[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR100818842B1 - 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법 - Google Patents

웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100818842B1
KR100818842B1 KR1020060134791A KR20060134791A KR100818842B1 KR 100818842 B1 KR100818842 B1 KR 100818842B1 KR 1020060134791 A KR1020060134791 A KR 1020060134791A KR 20060134791 A KR20060134791 A KR 20060134791A KR 100818842 B1 KR100818842 B1 KR 100818842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
support pin
heat treatment
pin
tip
Prior art date
Application number
KR1020060134791A
Other languages
English (en)
Inventor
김건
홍진균
서우현
송경환
Original Assignee
주식회사 실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실트론 filed Critical 주식회사 실트론
Priority to KR1020060134791A priority Critical patent/KR100818842B1/ko
Priority to JP2007325089A priority patent/JP5280045B2/ja
Priority to US12/005,415 priority patent/US7767596B2/en
Priority to SG200719150-5A priority patent/SG144129A1/en
Priority to CNA2007103070824A priority patent/CN101275286A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100818842B1 publication Critical patent/KR100818842B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 열처리 특히 대구경 웨이퍼의 고온 급속 열처리에 적합하게 사용할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 웨이퍼 열처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 지지 핀은, 웨이퍼와 접촉하는 선단부를 편평하게 하거나 라운드 처리하여, 웨이퍼의 열처리시 웨이퍼의 중력에 의한 스트레스를 최소화함으로써 슬립 전위를 최소화한다.
급속 열처리(RTA, RTP), 웨이퍼 지지 핀, 접촉 면적

Description

웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 웨이퍼의 열처리 방법{Wafer Support Pin in Capable of Preventing Slip during Thermal Treatment to Wafer and Thermal Treatment Method to Wafer}
도 1은 웨이퍼의 급속 열처리에 사용하는 종래의 웨이퍼 지지 핀을 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 지지 핀을 사용하여 2 단계 급속 열처리를 행한 후의 웨이퍼의 XRT 사진이다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 지지 핀을 사용하여 2 단계 급속 열처리를 행한 후의 웨이퍼의 핀 접촉 지점에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)하였을 때 웨이퍼의 뒷면에 나타난 핀 마크(pin mark)의 사진이다.
도 4는 도 3의 라이트 에칭 결과 웨이퍼 표면에 나타난 에칭 피트(etching pit)의 사진이다.
도 5는 2 단계 급속 열처리에 본 발명에 따라 슬립 방지를 위한 중간 안정화 단계를 추가한 경우의 열처리 공정 다이어그램이다.
도 6은 도 5의 다이어그램에서 슬립 방지를 위한 중간 안정화 단계의 온도에 따른 웨이퍼 표면의 슬립을 분석한 사진이다.
도 7은 1 단계 급속 열처리에 본 발명에 따라 슬립 방지를 위한 열처리 단계 를 추가한 경우의 열처리 공정 다이어그램이다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 핀을 도시한 단면도이다.
도 9는 도 8의 (a)에 도시된 웨이퍼 지지 핀을 사용하여 2 단계 급속 열처리를 행한 후의 웨이퍼의 핀 접촉 지점에 대하여 5분간 라이트 에칭하였을 때 웨이퍼의 뒷면에 나타난 핀 마크(pin mark)의 사진으로서, (a)는 지지 핀 선단부의 곡률반경을 0.4mm로 한 경우, (b)는 0.7mm로 한 경우, 및 (c)는 1mm로 한 경우이다.
도 10은 도 9의 라이트 에칭 결과 핀의 접촉 면적에 따른 웨이퍼 표면의 슬립 프리 깊이(slip-free depth)를 나타낸 그래프이다.
도 11은 도 8의 (a)에 도시된 지지 핀의 선단부 곡률반경을 다르게 하여 제작한 지지 핀을 사용하여 급속 열산화한 후 엘립소미터(ellipsometer)를 사용하여 산화막의 두께를 측정한 결과를 도시한 도면이다.
도 12는 도 8의 (a)에 도시된 지지 핀의 선단부 곡률반경을 다르게 하고 실리콘으로 제작한 지지 핀을 사용하여 급속 열처리한 경우, 웨이퍼 뒷면에 나타난 핀 마크의 사진이다.
도 13은 핀 재질에 따른 슬립 프리 깊이를 나타난 그래프이다.
본 발명은 웨이퍼의 열처리에 사용되는 웨이퍼 지지 핀 및 웨이퍼의 열처리 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼에 가해지는 중력에 의한 스트레스(gravitational stress)를 최소화함과 동시에 열 손실을 최소화하여 슬립 전위(slip dislocation)를 최소화할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 구조 및 웨이퍼 열처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 과정에는 일반적으로 열처리 공정이 수반된다. 실리콘 웨이퍼의 경우 반도체 소자 제조 공정에서 행해지는 열처리 과정에서 웨이퍼 내에 존재하는 산소들이 산소 석출물(oxygen precipitation)을 형성하고, 일정 수준 이상의 산소 석출물은 소자 제조 과정 중에 오염원이 될 수 있는 금속 불순물에 대해 내부 게터링(Internal Gettering) 사이트로 작용하기 때문에 없어서는 안 되는 필수적인 요소이다. 그러나, 한편으로 반도체 소자가 제조되는 웨이퍼의 표면 영역에는 일정한 깊이까지 산소 석출물이 발생해서는 아니되는 이른바 디누드 영역(Denuded Zone)이 확보되어야 한다. 따라서, 웨이퍼 제조 업체에서는 결함이 없는 일정한 디누드 영역과, 벌크 영역에 일정 수준 이상의 산소 석출물을 포함한 BMD(Bulk Micro-Defect)를 형성하기 위한 방법으로 장시간의 열처리 또는 고온 급속 열처리를 사용하고 있다. 특히, 고온 급속 열처리는 아직까지 해결해야할 과제가 있지만 공정 시간이 짧기 때문에 생산성이 높아 최근에 그 사용이 늘어나고 있다.
고온 급속 열처리는, 1150℃~1250℃의 고온에서 수 내지 수십 초간 웨이퍼를 열처리하는 기술로서, 이에 따른 웨이퍼 내 슬립이 필연적으로 발생하게 된다. 고온 열처리 시 발생한 슬립이 표면에 존재하면 반도체 소자의 제조 공정에서 누설 전류에 의한 수율 저하의 원인이 되므로, 이를 제어하기 위해 급속 열처리 공정에서는 웨이퍼를 무게 중심을 잡아 3점 지지하는 방식을 사용하고 있다.
무게 중심 3점 지지 방식은 도 1에 도시된 바와 같은 끝부분이 날카로운 석영 재질의 핀 세 개로 웨이퍼의 무게 중심을 잡아 3점을 지지해주는 방식이다. 이 방식에서는 웨이퍼와 핀이 최소 면적으로 접촉하므로 열 손실에 의한 열적 스트레스(thermal stress) 및 실리콘과 석영의 재질 차이에 따른 열팽창계수 편차를 최소화시켜 슬립 전위를 최소화할 수 있어, 현재 8 인치 이하의 웨이퍼에 대한 급속 열처리 시에 많이 사용되고 있다.
그러나, 웨이퍼가 점점 대구경화 되면서 웨이퍼 무게 또한 증가하는 추세를 보이고 있다. 따라서, 8 인치 웨이퍼에서는 아무런 문제가 되지 않는 중력에 의한 스트레스가, 후술하는 바와 같이 12 인치 웨이퍼에서는 문제가 되어 종래의 웨이퍼 지지 방식으로는 슬립 제어를 하지 못하는 현상이 나타나고 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 지지 핀의 구조를 개선하여 웨이퍼에 가해지는 중력에 의한 스트레스를 최소화함과 동시에 열 손실을 최소화하여 슬립 전위를 최소화할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 그에 따른 웨이퍼 열처리 방법을 제공하는 데에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일측면에 따른 웨이퍼 지지 핀은, 그 선단부를 편평하게 하거나 라운드 처리하여, 웨이퍼의 열처리시 웨이퍼의 중력에 의한 스트레스를 최소화한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 지지 핀은, 적어도 상기 선단부가 석영 재질로 이루 어질 수 있으나, 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
웨이퍼 지지 핀의 적어도 선단부가 실리콘 재질로 이루어진 경우, 기계적 강도를 높이기 위해, 상기 단결정 또는 다결정 실리콘에 N 또는 C를 도핑할 수 있다. 또한, 웨이퍼 지지 핀의 내마모성을 높이기 위해, 적어도 상기 선단부를 SiC 또는 Si3N4로 표면 코팅할 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 열처리에 사용되는 웨이퍼 지지 핀은, 웨이퍼에 대한 열처리후, 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 최소 단면적이 1.0×10-3 cm2로 형성되도록 그 선단부와 웨이퍼의 접촉 면적이 조절된다. 한편, 이 단면적의 상한을 설정할 필요는 없지만, 다만 용이한 실시를 위해서 단면적의 상한을 2.0×10-2 cm2 정도로 할 수 있다. 또한, 이러한 핀 마크의 단면적이 되기 위해서는 상기와 같이, 웨이퍼 지지 핀의 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있는 것이 바람직하지만, 지지 핀의 구조와 무관하게 상기한 범위의 단면적이 얻어지는 한 지지 핀의 모양이나 구조는 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 따른 웨이퍼에 대한 급속 열처리 방법은, 웨이퍼 지지 핀으로 웨이퍼를 밑면에서 3점 지지하면서 웨이퍼에 대하여 열처리를 행하는 방법으로서, 열처리 온도가 1150℃~1250℃ 범위이고, 상기 웨이퍼가 반경 145mm 이상이며, 상기 웨이퍼의 질량이 100g 이상인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼의 급속 열처리 방법은, 웨이퍼 지지 핀으로 웨 이퍼를 밑면에서 3점 지지하면서 웨이퍼에 대하여 열처리를 행하는 방법으로서, 상기 열처리 후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 단면적이 1.0×10-3 ~ 2.0×10-2cm2로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 지지 핀 및 웨이퍼의 열처리 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 지지 핀에 관해 설명하기에 앞서, 종래의 선단부가 날카로운 웨이퍼 지지 핀(도 1 참조)을 이용하여, 8인치와 11인치 웨이퍼에 대하여 급속 열처리를 수행하고 분석한 결과를 먼저 기술한다.
구체적으로, 8인치와 12인치 웨이퍼에 대하여, 1120℃에서 3초와, 1215℃에서 10초의 2 단계 급속 열처리를 수행하였다. 이때 사용된 웨이퍼 지지 핀은 도 1 에 도시된 것을 사용하였으며, 종래와 동일하게 3점 지지 방식으로 웨이퍼를 지지하였다. 2 단계 열처리 후에, XRT(X-Ray Topography) 방법과 라이트 에칭(Wright Etching) 방법에 의한 피트(pit) 관찰을 통해 슬립 전위를 측정하고, 슬립이 없는(slip-free) 영역을 측정 하였다.
8인치 웨이퍼에 대한 시험 결과, XRT에서는 슬립이 보이지 않았으며, 웨이퍼 뒷면 지지 핀의 접촉 부위에서 단면으로 절단하여 5분간 라이트 에칭하여 에칭 피트를 분석한 결과, 표면에서 400~500㎛ 정도까지 슬립이 없는 것으로 나타났다.
한편, 12인치 웨이퍼의 경우는, 동일한 방법으로 분석한 결과, XRT로 측정한 결과는 웨이퍼 뒷면의 핀 접촉 지점에 핀 마크가 형성된 것을 제외하고 슬립은 존재하지 않았다. 그러나, 도 3의 핀 마크 위치에서 웨이퍼를 단면으로 절단, 5분간 라이트 에칭하여 현미경으로 확인한 결과, 웨이퍼 표면에 도 4와 같이 에칭 피트를 관찰할 수 있었다. 직경은 다르지만 동일한 급속 열처리 방법에 의한 열적 스트레스는 같다는 가정 하에 8인치와 12인치 웨이퍼의 슬립 평가 결과를 보면, 웨이퍼의 하중 증가에 따른 중력 스트레스가 증가하여, 8인치 웨이퍼에서는 슬립이 제어되었지만 12인치 웨이퍼의 경우 슬립이 웨이퍼 표면까지 전위되는 결과를 얻었다. 이와 같이, 종래의 웨이퍼 지지 핀과 종래의 급속 열처리 방법을 12인치 웨이퍼에 그대로 적용하면 원하는 품질의 열처리 웨이퍼를 얻을 수 없다는 것을 알 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 종래의 지지 핀을 사용하더라도, 열적인 측면에서 열적 스트레스를 최소화시킬 수 있는 방법으로서, 기존에 사용하는 승온율/강온율보다 낮은 승온율/강온율을 적용하여 급속 열처리를 할 수는 있으나 생산성 면에서 바람 직하지 못하다. 따라서, 승온율/강온율을 낮추지 않고 열적 스트레스를 감소시킬 수 있는 다른 방안으로서, 다음과 같은 실험을 행하였다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 12인치 웨이퍼에 대하여 제1온도(T1)에서 급속 열처리한 후 온도를 상승시켜 제2온도(T2)에서 급속 열처리하는 공정에, 중간 안정화 단계(ts)를 삽입하였다. 즉, 제1온도(T1)에서 제2온도(T2)로 온도를 상승시키는 승온 구간에, 제1온도와 제2온도의 사이의 온도(Ts)에서 1~10초간 안정화하는 단계를 넣어, 고온으로의 승온시 열적 스트레스를 줄여 슬립을 방지하고자 하였다.
구체적으로, 제1온도(T1)는 900℃~1200℃의 범위의 온도로서 본 실험에서는 1120℃이고, 제2온도(T2)는 1120℃~1250℃의 범위의 온도로서 본 실험에서는 1215℃이며, 중간 안정화 단계의 온도(Ts)는 (a)1130℃, (b)1150℃, (c)1180℃의 세 가지로 설정하여 각각 5초간 열적으로 안정된 분위기를 조성하였다. 이후 30℃/sec의 강온율로 냉각하여 슬립 전위 경향을 분석하였다.
그 결과로서, 도 6은 도 5의 급속 열처리 공정으로 열처리 후 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)하여 웨이퍼 표면의 에칭 피트(etching pit)를 현미경으로 관찰한 사진으로, 도 6의 (a), (b), (c)는 각각 중간 안정화 단계의 온도(Ts)를 (a)1130℃, (b)1150℃, (c)1180℃로 설정한 경우의 사진이다. 도 6에 의하면, 웨이퍼 표면에 나타난 에칭 피트가 각각 (a) 6개, (b) 3개, (c) 0개로, 중간 안정화 단계의 온도가 증가할수록 웨이퍼 표면의 에칭 피트 밀도가 감소하는 경향을 보이고 있으며, 특히 중간 안정화 단계의 온도가 1180℃일 때 웨이퍼 표면에 슬립이 없는 결과를 얻을 수 있었다.
또한, 이러한 중간 안정화 단계는 2 단계 급속 열처리뿐만 아니라, 1 단계 급속 열처리에도 적용할 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 1120℃ 이상의 고온에서 1 단계 급속 열처리할 때, 웨이퍼 로딩 온도(TL)로부터 최고 목표 온도(Tt)까지 온도를 상승시키는 승온 구간에, 최고 목표 온도보다 낮은 온도(Ts)에서 중간 안정화하는 구간을 포함시킴으로써, 웨이퍼에 가해지는 열적 스트레스를 저감하여 슬립을 제어할 수 있다.
이상의 결과를 종합해 보면, 기존의 선단부가 날카로운 웨이퍼 지지 핀을 사용하여 12인치 이상의 대구경 웨이퍼를 고온 급속 열처리하면, 웨이퍼 하중의 증가에 따라 중력에 의한 스트레스가 증가하여 슬립의 제어가 곤란한 것으로 판단된다. 한편, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 최고 목표 온도에 도달하기 전에 최고 목표 온도보다 낮은 온도에서 안정화하는 단계를 삽입하면 기존의 웨이퍼 지지 핀을 사용하더라도 열적 스트레스를 저감하여 웨이퍼 표면의 슬립이 유의미하게 감소한다는 것도 알 수 있다. 그러나, 이렇게 중간 안정화 단계를 삽입하더라도, 중간 안정화 단계의 온도에 따라서는 슬립의 제어 효과가 충분하지 않으며 충분한 슬립 프리 깊이(slip-free depth)를 얻기에는 여전히 한계가 있어 보다 근본적인 방법이 요구된다.
이에 본 발명자들은 웨이퍼 지지 핀의 구조를 변경하였다. 즉, 본 발명에 따 른 웨이퍼 지지 핀은 도 8에 도시된 바와 같이, 선단부가 라운드 처리되어 있거나 편평하다. 이는 도 1에 도시된 종래의 지지 핀에 비해, 웨이퍼의 중력에 의한 스트레스를 줄이기 위해 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 면적을 증가시켜 하중을 분산시키기 위해서이다.
구체적으로, 도 8의 (a)에 도시된 웨이퍼 지지 핀은, 그 선단부가 라운드 처리되어 있고, 테이퍼진 부분을 가진다. 또한, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니지만, 테이퍼진 부분의 길이(H2)가 2mm ~ 17mm이고, 선단부의 라운드 처리된 부분의 직경(φ2)이 0.5mm ~ 1.5mm인 것이 바람직하다. 또한, 라운드 처리된 부분의 곡률반경(R1)은 0.7mm 이상인 것이 바람직하다.
도 8의 (b)에 도시된 웨이퍼 지지 핀은, 그 선단부가 편평하다는 점을 제외하면 도 8의 (a)에 도시된 지지 핀과 유사하다. 즉, 도 8의 (b)에 도시된 지지 핀은 도 8의 (a)에 도시된 지지 핀에서 그 라운드 처리된 부분의 곡률반경이 무한대인 경우에 해당한다. 한편, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니지만, 도 8의 (b)에 도시된 지지 핀의 선단부의 편평한 부분의 직경(φ3)이 0.2mm ~ 1.5mm이고, 테이퍼진 부분의 길이(H3)가 2mm ~ 17mm 정도 되는 것이 바람직하다.
도 8에 도시된 웨이퍼 지지 핀은 기존과 같이 석영으로 이루어질 수 있고, 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어질 수도 있다. 다만, 웨이퍼 지지 핀의 재질에서 중요한 부분은 웨이퍼와 접촉하는 부분인 선단부이므로, 적어도 선단부(또는 테이퍼진 부분까지)가 상기와 같은 재질로 이루어지면 된다. 또한, 지지 핀을 실리콘으로 제작하는 경우, 기계적 강도를 높이기 위하여 단결정 또는 다결정 실리콘에 N 또는 C를 도핑할 수 있다. 나아가, 지지 핀의 내마모성을 높이기 위해 적어도 선단부를 SiC 또는 Si3N4로 표면 코팅할 수도 있다.
이와 같이, 웨이퍼 지지 핀의 선단부를 라운드 처리하거나 편평하게 함으로써, 12인치 웨이퍼와 같이 대구경 웨이퍼에 대한 급속 열처리시 웨이퍼의 중력에 의한 스트레스를 줄여 슬립을 제어할 수 있다. 이하에서는, 본 발명에 따라 제작된 웨이퍼 지지 핀을 이용하여 12인치 웨이퍼에 대해서 급속 열처리를 수행하고 그 결과를 분석한 실시예를 설명한다.
먼저, 기존의 지지 핀과 마찬가지의 석영 재질로 도 8의 (a)에 도시된 바와 같은 선단부가 라운드 처리된 웨이퍼 지지 핀을 제작하였다. 이때, 선단부의 곡률반경을 (a)0.4mm, (b)0.7mm, (c)1mm의 세 가지로 제작하였다.
이어서, 12인치 웨이퍼에 대하여, 전술한 바와 같은 2 단계 급속 열처리를 수행하였다. 즉, 12인치 웨이퍼를 위와 같이 제작된 지지 핀으로 3점 지지 방식으로 지지하면서, 1120℃에서 3초와, 1215℃에서 10초의 2 단계 급속 열처리를 수행하였다. 이때, 전술한 바와 같은 중간 안정화 단계는 별도로 마련하지 않았다.
2 단계 열처리 후, 전술한 바와 마찬가지로 5분간 라이트 에칭하여 웨이퍼 뒷면의 핀 마크를 현미경으로 확인한 결과, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기의 세 가지 곡률반경을 가지는 지지 핀별로 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 면적이 각각 (a)0.5×10-3cm2, (b)1.0×10-3cm2, (c)2.1×10-3cm2로 나타났다. 또한, 슬립 프리 깊이를 측정하기 위해 핀 마크의 위치에서 단면으로 절단, 5분간 라이트 에칭한 후 에칭 피 트가 웨이퍼 뒷면에서 치고 올라간 최고 높이를 측정하여, 웨이퍼 표면에서 슬립이 없는 영역을 구한 결과, 도 10과 같은 결과를 얻을 수 있었다.
도 10을 보면, (a)곡률반경=0.4mm, 접촉 면적=0.5×10-3cm2인 경우, 슬립 프리 깊이가 거의 0이고, (b)곡률반경=0.7mm, 접촉 면적=1.0×10-3cm2인 경우, 슬립 프리 깊이가 거의 15㎛이며, (c)곡률반경=1mm, 접촉 면적=2.1×10-3cm2인 경우, 슬립 프리 깊이가 30㎛를 넘는 것을 알 수 있다. 따라서, 웨이퍼 표면에서 15㎛ 정도의 깊이까지 슬립이 없는 급속 열처리 웨이퍼를 얻기 위해서는 웨이퍼 지지 핀의 선단부 곡률반경을 적어도 0.7mm 이상으로 하여, 5분간 라이트 에칭한 후에 측정된 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 면적이 적어도 1.0×10-3cm2 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 도 10을 보면, 접촉 면적이 (a)0.5×10-3cm2에서 (b)1.0×10-3cm2로 증가할 때, 슬립 프리 깊이는 거의 선형적으로 증가하지만, 접촉 면적이 (b)1.0×10-3cm2에서 (c)2.1×10-3cm2로 증가할 때에는 슬립 프리 깊이의 증가 폭이 둔화되는 경향을 보이고 있다. 이에, 본 발명자들은 그 원인을 찾기 위해 웨이퍼에 산화막을 성장시켜 산화막의 두께 변화를 확인하였다. 즉, 웨이퍼에 대하여 1150℃, O2 가스유량 10slm의 조건으로 30초간 급속 열산화(Rapid Thermal Oxidation; RTO)하여 웨이퍼 상에 실리콘 산화막을 100Å의 두께로 성장시킨 후, 엘립소미 터(ellipsometer)로 산화막의 두께 편차를 구하였다. 급속 열산화에 의한 산화막의 두께 편차 측정은, 급속 열처리시의 온도 편차를 간접적으로 측정하는 방법으로서, 위와 같은 조건(1150℃, 30초, O2 가스유량 10slm)에서는 100Å 두께로 산화막이 성장하며, 산화막 두께가 0.7Å의 편차를 보일 때 실제 온도 편차는 1℃로 계산된다.
한편, 이때 사용한 웨이퍼 지지 핀은 도 8의 (a)에 도시된 선단부가 라운드 처리된 석영 재질의 지지 핀으로서, 접촉 면적의 차이에 따른 두께 편차를 측정하기 위하여 그 곡률반경이 0.4mm와 1mm인 두 가지로 마련하여, 도 11의 (a)와 같이, 서로 다른 곡률반경의 지지 핀으로 웨이퍼를 동시에 지지하였다(도면에서 A는 곡률반경 0.4mm인 지지 핀이고, B는 곡률반경 1mm인 지지 핀이다).
엘립소미터의 측정 결과를 나타내는 도 11의 (b)를 보면, 지지 핀의 접촉 지점에서 산화막의 두께가 국부적으로 얇은 두 지점(A, B)이 나타나고, 접촉 면적이 넓은 B 지점에서 더 큰 점이 나타나고 있어, 접촉 면적의 증가에 따른 산화막의 두께 편차가 커짐을 알 수 있다. 이는, 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 면적이 넓을수록 중력에 의한 스트레스의 저감 측면에서는 슬립 제어에 좋은 영향을 주지만, 접촉 면적이 넓을수록 접촉 지점에서 외부로 열방출이 일어나 국부적 온도 편차를 유발하며, 이는 열적 스트레스를 증가시켜 도 10의 그래프처럼 접촉 면적이 증가할수록 슬립 프리 깊이의 증가율이 감소하는 경향을 나타낸 것으로 판단된다.
이에 본 발명자들은, 접촉 면적이 증가함에 따른 열적 스트레스(열손실)가 증가하여 슬립 프리 깊이의 증가폭이 감소하는 단점을 보완하기 위해, 열처리시의 열전도도 및 열팽창계수를 고려하여 웨이퍼 지지 핀의 재질을 웨이퍼와 동일하게 실리콘으로 바꾸어 지지 핀을 제작하였다. 즉, 본 실시예의 지지 핀은 도 8의 (a)에 도시된 바와 같은 선단부가 라운드 처리된 지지 핀으로서, 선단부의 곡률반경은 각각 0.4mm와 1mm의 두 가지로 제작하였다. 이렇게 제작된 지지 핀을 사용하여 전술한 바와 동일한 2 단계 급속 열처리(1120℃, 3초 + 1215℃, 10초)를 수행하고, 동일한 에칭 방법을 이용하여 웨이퍼 뒷면의 핀 마크와, 웨이퍼 표면의 슬립 프리 깊이를 측정하였다.
그 결과, 도 12에 도시된 바와 같이, 접촉 면적은 곡률반경이 0.4mm인 지지 핀을 사용한 경우 (a)0.5×10-3cm2로 나타났고, 곡률반경이 1mm인 지지 핀을 사용한 경우 (b)2.1×10-3cm2로 나타났다. 이는 각각 도 9의 (a) 및 (c)와 일치하는 결과이다. 한편, 슬립 프리 깊이를 측정하기 위하여 5분간 라이트 에칭한 후 에칭 피트를 현미경으로 관찰한 결과, 곡률반경이 1mm인 지지 핀을 사용한 경우 슬립 프리 깊이가 약 45㎛로 나타났다. 즉, 도 13에 도시한 바와 같이, 석영 재질의 지지 핀을 사용한 경우는 접촉 면적의 증가에 따른 슬립 프리 깊이의 증가폭이 둔화되지만, 본 실시예에서와 같이 실리콘 재질의 지지 핀을 사용한 경우는 접촉 면적의 증가에 비례하여 슬립 프리 깊이가 증가하는 선형성을 보이고 있다. 즉, 슬립 제어의 관점에서 석영 재질의 지지 핀보다는 실리콘 재질의 지지 핀이 더 유리함을 의미한다.
한편, 이상의 실시예 및 실험예에서는 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 핀, 즉 선단부가 편평하거나 라운드 처리된 지지 핀을 이용한 급속 열처리로서 2 단계 급속 열처리를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 웨이퍼 지지 핀을 이용한 급속 열 처리는 상술한 2 단계 급속 열처리로 한정되지 않는다. 즉, 1 단계 급속 열처리에도 본 발명의 웨이퍼 지지 핀을 사용할 수 있고, 급속 열처리가 아닌 통상의 열처리에도 사용할 수도 있다. 나아가, 도 5 및 도 7을 들어 설명한 중간 안정화 단계를 삽입한 급속 열처리에도 상술한 웨이퍼 지지 핀을 이용할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명에 의하면, 열처리시 사용하는 웨이퍼 지지 핀의 웨이퍼와 접촉하는 선단부를 라운드 처리하거나 편평하게 함으로써, 웨이퍼의 대구경화에 수반되는 중력에 따른 스트레스를 감소시켜 슬립 전위를 효과적으로 제어하여 고품질의 열처리 웨이퍼를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 웨이퍼의 급속 열처리 방법에 의하면, 열처리 목표 온도에 도달하기 전에 목표 온도보다 낮은 온도에서 중간 안정화 단계를 거침으로써, 웨이퍼에 가해지는 열적 스트레스를 줄여 슬립을 방지할 수 있다.

Claims (15)

  1. 웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,
    상기 웨이퍼와 접촉하는 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있고,
    상기 선단부가 테이퍼진(tapered) 형상을 가지며, 상기 테이퍼진 부분의 길이가 2mm ~ 17mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  2. 제1항에 있어서,
    적어도 상기 선단부가 석영 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  3. 제1항에 있어서,
    적어도 상기 선단부가 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  4. 웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,
    상기 웨이퍼와 접촉하는 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있고,
    적어도 상기 선단부가 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어지며,
    상기 단결정 또는 다결정 실리콘에는 N 또는 C가 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  5. 제3항에 있어서,
    적어도 상기 선단부가 SiC 또는 Si3N4로 표면 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 선단부가 편평하고, 상기 선단부의 편평한 부분의 직경이 0.2mm ~ 1.5mm이고,
    상기 열처리후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 단면적이 1.0×10-3 ~ 2.0×10-2 cm2로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 선단부가 라운드 처리되어 있고, 상기 라운드 처리된 부분의 곡률반경이 0.7mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 선단부의 라운드 처리된 부분의 직경이 0.5mm ~ 1.5mm이고,
    상기 열처리후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 단면적이 1.0×10-3 ~ 2.0×10-2 cm2로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  10. 웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 3점 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,
    상기 열처리후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 핀 마크의 단면적이 1.0×10-3 ~ 2.0×10-2 cm2로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀.
  11. 삭제
  12. 웨이퍼 지지 핀으로 웨이퍼를 밑면에서 3점 지지하면서 웨이퍼에 대하여 열처리를 행하는 방법에 있어서,
    상기 열처리 후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 단면적이 1.0×10-3 ~ 2.0×10-2 cm2로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020060134791A 2006-12-27 2006-12-27 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법 KR100818842B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060134791A KR100818842B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법
JP2007325089A JP5280045B2 (ja) 2006-12-27 2007-12-17 ウェハーの熱処理時のスリップ転位を防止することができるウェハー支持ピン及びウェハーの熱処理方法
US12/005,415 US7767596B2 (en) 2006-12-27 2007-12-26 Wafer support pin for preventing slip dislocation during annealing of water and wafer annealing method using the same
SG200719150-5A SG144129A1 (en) 2006-12-27 2007-12-27 Wafer support pin for preventing slip dislocation during annealing of water and wafer annealing method using the same
CNA2007103070824A CN101275286A (zh) 2006-12-27 2007-12-27 用于在晶片退火期间防止滑移位错的晶片支撑销以及使用其的晶片退火方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060134791A KR100818842B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100818842B1 true KR100818842B1 (ko) 2008-04-01

Family

ID=39533579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060134791A KR100818842B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7767596B2 (ko)
JP (1) JP5280045B2 (ko)
KR (1) KR100818842B1 (ko)
CN (1) CN101275286A (ko)
SG (1) SG144129A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101109822B1 (ko) * 2010-01-26 2012-02-13 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 열처리시 전위 결함을 저감할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 그 제조 방법
KR20170066215A (ko) * 2015-11-17 2017-06-14 램 리써치 코포레이션 반도체 제조시 플라즈마 불안정성을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
KR20170072183A (ko) * 2014-11-12 2017-06-26 가부시키가이샤 사무코 반도체 웨이퍼의 지지 방법 및 그 지지 장치

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151371A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP6086056B2 (ja) * 2013-11-26 2017-03-01 信越半導体株式会社 熱処理方法
JP6520050B2 (ja) * 2014-10-31 2019-05-29 株式会社Sumco リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
WO2017116709A1 (en) 2015-12-30 2017-07-06 Mattson Technology, Inc. Substrate support in a millisecond anneal system
JP6637321B2 (ja) * 2016-02-03 2020-01-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理用サセプタおよび熱処理装置
CN106340487A (zh) * 2016-10-21 2017-01-18 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 用于晶圆退火的载片盘、退火装置及晶圆退火方法
JP7321768B2 (ja) 2018-05-23 2023-08-07 信越化学工業株式会社 化学気相成長装置および被膜形成方法
DE102018218001B4 (de) * 2018-10-22 2021-09-30 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines Anschlussstiftes für Durchführungen, sowie Anschlussstift
CN115418725B (zh) * 2022-07-28 2024-04-26 浙江大学杭州国际科创中心 一种氮化硅薄膜热退火方法和装置
EP4386819A1 (de) * 2022-12-15 2024-06-19 Siltronic AG Verfahren zum testen der widerstandsfähigkeit von halbleiterscheiben aus einkristallinem silizium gegen thermisch induzierte versetzungen

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820685A (en) * 1996-01-17 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Wafer support device
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
KR20010067805A (ko) * 2001-03-29 2001-07-13 정기로 급속 열처리 장치용 에지링
KR20020064940A (ko) * 2000-10-16 2002-08-10 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 웨이퍼 유지구, 웨이퍼 지지부재, 웨이퍼 유지 장치 및열처리로
US6497403B2 (en) * 2000-12-28 2002-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer holder
KR20030033187A (ko) * 2001-10-18 2003-05-01 주식회사 실트론 반도체용 에피택셜 웨이퍼의 제조방법
JP2005093608A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6953338B2 (en) * 2000-01-28 2005-10-11 Steag Rtp Systems Gmbh Device for thermal treatment of substrates
KR20060086372A (ko) * 2003-11-07 2006-07-31 가부시키가이샤 섬코 반도체 기판용 열처리 치구 및 반도체 기판의 열처리 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788763A (en) 1995-03-09 1998-08-04 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Manufacturing method of a silicon wafer having a controlled BMD concentration
JPH08288372A (ja) * 1995-04-11 1996-11-01 Nippon Pillar Packing Co Ltd ウエハ支持プレート
EP0889510B1 (en) * 1996-06-28 2007-08-15 Sumco Corporation Method and device for heat-treating single-crystal silicon wafer, single-crystal silicon wafer, and process for producing single-crystal silicon wafer
JP4589545B2 (ja) * 2001-02-19 2010-12-01 新日本製鐵株式会社 ウェハ支持部材、ウェハ保持具およびウェハ保持装置
FR2845202B1 (fr) * 2002-10-01 2004-11-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de recuit rapide de tranches de materiau semiconducteur.
CN100352032C (zh) * 2003-03-26 2007-11-28 信越半导体株式会社 热处理用晶片支持器具及热处理装置
JP2006005177A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820685A (en) * 1996-01-17 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Wafer support device
JP2001185607A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Canon Inc 基板吸着保持装置およびデバイス製造方法
US6953338B2 (en) * 2000-01-28 2005-10-11 Steag Rtp Systems Gmbh Device for thermal treatment of substrates
KR20020064940A (ko) * 2000-10-16 2002-08-10 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 웨이퍼 유지구, 웨이퍼 지지부재, 웨이퍼 유지 장치 및열처리로
US6497403B2 (en) * 2000-12-28 2002-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer holder
KR20010067805A (ko) * 2001-03-29 2001-07-13 정기로 급속 열처리 장치용 에지링
KR20030033187A (ko) * 2001-10-18 2003-05-01 주식회사 실트론 반도체용 에피택셜 웨이퍼의 제조방법
JP2005093608A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20060086372A (ko) * 2003-11-07 2006-07-31 가부시키가이샤 섬코 반도체 기판용 열처리 치구 및 반도체 기판의 열처리 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101109822B1 (ko) * 2010-01-26 2012-02-13 주식회사 엘지실트론 웨이퍼의 열처리시 전위 결함을 저감할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 그 제조 방법
KR20170072183A (ko) * 2014-11-12 2017-06-26 가부시키가이샤 사무코 반도체 웨이퍼의 지지 방법 및 그 지지 장치
KR101934872B1 (ko) 2014-11-12 2019-03-18 가부시키가이샤 사무코 반도체 웨이퍼의 지지 방법 및 그 지지 장치
KR20170066215A (ko) * 2015-11-17 2017-06-14 램 리써치 코포레이션 반도체 제조시 플라즈마 불안정성을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
KR102709525B1 (ko) * 2015-11-17 2024-09-24 램 리써치 코포레이션 반도체 제조시 플라즈마 불안정성을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들

Also Published As

Publication number Publication date
US20080176415A1 (en) 2008-07-24
JP5280045B2 (ja) 2013-09-04
JP2008166763A (ja) 2008-07-17
US7767596B2 (en) 2010-08-03
SG144129A1 (en) 2008-07-29
CN101275286A (zh) 2008-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100818842B1 (ko) 웨이퍼의 열처리시 슬립을 방지할 수 있는 웨이퍼 지지 핀및 웨이퍼의 열처리 방법
KR100573473B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법
JP5940238B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
TWI398927B (zh) 矽晶圓及其製造方法
JP4794137B2 (ja) シリコン半導体基板の熱処理方法
US8026182B2 (en) Heat treatment jig and heat treatment method for silicon wafer
KR101461531B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법, 그리고, 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2002524852A (ja) 理想的な酸素析出シリコンウエハの製造方法
KR101313462B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법
JP5567259B2 (ja) シリコンウェーハおよびその製造方法
JPH04215439A (ja) ＧａＡｓ単結晶基板の製造方法
US20070240628A1 (en) Silicon wafer
TWI443234B (zh) 用於在熱處理過程中支撐由單晶矽構成的半導體晶圓的支撐環、用於熱處理這種半導體晶圓的方法、以及由單晶矽構成的熱處理後的半導體晶圓
JP2005123241A (ja) シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
KR102478531B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조 방법
JP5396737B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法
CN109075076B (zh) 硅晶片
JP2010073782A (ja) 半導体ウェーハの熱処理方法
JP5530856B2 (ja) ウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハの製造方法並びに熱処理装置
US7906443B2 (en) Controlling oxygen precipitates in silicon wafers using infrared irradiation and heating
JP3944958B2 (ja) シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法
KR100572300B1 (ko) 웨이퍼의 열처리 방법
KR100685260B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법
JP6711320B2 (ja) シリコンウェーハ
JP6298403B2 (ja) シリコンウェーハ熱処理用支持治具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131223

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171222

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 13