当）を供給する。水分除去処理は、リンス処理後、ウェハＷの裏面に残存する水分を除去する。撥水化処理は、水分除去処理後、ウェハＷの表面に対して撥水化剤を供給する。乾燥処理は、撥水化処理後、ウェハＷを乾燥させる。
また、第１の実施形態に係る基板処理方法は、水分除去処理を行うときに、ウェハＷの表面に対してＩＰＡ（「有機溶剤」の一例に相当）を供給してウェハＷ表面上のＤＩＷをＩＰＡに置換する第１置換処理（「置換工程」の一例に相当）を行う。
また、第１の実施形態に係る処理ユニット１６（「基板処理装置」の一例に相当）は、第２ノズル６２（「第１面洗浄部」の一例に相当）と、第５ノズル６５（「第２面洗浄部」の一例に相当）と、第４ノズル６４（「撥水化剤供給部」の一例に相当）と、制御部１８とを備える。第２ノズル６２は、ウェハＷの表面に対し、ＤＩＷを供給する。第５ノズル６５は、ウェハＷの裏面に対し、ＤＩＷを供給する。第４ノズル６４は、ウェハＷにおける表面に対して撥水化剤を供給する。制御部１８は、第２ノズル６２から、ウェハＷの表面に対してＤＩＷを供給するとともに、第５ノズル６５から、ウェハＷの裏面に対してＤＩＷを供給するリンス処理（「第１面洗浄処理」および「第２面洗浄処理」の一例に相当）と、リンス処理後、ウェハＷにおける裏面に残存する水分を除去する水分除去処理と、水分除去処理後、第４ノズル６４からウェハＷにおける表面に対して撥水化剤を供給する撥水化処理と、撥水化処理後、ウェハＷを乾燥させる乾燥処理とを行う。
これにより、撥水化処理の開始前に、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分を除去することができる。したがって、ウェハＷのパターン倒壊を抑制するとともに、裏面外周部にシミＤのないウェハＷを提供することができる。
なお、ここでは、薬液処理においてウェハＷの両面に薬液を供給し、リンス処理においてウェハＷの両面にリンス液を供給する場合の例を示した。しかし、これに限らず、処理ユニット１６は、薬液処理においてウェハＷの表面にのみ薬液を供給し、リンス処理においてウェハＷの両面にリンス液を供給してもよい。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図６は、第２の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図６に示すように、第２の実施形態に係る処理ユニット１６Ａは、第５ノズル６５Ａを備える。第５ノズル６５Ａには、薬液供給源６５２およびリンス液供給源６５４に加え、気体供給源６５６がバルブ６５５を介して接続される。第５ノズル６５Ａは、気体供給源６５６から供給される気体をウェハＷの裏面中央部へ供給する。なお、ここでは、第５ノズル６５Ａから供給される気体がＮ２であるものとするが、第５ノズル６５Ａから供給される気体は、Ｎ２以外の気体（たとえば、アルゴンガス等）であってもよい。
次に、処理ユニット１６Ａが実行する水分除去処理の内容について図７を参照して説明する。図７は、第２の実施形態に係る水分除去処理の説明図である。なお、第２の実施形態に係る水分除去処理は、第１の実施形態に係る水分除去処理と同様、リンス処理後かつ撥水化処理前に行われる。
図７に示すように、処理ユニット１６Ａは、第１置換処理として、第３ノズル６３から回転するウェハＷの表面へ向けてＩＰＡを所定時間吐出させる間、水分除去処理として、第５ノズル６５Ａから回転するウェハＷの裏面へ向けてＮ２を所定時間吐出させる。
これにより、第１の実施形態に係る水分除去処理と比較して、ウェハＷの裏面周縁部に残存する水分をより短時間で除去することができる。すなわち、水分除去処理に要する時間を短くすることができるため、一連の基板処理に要する時間を短くすることができる。
なお、処理ユニット１６Ａは、ウェハＷの裏面にＮ２を供給する処理を水分除去処理後も継続して行ってもよい。すなわち、水分除去処理後に行われる撥水化処理中においてもウェハＷの裏面にＮ２を供給しておくことで、撥水化剤の雰囲気がウェハＷの表面から裏面へ回り込み難くなるため、仮に、ウェハＷの裏面外周部の水分を除去しきれなかった場合であっても、シミＤを発生させにくくすることができる。
次に、第５ノズル６５Ａの変形例について図８および図９を参照して説明する。図８は、第１変形例に係る第５ノズルの構成を示す図であり、図９は、第２変形例に係る第５ノズルの構成を示す図である。
図８に示すように、第１変形例に係る第５ノズル６５Ｂは、ウェハＷの裏面外周部に向けて斜めにＮ２を供給する。かかる構成とすることにより、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分に対してＮ２を直接供給することができる。したがって、第５ノズル６５Ａと比較し、ウェハＷの裏面周縁部に残存する水分をより短時間で除去することができる。
なお、図８では、第５ノズル６５Ｂが２つの吐出口を有する場合の例を示したが、第５ノズル６５Ｂは、少なくとも１つの吐出口を備えていればよい。
また、図９に示すように、第２変形例に係る第５ノズル６５Ｃは、吐出部６５７を備える。吐出部６５７は、水平方向に延在する部材であり、ウェハＷの径とほぼ同等の長さを有する。そして、吐出部６５７は、ウェハＷの裏面外周部の下方に位置する吐出口６５８からウェハＷの裏面外周部に向けてＮ２を供給する。かかる構成とすることにより、第１変形例に係る第５ノズル６５Ｂと比較して、ウェハＷの裏面外周部により近い位置からＮ２を直接供給することができる。したがって、第５ノズル６５Ｂと比較して、ウェハＷの裏面周縁部に残存する水分をより短時間で除去することができる。
上述してきたように、第２の実施形態に係る処理ユニット１６Ａは、第１置換処理によってウェハＷの表面に対してＩＰＡが供給される間、水分除去処理として、ウェハＷにおける裏面に対してＮ２（「気体」の一例に相当）を供給する。これにより、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分の蒸発が促進されるため、遠心力のみで水分を除去する場合と比較して、より短時間で水分を除去することができる。
（第３の実施形態）
上述した第１および第２の実施形態では、リンス処理後かつ撥水化処理前に、水分除去処理および第１置換処理を並行して行う場合の例について説明したが、水分除去処理は、リンス処理後かつ第１置換処理前に行ってもよい。
そこで、第３の実施形態では、リンス処理後かつ第１置換処理前に水分除去処理を行う場合の例について図１０Ａ〜図１０Ｃを参照して説明する。図１０Ａはリンス処理の説明図であり、図１０Ｂは水分除去処理の説明図であり、図１０Ｃは第１置換処理の説明図である。
第３の実施形態において、処理ユニット１６は、リンス処理においてウェハＷの両面に対してリンス液（ＤＩＷ）を供給する（図１０Ａ参照）。つづいて、処理ユニット１６は、ウェハＷの両面に残存するＤＨＦがＤＩＷによって洗い流されるのに十分な時間が経過した後、ウェハＷの裏面へのリンス液の供給を停止して、ウェハＷの表面にのみリンス液を供給する（図１０Ｂ参照）。その後、図１０Ｃに示すように、処理ユニット１６は、ウェハＷの表面に対してＩＰＡを供給する第１置換処理を行う。
このように、第３の実施形態に係る処理ユニット１６では、撥水化処理の開始前に、ウェハＷの裏面外周部に残存する水分をウェハＷの回転に伴う遠心力によって十分に除去することができる。また、水分除去処理を行うときに、ウェハＷの表面にリンス液を供給することとしたため、水分除去処理中にウェハＷの表面が露出することを防止することもできる。
なお、ウェハＷの裏面に残存する水分がウェハＷの回転に伴う遠心力によって十分に除去されるまでの時間をＴ１、第１置換処理におけるＩＰＡの供給時間をＴ２とすると、水分除去処理におけるウェハＷ表面へのＤＩＷの供給時間は、たとえばＴ１−Ｔ２とすることができる。
このように、ここでは、ウェハＷ表面へのリンス液の供給時間を所定時間延長することにより、ウェハＷの裏面に残存する水分をウェハＷの回転に伴う遠心力によって振り切るのに要する時間を確保することとしている。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る水分除去処理について図１１を参照して説明する。図１１は、第４の実施形態に係る水分除去処理の説明図である。なお、第４の実施形態に係る水分除去処理は、ウェハＷの裏面に対してＮ２等の気体を供給可能な第５ノズル６５Ａ〜６５Ｃ（図６、図８および図９参照）を備える処理ユニットにより実行される。ここでは、一例として、第５ノズル６５Ａを備える処理ユニット１６Ａ（図６参照）により実行されるものとする。
図１１に示すように、処理ユニット１６Ａは、第２ノズル６２から回転するウェハＷの表面へ向けてＤＩＷを所定時間吐出させると同時に、第５ノズル６５Ａから回転するウェハＷの裏面へ向けてＮ２を所定時間吐出させる。
このように、第４の実施形態において、処理ユニット１６Ａは、ウェハＷにおける表面に対してリンス液を供給する間、ウェハＷにおける裏面に対して気体を供給することとした。これにより、第３の実施形態に係る水分除去処理と比較して、ウェハＷの裏面周縁部に残存する水分をより短時間で除去することができる。すなわち、水分除去処理に要する時間を短くすることができるため、一連の基板処理に要する時間を短くすることができる。
（第５の実施形態）
上述してきた第１〜第４の実施形態では、撥水化処理前に、ウェハＷの裏面周縁部に残存する水分を除去することで、シミＤの発生を未然に防止する場合の例について説明した。
一方で、シミＤは、水または有機溶剤に可溶であるという性質を有する。そこで、第５の実施形態では、ウェハＷの裏面周縁部に発生したシミＤを水または有機溶剤を用いて除去する場合の例について図１２および図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して説明する。
図１２は、第５の実施形態に係る処理ユニットが実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１３Ａおよび図１３Ｂは撥水化処理の説明図であり、図１３Ｃは除去液供給処理の説明図である。
なお、図１２に示すステップＳ２０１〜Ｓ２０３の処理は、図４に示すステップＳ１０１〜ステップＳ１０３の処理と同様であるため、ここでの説明は省略する。また、図１２のステップＳ２０４に示す第１置換処理は、図４に示すステップＳ１０４における第１置換処理と同様であるため、この処理についても説明を省略する。また、ここでは、一連の基板処理が、第１の実施形態に係る処理ユニット１６により実行されるものとするが、第２の実施形態に係る処理ユニット１６Ａにより実行されてもよい。
図１２に示すように、第５の実施形態では、上述してきた水分除去処理が行われないため、ステップＳ２０５に示す撥水化処理において、ウェハＷの裏面外周部には水分が残存した状態となっている。このため、撥水化剤の雰囲気が水分と接触することで（図１３Ａ参照）、ウェハＷの裏面外周部にシミＤが発生する（図１３Ｂ参照）。
つづいて、処理ユニット１６は、除去液供給処理および第２置換処理を行う（ステップＳ２０６）。具体的には、処理ユニット１６は、除去液供給処理として、第５ノズル６５から回転するウェハＷの裏面に対してＤＩＷを供給する（図１３Ｃ参照）。ウェハＷの裏面に供給されたＤＩＷは、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの裏面全体に広がる。これにより、ウェハＷの裏面外周部に発生したシミＤにＤＩＷが供給されてシミＤが除去される。また、処理ユニット１６は、第２置換処理として、第３ノズル６３から回転するウェハＷの表面に対してＩＰＡを所定時間吐出させる（図１３Ｃ参照）。これにより、ウェハＷの表面に残存する撥水化剤がＩＰＡに置換される。また、除去絵供給処理中にウェハＷの表面が露出することが防止される。
その後、処理ユニット１６は、乾燥処理（ステップＳ２０７）および搬出処理（ステップＳ２０８）を行って、一連の基板処理を終了する。
なお、ここでは、除去液供給処理において、ウェハＷの裏面に対してＤＩＷを供給する場合の例について説明したが、処理ユニット１６は、ＤＩＷに代えてたとえばＩＰＡをウェハＷの裏面に供給してもよい。かかる場合、処理ユニット１６の第５ノズル６５は、バルブを介してＩＰＡ供給源に接続されていればよい。
また、ここでは、除去液供給処理が第２置換処理中に行われる場合の例について説明したが、除去液供給処理は、必ずしも第２置換処理中に行われることを要しない。たとえば、除去液供給処理は、撥水化処理後かつ第２置換処理前に行われてもよいし、第２置換処理後に行われてもよい。かかる場合、除去液供給処理は、ウェハＷの裏面に対してＤＩＷまたはＩＰＡを供給すると同時に、ウェハＷの表面にＤＩＷまたはＩＰＡを供給すればよい。
また、除去液供給処理は、撥水化処理中に行われてもよい。すなわち、処理ユニット１６は、第４ノズル６４から回転するウェハＷの表面に対して撥水化剤を所定時間吐出させるとともに、第５ノズル６５から回転するウェハＷの裏面に対してＤＩＷまたはＩＰＡを供給してもよい。シミＤは、ウェハＷの裏面に僅かな水分が存在する場合に発生する。このため、撥水化処理中において、ウェハＷの裏面に対して多量のＤＩＷまたはＩＰＡを供給し続けることにより、シミＤの発生を抑制することができるとともに、仮に、シミＤが発生したとしても、ＤＩＷまたはＩＰＡによって除去することが可能である。
上述してきたように、第５の実施形態に係る基板処理方法は、リンス処理（「洗浄工程」の一例に相当）と、撥水化処理（「撥水化工程」の一例に相当）と、乾燥処理（「乾燥工程」の一例に相当）と、除去液供給処理（「除去液供給工程」の一例に相当）とを含む。リンス処理は、ウェハＷにおける少なくとも表面に対して水分を含んだリンス液を供給する。撥水化処理は、リンス処理後、ウェハＷの表面（「第１の面」の一例に相当）に対して撥水化剤を供給する。乾燥処理は、撥水化処理後、ウェハＷを乾燥させる。除去液供給処理は、撥水化処理中または撥水化処理後において、ウェハＷの裏面（「第２の面」の一例に相当）に対し、撥水化剤と水分とが作用することによってウェハＷの外周部に発生するシミＤを除去するＤＩＷ（「除去液」の一例に相当）を供給する。
また、第５の実施形態に係る基板処理方法は、除去液供給処理を行うときに、ウェハＷの表面に対してＩＰＡ（「有機溶剤」の一例に相当）を供給してウェハＷ表面上の撥水化剤をＩＰＡに置換する第２置換処理（「置換工程」の一例に相当）を行う。
また、第５の実施形態に係る処理ユニット１６（「基板処理装置」の一例に相当）は、第２ノズル６２および第５ノズル６５（「洗浄液供給部」の一例に相当）と、第４ノズル６４（「撥水化剤供給部」の一例に相当）と、第５ノズル６５（「除去液供給部」の一例に相当）と、制御部１８とを備える。第２ノズル６２および第５ノズル６５は、ウェハＷに対して水分を含んだリンス液を供給する。第４ノズル６４は、ウェハＷに対して撥水化剤を供給する。第５ノズル６５は、撥水化剤と水分とが作用することによってウェハＷの外周部に発生するシミＤを除去する除去液を供給する。制御部１８は、第２ノズル６２および第５ノズル６５から、ウェハＷに対してリンス液を供給するリンス処理と、リンス処理後、第４ノズル６４から、ウェハＷの表面に対して撥水化剤を供給する撥水化処理と、撥水化処理後、ウェハＷを乾燥させる乾燥処理と、撥水化処理中または撥水化処理後において、ウェハＷの裏面に対し、第５ノズル６５から除去液を供給する除去液供給処理とを行う。
これにより、ウェハＷの裏面外周部にシミＤが発生したとしても、かかるシミＤを除去することができる。したがって、ウェハＷのパターン倒壊を抑制するとともに、裏面にシミＤのないウェハＷを提供することができる。
なお、ここでは、処理ユニット１６が、水分除去処理に代えて除去液供給処理を行う場合の例について説明したが、処理ユニット１６は、水分除去処理および除去液供給処理の両方の処理を行ってもよい。これにより、シミＤの発生をより確実に防止することができる。
（第６の実施形態）
上述した第５の実施形態では、除去液供給処理においてウェハＷの裏面に除去液を供給する方法として、第５ノズル６５からウェハＷの裏面に対して除去液を供給する場合の例について説明した。しかし、ウェハＷの裏面に除去液を供給する方法は、上記の例に限定されない。そこで、以下では、除去液供給処理の変形例について図１４Ａおよび図１４Ｂを参照して説明する。図１４Ａは第２置換処理の説明図であり、図１４Ｂは変形例に係る除去液供給処理の説明図である。
図１４Ａに示すように、処理ユニット１６は、第２置換処理において、ウェハＷを第１の回転数で回転させながら、第３ノズル６３から回転するウェハＷの表面に対してＩＰＡを所定時間吐出させる。なお、図１２に示すステップＳ２０２〜Ｓ２０５の処理におけるウェハＷの回転数も第１の回転数である。
つづいて、処理ユニット１６は、除去液供給処理を行う。具体的には、処理ユニット１６は、第２置換処理中に、ウェハＷの回転数を第１の回転数よりも低い第２の回転数に変更する。
図１４Ｂに示すように、ウェハＷの回転数が少なくなることで、ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡが、ウェハＷの表面から裏面へ回り込むようになる。これにより、ウェハＷの裏面外周部に発生したシミＤ（図２参照）にＩＰＡが供給されてシミＤが除去される。
このように、第６の実施形態に係る除去液供給処理は、第２置換処理中に、ウェハＷの回転数を第１の回転数よりも低い第２の回転数に変更することにより、ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡを除去液としてウェハＷの裏面に回り込ませて供給することとした。これにより、ウェハＷの裏面外周部に発生したシミＤを効率的に除去することができる。
（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態に係る処理ユニットの構成について図１５を参照して説明する。図１５は、第７の実施形態に係る処理ユニットの構成例を示す図である。
図１５に示すように、第７の実施形態に係る処理ユニット１６Ｂは、回転カップとして、円環状の外側回転カップ３０および内側回転カップ３２を備える。外側回転カップ３０および内側回転カップ３２は、たとえば、基板保持部２０のベース部２２に図示しない支柱を介して取り付けられ、ベース部２２と一体的に回転する。外側回転カップ３０及び内側回転カップ３２との間に流路３４が形成され、この流路３４を介してウェハＷの上方の雰囲気が外側回転カップ３０内に引き込まれる。外側回転カップ３０の内周面は回転するウェハＷに供給された後にウェハＷから振り切られて飛散する処理液を受け止めて、カップ４０（たとえば、図３参照）内に案内する。また、内側回転カップ３２は、流路３４を流れる処理液を含む流体が、ウェハＷの裏面に周り込むことを防止する。さらに、内側回転カップ３２は、基板保持部２０の回転に伴いベース部２２とウェハＷの裏面との間の空間に生じる気流をカップ４０に案内する。
内側回転カップ３２の上端縁部には、下方に向かうに従って漸次幅狭となるテーパ面３２１が形成されている。処理ユニット１６Ｂは、かかるテーパ面３２１にウェハＷのベベル部を係止させることによってウェハＷを保持する。
テーパ面３２１は、ウェハＷの全周に亘って形成される。すなわち、ウェハＷのベベル面は、ウェハＷの全周に亘ってテーパ面３２１に当接した状態となるため、撥水化処理において、ウェハＷの表面側で発生する撥水化剤の雰囲気のウェハＷ裏面への回り込みが抑制される。したがって、仮に、ウェハＷの裏面外周部に水分が存在していたとしても、撥水化剤の雰囲気と水分とが接触しにくいため、シミＤの発生を抑制することができる。
ここでは、ウェハＷの表面側の空間と裏面側の空間とを仕切ることで、撥水化剤の雰囲気をウェハＷの裏面へ回り込みにくくする場合の例について説明した。しかし、これに限らず、たとえば、カップ排気口４５やハウジング排気口７２からの排気量を高めることにより、撥水化剤の雰囲気をウェハＷの裏面へ回り込みにくくするようにしてもよい。
上述してきた実施形態では、第１面洗浄工程と第２面洗浄工程とが同時に行われる場合の例について説明したが、第１面洗浄工程と第２面洗浄工程とは、必ずしも同時に行われることを要しない。
また、上述してきた実施形態では、第１の洗浄液と第２の洗浄液とが同一である場合に例について説明したが、第１の洗浄液と第２の洗浄液とは、必ずしも同一であることを要しない。
また、上述してきた実施形態では、第１の洗浄液および第２の洗浄液が、ＤＩＷである場合の例について説明したが、第１の洗浄液および第２の洗浄液は、水分を含む洗浄液であればよく、ＤＩＷ以外の洗浄液、たとえば、所定温度に加熱されたＤＩＷ（ＨＤＩＷ）、ＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）、ＳＣ２（塩酸／過酸化水素／水の混合液）等であってもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｄ シミ
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
６１ 第１ノズル
６２ 第２ノズル
６３ 第３ノズル
６４ 第４ノズル
６５ 第５ノズル

Claims (5)

  1. 基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する第１面洗浄工程と、
    前記第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、水分を含んだ第２の洗浄液を供給する第２面洗浄工程と、
    前記第２面洗浄工程後、前記基板を回転させることによって前記基板における前記第２の面に残存する水分を前記基板の回転に伴う遠心力によって除去する水分除去工程と、
    前記水分除去工程を行うときに、前記基板における前記第１の面に対して有機溶剤を供給し、前記基板の回転に伴う遠心力によって前記有機溶剤を前記第１の面に広げることにより、前記第１の面上の前記第１の洗浄液を前記有機溶剤に置換する置換工程と、
    前記水分除去工程後、前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化工程と、
    前記撥水化工程後、前記基板を乾燥させる乾燥工程と
    を含み、
    前記水分除去工程は、
    前記置換工程によって前記基板における前記第１の面に対して前記有機溶剤が供給される間、前記基板における前記第２の面に対して気体を供給することを特徴とする基板処理方法。
  2. 基板を回転させつつ、前記基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する第１面洗浄工程と、
    前記基板を回転させつつ、前記第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、水分を含んだ第２の洗浄液を供給する第２面洗浄工程と、
    前記第１面洗浄工程が継続している状態で前記第２面洗浄工程を終了することにより、前記基板における前記第２の面に残存する水分を前記基板の回転に伴う遠心力によって除去する水分除去工程と、
    前記水分除去工程後、前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化工程と、
    前記撥水化工程後、前記基板を乾燥させる乾燥工程と
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
  3. 前記水分除去工程は、
    前記基板における前記第１の面に対して前記第１の洗浄液が供給される間、前記基板における前記第２の面に対して気体を供給すること
    を特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
    前記基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する第１面洗浄部と、
    前記第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、水分を含んだ第２の洗浄液を供給する第２面洗浄部と、
    前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給部と、
    前記基板の第２の面に対して気体を供給する気体供給部と、
    前記第１面洗浄部から、前記基板における前記第１の面に対し、前記第１の洗浄液を供給する第１面洗浄処理と、前記第２面洗浄部から、前記第２の面に対して前記第２の洗浄液を供給する第２面洗浄処理と、前記第２面洗浄処理後、前記基板保持部を用いて前記基板を回転させることによって前記基板における前記第２の面に残存する水分を前記基板の回転に伴う遠心力によって除去する水分除去処理と、前記水分除去処理を行うときに、前記基板における前記第１の面に対して有機溶剤を供給し、前記基板の回転に伴う遠心力によって前記有機溶剤を前記第１の面に広げることにより、前記第１の面上の前記第１の洗浄液を前記有機溶剤に置換する置換処理と、前記水分除去処理後、前記撥水化剤供給部から前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化処理と、前記撥水化処理後、前記基板を乾燥させる乾燥処理とを行う制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記水分除去処理において、前記置換処理によって前記基板における前記第１の面に対して前記有機溶剤が供給される間、前記気体供給部から前記基板における前記第２の面に対して気体を供給することを特徴とする基板処理装置。
  5. 基板を回転可能に保持する基板保持部と、
    基板における第１の面に対し、水分を含んだ第１の洗浄液を供給する第１面洗浄部と、
    前記第１の面とは反対側の面である第２の面に対し、水分を含んだ第２の洗浄液を供給する第２面洗浄部と、
    前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給部と、
    前記基板保持部を用いて前記基板を回転させつつ、前記第１面洗浄部から、前記基板における前記第１の面に対し、前記第１の洗浄液を供給する第１面洗浄処理と、前記基板保持部を用いて前記基板を回転させつつ、前記第２面洗浄部から、前記第２の面に対して前記第２の洗浄液を供給する第２面洗浄処理と、前記第１面洗浄処理が継続している状態で前記第２面洗浄処理を終了することにより、前記基板における前記第２の面に残存する水分を前記基板の回転に伴う遠心力によって除去する水分除去処理と、前記水分除去処理後、前記撥水化剤供給部から前記基板における前記第１の面に対して撥水化剤を供給する撥水化処理と、前記撥水化処理後、前記基板を乾燥させる乾燥処理とを行う制御部と
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
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