KR100316072B1 - 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치와 같은 반도체 소자에서 게이트 배선의 끝 부분에 형성되는 게이트 패드의 구조를 개선하여 게이트 패드부의 접촉 저항을 줄임으로써, 화면의 품질이 향상된 액티브 기판의 제조 방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명에서는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등을 포함하는 게이트 패드와 알루미늄을 포함하는 저 저항 게이트 패드 그리고 ITO를 포함하는 게이트 패드 연결 단자를 갖는 게이트 패드부에서 상기 게이트 연결 단자가 상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드 모두와 접촉하도록 하여 게이트 패드부의 접촉 상태를 양호하게 유지하도록 하였다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Dispaly)에 사용되는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 기판(혹은, 액티브 기판)에 관한 것이다. 더 상세히는 게이트 배선의 끝 부분에 형성되는 게이트 패드의 구조를 개선하여 게이트 패드부의 접촉 저항을 줄임므로써, 화면의 품질이 향상된 액티브 기판의 제조 방법 및 그 구조에 관한 것이다.
화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 지금까지 많이 사용되던 브라운관 표시 장치(혹은 Cathode Ray Tube(CRT))는 얇고 가볍기 때문에 어느 장소에서든지 쉽게 사용할 수 있는 박막형 평판 표시 장치로 대체되고 있다. 특히, 액정 표시 장치는 표시 해상도가 다른 평판 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할때 그 품질이 브라운관의 것에 비할 만큼 반응 속도가 빠르기 때문에 가장 활발한 개발 연구가 이루어지고 있는 제품이다. 더욱이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 능동 소자를 스위칭 소자로 이용하는 액티브 기판이 액정 표시 장치 등에 널리 응용되고 있다.
박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 이용하는 일반적인 액티브 기판의 구조를 평면도인 도 1로 나타내었다. 이 도면을 참조로 일반적인 액정 표시 장치에서 사용되는 액티브 기판의 구조는 다음과 같다. 유리와 같은 재질로 형성한 투명 절연성 기판(1) 위에 복수의 게이트 배선(13)이 수평 방향으로 평행하게 형성되어 있고, 복수의 소스 배선(23)이 수직 방향으로 평행하게 형성되어 있다. 각각의 게이트 배선(13)과 소스 배선(23)에 외부 신호를 인가하는 게이트 패드(15)와 소스 패드(25)가 각 배선의 끝단에 형성되어 있다. 각 배선의 교차점 부분에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극(11), 게이트 절연막(도면에 나타나지 않음), 반도체 층(33), 소스 전극(21) 및 드레인 전극(31)으로 이루어진다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극(11)은 게이트 배선(13)에 연결되어 있고, 소스 전극(21)은 소스 배선(23)에 연결되어있다. 박막 트랜지스터의 드레인 전극(31)은 각각의 게이트 배선(13)과 소스 배선(23)으로 둘러 싸인 영역 내부에 형성된 화소 전극(41)과 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 그 액티브 기판의 제조 공징을 도 1에서 절단선 II-II로 자른 단면인 도 2에 나타내었다. 이 도면들을 참조로 우선 일반적인 액티브 패널을 제조하는 방법을 살펴보면 다음과 같다.
투명 절연성 기판(1) 위에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb)과 같은 금속을 스퍼터링법을 이용하여 증착한 후 포토 리소그래피(Photo-Lithography : 사진 식각)법으로 패턴하여 게이트 전극(11), 게이트 배선(13) 그리고 게이트 패드(15)를 형성한다. 설계된 화소의 행 방향으로 연장된 상기 게이트 배선(13) 복수개가 화소의 열 방향으로 나열되어 있다. 상기 게이트 전극(11)은 상기 게이트 배선(13)에서 분기되며 설계된 화소의 한쪽 구석에 형성된다. 그리고 상기 게이트 패드(15)는 상기 게이트 배선(13)의 끝 부분에 형성된다(도 1, 도 2a).
일반적으로 게이트 패드 부분은 외부로부터 전달되는 영상 신호중 주사 신호를 받아들이는 곳이다. 게이트 패드를 통해 인가된 주사 신호는 게이트 배선을 따라 게이트 배선에 연결된 게이트 전극에 전달된다. 게이트 전극에 전달된 주사 신호의 전압 크기에 따라 박막 트랜지스터의 채널층이 켜지거나(ON) 꺼지게(OFF)된다. 만일에 주사 신호가 게이트 패드나 게이트 배선의 저항으로 인해 정상적인 전압값을 게이트 전극에 전달하지 못한다면, 박막 트랜지스터 채널층의 ON-OFF 상태가 불명확하게 되어 화면의 품질이 떨어지는 문제가 발생한다 따라서, 게이트 패드(15) 위에 고유 저항값이 낮은 금속 물질로 저 저항 게이트 패드를 형성하기도 한다. 따라서, 알루미늄(Al)혹은 알루미늄 합금을 증착, 패턴하여 상기 게이트 패드(15) 위에 저 저항 게이트 패드(15a)를 형성한다. 또한, 상기 게이트 배선(13) 위에 상기 저 저항 게이트 패드(15a)와 같은 물질로 저 저항 게이트 배선(13a)을 더 형성할 수도 있다(도 2b).
기판의 전체면에 걸쳐 질화 실리콘(SiNx)이나 산화 실리콘(SiO2)과 같은 물질을 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 증착하여 게이트 절연막(17)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(17) 위에 아몰퍼스 실리콘과 n+ 아몰퍼스 실리콘을 플라즈마 CVD법으로 차례로 증착한 후 사진 식각법으로 패턴하여 반도체 층(33)과 불순물 반도체 층(35)을 형성한다. 반도체 층(33)은 박막 트랜지스터의 채널 층 역할을 한다. 그리고, 불순물 반도체 층(35)은 나중에 형성되는 소스(도면 1의 21)-드레인 전극(도면 1의 31)과 상기 반도체 층(33)가 오믹 접촉(Ohmic contact)를 이루도록 한다(도 2c).
크롬이나 크롬계 합금과 같은 금속을 스퍼터링법으로 증착한 후 사진 식각법으로 패턴하여 소스 전극(21)과 드레인 전극(31), 소스 배선(23) 그리고, 소스 패드(25)를 형성한다 이 때, 상기 불순물 반도체 층(35) 중 소스 전극(21)과 드레인 전극(31) 사이에서 노출된 부분을 소스 전극(21)과 드레인 전극(31)을 마스크로하는 건식 식각(Dry-etching) 법을 이용하여 제거한다. 소스 전극(21)은 상기 불순물 반도체 층(35)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(11)의 한쪽 변과 중첩되어 있다. 드레인 전극(31)은 상기 소스 전극(21)과 대향하여 형성되며, 상기 불순물 반도체 층(35)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(11)의 다른 쪽 변과 중첩되어 있다. 설계된 화소의 열 방향으로 연장된 상기 소스 배선(23) 복수개가 행 방향으로 나열되어 있다. 소스 패드(25)는 상기 소스 배선(23)의 끝 부분에 형성된다(도 2d).
산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 물질을 플라즈마 CVD법으로 증착하여보호 절연막(37)을 형성한다. 보호 절연막(37)을 사진 식각 법으로 패턴하여 드레인 콘택 홀(71), 게이트 콘택 홀(59) 그리고, 소스 콘택 홀(69)을 형성한다. 드레인 콘택 홀(71)은 상기 드레인 전극(31)의 일부분을 노출 시킨다. 게이트 콘택 홀(59)과 소스 콘택 홀(69)은 각각 저 저항 게이트 패드(15a)와 소스 패드(25)의 일부분을 노출 시킨다(도 2e).
상기 보호 절연막(37) 위에 ITO와 같은 투명 도전막을 증착한 후 패턴하여 화소 전극(41), 게이트 패드 연결 단자(57)와 소스 패드 연결 단자(67)를 형성한다. 화소 전극(41)은 상기 드레인 콘택 홀(71)을 통하여 상기 드레인 전극(31)과 전기적으로 연결된다. 게이트 패드 연결 단자(57)와 소스 패드 연결 단자(67)는 각각 게이트 콘택 홀(59)과 소스 콘택 홀(69)을 통하여 저 저항 게이트 패드(15a)와 소스 패드(25)에 연결되어 있다(도 2f).
이와 같은 방법으로 제조된 일반적인 액티브 기판의 단면 구조를 상세히 살펴보면 다음과 같이 이루어져 있다. 먼저, 도 2f를 참조하여 박막 트랜지스터 부를 설명하면 다음과 같다. 투명 절연성 기판(1) 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등과 같은 금속으로 이루어진 게이트 전극(11)이 형성되어 있다. 게이트 전극(11)을 포함한 기판(1)의 전체면을 질화 실리콘(SiNx)이나 산화 실리콘(SiO2) 등으로 된 게이트 절연막(17)이 덮고 있다. 게이트 절연막(17) 위에 아몰퍼스 실리콘(a-Si)과 같은 물질로 이루어진 반도체 층(33)이 형성되어 있다. 반도체 층(33) 위에는 인(P)과 같은 불순 물질이 첨가된 n+ 아몰퍼스 실리콘과같은 물질로 이루어진 불순물 반도체 층(35)이 양쪽으로 분리 형성되어 있다. 불순물 반도체 층(35) 위에는 크롬이나 몰리브덴과 같은 금속으로 이루어진 소스 전극(21)과 드레인 전극(31)이 각각 양쪽으로 분리된 불순물 반도체 층(35)에 대응하여 형성되어 있다. 소스 전극(21) 및 드레인 전극(31)을 포함한 기판의 전체면에 걸쳐 보호 절연막(37)이 형성되어 있다. 드레인 전극(31)은 콘택 홀에 의해 ITO(Indium-Tin-Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 된 화소 전극(41)와 전기적으로 연결되어 있다.
그리고, 도 3을 참조하여 게이트 패드 부분에 대해 자세히 살펴보면 다음과 같다. 기판(1) 위에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등을 포함 하는 게이트 패드(15)가 형성되어 있다. 그 위에 알루미늄(Al)을 포함하는 저 저항 게이트 패드(15a)가 형성되어 있다. 저 저항 게이트 패드(15a)를 덮는 게이트 절연 막(17)과 보호 절연막(37)은 저 저항 게이트 패드(15a)의 일부를 노출 시키며 그 외의 기판 전체를 덮고 있다. 게이트 절연막(17)과 보호 절연막(37)으로 덮이지 않 고 노출된 저 저항 게이트 패드(15a) 위에는 화소 전극을 형성하는 ITO로 이루어진 게이트 패드 연결 단자(59)가 형성되어 있다.
마지막으로, 도 2f를 참조하여 소스 패드 부분에 대해 살펴보면 다음과 같다. 투명 절연성 기판(1) 위에 질화 실리콘으로 이루어진 게이트 절연막(17)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(17) 위에 크롬을 포함하는 금속으로 된 소스 패드(25)가 형성되어 있다. 그리고, 보호 절연막(37)이 소스 패드(25)의 일부를 노출시키며, 그 외의 게이트 절연막(17) 전체를 덮고 있다. 보호 절연막(37)으로 덮이지 않고 노출된 소스 패드(25) 위에는 화소 전극(41)을 형성하는 ITO로 이루어진 소스 패드 연결 단자(69)가 형성되어 있다.
지금까지 설명한 사항에 의하면 게이트 패드 부분은 알루미늄으로 이루어진 저 저항 게이트 패드와 ITO로 이루어진 게이트 패드 단자들이 적층된 구조를 갖고 있다. 여기에서, 일반적으로 알루미늄과 ITO 사이의 전기적 접촉 상태는 양호하지 않아 접촉 저항이 높아지는 문제점이 있다. 게이트 패드의 접촉 저항이 높아지면, 앞에서도 설명했듯이 게이트 배선에 전달되는 주사 신호 전압이 정상적으로 유지되지 못하고, 결국 화면에 줄무늬가 생기거나 화면이 어두어지는 것과 같이 화질이 나빠지게된다.
따라서, 본 발명의 목적은 게이트 패드의 접촉 저항을 낮추는 구조 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 게이트 패드의 접촉 저항을 낮춤으로써 화질을 향상 시키는데 있다.
도 1은 액정 표시 장치에 사용하는 액티브 패널의 종래 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 액정 표시 장치에 사용하는 액티브 패널을 제조하는 종래의 방법을 나타내는 단면도이다.
도 3은 종래의 액티브 패널을 나타내는 도 1에서 절단선 III-III으로 자른 게이트 패드 부분의 단면을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 액정 표시 장치에 사용하는 액티브 패널의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 액정 표시 장치에 사용하는 액티브 패널을 제조하는방법을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 액피브 패널을 나타내는 도 4에서 절단선 VI-VI로 자른 게이트 패드 부분의 단면을 나타내는 도면이다.
〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 〉
1, 101 : 기판 11, 111 : 게이트 전극
13, 113 : 게이트 배선 15, 115 : 게이트 패드
15a, 115a : 저 저항 게이트 패드 17, 117 : 게이트 절연막
21, 121 : 소스 전극 23, 123 : 소스 배선
25, 125 : 소스 패드 31, 131 : 드레인 전극
33, 133 : 반도체 층 35, 135 : 불순물 반도체 층
37, 137 : 보호막 41, 141 : 화소 전극
57, 157 : 게이트 패드 연결 단자 59, 159 : 게이트 콘택 홀
67, 167 : 소스 패드 연결 단자 69, 169 : 소스 콘택 홀
71, 171 : 드레인 콘택 홀
본 발명에서는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등을 포함하는 게이트 패드와 알루미늄을 포함하는 저 저항 게이트 패드 그리고 ITO를 포함하는 게이트 패드 연결 단자를 갖는 게이트 패드부에서 상기 게이트 연결 단자가 상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드 모두와 접촉하도록 하여 게이트 패드부의 접촉 상태를 양호하게 유지하도록 하였다. 본 발명을 자세히 이해할 수 있도록 액정 패널을 나타내는 도 4와 도 4의 절단선 V-V로 자른 단면으로 그 제조 방법을 나타낸 도 5를 참조하여 설명한다.
투명 절연성 기판(101) 위에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb)과 같은 금속을 스퍼터링법을 이용하여 증착한 후 포토 리소그래피(Photo-Lithography : 사진 식각)법으로 패턴하여 게이트 전극(111), 게이트 배선(113) 그리고 게이트 패드(115)를 형성한다. 설계된 화소의 행 방향으로 연장된 상기 게이트 배선(113) 복수개가 화소의 열 방향으로 나열되어 있다. 상기 게이트 전극(111)은 상기 게이트 배선(113)에서 분기되며 설계된 화소의 한쪽 구석에 형성된다. 그리고 상기 게이트 패드(115)는 상기 게이트 배선(113)의 끝 부분에 형성된다(도 4, 도 5a).
알루미늄(Al)혹은 알루미늄 합금을 증착, 패턴하여 상기 게이트 패드(115) 위에 저 저항 게이트 패드(115a)를 형성한다. 여기에서 상기 저 저항 게이트 패드(115a)가 상기 게이트 패드(115)의 거의 전부를 덮도록 형성했던 종래와 다르게, 상기 저 저항 패드(115a)는 상기 게이트 패드(115)의 일 부분만을 덮도록 형성한다. 이 때, 상기 게이트 배선(113) 위에도 상기 저 저항 게이트 패드(115a)와 같은 물질로 저 저항 게이트 배선(113a)을 더 형성할 수도 있다(도 5b).
기판의 전체면에 걸쳐 질화 실리콘(SiNx)이나 산화 실리콘(SiO2)과 같은 물질을 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 증착하여 게이트 절연막(117)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(117) 위에 아몰퍼스 실리콘과 n+ 아몰퍼스 실리콘을 플라즈마 CVD법으로 차례로 증착한 후 사진 식각법으로 패턴하여반도체 층(133)과 불순물 반도체 층(135)을 형성한다. 반도체 층(133)은 박막 트랜지스터의 채널 층 역할을 한다. 그리고, 불순물 반도체 층(135)은 나중에 형성되는 소스(도면 4의 121)-드레인 전극(도면 4의 131)과 상기 반도체 층(133)이 오믹 접촉(Ohmic contact)를 이루도록 한다(도 5c).
크롬이나 크롬계 합금과 같은 금속을 스퍼터링법으로 증착한 후 사진 식각 법으로 패턴하여 소스 전극(121)과 드레인 전극(131), 소스 배선(123) 그리고, 소 스 패드(125)를 형성한다. 이 때, 상기 불순물 반도체 층(135) 중 소스 전극(121) 과 드레인 전극(131) 사이에서 노출된 부분을 소스 전극(121)과 드레인 전극(131) 을 마스크로 하는 건식 식각(Dry-etching) 법을 이용하여 제거한다. 소스 전극 (121)은 상기 불순물 반도체 층(135)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(111) 한쪽 변과 중첩되어 있다. 드레인 전극(131)은 상기 소스 전극(121)과 대향하여 형성되며, 상기 불순물 반도체 층(135)을 사이에 두고 상기 게이트 전극(111)의 다른 쪽 변과 중첩되어 있다. 설계된 화소의 열 방향으로 연장된 상기 소스 배선(123) 복수개가 행 방향으로 나열되어 있다. 소스 패드(125)는 상기 소스 배선(123)의 끝 부분에 형성된다(도 5d).
산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 물질을 플라즈마 CVD법으로 증착하여 보호 절연막(137)을 형성한다. 보호 절연막(137)을 사진 식각 법으로 패턴하여 드레인 콘택 홀(171), 게이트 콘택 홀(159) 그리고, 소스 콘택 홀(169)을 형성한다. 드레인 콘택 홀(171)은 상기 드레인 전극(131)의 일부분을 노출 시킨다. 게이트 콘택 홀(159)은 저 저항 게이트 패드(115a)와 게이트 패드(115)를 모두 노출 시킬 수있도록 충분한 크기로 형성한다. 그리고, 상기 소스 콘택 홀(169)은 상기 소스 패드(125)의 일부분을 노출 시킨다(도 5e).
상기 보호 절연막(137) 위에 ITO와 같은 투명 도전막을 증착한 후 패턴하여 화소 전극(141), 게이트 패드 연결 단자(157)와 소스 패드 연결 단자(167)를 형성한다. 화소 전극(141)은 상기 드레인 콘택 홀(171)을 통하여 상기 드레인 전극(131)과 전기적으로 연결된다. 게이트 패드 연결 단자(157)는 상기 게이트 콘택 홀(159)을 통하여 상기 저 저항 게이트 패드(115a)와 상기 게이트 패드(115)와 접촉하고 있다. 그리고 상기 소스 패드 연결 단자(167)는 상기 소스 콘택 홀(169)을 통하여 상기 소스 패드(125)와 접촉하고 있다(도 5f).
도 6을 참조하여 본 발명의 제조 방법에 의해 형성된 액정 패널에서 게이트패드 부분에 대해 살펴보면 다음과 같다. 기판(1) 위에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등을 포함하는 게이트 패드(115)가 형성되어 있다. 그 위에 알루미늄(Al)을 포함하는 저 저항 게이트 패드(115a)가 형성되어 있다. 저 저항 게이트 패드(115a)를 덮는 게이트 절연막(117)과 보호 절연막(137)은 저 저항 게이트 패드(115a)와 게이트 패드(115)를 노출 시키며 그 외의 기판 전체를 덮고 있다. 게이트 절연막(117)과 보호 절연막(137)으로 덮이지 않고 노출된 저 저항 게이트 패드(15a)와 게이트 패드(115) 위에는 화소 전극을 형성하는 ITO로 이루어진 게이트 패드 연결 단자(159)가 형성되어 있다.
또한, 본 발명에서 게이트 패드(115)가 게이트 패드 연결 단자(159)와 접촉하는 면적을 가급적 넓게 확보하기 위해서, 상기 개이트 패드(115)의 일부를 덮는저 저항 게이트 패드(115a)을 종래에서 보다 좁게 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에의한 게이트 패드 부분은 ITO로 이루어진 게이트 패드 단자가 알루미늄으로 이루어진 저 저항 게이트 패드와 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등을 포함하는 게이트 패드(115) 들이 접촉된 구조를 갖고 있다. 여기에서 IT0와 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta) 혹은 안티몬(Sb) 등과 접촉할 때의 접촉 저항은 거의 없기 때문에 알루미늄과 ITO 사이의 높은 접촉 저항을 낮추는 효과를 가져온다. 따라서, 전체적으로 게이트 패드의 접촉 저항을 낮춤으로써 게이트 배선에 전달되는 주사 신호 전압을 정상적으로 유지할 수 있고, 화면에 줄무늬가 생기거나 화면이 어두어지는 것과 같은 문제점을 발생시키지 않는다. 따라서, 양질의 화면을 갖는 액정 표시 장치를 제조할 수 있었다.
Claims (11)
- 기판 위에 게이트 패드를 형성하는 단계와;상기 게이트 패드 위에 상기 게이트 패드의 일부를 덮는 저 저항 게이트 패드를 형성하는 단계와;상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드를 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위에 보호막을 형성하는 단계와;상기 보호막과 상기 게이트 절연막을 패턴하여 상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드 모두를 노출하는 게이트 콘택 홀을 형성하는 단계와;상기 게이트 콘택 홀을 통하여 노출된 상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드하고 접촉하는 게이트 패드 연결 단자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 게이트 패드를 형성하는 단계에서, 상기 게이트 패드에 연결된 게이트 배선과 상기 게이트 배선에서 분기되는 게이트 전극을 더 형성하고;상기 게이트 전극을 덮는 상기 게이트 절연막 위에 반도체 층을 더 형성하는 단계를 더 포함하고;상기 게이트 절연막을 형성하는 단계 다음과 상기 보호막을 형성하는 단계이전 사이에서 상기 반도체 층의 한쪽 변에 접촉하는 소스 전극과, 상기 반도체 층의 다른쪽 변에 접촉하는 드레인 전극과, 상기 소스 전극을 연결하는 소스 배선 그리고, 상기 소스 배선 끝 부분에 소스 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고;상기 보호막을 패턴하는 단계에서 드레인 전극의 일부를 노출하는 드레인 콘택 홀과 상기 소스 패드를 노출하는 소스 콘택 홀을 더 형성하고;상기 게이트 패드 연결 단자를 형성하는 단계에서, 상기 드레인 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극과 상기 소스 콘택 홀을 통하여 상기 소스 패드에 연결된 소스 패드 연결 단자를 더 형성하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 저 저항 게이트 패드를 형성하는 단계에서, 상기 게이트 배선 위에 상기 게이트 배선의 일부를 덮는 저 저항 게이트 배선을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 1항 및 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 패드는 크롬, 몰리브덴, 탄탈 그리고 안티몬을 포함하는 그룹중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 제 1항 및 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저 저항 개이트 패드는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
- 기판과;상기 기판 위에 제 1 도전 물질을 포함하는 게이트 패드와;상기 게이트 패드 일부를 덮으며 제 2 도전 물질을 포함하는 저 저항 게이트 패드와;상기 기판을 덮는 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막을 덮는 보호막과;상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드를 모두 노출하도록 상기 게이트 절연막과 상기 보호막에 형성된 게이트 콘택 홀과; 그리고,상기 게이트 콘택 홀을 통하여 상기 게이트 패드와 상기 저 저항 게이트 패드 모두와 접촉하며 제 3 도전 물질을 포함하는 게이트 패드 연결 단자를 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 게이트 패드에 연결된 게이트 배선과;상기 게이트 패드에서 분기된 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 덮는 상기 게이트 절연막 위에 형성된 반도체 층과;상기 게이트 절연막과 상기 보호막 사이에서 상기 반도체 층의 한쪽 변에 접촉하는 소스 전극과;상기 반도체 층의 다른 한쪽 변에 접촉하는 드레인 전극과;상기 소스 전극을 연결하는 소스 배선과;상기 소스 배선의 끝 부분에 형성된 소스 패드와;상기 보호막에 형성된 상기 드레인 전극 일부를 노출하는 드레인 콘택 홀과;상기 보호막에 형성된 상기 소스 패드를 노출하는 소스 콘택 홀과;상기 드레인 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극과 상기 소스 콘택 홀을 통하여 상기 소스 패드에 연결되는 소스 패드 연결 단자를 더 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 게이트 배선 일부를 덮으며 상기 제 2 도전 물질을 포함하는 저 저항 게이트 배선을 더 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치.
- 제 6항 및 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 도전 물질은 크롬, 몰리브덴, 탄탈 그리고, 안티몬을 포함하는 그룹중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시 장치.
- 제 6항 및 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 도전 물질은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로하는 액정 표시장치 .
- 제 6항 및 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 3 도전 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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