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KR100698678B1 - 발광 표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

발광 표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR100698678B1
KR100698678B1 KR1020040097585A KR20040097585A KR100698678B1 KR 100698678 B1 KR100698678 B1 KR 100698678B1 KR 1020040097585 A KR1020040097585 A KR 1020040097585A KR 20040097585 A KR20040097585 A KR 20040097585A KR 100698678 B1 KR100698678 B1 KR 100698678B1
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최상무
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은 패널을 크기를 줄일 수 있도록 한 발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 발광 표시장치는 기판과; 상기 기판의 화상 표시부 영역에 형성되어 주사선들, 데이터선들 및 화소 전원선들과 접속되도록 위치되고, 발광소자를 포함하는 복수의 화소와; 주사 구동제어신호에 대응하여 상기 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와; 상기 화소 전원선들과 접속되어 상기 화소 전원선들로 제 1전원을 공급하기 위한 제 1전원선과; 외부로부터 상기 제 1전원 및 주사 구동제어신호를 공급받는 패드부와; 상기 주사 구동부와 중첩되게 위치되어 상기 패드부와 상기 제 1전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선을 구비한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명에서는 패널의 크기를 줄일 수 있다.

Description

발광 표시장치 및 그의 제조방법{Light Emitting Display and Fabricating Method Thereof}
도 1은 종래의 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 "Ⅰ-Ⅰ'"을 절취하여 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 "Ⅱ-Ⅱ'"를 절취하여 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,110 : 기판 11,13,15,17,111,113,115,117 : 절연층
12,112 : 반도체 활성층 14,114 : 게이트전극
16,19,116,119,156 : 금속물질 18,118 : 평탄화층
20,120 : 화상 표시부 21,121 : 화소
30,130 : 주사 구동부 40,40 : 데이터 구동부
50,150 : 제 1전원선 52,152 : 캐소드전극
60,160 : 패드부 153 : 제 2전원선
154,170 : 콘택부 155,157 : 콘택홀
172 : 제 3전원선
본 발명은 발광 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 패널을 크기를 줄일 수 있도록 한 발광 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.
평판표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 자발광소자이다. 이러한, 발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다. 일반적인 발광 표시장치는 화소마다 형성되는 적어도 하나의 트랜지스터를 이용하여 데이터신호에 대응되는 전류를 발광소자로 공급함으로써 발광소자에서 빛이 발광되게 한다.
도 1은 종래의 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발광 표시장치는 기판(10)과, 기판(10)에 형성되며 데이터선들(D), 주사선들(S) 및 화소 전원선들(VDD)에 의해 정의되는 복수의 화소(21)를 포함하는 화상 표시부(20)와, 화소 전원선들(VDD)과 접속되는 제 1전원선(50)과, 데이터선들(D)을 구동하기 위한 데이터 구동부(40)와, 주사선들(S)을 구동하기 위한 주사 구동부(30)를 구비한다.
그리고, 종래의 발광 표시장치는 화상 표시부(20)의 전면에 배치되는 캐소드전극(52)과, 소정의 구동신호를 공급받는 패드부(60)를 더 구비한다.
주사 구동부(30)는 화상 표시부(20)의 일측에 배치되어 패드부(60)에 포함된 제 1패드들(PS)과 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 1패드들(PS)은 외부의 구동부로부터 주사 구동제어신호들을 공급받는다. 제 1패드들(PS)과 접속된 주사 구동부(30)는 주사 구동제어신호에 대응하여 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S)로 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(40)는 데이터선(D) 및 패드부(60)에 포함된 제 2패드들(Pd)과 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 2패드들(Pd)은 외부의 구동부로부터 데이터 구동제어신호들을 공급받는다. 제 2패드들(Pd)과 접속된 데이터 구동부(40)는 데이터 구동제어신호에 대응하여 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 데이터선들(D)로 공급한다. 이와 같은 데이터 구동부(40)는 기판(10) 상에 직접 형성되거나, 칩 형태로 제작되어 기판(10) 상에 실장될 수 있다. 여기서, 칩 형태의 데이터 구동부(40)는 칩 온 글라스(Chip On Glass)법, 와이어 본딩법, 플리칩법 및 빔리드법 등에 의해 기판(10) 상에 실장될 수 있다.
캐소드 전극(52)은 화상 표시부(20)의 전면에 형성된다. 이러한, 캐소드 전극(52)은 패드부(60)의 제 3패드들(Pvss)와 전기적으로 접속되어 제 3패드들(Pvss)로부터 제 2전원을 공급받는다. 제 2전원을 공급받은 캐소드 전극(52)은 제 2전원의 전압을 각각의 화소들(21)로 공통적으로 공급한다.
제 1전원선(50)은 표시부(20)의 상측 및 주사 구동부(30)와 인접되도록 형성된다. 이와 같은 제 1전원선(50)은 패드부(60)의 제 4패드들(PVdd)과 전기적으로 접속되어 제 4패드들(Pvdd)로부터 제 1전원을 공급받는다. 제 1전원을 공급받은 제 1전원선(50)은 제 1전원의 전압을 화소 전원선들(VDD)로 공급한다. 그러면, 화소 전원선들(VDD)은 제 1전원선(50)으로부터 공급되는 제 1전원의 전압을 각각의 화소(21)로 공급한다.
화상 표시부(20)에 포함되는 화소(21)들 각각은 주사선(S)으로 주사신호가 공급될 때 데이터선(D)으로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 화상을 표시한다. 이를 위해, 화소들(21) 각각에는 도시되지 않는 발광소자를 구비한다. 실제로, 화소들(21)은 데이터신호가 공급될 때 제 1전원으로부터 발광소자를 경유하여 제 2전원으로 흐르는 전류량을 제어하기 위한 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터는 데이터신호에 대응하여 제 1전원으로부터 발광소자로 흐르는 전류량을 제어하면서 발광소자의 휘도를 제어한다.
도 2는 도 1에 도시된 "Ⅰ-Ⅰ'"을 절취하여 나타내는 단면도이다. 주사 구동부(30)에는 다수의 트랜지스터들이 포함되지만, 도 2에서는 설명의 편의성을 위 하여 주사 구동부(30)에 포함된 하나의 트랜지스터만을 도시하기로 한다.
도 2를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 제 1절연층(11)(또는 버퍼층)이 형성된다. 기판(10)은 투명물질, 예를 들면 글라스 등으로 선택된다. 제 1절연층(11)은 절연물질, 예를 들면 산화막 등으로 형성된다. 기판(10)에 제 1절연층(11)이 형성된 후 제 1절연층(11) 상에 반도체 활성층(12)이 형성된다. 이때, 반도체 활성층(12)은 주사 구동부(30) 형성영역에 위치된다. 반도체 활성층(12)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 열처리하여 얻어진 폴리실리콘(polycrystalline silicon) 등으로 형성된다. 반도체 활성층(12)이 형성된 후 제 1절연층(11) 및 반도체 활성층(12) 상에 제 2절연층(13)(게이트 절연층)이 형성된다. 제 2절연층(13)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등의 물질로 형성될 수 있다.
제 2절연층(13)이 형성된 후 제 2절연층(13) 상에 반도체 활성층(12)과 중첩되도록 게이트전극(14)이 형성된다. 게이트전극(14)은 전도체, 예를 들면 Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 게이트전극(14)이 형성된 후 게이트전극(14) 및 제 2절연층(13)을 덮도록 제 3절연층(15)(층간 절연물)이 형성된다. 이후, 반도체 활성층(12)이 노출되도록 제 3절연층(15) 및 제 2절연층(13)에 콘택홀이 형성된다.
콘택홀들이 형성된 후 제 3절연층(15) 상에 소정패턴으로 제 1금속물질(16)이 형성된다. 여기서, 주사 구동부(30) 영역에 형성되는 제 1금속물질(16)은 반도체 활성층(12)에 접속되어 소오스전극 및 드레인전극으로 이용된다. 그리고, 제 1전원선(50) 형성영역에 위치되는 제 1금속물질(16)은 제 1전원선(50)으로 이용된 다.
제 3절연층(15) 상에 제 1금속물질(16)이 형성된 후 제 1금속물질(16) 상에 제 4절연층(17)(패시베이션층)이 형성된다. 그리고, 제 4절연층(17) 상에 평탄화층(18)이 형성된다. 이후, 평탄화층(18) 상에 제 2금속물질(19)이 형성된다. 여기서, 제 2금속물질(19)은 주사 구동부(30) 및 제 1전원선(50)과 중첩되지 않도록 위치되어 캐소드전극(52)으로 이용된다.
이와 같은 종래의 발광 표시장치에서는 도 1 및 도 2에 기재된 바와 같이 주사 구동부(30) 및 제 1전원선(50)이 서로 다른 영역에 위치된다. 이와 같이 주사 구동부(30) 및 제 1전원선(50)이 서로 다른 영역에 형성되면 패널의 크기가 커지는 문제점이 발생된다. 그리고 패널의 크기가 커지게 되면 추가적인 제조비용이 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은 패널을 크기를 줄일 수 있도록 한 발광 표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1측면은 기판과; 상기 기판의 화상 표시부 영역에 형성되어 주사선들, 데이터선들 및 화소 전원선들과 접속되도록 위치되고, 발광소자를 포함하는 복수의 화소와; 주사 구동제어신호에 대응하여 상기 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와; 상기 화소 전원선들과 접속되어 상기 화소 전원선들로 제 1전원을 공급하기 위한 제 1전원선과; 외부로부터 상기 제 1전원 및 주사 구동제어신호를 공급받는 패드부와; 상기 주사 구동부와 중첩되게 위치되어 상기 패드부와 상기 제 1전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선을 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 주사 구동부는 게이트전극, 소오스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터를 구비하고, 상기 제 2전원선은 상기 소오스전극 및 드레인전극과 다른층에 형성된다.
본 발명의 제 2측면은 주사 구동부 형성영역에 게이트전극, 소오스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 소오스전극 및 드레인전극이 형성될 때 화소 전원선들과 접속되도록 제 1전원선을 형성하는 단계와; 상기 주사 구동부 형성영역에 형성되고, 상기 제 1전원선과 다른층에 위치되어 패드부와 상기 제 1전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
바람직하게, 상기 제 2전원선을 형성하는 단계는 상기 제 1전원선, 드레인전극 및 소오스전극을 덮도록 절연층이 형성되는 단계와, 상기 제 1전원선이 노출되도록 제 1콘택홀이 형성되는 단계와, 상기 제 1콘택홀을 통하여 상기 제 1전원선과 접속되도록 애노드전극과 동시에 금속물질을 형성하는 단계와, 상기 금속물질 및 절연층을 덮도록 평탄화층이 형성되는 단계와, 상기 평탄화층이 노출되도록 제 2콘택홀이 형성되는 단계와, 상기 제 2콘택홀을 경유하여 상기 금속물질과 접속되도록 상기 제 2전원선이 형성되는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 첨부된 도 3 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치는 기판(110)과, 기판(110)에 형성되며 데이터선들(D), 주사선들(S) 및 화소 전원선들(VDD)에 의해 정의되는 복수의 화소(121)를 포함하는 화상 표시부(120)와, 화소 전원선들(VDD)과 접속되는 제 1전원선(150)과, 데이터선들(D)을 구동하기 위한 데이터 구동부(140)와, 주사선들(S)을 구동하기 위한 주사 구동부(130)와, 주사 구동부(130)와 중첩되게 위치되어 제 1전원선(150)과 패드부(160)를 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선(153)을 구비한다.
그리고, 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치는 화상 표시부(120)의 전면에 배치되는 캐소드전극(152)과, 소정의 구동신호를 공급받는 패드부(160)를 더 구비한다.
주사 구동부(130)는 화상 표시부(120)의 일측에 배치되어 패드부(160)에 포함되는 제 1패드들(Ps)과 전기적으로 접속된다. 제 1패드들(Ps)은 외부로부터 공 급되는 주사 구동제어신호를 주사 구동부(130)로 공급한다. 주사 구동제어신호를 공급받은 주사 구동부(130)는 주사신호를 생성하고, 생성된 주사신호를 주사선들(S)로 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(140)는 데이터선(D) 및 패드부(160)에 포함된 제 2패드들(Pd)과 전기적으로 접속된다. 제 2패드들(Pd)은 외부로부터 데이터 구동제어신호를 데이터 구동부(140)로 공급한다. 데이터 구동제어신호를 공급받은 데이터 구동부(140)는 데이터신호를 생성하고, 생성된 데이터신호를 데이터선들(D)로 공급한다. 이와 같은 데이터 구동부(140)는 기판(110) 상에 직접 형성되거나, 칩 형태로 제작되어 기판(110) 상에 실장될 수 있다. 여기서, 칩 형태의 데이터 구동부(140)는 칩온 글라스(Chip On Glass)법, 와이어 본딩법, 플리칩법 및 빔리드법 등에 의해 기판(110) 상에 실장될 수 있다.
캐소드 전극(152)은 화상 표시부(120)의 전면에 형성된다. 이와 같은, 캐소드 전극(152)은 패드부(160)의 제 3패드들(Pvss)과 전기적으로 접속되어 제 3패드들(Pvss)로부터 제 2전원을 공급받는다. 제 2전원을 공급받은 캐소드 전극(152)은 제 2전원의 전압을 각각의 화소들(121)로 공통적으로 공급한다.
제 1전원선(150)은 화상 표시부(120)의 상측에 형성되어 화소 전원선들(VDD)과 접속된다. 이를 위하여, 제 1전원선(150)들은 화소 전원선들(VDD)과 동일층에 형성된다. 제 1전원선(150)은 제 2전원선(153)으로부터 공급되는 제 1전원을 화소 전원선들(VDD)로 공급한다. 그러면, 화소 전원선들(VDD)은 제 1전원선(150)으로부터 공급되는 제 1전원의 전압을 각각의 화소들(121)로 공급한다.
제 2전원선(153)은 주사 구동부(130)와 중첩되게 위치되어 제 1전원선(150) 및 패드부(160)의 제 4패드들(Pvdd)을 전기적으로 접속시킨다. 여기서, 제 2전원선(153)은 주사 구동부(130)와 중첩되게 위치되기 위하여 제 1전원선(150)과 상이한 층에 형성된다. 즉, 제 1전원선(150) 및 제 2전원선(154)은 서로 상이한 층에 형성되고, 콘택부(154)에 의하여 전기적으로 접촉된다.
화상 표시부(120)에 포함되는 화소(121)들 각각은 주사선(S)으로 주사신호가 공급될 때 데이터선(D)으로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 화상을 표시한다. 이를 위해, 화소들(121) 각각은 도시되지 않은 발광소자를 구비한다. 실제로, 화소들(121)은 데이터신호가 공급될 때 제 1전원으로부터 발광소자를 경유하여 제 2전원으로 흐르는 전류량을 제어하기 위하여 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한다. 트랜지스터는 데이터신호에 대응하여 제 1전원으로부터 발광소자로 흐르는 전류량을 제어하면서 발광소자의 휘도를 제어한다.
도 4는 도 3에 도시된 "Ⅱ-Ⅱ'"를 절취하여 나타내는 단면도이다. 주사 구동부(130)에는 다수의 트랜지스터들이 포함되지만, 도 4에서는 설명의 편의성을 위하여 주사 구동부(130)에 포함된 하나의 트랜지스터만을 도시하기로 한다.
도 4를 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 제 1절연층(111)(또는 버퍼층)이 형성된다. 기판(110)은 투명물질, 예를 들면 글라스 등으로 선택된다. 제 1절연층(111)은 절연물질, 예를 들면 산화막 등으로 형성된다. 기판(110)에 제 1절연층(111)이 형성된 후 제 1절연층(111) 상에 반도체 활성층(112)이 형성된다.
반도체 활성층(112)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 열처리하여 얻어진 폴리실리콘(polycrystalline silicon) 등으로 형성된다. 반도체 활성층(112)이 형성된 후 제 1절연층(111) 및 반도체 활성층(112) 상에 제 2절연층(113)(게이트 절연층)이 형성된다. 제 2절연층(113)은 절연물질, 예를 들면SiO2 등의 물질로 형성될 수 있다.
제 2절연층(113)이 형성된 후 제 2절연층(113) 상에 반도체 활성층(112)과 중첩되도록 게이트전극(114)이 형성된다. 게이트전극(114)은 전도체, 예를 들면 Al, Mow, Al/Cu 등으로 형성된다. 게이트전극(114)이 형성된 후 게이트전극(114) 및 제 2절연층(113)을 덮도록 제 3절연층(115)(층간 절연물)이 형성된다. 이후, 반도체 활성층(112)이 노출되도록 제 3절연층(115) 및 제 2절연층(113)에 콘택홀이 형성된다.
콘택홀들이 형성된 후 3절연층(115) 상에 소정패턴으로 제 1금속물질(116)이 형성된다. 여기서, 반도체 활성층(112)과 접촉되는 제 1금속물질(116)들은 주사 구동부(130)에 포함되는 트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극으로 이용된다. 그리고, 반도체 활성층(112)과 중첩되지 않도록 위치되는 제 1금속물질(116)은 제 1전원선(150)으로 이용된다. 이와 같은 제 1전원선(150)은 화상 표시부(120)에 위치되는 화소 전원선들(VDD)과 동일물질로 동시에 형성되어 전기적으로 접속된다.
제 1금속물질(116)이 형성된 후 제 1금속물질(116) 상에 제 4절연층(117)(패시베이션층)이 형성된다. 제 4절연층(117)이 형성된 후 콘택부(154) 영역에 제 1 콘택홀(155)이 형성된다. 이와 같은 제 1콘택홀(155)은 콘택부(154) 영역에서 제 1전원선(150)을 이루는 제 1금속물질(116)과 중첩되게 위치된다.
제 4절연층(117)에 제 1콘택홀(155)이 형성된 후 제 1콘택홀(155)을 경유하여 제 1금속물질(116)과 중첩될 수 있도록 제 2금속물질(156)이 형성된다. 여기서, 제 2금속물질(156)은 화상 표시부(120)의 화소(121)에 형성되는 애노드전극(도시되지 않음)과 동일물질로 동시에 형성된다. 예컨데, 제 2금속물질(156)은 투명물질로 콘택부(154) 영역에서 제 1금속물질(116)과 전기적으로 접속되도록 형성된다.
제 2금속물질(156)이 형성된 후 제 2금속물질(156) 및 제 4절연층(117) 상에 평탄화층(118)이 형성된다. 평탄화층(118)이 형성된 후 제 2금속물질(156)이 노출되도록 콘택부(154) 영역에 제 2콘택홀(157)이 형성된다. 제 2금속물질(156)이 노출되도록 제 2콘택홀(157)이 형성된 후 제 3금속물질(119)이 형성된다. 여기서, 화상 표시부(120) 영역에 위치되는 제 3금속물질(119)은 캐소드전극(152)으로 이용된다. 그리고, 제 1콘택홀(157)을 경유하여 제 2금속물질(156)과 접속되도록 위치되는 제 3금속물질(119)은 제 2전원선(153)으로 이용된다.
즉, 본 발명에서 제 2전원선(153)은 주사 구동부(130)에 포함되는 트랜지스터들과 서로 다른층에 형성됨과 동시에 서로 중첩되게 위치된다. 이와 같이 제 2전원선(153)과 주사 구동부(130)과 서로 중첩되도록 위치되면 제 2전원선(153)과 주사 구동부(130)가 중첩되는 면적에 대응하여 패널의 크기를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 패널의 크기를 최소화할 수 있다. 그리고, 패널의 크기가 최소 화되면 제조비용이 저감된다.
도 5는 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다. 도 5를 설명할 때 도 3에 도시된 본 발명의 제 1실시예와 동일한 구성은 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치는 화상 표시부(120)의 상측에 형성되는 제 1전원선(150)과, 주사 구동부(130)와 중첩되게 위치되어 제 1콘택부(154)에 의하여 제 1전원선(150)과 전기적으로 접속되는 제 2전원선(153)과, 패드부(160)의 제 4패드들(Pvdd)과 전기적으로 접속되며 제 2콘택부(170)에 의하여 제 2전원선(153)과 전기적으로 접속되는 제 3전원선(172)을 구비한다.
제 3전원선(172)은 패드부(160)의 제 4패드들(Pvdd)과 전기적으로 접속되어 제 4패드들(Pvdd)로부터 제 1전원을 공급받는다. 제 3전원선(172)은 도 4에 도시된 제 1금속물질(116)과 동일층에 동일한 물질로 형성된다. 이와 같은 제 3전원선(172)은 자신과 다른 층에 형성되는 제 2전원선(153)과 제 2콘택부(170)에 의하여 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 2콘택부(170)의 구성은 도 4에 도시된 제 1콘택부(154)의 구성과 동일하게 형성된다. 다시 말하여, 제 3전원선(172)과 제 2전원선(153)은 제 1콘택홀(155), 제 2금속물질(156) 및 제 2콘택홀(157)를 가지는 제 2콘택부(170)에 의하여 전기적으로 접속된다.
제 2전원선(153)은 주사 구동부(130)와 중첩되게 위치된다. 다시 말하여, 제 2전원선(153)은 도 4와 같이 주사 구동부(130)에 포함되어 트랜지스터의 소오스 및 게이트전극을 이루는 제 1금속물질(116)과 서로 다른 층에 형성된다. 따라서, 제 2전원선(153)은 주사 구동부(130)와 전기적으로 접촉되지 않으면서 서로 중첩되게 위치된다. 이와 같은 제 2전원선(153)은 자신과 다른 층에 형성되는 제 1전원선(150)과 제 1콘택부(154)에 의하여 전기적으로 접속된다. 제 1콘택부(154)는 도 4에 도시된 바와 같이 제 1콘택홀(155), 제 2금속물질(156) 및 제 2콘택홀(157)을 포함한다.
제 1전원선(150)은 화상 표시부(120)의 상츠에 형성되어 화소 전원선들(VDD)과 전기적으로 접속된다. 실제로, 제 1전원선(150) 및 화소 전원선들(VDD)은 도 4에 도시된 제 1금속물질(116)로 형성되며, 서로 전기적으로 접속된다. 제 1전원선(150)은 제 3전원선(172) 및 제 2전원선(153)을 경유하여 공급되는 제 1전원의 전압을 화소 전원선들(VDD)로 고급한다. 그러면, 화소 전원선들(VDD)은 제 1전원의 전압을 각각의 화소들(121)로 공급한다.
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 의한 발광 표시장치를 나타내는 도면이다. 도 6을 설명할 때 도 3에 도시된 본 발명의 제 1실시예와 동일한 구성은 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 3실시예에 의한 발광 표시장치에서 제 1전원선(150)은 화상 표시부(120)의 상측과 좌측면에 형성된다. 즉, 본 발명의 제 3실시예에서 제 1전원선(150)은 화상 표시부(120)에서 패드부(160)의 대향면과 제 2전 원선(153)의 대향면에 형성된다.
이 경우, 제 1전원선(150)은 제 1전원선(153)을 경유하여 제 1전원을 공급받음과 동시에 패드부(160)에 형성된 제 4패드들(Pvdd)로부터 제 1전원을 공급받는다. 그러면, 화상 표시부(120)의 상측에 형성된 제 1전원선(150)으로는 양측으로부터 제 1전원이 공급된다. 이와 같이 화상 표시부(120)의 상측에 형성된 제 1전원선(150)의 양측으로 제 1전원이 공급되면 제 1전원의 전압강하의 불일치에 의한 휘도 불균일 현상을 방지할 수 있다.
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치 및 그의 제조방법에 의하면 서로 대향되게 위치되는 제 1전원선과 패드부를 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선이 주사 구동부와 중첩되게 형성된다. 이와 같이 제 2전원선이 주사 구동부와 중첩되게 형성되면 패널의 크기를 줄일 수 있다. 그리고, 패널의 크기가 줄어들면 제조비용이 저감된다.

Claims (11)

  1. 기판과;
    상기 기판의 화상 표시부 영역에 형성되어 주사선들, 데이터선들 및 화소 전원선들과 접속되도록 위치되고, 발광소자를 포함하는 복수의 화소와;
    주사 구동제어신호에 대응하여 상기 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와;
    상기 화소 전원선들과 접속되어 상기 화소 전원선들로 제 1전원을 공급하기 위한 제 1전원선과;
    외부로부터 상기 제 1전원 및 주사 구동제어신호를 공급받는 패드부와;
    상기 주사 구동부와 중첩되게 위치되어 상기 패드부와 상기 제 1전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선을 구비하는 발광 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 주사 구동부는 게이트전극, 소오스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터를 구비하고, 상기 제 2전원선은 상기 소오스전극 및 드레인전극과 다른층에 형성되는 발광 표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 발광소자는 애노드전극 및 캐소드전극의 사이에 위치되는 유기층을 포함하며, 상기 제 2전원선은 상기 캐소드전극과 동일층에 형성되는 발광 표시장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1전원선은 상기 소오스전극 및 드레인전극과 동일층에 형성되는 발광 표시장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 패드부와 상기 제 2전원선 사이에 설치되어 상기 패드부와 상기 제 2전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 3전원선을 더 구비하는 발광 표시장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 3전원선은 상기 제 1전원선과 동일층에 형성되는 발광 표시장치.
  7. 주사 구동부 형성영역에 게이트전극, 소오스전극 및 드레인전극을 포함하는 트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 소오스전극 및 드레인전극이 형성될 때 화소 전원선들과 접속되도록 제 1전원선을 형성하는 단계와;
    상기 주사 구동부 형성영역에 형성되고, 상기 제 1전원선과 다른층에 위치되어 패드부와 상기 제 1전원선을 전기적으로 접속시키기 위한 제 2전원선을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 2전원선을 형성하는 단계는
    상기 제 1전원선, 드레인전극 및 소오스전극을 덮도록 절연층이 형성되는 단계와,
    상기 제 1전원선이 노출되도록 제 1콘택홀이 형성되는 단계와,
    상기 제 1콘택홀을 통하여 상기 제 1전원선과 접속되도록 애노드전극과 동시에 금속물질을 형성하는 단계와,
    상기 금속물질 및 절연층을 덮도록 평탄화층이 형성되는 단계와,
    상기 평탄화층이 노출되도록 제 2콘택홀이 형성되는 단계와,
    상기 제 2콘택홀을 경유하여 상기 금속물질과 접속되도록 상기 제 2전원선이 형성되는 단계를 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제 2전원선은 화소마다 포함되는 발광소자의 캐소드전극과 동일층에 형 성되는 발광 표시장치의 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1전원선과 동일층에 위치되어 상기 제 2전원선과 상기 패드부를 전기적으로 접속시키기 위한 제 3전원선을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 표시장치의 제조방법.
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