KR100796686B1

KR100796686B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법

Info

Publication number: KR100796686B1
Application number: KR1020060028307A
Authority: KR
Inventors: 양진호
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2008-01-21
Anticipated expiration: 2026-03-29
Also published as: CN100587774C; CN101046933A; US20070273612A1; JP2007264632A; KR20070097713A; EP1840865A1

Abstract

플라즈마 표시 장치에서, 주사 집적 회로의 출력단이 복수의 주사 전극에 연결되어 있고 주사 집적 회로의 제1 입력단이 VscH 전압을 공급하는 전원에 연결되어 있고 주사 집적 회로의 제2 입력단에 트랜지스터의 소스가 연결되어 있다. 트랜지스터의 게이트에 게이트 드라이버의 출력단이 연결되어 있으며 게이트 드라이버의 제1 노드가 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되어 있고 게이트 드라이버의 제2 노드가 트랜지스터의 소스에 연결되어 있다. 그리고 게이트 드라이버의 제1 노드에 제1단이 연결되어 있는 커패시터의 제2단이 주사 집적 회로의 제2 입력단에 연결되어 있다. 이때, 유지 기간 동안 커패시터의 제1단 전압을 이용하여 트랜지스터를 턴온하며, 어드레스 기간 동안 커패시터에 충전되어 있는 전압에 대응하는 전압으로 주사 집적 회로를 구동한다.

PDP, 전극, 방전, 트랜지스터, 구동 전압, 레귤레이터, 주사 회로

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법{PLASMA DISPLAY, AND DRIVING DEVICE AND METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.

도 3 및 도 4는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로를 나타낸 도면이다.

본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법에 관한 것이다.

플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 복수의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.

플라즈마 표시 장치에서는 한 프레임이 한 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동된다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서는 복수의 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하여 켜질 셀과 켜지지 않을 셀을 선택하고, 유지 기간에서는 유지 기간에서 유지 방전을 수행하는 전극에 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 교대로 인가하여 실제로 영상을 표시하기 위해 켜질 셀에 대하여 유지 방전을 수행한다.

이러한 플라즈마 표시 장치는 복수의 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하기 위하여, 주사 집적 회로(integrated circuit, IC)가 각 주사 전극에 연결되어 있으며 주사 집적 회로의 그라운드와 주사 펄스의 전압을 공급하는 전원 사이에 트랜지스터가 연결되어 있다. 그리고 주사 집적 회로의 그라운드와 주사 펄스의 전압을 공급하는 전원 사이에 연결되어 있는 트랜지스터가 턴온될 때 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압을 공급하는 전원에 연결된 트랜지스터의 바디 다이오드를 통하여 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압을 공급하는 전원에서 주사 펄스의 전압을 공급하는 전원으로 향하는 전류 경로를 차단하기 위한 트랜지스터도 형성되어 있다.

그리고 플라즈마 표시 장치에서는 이러한 트랜지스터 및 주사 집적 회로를 구동하기 위한 전압을 공급하기 위해서 각각 부트스트랩(Bootstrap) 방식을 사용하고 있는데, 부트스트랩 방식을 위해서는 부트스트랩 커패시터가 필요하므로 플라즈마 표시 장치의 회로 단가가 증가하게 된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 표시 장치에서 회로 소자의 단가를 줄일 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치와 구동 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 한 특징에 따르면, 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 플라즈마 표시 장치는 복수의 제1 전극, 제1 및 제2 입력단을 가지며, 복수의 제1 출력단이 상기 복수의 제1 전극에 각각 연결되어 있으며, 어드레스 기간 동안 상기 제2 입력단의 전압을 상기 복수의 제1 전극 중 대응하는 제1 전극에 선택적으로 인가하는 주사 집적 회로, 제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 입력단 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터, 제2 출력단이 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되고 제1 노드가 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 연결되며 제2 노드가 상기 제2 트랜지스터의 소스 및 상기 제2 입력단에 연결되어 있는 게이트 드라이버, 제1단이 상기 제1 노드에 연결되고 제2단이 상기 제2 입력단에 연결되어 있는 제1 커패시터, 제3 입력단이 상기 제1 커패시터의 제1단에 연결되고 제3 출력단이 상기 주사 집적 회로에 연결되며 상기 제2 전압을 제3 전압으로 변경하여 출력하는 레귤레이터, 그리고 상기 레귤레이터의 제3 출력단과 상기 제2 입력단 사이에 연결되어 있는 제2 커패시터를 포함한다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 주사 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치가 제공된다. 이 구동 장치는, 제1 트랜지스터, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1 노드가 연결되고 상기 제1 트랜지스터의 제1단에 제2 노드가 연결되며 상기 제1 및 제2 노드의 전압을 선택하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트로 출력하는 게이트 드라이버, 상기 제1 노드에 제1단이 연결되고 상기 제2 노드에 제2단이 연결되어 있는 제1 커패시터, 그리고 상기 제1 전압에 대응하는 전압으로 구동되며 복수의 출력단이 복수의 주사 전극에 각각 연결되어 있으며, 상기 제1 트랜지스터의 제1단에 연결되어 있는 공통 입력단의 전압을 상기 복수의 출력단으로 선택적으로 출력하는 복수의 주사 회로를 포함한다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극에 연결되어 있는 주사 집적 회로를 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 주사 집적 회로의 기준 전원에 제1단이 연결되어 있는 커패시터를 제1 전압으로 충전하는 단계, 어드레스 기간 동안 상기 커패시터의 제2단 전압에 대응하는 제2 전압으로 상기 주사 집적 회로를 구동하는 단계, 그리고 유지 기간 동안 상기 커패시터의 제2단 전압을 이용하여 상기 기준 전원에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터를 턴온하는 단계를 포함한다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.

플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1∼Xn) 및 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1∼Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1∼Xn)은 각 Y 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, X 전극(X1∼Xn)과 Y 전극(Y1∼Yn)이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1∼Yn)과 X 전극(X1∼Xn)은 A 전극(A1∼Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1∼Am)과 X 및 Y 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 셀(12)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.

제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극 구동 제어 신호, X 전극 구동 제어 신호 및 Y 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다.

어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 A 전극에 인가한다.

주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하여 Y 전극에 구동 전압을 인가한다.

유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하여 X 전극에 구동 전압을 인가한다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 아래에서는 편의상 하나의 셀을 형성하는 Y 전극, X 전극 및 A 전극에 인가되는 구동 파형에 대해서만 설명한다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 리셋 기간의 상승 기간에서는 X 전극을 기준 전압(도 2에서는 0V)으로 유지한 상태에서 Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가된다. 도 2에서는 Y 전극의 전압이 램프 형태로 증가하는 것으로 도시하였다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 미약한 방전(이하, "약 방전"이라 함)이 일어나면서, Y 전극에는 (-) 벽 전하가 형성되고 X 및 A 전극에는 (+) 벽 전하가 형성된다.

리셋 기간의 하강 기간에서는 X 전극에 Ve 전압을 인가한 상태에서 Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소된다. 그러면 Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극 및 A 전극에 형성된 (+) 벽 전하가 소거되어 방전 셀이 초기화된다. 일반적으로 (Vnf-Ve) 전압의 크기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.

어드레스 기간에서는 발광할 방전 셀을 선택하기 위해서, X 전극에 Ve 전압이 인가된 상태에서, 복수의 Y 전극에 VscL 전압을 가지는 주사 펄스를 인가한다. 여기서, VscL 전압을 주사 전압이라고도 한다. 이때, VscL 전압이 인가된 Y 전극과 X 전극에 의해 형성되는 복수의 방전 셀 중에서 켜질 셀을 통과하는 A 전극에 Va 전압을 인가한다. 그러면, Va 전압이 인가된 A 전극과 VscL 전압이 인가된 Y 전극 사이 및 VscL 전압이 인가된 Y 전극과 Ve 전압이 인가된 X 전극 사이에서 어드레스 방전이 일어나 Y 전극에 (+) 벽 전하, A 전극 및 X 전극에 각각 (-) 벽 전하가 형성된다. 여기서, VscL 전압은 Vnf 전압과 같거나 낮은 레벨로 설정될 수 있다. 그리고 VscL 전압이 인가되지 않는 Y 전극에는 VscL 전압보다 높은 VscH 전압이 인가되고, 선택되지 않는 방전 셀의 A 전극에는 기준 전압이 인가된다.

한편, 어드레스 기간에서 이러한 동작을 수행하기 위해, 주사 전극 구동부(400)는 Y 전극(Y1∼Yn) 중 VscL 전압을 가지는 주사 펄스가 인가될 Y 전극을 선택한다. 예를 들어, 싱글 구동에서는 수직 방향으로 배열된 순서대로 Y 전극을 선 택할 수 있다. 그리고 하나의 Y 전극이 선택되는 경우, 어드레스 전극 구동부(300)는 해당 Y 전극에 의해 형성된 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 선택한다. 즉, 어드레스 전극 구동부(300)는 A 전극(A1∼Am) 중 Va 전압의 어드레스 펄스가 인가될 셀을 선택한다.

유지 기간에서는 Y 전극과 X 전극에 하이 레벨 전압(도 2에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 2에서는 0V)을 가지는 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가되어 켜질 방전 셀의 Y 전극과 X 전극 사이에서 유지 방전이 일어난다. 이후, Y 전극과 X 전극에 유지 방전 펄스를 인가하는 과정을 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복된다.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로를 나타낸 도면이다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로는 유지 구동부(410), 리셋 구동부(420), 주사 구동부(430), 트랜지스터(Ynp), 게이트 드라이버(440), 저항(R1), 커패시터(C1), 다이오드(D1) 및 커패시터(C4)를 포함한다.

유지 구동부(410)는 트랜지스터(Ys, Yg)를 포함하며, 유지 기간에서 Y 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 가지는 유지 방전 펄스를 인가한다. Vs 전압을 공급하는 전원(Vs)에 드레인이 연결된 트랜지스터(Ys)의 소스가 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 연결되어 있고, 0V 전압을 공급하는 접지단(0)에 소스가 연결된 트랜지스터(Yg)의 드레인이 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 연결되어 있다.

리셋 구동부(420)는 트랜지스터(Yrr, Yfr), 제너 다이오드(ZD) 및 다이오 드(Dset)를 포함하며, 리셋 기간의 상승기간에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시키고, 리셋 기간의 하강 기간에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. Vset 전압을 공급하는 전원(Vset)에 드레인이 연결된 트랜지스터(Yrr)의 소스가 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Yrr)의 바디 다이오드로 인한 전류를 차단하기 위해 트랜지스터(Yrr)의 바디 다이오드와 반대 방향으로 다이오드(Dset)가 형성되어 있다. 그리고 트랜지스터(Yfr)는 VscL 전압을 공급하는 전원(VscL)과 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극 사이에 연결되어 있다. 이때, 도 2의 구동 파형에서 Vnf 전압이 VscL 전압보다 높게 형성되어 있으므로, 트랜지스터(Yfr)의 드레인에 제너 다이어드(ZD)의 애노드가 연결되어 있고 Y 전극에 제너 다이오드(ZD)의 캐소드가 연결되어 있다. 여기서, Vnf 전압은 VscL 전압보다 항복 전압만큼 높인 전압으로 가정하였다.

주사 구동부(430)는 주사 회로(431), 다이오드(DscH), 커패시터(CscH) 및 트랜지스터(YscL)를 포함한다.

주사 회로(431)는 제1 입력단과 제2 입력단을 가지며, 출력단이 Y 전극에 연결되어 있으며 어드레스 기간에서 켜질 셀을 선택하기 위해 제1 입력단의 전압과 제2 입력단의 전압을 대응하는 Y 전극에 선택적으로 인가한다. 도 4에서는 하나의 Y 전극에 연결되어 있는 하나의 주사 회로(431)를 도시하였지만, 복수의 Y 전극(Y1~Yn)에 각각 연결되어 있는 복수의 주사 회로(431)가 존재한다. 그리고 일정 개수의 주사 회로가 하나의 주사 집적 회로(integrated circuit, IC)로 형성되어, 주사 집적 회로의 복수의 출력단이 일정 개수의 Y 전극에 각각 연결될 수도 있다. 이때, 주사 집적 회로에는 일정 개수의 주사 회로 이외에 주사 회로에 순차적으로 제어 신호를 출력하기 위한 시트프 레지스터(도시하지 않음) 등이 형성되어 있다.

주사 회로(431)는 트랜지스터(Sch, Scl)를 포함한다. 트랜지스터(Sch)의 소스와 트랜지스터(Scl)의 드레인은 각각 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 연결되어 있다. VscH 전압을 공급하는 전원(VscH)에 다이오드(DscH)의 애노드가 연결되어 있고 주사 회로(431)의 제1 입력단에 다이오드(DscH)의 캐소드가 연결되어 있다. 다이오드(DscH)의 캐소드에 커패시터(CscH)의 제1단이 연결되어 있고 주사 회로(431)의 제2 입력단에 커패시터(CscH)의 제2단이 연결되어 있다. 이때, 트랜지스터(YscL)가 턴온되어 커패시터(CscH)에는 (VscH-VscL) 전압이 충전된다. 그리고 트랜지스터(YscL)는 전원(VscL)과 주사 회로(431)의 제2 입력단 사이에 연결되어 있다. 이러한 주사 회로(431)에서는 트랜지스터(YscL)의 드레인이 기준 전원이 된다. 즉, 트랜지스터(YscL)의 드레인 전압을 기준 전압으로 주사 회로(431)의 다른 전압이 결정된다.

그리고 주사 회로(431)의 트랜지스터(Scl, Sch)의 게이트에 제어 신호를 공급하기 위해서는 시프트 레지스터 등에서 제어 신호를 생성하기 위한 구동 전압이 필요하다. 주사 회로(431)로 구동 전압을 공급하기 위해 전원(VCCF)과 주사 회로(431) 사이에 레귤레이터(432)가 연결되어 있다. 레귤레이터(432)는 입력단, 기준전압단 및 출력단을 가지며, 전원(VCCF)으로부터 VCCF 전압을 입력받아 주사 회로(431)의 구동 전압인 VDD 전압으로 변경하여 출력단을 통해 주사 회로(431)로 출력한다. 그리고 레귤레이터(432)의 입력단과 전원(VCCF)에 커패시터(C2)의 제1단이 연결되어 있고 레귤레이터(432)의 기준 전압단이 주사 회로(431)의 제2 입력단에 연결되어 있다. 이때, 커패시터(C2, C3)의 전압은 주사 회로(431)의 전압을 생성하는데 사용되므로, 커패시터(C2, C3)의 제2단이 주사 회로(431)의 기준 전원, 즉 트랜지스터(YscL)의 드레인에 연결되어 있다. 그리고 전원(VCCF)에 다이오드(D2)의 애노드가 연결되고 커패시터(C2)의 제1단에 다이오드(D2)의 캐소드가 연결되어 있으며 전원(VCCF)에 커패시터(C4)의 제1단이 연결되고 전원(VscL)에 커패시터(C4)의 제2단이 연결되어 있다. 따라서, 다이오드(D2)는 트랜지스터(YscL)가 턴온될 때 커패시터(C2)를 (VCCF-VscL) 전압으로 충전하는 충전 경로(②)를 형성하기 위함이며, 다이오드(D2) 대신에 충전 경로를 형성할 수 있는 다른 소자(예를 들어, 트랜지스터)를 사용할 수도 있다. 이때, 레귤레이터(432)가 커패시터(C2)에 충전된 (VCCF-VscL) 전압을 VDD 전압을 변경하여 커패시터(C3)에 충전한다. 이때, 커패시터(C2)에 충전된 (VCCF-VscL) 전압이 구동 전압(VDD)과 동일한 경우에는 레귤레이터(432) 및 커패시터(C3)를 제거할 수 있다.

트랜지스터(Ynp)는 트랜지스터(YscL)가 턴온될 때 접지단(0), 트랜지스터(Yg)의 바디 다이오드, 트랜지스터(YscL) 및 전원(VscL)으로 형성되는 전류 경로를 차단하기 위한 것으로, 드레인이 트랜지스터(Yg)의 드레인에 연결되어 있고 트랜지스터(YscL)의 드레인에 소스가 연결되어 있다.

이러한 트랜지스터(Ynp)를 구동하기 위해서 트랜지스터(Ynp)의 게이트와 소스 사이에 게이트 드라이버(440)가 연결되어 있다. 게이트 드라이버(440)는 출력단(OUT), 고전압단(VCC) 및 저전압단(VEE)을 포함하고 있으며, 고전압단(VCC)의 전압 또는 저전압단(VEE)의 전압을 출력단(OUT)을 통해 트랜지스터(Ynp)의 게이트에 인가한다. 이때, 트랜지스터(Ynp)는 드레인 전압과 소스 전압의 차가 (VCCF-VScL) 전압 이상이 되어야 트랜지스터(Ynp)가 턴온된다. 이러한 동작을 위해 게이트 드라이버(440)의 고전압단(VCC)에 커패시터(C1)의 일단이 연결되어 있고 게이트 드라이버(440)의 저전압단(VEE)에 커패시터(C1)의 타단이 연결되어 있다. 그리고 커패시터(C1)의 일단은 VCCF 전압을 공급하는 전원(VCCF)과 연결되어 있으며 커패시터(C1)의 타단은 트랜지스터(Ynp)의 소스에 연결되어 있다. 또한 전원(VCCF)에 다이오드(D1)의 애노드가 연결되고 커패시터(C1)의 일단에 다이오드(D1)의 캐소드가 연결되어 있다. 다이오드(D1)는 트랜지스터(YscL)가 턴온될 때 커패시터(C1)를 (VCCF-VscL) 전압으로 충전하는 충전 경로(①)를 형성하기 위함이며, 다이오드(D1) 대신에 충전 경로를 형성할 수 있는 다른 소자(예를 들어, 트랜지스터)를 사용할 수도 있다. 그리고 게이트 드라이버(440)의 출력단(OUT)과 트랜지스터(Ynp)의 게이트 사이에 저항(R1)이 연결되어 있다.

즉, 커패시터(C1)에는 (VCCF-VscL) 전압이 충전되어 있으므로 고전압단(VCC)의 전압은 항상 저전압단(VEE)의 전압보다 (VCCF-VscL) 전압만큼 높게 되어 있다. 따라서, 트랜지스터(Ynp)의 게이트로 고전압단(VCC)의 전압이 인가되면 트랜지스터(Ynp)가 턴온되며, 트랜지스터(Ynp)의 게이트로 저전압단(VEE)의 전압이 인가되면 트랜지스터(Ynp)는 턴오프된다.

한편, 도 3의 구동 회로를 보면, 트랜지스터(Ynp) 및 주사 회로(431)를 구동하기 위한 구동 전압을 각각 공급하기 위해서는 커패시터(C1, C2) 및 다이오드(D1, D2)가 필요하다. 그러나 본 발명의 제1 실시 예에 따른 구동 회로와 달리 하나의 커패시터(C1) 및 다이오드(D1)를 이용하여 트랜지스터(Ynp) 및 주사 회로(431)를 모두 구동할 수가 있다. 아래에서는 이러한 실시 예에 대해서 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로를 나타낸 도면이다.

도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로에서는 레귤레이터(432)의 입력단이 각각 커패시터(C1)의 제1단에 연결되고 레귤레이터(432)의 기준 전압단이 커패시터(C1)의 제2단에 연결되어 있다. 이렇게 하여도 커패시터(C1)에 충전된 (VCCF-VscL) 전압이 레귤레이터(432)의 입력단으로 입력되므로 커패시터(C2) 및 다이오드(D2)를 제거할 수 있다. 이로 인해 제1 실시 예에 따른 구동 회로보다 회로 소자가 더 간단해지며 이로 인해 회로 단가가 줄어든다.

그리고 제2 실시 예에서도 주사 회로(431)의 구동 전압(VDD)이 (VCCF-VscL) 전압과 동일하면 레귤레이터(432)와 커패시터(C3)를 제거할 수 있다. 즉, 커패시터(C1)의 제1단 전압이 주사 회로(431)의 구동 전압으로 인가된다.

이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명 의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 트랜지스터와 주사 회로에 구동 전원을 공급하기 위해 필요한 커패시터 및 다이오드의 개수를 줄일 수 있다. 이로 인해 플라즈마 표시 장치의 단가를 줄일 수 있는 효과가 있다.

Claims

복수의 제1 전극,

제1 및 제2 입력단을 가지며, 복수의 제1 출력단이 상기 복수의 제1 전극에 각각 연결되어 있으며, 어드레스 기간 동안 상기 제2 입력단의 전압을 상기 복수의 제1 전극 중 대응하는 제1 전극에 선택적으로 인가하는 주사 집적 회로,

제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 있는 제1 트랜지스터,

상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 입력단 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터,

제2 출력단이 상기 제2 트랜지스터의 게이트에 연결되고 제1 노드가 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 연결되며 제2 노드가 상기 제2 트랜지스터의 소스 및 상기 제2 입력단에 연결되어 있는 게이트 드라이버,

제1단이 상기 제1 노드에 연결되고 제2단이 상기 제2 노드에 연결되어 있는 제1 커패시터,

제3 입력단이 상기 제1 커패시터의 제1단에 연결되고 제3 출력단이 상기 주사 집적 회로에 연결되며, 상기 제1 커패시터에 충전되는 전압을 제3 전압으로 변경하여 상기 제3 출력단으로 출력하는 레귤레이터, 그리고

상기 레귤레이터의 제3 출력단과 상기 제2 입력단 사이에 연결되어 있는 제2 커패시터를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 주사 집적 회로의 제2 입력단과 상기 어드레스 기간에서 상기 복수의 제1 전극에 순차적으로 인가되는 주사 전압을 공급하는 제3 전원 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터, 그리고

상기 제3 트랜지스터가 턴온될 때 상기 제1 커패시터를 충전하는 충전 경로를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 레귤레이터가 상기 제1 커패시터에 충전되는 전압을 변경하여 상기 제2 커패시터를 상기 제3 전압으로 충전하는 플라즈마 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 충전 경로는,

상기 제2 전원에 애노드가 연결되고 상기 제1 커패시터의 제1단에 캐소드가 연결되어 있는 다이오드를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제3 전압은 상기 주사 집적 회로의 구동 전압으로 공급되는 플라즈마 표시 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 주사 전압이 상기 제1 전압보다 낮은 플라즈마 표시 장치.
주사 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치에 있어서,

상기 주사 전극에 제1단이 연결되어 있는 제1 트랜지스터,

제1 전압을 공급하는 제1 전원에 연결되어 있는 제1단, 상기 제1 트랜지스터의 제1단에 연결되어 있는 제2단 및 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는 제1 출력단을 포함하며, 상기 제1 출력단으로 상기 제1단의 전압 및 상기 제2단의 전압을 선택적으로 출력하는 게이트 드라이버,

상기 게이트 드라이버의 제1단과 상기 게이트 드라이버의 제2단 사이에 연결되어 있는 제1 커패시터, 그리고

상기 제1 커패시터에 충전되어 있는 전압을 이용하여 구동되며, 상기 제1 트랜지스터의 제1단에 연결되어 있는 입력단 및 상기 주사 전극에 연결되어 있는 제2 출력단을 가지며, 상기 제2 출력단으로 입력단의 전압을 선택적으로 출력하는 주사 회로

를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
제7항에 있어서,

상기 입력단이 상기 제1 커패시터에 연결되어 있고, 상기 제1 전압을 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압으로 변경하여 상기 복수의 주사 회로로 공급하는 레귤레이터를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
제8항에 있어서,

상기 레귤레이터의 제1 출력단과 상기 복수의 주사 회로의 입력단에 연결되어 상기 제2 전압을 충전하는 제2 커패시터를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,

제3 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 복수의 주사 회로의 입력단 사이에 연결되어 있는 제2 트랜지스터를 더 포함하며,

상기 제1 커패시터는 상기 제2 트랜지스터가 턴온될 때 충전되는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
제10항에 있어서,

상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에 연결되어 있는 제3 커패시터를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
제10항에 있어서,

제4 전압을 공급하는 제3 전원과 상기 제1 트랜지스터의 제2단 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터를 더 포함하며,

상기 제3 전압이 상기 제4 전압보다 낮은 전압인 플라즈마 표시 장치의 구동 장치.
전극, 출력단이 상기 전극에 연결되어 있는 주사 집적 회로를 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,

상기 주사 집적 회로의 입력단에 제1단이 연결되어 있는 커패시터를 제1 전압으로 충전하는 단계,

어드레스 기간 동안 상기 커패시터의 제2단의 전압에 기초하여 상기 주사 집적 회로를 구동하는 단계, 그리고

유지 기간 동안 상기 커패시터의 제2단의 전압과 상기 커패시터의 제1단의 전압을 이용하여 상기 주사 집적 회로의 입력단에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터를 턴온하는 단계

를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
제13항에 있어서,

상기 주사 집적 회로를 구동하는 단계는,

상기 제1 전압을 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압으로 변경하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
제13항에 있어서,

상기 트랜지스터의 드레인은 상기 유지 기간 동안 상기 전극에 유지 방전 펄스를 공급하는 유지 구동부에 연결되어 있는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.