KR100437429B1 - 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은, 전자재료의 습식(wet)세정에 있어서, 계면활성제를 사용하는 일없이, 금속오염 즉, 금속불순물이나 자연산화막과 함께, 미립자오염도 동시에 제거할 수 있는 전자재료용 세정수 및 이것을 사용하는 전자재료의 세정방법을 제공하는 것을 과제로한 것이며, 그 해결수단으로서, 불화수소및 수소가스, 불화수소 및 산소가스, 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 수소가스, 또는, 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 산소가스, 또는 불화수소, 과산화수소 및 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수와 이들 전자재료용 세정수에 초음파진동을 전달하면서 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 세정방법을 제공한다.
Description
본 발명은, 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은, 전자재료의 습식(wet)세정에 있어서, 계면활성제를 사용하는 일없이, 금속오염 즉, 금속불순물이나 자연산화막과 함께, 미립자오염도 동시에 제거할 수 있는 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판, 포토마스크용 석영기판 등의 세정은, 주로, 과산화수소수와 황산의 혼합액, 과산화수소수와 염산과 물의 혼합액, 과산화수소수와 암모니아수와 물의 혼합액등, 과산화수소를 베이스로하는 농후한 약액을 사용해서 고온에서 세정한 후에 초순수에 의해 헹구는, 소위 RCA세정법에 의해서 행하여져 왔다. RCA세정법은, 반도체표면의 금속분말을 제거하기 위해 유효한 방법이나, 동시에 반도체표면에 부착한 미립자도 제거된다. 그러나, 이와 같은 방법에서는, 과산화수소수, 고농도의 산, 알칼리 등을 다량으로 사용하기 때문에 약액코스트가 높고, 또 린스용의 초순수의 코스트, 폐액처리코스트, 약품증기를 배기하고 새로이 청정공기를 제조하는 공조(空調)코스트 등, 다대한 코스트가 소요된다. 이들 코스트를 저감하고, 또 물의 대량사용, 약물의 대량폐기, 배출가스의 방출과 같은 환경에의 부하저감을 도모하기 위하여, 최근 습식세정공정의 재평가가 진행되고 있다.
예를 들면, 실리콘표면의 자연산화막을 제거하는 공정에서는, 불화수소산계의 약액에 의한 실온(室溫)처리가 채용되고 있다. 특히, 실리콘웨이퍼의 세정에 있어서, 희박한 불화수소산에 의한 세정에 의해 마무리하는 소위 「불산라스트」세정이 많이 채용되고 있다. 불화수소산세정의 주목적은, 산화성의 약액처리공정이나 린스공정에서 발생하는, 혹은 정치(靜置)중에 발생하는 실리콘표면의 자연산화막의 제거에 있으나, 동시에 자연산화막속에 도입된 금속불순물도 제거할 수 있다. 그러나, 불화수소산세정에서는, 전자재료표면에 부착한 미립자를 제거할 수 없기때문에, 반드시 다른 세정공정, 예를 들면, 암모니아와 과산화수소를 함유하는 세정수에 의한 소위 APM세정등과 조합해서 사용할 필요가 있다. 또, 불화수소산에 의한 세정에서는, 세정액의 산화력에 한계가 있으며, 구리와 같은 산화환원전위가 높은 금속불순물을 완전히 제거하는 것은 곤란하다.
또, 종래의 RCA세정에 대신하는 세정으로서, 불화수소산과 염산을 혼합한 수용액에 의한 세정프로세스가 제안되고 있다. 즉, 불화수소산(50중량), 염산(35중량) 및 초순수를, 중량비 0.2:1:100의 비율로 혼합한 세정수를 사용하면, 실온에 있어서도, 철, 크롬, 니켈, 구리, 알루미늄 등의 금속을 효율좋게 제거할 수 있다. 또, 이때에 초순수로서, 용존산소가스농도가 낮은 초순수를 사용하거나, 불화수소산의 첨가량을 증가하면, 금속의 제거와 동시에 자연산화막을 제거할 수 있는 것이 알려져 있다. 그러나, 이 세정에 의해서도, 전자재료표면에 부착한 미립자를 제거할 수 없기 때문에, 반드시 다른 세정공정, 예를 들면, APM세정등과 조합시킬 필요가 있다.
또, 불화수소산과 질산을 혼합한 수용액을 사용해도, 금속제거에 높은 효과를 얻을 수 있으나, 이 세정액도 미립자를 제거하는 능력이 부족하고, AMP세정등과 조합해서 사용되고 있다.
이 때문에, 전자재료표면의 금속불순물이나 자연산화막을 제거하는 동시에, 표면에 부착한 미립자도 동시에 제거할 수 있는 전자재료용 세정수가 요구되고 있다.
또한, 상기 종래의 RCA세정에 대신하는 것으로서, 하기의 5스텝으로 이루어진 세정프로세스가 개발되고 있다.
스텝 1: 오존함유초순수를 사용해서, 전자재료표면으로부터, 유기물오염과 금속오염을 제거한다.
스텝 2: 불화수소, 과산화수소 및 계면활성제를 함유하는 초순수를 사용해서, 초음파를 전달하면서, 미립자오염과 스텝 1에서 잔류한 금속오염을 제거한다.
스텝 3: 오존함유초순수를 사용하고, 필요에 따라서 초음파를 전달하면서, 스텝 2에서 부착한 계면활성제를 제거한다.
스텝 4: 희불화수소산을 사용해서, 스텝 3에서 생성된 케미컬산화막을 제거한다.
스텝 5: 초순수를 사용해서, 초음파를 전달하면서, 최종적인 린스를 행한다.
상기 세정프로세스에 의하면, 희박한 약제수용액을 세정수로 하여, 모든 세정을 상온에서 행할 수 있으므로, 사용하는 약제와 에너지를 대폭적으로 삭감할 수 있다. 그러나, 세정에 5스텝을 필요로 하므로, 더욱 세정공정의 단축이 요구되고 있다.
본 발명은, 전자재료의 습식세정에 있어서, 금속불순물이나 자연산화막과 함께, 미립자오염도 동시에 제거할 수 있는 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것을 제 1의 목적으로 하고, 또 계면활성제를 사용하는 일없이, 전자재료의 표면에 부착한 금속오염과 미립자오염을 동시에 제거하여, 세정공정을 단축할 수 있는 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법을 제공하는 것을 제 2의 목적으로해서 이루어진 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 불화수소의 수용액 또는 불화수소와 염화수소 또는 질산의 수용액에 수소가스 또는 산소가스를 용해한 세정수가, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거하는동시에, 또 금속오염의 제거, 자연산화막의 제거, 완전수소종단(終端)의 달성등, 여러 가지의 세정기능을 발휘하는 것을 발견하고, 이 식견에 의거해서 상기 제 1의 목적을 달성하는 본 발명의 제 1의 발명을 완성하기에 이르렀다.
그리고 또 본 발명자들은, 상기의 스텝 2에 있어서의 계면활성제의 사용을 생략할 수 있다면, 스텝 3과 스텝 4는 불필요하게 되는 점에 착안하고, 예의 연구를 거듭한 결과, 불화수소와 과산화수소와 산소가스를 용해한 수용액에 의해, 전자재료의 표면의 미립자오염과 금속오염을 동시에 제거할 수 있는 것을 발견하고, 이 식견에 의거해서 상기 제 2의 목적을 달성하는 본 발명의 제 2의 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 상기 제 1의 목적을 달성하는 본 발명의 제 1의 발명은,
[1] 불화수소 및 수소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수
[2] 불화수소 및 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수
[3] 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 수소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수, 및,
[4] 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수,
를 제공하는 것이다.
또, 본 발명의 제 1의 발명의 바람직한 태양으로서,
[5] 불화수소의 농도가, 0.05∼5중량인 제 [1]항 또는 제 [2]항 기재의 전자재료용 세정수,
[6] 불화수소의 농도가, 0.05∼5중량이고, 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01∼5중량인 제 [3]항 또는 제 [4]항기재의 전자재료용 세정수,
[7] 수소가스의 농도가, 0.4㎎/ℓ이상인 제 [1]항 또는 제 [3]항 기재의 전자재료용 세정수,
[8] 산소가스의 농도가, 12㎎/ℓ이상인 제 [1]항 또는 제 [4]항 기재의 전자재료용 세정수,
[9] 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용석영기판인 제 [1]항∼제 [8]항의 어느 한 항에 기재의 전자재료용 세정수,
[10] 제 [1]∼제 [9]항의 어느 한 항에 기재의 전자재료용 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법, 및
[11] 초음파진동의 주파수가 400㎑이상인 제 [10]항 기재의 전자재료의 세정방법,
을 들 수 있다.
또, 상기 제 2의 목적을 달성하는 본 발명의 제 2의 발명은,
[12] 불화수소와 과산화수소와 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자재료용 세정수,
를 제공하는 것이다.
또, 본 발명의 제 2의 발명의 바람직한 태양으로서,
[13] 불화수소의 농도가 0.1∼1중량인 제 [12]항기재의 전자재료용 세정수,
[14] 과산화수소의 농도가 0.1∼10중량인 제 [12]항 기재의 전자재료용 세정수,
[15] 용존산소가스농도가 20㎎/ℓ이상인 제 [12]항 기재의 전자재료용 세정수,
[16] 피세정물인 전자재료가, 반도체기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크석영기판인 제 [12]항 기재의 전자재료용 세정수,
[17] 제 [12]항 기재의 전자재료용 세정수에, 초음파를 전달하면서 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법 및
[18] 초음파의 주파수가 400㎑이상인 제 [17]항 기재의 전자재료의 세정방법,을 들 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
[제 1실시예]
먼저, 본 발명의 제 1실시예에 대해서 설명한다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제 1의 태양은, 불화수소 및 수소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것이다. 본 태양의 전자재료용 세정수를 사용함으로써, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거하는 동시에, 실리콘표면의 자연산화막을 제거하고, 또 최표면실리콘의 수소종단을 완전히 달성할 수 있다.
본 태양의 세정수에 있어서, 불화수소의 농도에 특별히 제한은 없으나, 불화수소의 농도가 0.05∼5중량인 것이 바람직하며, 0.1∼1중량인 것이 보다 바람직하다. 불화수소의 농도가 0.05중량미만이면, 자연산화막의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다. 불화수소의 농도는 통상은 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 불화수소의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본 태양의 세정수에 있어서는, 불화수소에 추가해서 불화암모늄을 용해하여,소위 완충불산으로 할 수 있다. 완충불산으로 함으로써, 실리콘표면의 자연산화막의 에칭레이트와 균일성을 개선할 수 있다.
본 태양의 세정수에 있어서는, 수소가스의 농도가 0.4㎎/ℓ이상인 것이 바람직하고, 0.7㎎/ℓ이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0㎎/ℓ이상인 것이 더욱 바람직하다. 수소가스의 농도가 0.4㎎/ℓ미만이면, 미립자의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제 2의 태양은, 불화수소 및 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것이다. 본 태양의 전자재료용 세정수를 사용함으로써, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거하는 동시에, 실리콘표면의 자연산화막을 제거하고, 또 표면에 부착한 구리 등의 금속오염까지도 제거할 수 있다. 본 태양의 세정수에 의해, 구리등의 금속오염의 제거가 가능해지는 것은, 산소가스가 세정액의 산화환원전위를 높이기 때문이라고 생각된다. 본 태양의세정수에서는, 제 1의 태양에서 표시한 세정수와 달라, 최표면실리콘의 수소종단을 완전하게 할 수는 없다.
본 태양의 세정수에 있어서, 불화수소의 농도에 특별히 제한은 없으나, 불화수소의 농도가 0.05∼5중량인 것이 바람직하고, 0.1∼1중량인 것이 보다 바람직하다. 불화수소의 농도가 0.05중량미만이면, 자연산화막 및 금속의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다. 불화수소의 농도는 통상은 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 불화수소의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본 태양의 세정수에 있어서는, 산소가스의 농도가 12㎎/ℓ이상인 것이 바람직하고, 20㎎/ℓ이상인 것이 보다 바람직하고,30㎎/ℓ이상인 것이 더욱 바람직하다. 산소가스의 농도가 12㎎/ℓ미만이면, 미립자 및 금속의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제 3의 태양은, 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 수소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것이다. 본 태양의 전자재료용 세정수를 사용함으로써, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거하는 동시에, 표면에 부착한 구리 등의 금속오염을 제거하고, 또 자연산화막까지도 제거하여, 최표면실리콘의 수소종단을 완전하게 할 수 있다. 본 태양의 세정수에 의해, 미립자, 금속오염 및 자연산화막을 동시에 제거할 수 있는 것은, 금속오염과 자연산화막의 동시제거에 효과를 발휘하는 불화수소산, 염화수소 또는 질산의 혼합수용액과, 미립자 제거효과를 발휘하고, 자연산화막제거를 보조하는 수소가스용해수의 양쪽의 장점이 발현되기 때문이라고 생각된다.
본태양의 세정수에 있어서, 불화수소의 농도에는 특별히 제한은 없으나, 불화수소의 농도가 0.05∼5중량인것이 바람직하고, 0.1∼1중량인것이 보다 바람직하다. 불화수소의 온도가 0.05중량미만이면, 자연산화막 및 금속의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다. 불화수소의 농도는 통상은 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 불화수소의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본 태양의 세정수에 있어서, 염화수소 또는 질산의 농도에는 특별히 제한은없으나, 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01∼5중량인 것이 바람직하고, 0.1∼1중량인 것이 보다 바람직하다. 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01중량미만이면, 금속의 제거가 불충분해질 염려가 있다. 염화수소 또는 질산의 농도는 통상은 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 염화수소 또는 질산의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본 태양의 세정수에 있어서는, 수소가스의 농도가 0.4㎎/ℓ이상인 것이 바람직하고, 0.7㎎/ℓ이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0㎎/ℓ이상인 것이 더욱 바람직하다. 수소가스의 농도가 0.4㎎/ℓ미만이면, 미립자의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다.
본 발명의 제 1실시예의 전자재료용 세정수의 제 4의 태양은, 불화수소, 염화수소 또는 질산 및 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것이다. 본태양의 전자재료용 세정수를 사용함으로써, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거하는 동시에, 표면에 부착한 구리 등의 금속오염과 자연산화막까지도 효과적으로 제거할 수 있다. 본태양의 세정수에서는, 제 3의 태양에서 표시한 세정수에 비해, 보다 높은 금속제거효과를 얻을 수 있으나, 최표면실리콘의 수소종단을 완전하게 할수는 없다.
본태양의 세정수에 있어서, 불화수소의 농도에는 특별히 제한은 없으나, 불화수소의 농도가 0.05∼5중량인 것이 바람직하고, 0.1∼1중량인 것이 보다 바람직하다. 불화수소의 농도가 0.05중량미만이면, 자연산화막과 금속의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다. 불화수소의 농도는 통상은 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 불화수소의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본태양의 세정수에 있어서, 염화수소 또는 질산의 농도에는 특별히 제한은 없으나, 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01∼5중량인 것이 바람직하고, 0.1∼1중량인 것이 보다 바람직하다. 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01중량미만이면, 금속의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다. 염화수소 또는 질산의 농도는 통상 5중량이하에서 충분한 세정효과가 발휘되고, 염화수소 또는 질산의 농도가 5중량를 초과하면, 린스수의 필요량이 과대해질 염려가 있다.
본태양의 세정수에 있어서는, 산소가스의 농도가 12㎎/ℓ이상인 것이 바람직하고, 20㎎/ℓ이상인 것이 보다 바람직하고, 30㎎/ℓ이상인 것이 더욱 바람직하다. 산소가스의 농도가 12㎎/ℓ미만이면, 미립자의 제거효과가 불충분해질 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제조에 사용하는 물의 순도에는 특별히 제한은 없으며, 피세정물에 요구되는 표면청정도에 따라서 선택할 수 있다. 즉, 피세정물의 표면청정도의 요구레벨에 비해서, 실질적으로 오염되어 있지 않는 순도를 가진 물에, 불화수소 또는 불화수소와 염화수소 또는 질산 및 수소가스 또는 산소가스를 용해해서 전자재료용 세정수를 조제하고, 이 전자재료용 세정수를 피세정물과 접촉시켜서, 피세정물표면의 오염을 제거할 수 있다. 따라서, 피세정물이 특별히 엄밀한 청정도를 필요로 하지 않는 간이한 부재등인 경우에는, 공업용의 불화수소산, 염산, 수소가스, 산소가스를 수도물등에 용해해서, 전자재료용 세정수로할 수 있다. 그러나, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판, 포토마스크용 석영기판, 기타 정밀전자부품 등의 전자재료의 표면을 세정할 경우에는, 충분한 고순도를 가진 초순수에, 고순도의 불화수소산, 염산, 고순도의 수소가스, 산소가스를 용해하는 것이 바람직하다. 초순수는, 25℃에 있어서의 전기저항률이 18㏁·㎝이상이고, 유기체탄소가 10㎍/ℓ이하이고, 미립자가 10,000개/ℓ이하인 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라서, 전자재료용 세정수속의 극히 미세한 이물을 필터에 의해 제거할 수도 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제조방법에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 소정농도의 불화수소 또는 불화수소와 염화수소 또는 질산을 용해한 물에, 수소가스 또는 산소가스를 버블링해서 제조할 수 있다. 그러나, 불화수소 또는 산성분의 휘발을 방지하기 위해서는, 미리 소정농도의 수소가스 또는 산소가스를 용해한 물에, 불화수소산 또는 불화수소산과 염산 또는 질산을 첨가하는 것이 바람직하다. 수소가스 또는 산소가스를 용해한 물의 양에 비교하면, 첨가하는 불화수소산과 염산 또는 질산의 양은 압도적으로 적으므로, 불화수소산과 염산 또는 질산을 첨가하기 전의 수소가스 또는 산소가스의 농도가, 거의 그대로 얻게되는 전자재료용 세정수의 용존기체농도가 된다.
물에의 수소가스 또는 산소가스의 용해는, 물을 탈기해서 용존기체의 포화도를 저하시킨 후, 수소가스 또는 산소가스를 공급해서 물에 수소가스 또는 산소가스를 용해시키는 방법이 바람직하다. 여기에, 기체의 포화도란, 물속에 용해해있는기체의 양을, 압력 105㎩, 온도 20℃에 있어서의 기체의 용해량으로 나눈 값이다. 예를 들면, 물이 압력 105㎩, 온도 20℃의 질소가스와 접촉해서 평형상태에 있을때, 물에의 질소가스의 용해량은 19.2㎎/ℓ이므로, 물속에 용해해있는 기체가 질소가스뿐이고, 그 용해량이 19.2㎎/ℓ인 물의 포화도는 1.0배이고, 물속에 용해해있는 기체가 질소가스뿐이고, 그 용해량이 9.6㎎/ℓ인 물의 포화도는 0.5배이다.
압력 105㎩, 온도 20℃에서 공기와 접촉해서 평형상태에 있는 물은, 질소가스 15.4㎎/ℓ 및 산소가스 8.8㎎/ℓ를 용해해서 포화도 1.0배의 상태로 되어 있으므로, 탈기에 의해 기체의 용해량을 질소가스 1.5㎎/ℓ, 산소가스 0.9㎎/ℓ로한 물의포화도는 0.1배이다. 또, 물이 압력 105㎩, 온도 20℃의 수소가스와 접촉해서 평형상태에 있을때, 물에의 수소가스의 용해량은 1.6㎎/ℓ이므로, 물속에 용해있는 기체가 수소가스뿐이고, 그 용해량이 0.8㎎/ℓ인 물의 포화도는 0.5배이다.또, 물의 압력105㎩, 온도 20℃의 산소가스와 접촉해서 평형상태에 있을때, 물에의 산소가스의 용해량은 44.0㎎/ℓ이므로, 물속에 용해해있는 기체가 산소가스뿐이고, 그 용량이 22.0㎎/ℓ인 물의 포화도는 0.5배이다.
본 실시예에 있어서, 수소가스 또는 산소가스를 물에 용해함에 있어서는, 미리 물을 탈기해서 포화도를 낮추고, 물속의 기체용해 커페시티에 여유를 만든후, 수소가스 또는 산소가스를 용해하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서는, 기체투과막 모듈을 다단으로 사용해서 용존기체의 제거 및 수소가스 또는 산소가스의 용해를 행할 수 있다. 예를 들면,기체투과막모듈을 2단계로 설치하고, 앞단계의 기체투과막모듈을 사용해서 전체용존기체를 대상으로 하는 감압막탈기를 행하고, 뒷단계의 기체투과막 모듈을 사용해서 수소가스 또는 산소가스를 용해할 수 있다. 기체투과막모듈을 2단계로설치해서, 전체용존기체를 대상으로 하는 감압막탈기와 수소가스 또는 산소가스의 용해를 행함으로써, 수소가스 또는 산소가스를 쓸데없이 방출하는 일없이, 거의 정량적으로 물에 용해할 수 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수를, 전자재료, 특히, 미립자 등에 의해 오염된 전자재료와 접촉시키는 방법에는 특별히 제한은 없으며, 미립자 등의 종류, 입도, 부착량 등에 따라서 적당히 선택할 수 있다. 예를 들면, 미립자 등에 의해 오염된 전자재료를 전자재료용 세정수에 침지해서 배치세정할 수 있고, 또는, 1매씩 처리하는 낱장식세정을 행할 수도 있다.낱장식세정의 방법으로서는, 미립자등에 의해 오염된 전자재료를 회전시키면서 전자재료용 세정수를 흐르게 하여 뿌리는 스핀세정등을 들 수 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수를 사용해서 미립자등에 의해 오염된 전자재료를 세정함에 있어서, 전자재료용 세정수에 초음파진동을 전달하는 것이 바람직하다. 전자재료용 세정수에 초음파진동을 전달함으로써, 미립자 등의 제거를 효과적으로 행할 수 있다. 전자재료용 세정수에 초음파진동을 전달하는 방법에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 배치세정에 있어서는, 전자재료용 세정수를 저류한 탱크에 초음파진동을 전달할 수 있고, 스핀세정에 있어서는, 흐르게하여 뿌리는 전자재료용 세정수의 노즐부에 있어서, 초음파진동을 전달할 수 있다. 전달하는 초음파진동의 주파수는, 400㎑이상인 것이 바람직하고, 1㎒이상인 것이 보다 바람직하다. 초음파진동의 주파수가, 종래 사용되고 있는 수십㎑정도이면,특히 미세한 미립자에 의해 오염된 전자재료로부터의 미립자의 제거가 불충분해질 염려가 있을뿐만 아니라, 초음파진동이 가져오는 캐비테이션효과에 의해, 피세정물에 손상을 줄 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수는 실온에 있어서 뛰어난 미립자제거효과를 표시하고, 높은 미립자제거효율에 의해 전자재료의 표면을 세정하는 동시에, 각 태양의 전자재료용 세정수를 목적에 따라서 선택함으로써, 표면에 부착한 금속오염의제거, 자연산화막의 제거, 또는, 완전수소종단의 달성을, 미립자의 제거와 동시에 행할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예의 전자재료용 세정수를 채용함으로써, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판, 포토마스크용 석영기판 등의 전자재료의 습식세정공정의 간략화를 도모할 수 있다.
[제 2실시예]
다음에, 본 발명의 제 2실시예에 대해서 설명한다.
본 실시예의 전자재료용 세정수는, 불화수소와 과산화수소와 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 것이다. 본 실시예의 세정수에 있어서, 불화수소의 농도에는 특별히 제한은 없으나, 0.1∼1중량인 것이 바람직하다. 불화수소의 농도가 0.1중량미만이면, 전자재료표면에 부착한 금속오염이나 유기물오염 등의 제거가 불충분해질 염려가 있다. 불화수소의 농도가 1중량를 초과하면, 농도의 증가에 따른 세정효과의 향상은 없고, 린스수의 소요량이 과대해질 염려가 있다.
본 실시예의 세정수에 있어서, 과산화수소의 농도에는 특별히 제한은 없으나, 0.1∼10중량%인 것이 바람직하다. 과산화수소의 농도가 0.1중량%미만이면, 전자재료표면에 부착한 금속오염이나 유기물오염 등의 제거가 불충분해질 염려가 있다.과산화수소의 농도가 10중량%를 초과하면, 농도의 증가에 따른 세정효과의 향상은 없고, 린스수의 소요량이 과대해질 염려가 있다.
본 실시예의 세정수에 있어서, 과산화수소는, 전자재료의 표면에 부착한 금속오염이나 유기물오염 등을 산화분해에 의해 제거하는 동시에, 피세정물인 전자재료의 표면에 산화막을 형성해서 오염물의 일부를 도입한다. 불화수소는, 금속오염이나 유기물오염을 도입한 산화막을 에칭작용에 의해 제거하는 것으로 생각된다. 그때문에, 불화수소와 과산화수소는,서로 평형이 잡힌 농도인 것이 바람직하고, 과산화수소의 농도에 따라서 적당히 불화수소의 농도를 증감하는 것이 바람직하다.
본 실시예의 세정수에 있어서, 산소가스의 농도는, 20㎎/ℓ이상인 것이 바람직하고, 30㎎/ℓ이상인 것이 보다 바람직하다. 산소가스의 농도가 20㎎/ℓ미만이면, 전자재료의 표면에 부착한 미립자 등의 제거가 불충분해질 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제조에 사용하는 물의 순도에는 특별히 제한은 없으며, 피세정물에 요구되는 표면청정도에 따라서 선택할 수 있으나, 피세정물이 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판, 포토마스크용 석영기판, 기타 정밀전자부품 등의 전자재료인 경우에는, 충분한 고순도를 가진 초순수에, 고순도의 불화수소산, 고순도의 과산화수소 및 고순도의 산소가스를 용해하는 것이 바람직하다. 초순수는, 25℃에 있어서의 전기저항률이 18㏁·㎝이고, 유기체탄소가 10㎍/ℓ이하이고, 미립자가 10,000개/ℓ이하인 것이 바람직하다. 또, 필요에 따라서, 전자재료용 세정수속의 극히 미세한 이물을 필터를 사용해서 제거할 수도 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수의 제조방법에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 소정농도의 불화수소와 과산화수소를 용해한 물에, 산소가스를 버블링해서 제조할 수 있다. 그러나, 불화수소의 휘발을 방지하기 위해서는, 미리 소정농도의 산소가스를 용해한 물에, 불화수소산과 과산화수소수를 첨가하는 것이 바람직하다. 산소가스를 용해한 물의 양에 비교하면, 첨가하는 불화수소산과 과산화수소수의 양은 압도적으로 적으므로, 불화수소산과 과산화수소수를 첨가하기 전의 산소가스농도가, 거의 그대로 얻게되는 전자재료용 세정수의 용존산소가스농도가 된다.
물에의 산소가스의 용해는, 물을 탈기해서 용존기체의 포화도를 저하시킨 후, 산소가스를 공급해서 물에 산소가스를 용해시키는 방법이 바람직하다. 여기에, 기체의 포화도란, 물속에 용해해있는 기체의 양을, 압력 105㎩, 온도 20℃에 있어서의 기체의 용해도로 나눈 값이다. 예를 들면, 압력 105㎩, 온도 20℃에 있어서의 물에의 산소가스의 용해도는 44.0㎎/ℓ이므로, 압력 105㎩, 온도 20℃에 있어서, 물속에 용해해있는 기체가 산소가스뿐이고, 그 용해량이 44.0㎎/ℓ인 물의 포화도는 1.0배이고, 물속에 용해해있는 기체가 산소가스뿐이고, 그 용해량이 22.0㎎/ℓ인 물의 포화도는 0.5배이다.또, 압력 105㎩, 온도 20℃에서 공기와 접촉해서 평형상태에 있는 물은, 질소가스 14.9㎎/ℓ 및 산소가스 9.1㎎/ℓ를 용해해서 포화도 1.0배의 상태로 되어 있으므로, 탈기에 의해 기체의 용해량을 질소가스 1.5㎎/ℓ, 산소가스 0.9㎎/ℓ로한 물의 포화도는 0.1배이다.
본 실시예에 있어서, 산소가스를 물에 용해함에 있어서는, 미리 물을 탈기해서 포화도를 낮추고, 물속의 기체용해커패시티에 여유를 만든후, 산소가스를 용해하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서는, 기체투과막모듈을 다단계로 사용해서 용존기체의 제거 및 산소가스의 용해를 행할 수 있다. 예를 들면, 기체투과막모듈을 2단계로 설치하고, 앞단계의 기체투과막모듈을 사용해서 전체용존기체를 대상으로 하는 감압막탈기를 행하고, 뒷단계의 기체투과막모듈을 사용해서 산소가스를 용해할 수 있다. 기체투과막모듈을 2단계로 설치해서, 전체용존기체를 대상으로 하는 감압막탈기와 산소가스의 용해를 행함으로써, 산소가스를 쓸데없이 방출하는 일없이, 거의 정량적으로 물에 용해할 수 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수를, 유기물, 금속, 미립자 등에 의해 오염된 전자재료와 접촉시키는 방법에는 특별히 제한은 없으며, 오염의 종류, 부착량등에 따라서 적당히 선택할 수 있다. 예를 들면, 오염된 전자재료를 전자재료용 세정수에 침지해서 배치세정할 수 있다. 또는, 1매씩 처리하는 낱장식 세정을 행할 수도 있다. 낱장식세정의 방법으로서는, 오염된 전자재료를 회전시키면서 전자재료용 세정수를 흐르게 하여 뿌리는 스핀세정 등을 들 수 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수를 사용해서, 미립자등에 의해 오염된 전자재료를 세정함에 있어서, 전자재료용 세정수에 초음파를 전달하는 것이 바람직하다. 전자재료용 세정수에 초음파를 전달함으로써, 미립자 등의 제거를 효과적으로 행할 수 있다. 전자재료용 세정수에 초음파를 전달하는 방법에는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 배치세정에 있어서는, 전자재료용 세정수를 저류한 탱크에 초음파를 전달할 수 있으며, 스핀세정에 있어서는, 흐르게하여 뿌리는 전자재료용세정수의 노즐부에 있어서, 초음파를 전달할 수 있다. 전달하는 초음파의 주파수는 400㎑이상인 것이 바람직하고, 1㎒이상인 것이 보다 바람직하다. 초음파의 주파수가, 종래 사용되고 있는 수십㎑정도이면, 특히 미세한 미립자에 의해 오염된 전자재료로부터의 미립자의 제거가 불충분해질 염려가 있을뿐만 아니라, 초음파가 가져오는 캐비테이션효과에 의해,피세정물에 손상을 줄 염려가 있다.
본 실시예의 전자재료용 세정수는, 실온에 있어서, 금속오염과 유기물오염의 제거뿐만 아니라, 미립자오염의 제거에 대해서도 뛰어난 효과를 가지며, 종래 사용되고 있던 계면활성제를 첨가한 세정수와 비견할 수 있는 미립자오염의 제거효과를발휘한다. 이 때문에, 본 실시예의 세정수를 사용해서 실리콘기판 등을 세정함으로써, 세정수에의 계면활성제의 첨가가 불필요하게 된다. 그 결과, 종래는 부착한 계면활성제의 제거를 위해 필요했던 오존함유초순수에 의한 세정과, 또 오존때문에 발생하는 케미컬산화막을 제거하기 위한 세정의 2스텝을 생략하는 것이 가능해져서, 실리콘기판 등의 전자재료의 세정공정을 현격하게 합리화할 수 있다.
이하에, 실시예를 들어서 본 발명의 제 1실시예 및 제 2실시예를 더욱 상세히 설명하나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예 및 비교예에 있어서, 세정효과는 하기의 방법에 의해 평가했다.
① 피세정물A(실시예 1, 2 및 비교예 1에 사용한 것)
직경 6인치의 실리콘기판을, 직경 1㎛이하의 알루미나미립자를 분산한 염화구리수용액에 3분간 침지한 후 초순수에 의해 린스해서, 피세정물인 오염실리콘기판을 조제했다. 이 오염실리콘기판에는, 자연산화막이 있으며, 미립자 22,000개/기판과 구리 1.5×1013원자/㎠에 의해 오염되어 있었다.
② 피세정물B(실시예 3, 4 및 비교예 2에 사용한 것)
직경 6인치의 실리콘기판을, 직경 1㎛이하의 알루미나미립자를 분산한 염화구리와 염화 제 1철을 함유한 수용액에 3분간 침지한 후, 초순수에 의해 린스해서, 피세정물인 오염실리콘기판을 조제했다. 이 오염실리콘기판에는, 자연산화막이 있고, 미립자 22,000개/기판, 구리 1.5×1013원자/㎠ 및 철 1.5×1013원자/㎠에 의해 오염되어 있었다.
③ 피세정물C(실시예 5 및 비교예 3, 4에 사용한 것)
직경 6인치의 실리콘기판을, 직경 1㎛이하의 알루미나미립자를 분산한 염화구리수용액에 3분간 침지한 후 초순수에 의해 린스해서, 피세정물인 오염실리콘기판을 조제했다. 이 오염실리콘기판에는, 미립자 22,000개/기판과 구리 1.0×1014원자/㎠에 의해 오염되어 있었다.
④ 세정조작
1.6㎒의 초음파발진기를 내장한 초음파조사노즐[프리텍회사, Fine Jet]로부터 초음파의 전달을 받은 세정수를, 오염실리콘기판위에 분출하는 낱장식 스핀세정장치를 사용했다. 세정수의 유량은 800㎖/분, 기판의 회전속도는 500rpm이고, 세정시간은 1분간으로 했다. 세정후 30초간 초순수에 의해 린스하고, 회전속도를 1,500rpm로 올려서 20초간 유지하여, 건조했다.
⑤ 평가
。 미립자: 레이저산란방식에 의한 기판위 이물검사장치를 사용해서, 실리콘 기판위의 미립자를 계측했다.
。 구리농도: 전체반사형 X선분석법에 의해 실리콘기판표면의 구리농도를 측정했다. 본법에 의한 검출하한치는 2.0×109/㎠이다.
。 철농도: 전체반사형광 X선분석법에 의해, 실리콘기판 표면의 철농도를 측정했다.
。 자연산화막: XPS(X선광전자분광)분석법에 의해, 실리콘기판표면의 자연산화막을 측정했다.
。 수소종단: FT-IR(푸리에 변환적외분광)분석법에 의해, 실리콘기판표면의 수소종단을 측정했다.
。 탄소: FT-IR분석법에 의해, 실리콘기판표면의 탄소량을 측정했다. 본법에한 검출하한치는, 1.0×1012원자/㎠이다.
(실시예 1)
수소가스 1.2㎎/ℓ를 용해한 초순수 100중량부와, 50중량불화수소산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 100개/기판이하이고, 구리는 9×1011원자/㎠이고, 자연산화막은 없고, 수소종단은 완전했다.
(실시예 2)
산소가스 30㎎/ℓ를 용해한 초순수 100중량부와, 50중량불화수소산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 100개/기판이하이고, 구리는 1×1010원자/㎠이고, 자연산화막은 없고, 수소종단은 불완전했다.
(비교예 1)
대기와 평형상태에 있는 초순수 100중량부와, 50중량불화수소산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 11,000개/기판이고, 구리는 7×1011원자/㎠이고, 자연산화막은 없고, 수소종단은 불완전했다.
실시예 1∼2와 비교예 1의 결과를 표 1에 표시한다.
| 용해성분 | 미립자(개/기판) | 구리(원자/㎠) | 자연산화막 | 수소종단 | |
| 실시예 1 | H2, HF | <100 | 9×1011 | 없 음 | 완 전 |
| 실시예 2 | O2, HF | <100 | <1×1010 | 없 음 | 불완전 |
| 비교예 1 | HF | 11,000 | 7×1011 | 없 음 | 불완전 |
표 1의 결과로부터, 본 발명의 제 1실시예의 수소가스 또는 산소가스를 용해한 수용액으로 이루어진 전자재료용 세정수를 사용하면, 오염실리콘기판의 자연산화막과 동시에, 표면에 부착한 미립자도 제거할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 수소가스를 용해한 실시예 1의 세정수에서는, 완전수소종단이 달성되고, 산소가스를 용해한 실시예 2의 세정수에서는, 표면에 부착한 구리오염도 충분히 낮은 레벨까지 제거되어 있다. 이에 대해서, 수소가스 또는 산소가스를 용해하고 있지 않는 불화수소의 수용액으로 이루어진 비교예 1의 세정수에서는, 자연산화막은 제거되어 있으나, 미립자의 제거율은 50%정도로밖에 달해있지 않다.
(실시예 3)
수소가스 1.0㎎/ℓ를 용해한 초순수 100중량부, 50중량불화수소산 0.2중량부 및 35중량염산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 100개/기판이하이고, 구리는 2×1010원자/㎠이고, 철은 1×1010원자/㎠이하이고, 자연산화막은 제거되어 있었다.
(실시예 4)
산소가스 30㎎/ℓ를 용해한 초순수 100중량부, 50중량불화수소산 0.5중량부 및 35중량염산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 100개/기판이하이고, 구리는 1×1010원자/㎠이하이고, 철은 1×1010이하이고, 자연산화막은 제거되어 있었다.
(비교예 2)
대기와 평형상태에 있는 초순수 100중량부, 50중량불화수소산 0.2중량부 및 35중량염산 1중량부를 혼합해서, 전자재료용 세정수를 조제하여, 오염실리콘기판을 세정했다.
세정후의 실리콘기판은, 미립자는 13,000개/기판이고, 구리는 1×1010원자/㎠이고, 철은 1×1010원자/㎠이하이고, 자연산화막은 제거되어 있었다.
실시예 3∼4와 비교예 2의 결과를 표 2에 표시한다.
| 용해성분 | 미립자(개/기판) | 구리(원자/㎠) | 철(원자/㎠) | 자연산화막 | |
| 실시예 3 | H2, HF, HCl | <100 | 2×1010 | <1×1010 | 없음 |
| 실시예 4 | O2, HF, HCl | <100 | <1×1010 | <1×1010 | 없음 |
| 비교예 2 | HF, HCl | 13,000 | 1×1010 | <1×1010 | 없음 |
표 2의 결과로부터, 본 발명의 제 1실시예의 수소가스 또는 산소가스와 불화수소와 염화수소를 용해한 수용액으로 이루어진 전자재료용 세정수를 사용하면, 오염실리콘기판에 부착한 구리 및 철과 동시에, 미립자도 제거할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 실시예 3, 4의 세정수에서는, 자연산화막도 제거되어 있다. 이에 대해서, 수소가스 또는 산소가스를 용해하고 있지 않는 불화수소와 염화수소의 수용액으로 이루어진 비교예 2의 세정수에서는, 표면에 부착한 구리와 철 및 자연산화막은 제거되어 있으나, 미립자의 제거율은 40정도로 밖에 달해있지 않다.
(실시예 5)
산소가스를 용해한 초순수에, 불화수소산과 과산화수소수를 첨가해서, 불화수소와 과산화수소의 농도가 모두 0.5중량이고, 용존산소가스농도가 30㎎/ℓ인 전자재료용 세정수를 조제했다.
이 세정수를 사용해서 오염실리콘기판을 세정하였던바, 세정후의 기판의 미립자부착수는 100개/기판이하이고, 구리와 탄소는, 다같이 검출한계 이하였다.
(비교예 3)
대기와 평행상태에 있는 초순수에, 불화수소산과 과산화수소수를 첨가해서, 불화수소와 과산화수소의 농도가 모두 0.5중량이고, 용존산소가스농도가 약 8㎎/ℓ인 전자재료용 세정수를 조제했다.
이 세정수를 사용해서 오염실리콘기판을 세정하였던바, 세정후의 기판의 미립자부착수는 7,000개/기판이고, 구리와 탄소는, 다같이 검출한계이하였다.
(비교예 4)
대기와 평형상태에 있는 초순수에, 불화수소산과 과산화수소수와 계면활성제[일본국, 와코준야쿠공업(주), NCW-601A]를 첨가해서, 불화수소와 과산화수소의 농도가 모두 0.5중량이고, 계면활성제의 농도가 50㎎/ℓ이고, 용존산소가스농도가 약 8㎎/ℓ인 전자재료용 세정수를 조제했다.
이 세정수를 사용해서 오염실리콘기판을 세정하였던바, 세정후의 기판의 미립자부착수는 100개/기판이하이고, 구리는 검출한계이하이고, 탄소는 5.0×1012원자/㎠였다.
실시예 5및 비교예 3∼4의 결과를 표 3에 표시한다.
| 미립자(개/기판) | 구리(원자/㎠) | 탄소(원자/㎠) | |
| 실시예 3 | <100 | 검출하한치이하 | 검출하한치이하 |
| 비교예 3 | 7,000 | 검출하한치이하 | 검출하한치이하 |
| 비교예 4 | <100 | 검출하한치이하 | 5.0×1012 |
표 3에서 볼수 있는 바와 같이, 불화수소와 과산화수소와 산소가스를 용해한 초순수로 이루어진 본 발명의 제 2실시예의 전자재료용 세정수를 사용해서 세정을 행한 실시예 5에 있어서는, 오염실리콘기판의 미립자와 구리가 다같이 제거되고,실리콘기판위에의 유기물의 부착은 발생하고 있지 않다. 이에 대해서, 불화수소와 과산화수소만을 용해한 세정수를 사용한 비교예 3에 있어서는, 오염실리콘기판의 구리는 제거되고, 유기물의 부착도 발생하고 있지 않으나, 미립자오염은 약 1/3이 제거되지 않고 잔류하여, 별도 공정에 의한 미립자의 제거가 필요하다. 또, 불화수소와 과산화수소와 계면활성제를 용해한 세정수를 사용한 비교예 4에 있어서는, 오염실리콘기판의 미립자와 구리는 다같이 제거되어 있으나, 새로이 실리콘기판위에의 유기물의 부착이 발생하고 있으므로, 유기물의 제거를 위한 오존함유수를 사용하는 세정과, 오존함유수때문에 발생하는 케미컬산화막의 제거를 위한 세정이 필요하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법을 사용함으로써, 전자재료표면에 부착한 미립자를 효과적으로 제거할 수 있다. 또, 본 발명의 전자재료용 세정수를 목적에 따라서 선택함으로써, 표면에 부착한 금속오염의 제거, 자연산화막의 제거, 또는, 완전수소종단의 달성을, 미립자의 제거와 동시에 행할 수 있다. 이때문에, 본 발명의 전자재료용세정수를 채용함으로써, 전자재료의 습식세정공정의 간략화를 도모할 수 있다.
또, 본 발명의 전자재료용 세정수를 사용함으로써, 실리콘기판 등의 전자재료를 세정하기 위한 세정수에의 계면활성제의 첨가가 불필요하게 되고, 종래는 부착한 계면활성제의 제거를 위해 필요했던 오존함유초순수에 의한 세정과, 또 오존때문에 발생하는 케미컬산화막을 제거하기 위한 희불화수소산에 의한 세정의 2스텝을 생략하는 것이 가능해져서, 실리콘기판등의 전자재료의 세정공정을 현격하게 합리화할 수 있다.
Claims (25)
- 탈기한 물에 농도 0.4㎎/ℓ이상으로 수소가스를 용해함과 동시에, 불화수소를 용해하여 얻은 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 탈기한 물에 농도 12mg/ℓ이상으로 산소가스를 용해함과 동시에, 불화수소를 용해하여 얻은 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 탈기한 물에 농도0.4㎎/ℓ이상으로 수소가스를 용해함과 동시에, 불화수소 및 염화수소 또는 질산을 용해하여 얻은 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 탈기한 물에 농도 12mg/ℓ이상으로 산소가스를 용해함과 동시에, 불화수소 및, 염화수소 또는 질산을 용해하여 얻은 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 불화수소의 농도가, 0.05∼5중량%인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 불화수소의 농도가 0.05∼5중량%이고, 염화수소 또는 질산의 농도가 0.01∼5중량%인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항∼제 4항의 어느 한 항에 있어서, 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용 석영기판인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 삭제
- 제1항∼제4항의 어느한 항에 있어서, 초음파진동의 주파수가 400㎑이상인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 탈기한 물에 농도 20mg/ℓ이상으로 산소가스를 용해함과 동시에, 불화수소 및 과산화수소를 용해하여 얻은 세정수에, 초음파진동을 전달하면서 세정을 하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 12항에 있어서, 불화수소의 농도가 0.1∼1중량%인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 12항에 있어서, 과산화수소의 농도가 0.1∼10중량%인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 삭제
- 제 12항에 있어서, 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용 석영기판인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 삭제
- 제 12항에 있어서, 초음파의 주파수가 400㎑이상인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 5항에 있어서, 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용 석영기판인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 6항에 있어서, 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용 석영기판인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
- 제 7항에 있어서, 피세정물인 전자재료가, 반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판 또는 포토마스크용 석영기판인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
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