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KR100276618B1 - 메모리 모듈 - Google Patents

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KR100276618B1
KR100276618B1 KR1019970019253A KR19970019253A KR100276618B1 KR 100276618 B1 KR100276618 B1 KR 100276618B1 KR 1019970019253 A KR1019970019253 A KR 1019970019253A KR 19970019253 A KR19970019253 A KR 19970019253A KR 100276618 B1 KR100276618 B1 KR 100276618B1
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unit board
motherboard
unit
semiconductor memory
memory device
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KR1019970019253A
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KR19980063301A (ko
Inventor
무네하루 도쿠나가
다카카즈 후쿠모토
Original Assignee
다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Filing date
Publication date
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Publication of KR19980063301A publication Critical patent/KR19980063301A/ko
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Abstract

마더보드의 설계변경을 하지 않고 유닛보드의 설계 변경만으로 반도체 기억장치의 세대교체가 가능한 메모리 모듈을 제공한다.
마더보드가 적어도 2종류의 유닛보드에 접속 가능한 유닛보드와의 접속단자를 가지며 반도체 기억장치의 세대교체에 따르는 접속단자의 변경이 발생했을 경우, 상기 유닛보드와의 접속단자로부터 적당한 단자를 선택하여 마더보드와 유닛보드를 접속한다.

Description

메모리 모듈
본 발명은 반도체 기억장치를 탑재한 유닛보드 및 그 유닛보드를 탑재하기 위한 마더보드로 이루어지는 메모리 모듈에 관한 것이다.
종래, 마더보드에 탑재하는 반도체 기억장치의 용량의 증가를 기도할 경우, 마더보드의 상면 및 하면에 다수의 반도체 기억장치를 직접 실장하고 있어서, 마더보드의 실장 가능한 면적과의 관계로 대용량화가 곤란하였었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 복수의 반도체 기억장치의 고밀도 실장이 가능한 유닛보드를 제작하여, 이러한 유닛보드에 반도체 기억장치를 실장한 후, 유닛보드 자체를 마더보드에 탑재하는 방법(특원평 8－76947 호)에 의해, 마더보드의 대용량화를 기도하고 있었다.
반도체 기억장치는, 세대가 진행함에 따라서 기억 용량이 4배씩 증가하지만, 상기 방법에서는 유닛보드에 탑재되는 반도체 기억장치를 차세대의 장치(즉, 기억 용량이 4배인 기억장치)로 바꿀 경우, 유닛보드와 마더보드를 접속하기 위한 단자의 수와 배치도 변하기 때문에, 마더보드상의 접속단자의 수와 배치도 반도체 기억장치의 세대가 교체될 때마다 변경할 필요가 있었다. 그래서, 본 발명은 마더보드의 설계변경을 하지 않고 유닛보드의 설계변경만으로 메모리 모듈에 사용되는 반도체 기억장치의 세대교체가 가능한 메모리 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그래서, 발명자들은 주의 깊게 연구한 결과, 마더보드가 적어도 2종류의 유닛보드와의 접속단자를 가지며, 반도체 기억장치의 기억용량의 세대 교체에 따른 유닛보드상의 마더보드와의 접속단자의 변경이 발생할 경우, 상기 유닛보드와의 접속 단자로부터 적당한 단자를 선택하여 마더보드와 유닛보드를 접속하는 것에 의해, 마더보드의 설계 변경을 하지 않고서 유닛보드의 설계 변경만으로 반도체 기억장치의 세대교체에 대응할 수 있는 것을 찾아내어 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 복수의 반도체 기억장치가 적재되고, 그 반도체 기억장치와 접속되는 마더보드와의 접속단자를 가지는 제 1 유닛보드 및 상기 반도체 기억장치의 차세대 반도체 기억장치에 상당하는 복수의 반도체 기억장치가 적재되어, 그 반도체 기억장치와 접속되는 마더보드와의 접속단자를 가지는 제 2 유닛보드의 적어도 2종류의 유닛보드와 복수의 상기 제 1 또는 제 2 유닛보드를 교체시켜 적재 가능한 마더보드를 포함하는 메모리 모듈로서 상기 제 1 유닛보드 대신에 상기 제 2 유닛보드를 상기 마더보드상에 적재하는 경우의 제 2 유닛보드의 점유영역이 상기 제 1 유닛보드를 상기 마더보드상에 적재하는 경우의 제 1 유닛보드의 점유영역과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 메모리 모듈이다.
이러한 구조의 메모리 모듈을 사용하는 것으로, 반도체 기억장치의 세대 교체가 필요하게 됐을 경우, 유닛보드만 설계 변경을 하여, 그 유닛보드를 마더 보드에 미리 설정된 유닛보드와의 접속단자중에서 필요한 단자를 선택하여 접속하므로, 마더보드의 설계변경을 하지 않고서 설계 변경후의 유닛보드의 탑재가 가능해져, 이에 따라 마더보드의 설계 변경 없이 반도체 기억장치의 세대교체가 가능해진다. 특히, 상기 제 2 유닛보드를 접속함에 있어서, 그 제 2 유닛보드가 점유하는 영역이, 전세대의 반도체 기억장치를 탑재하는 제 1 유닛보드를 접속하는 경우에 그 유닛보드가 점유하는 영역과 실질적으로 동일하게 하는 것에 의해, 마더보드상의 유닛보드의 실장영역의 변경을 하지 않고서, 또는 변경을 최소한으로 억제하면서 유닛보드를 교환하는 것이 가능하게 된다.
또, 상술한 바와 같이, 본 발명에서는 유닛보드의 교환에 있어서 마더보드의 변경이 불필요 하기 때문에 반도체 기억장치의 세대교체에 따라 유닛보드가 커져도 마더보드의 크기는 변하지 않고, 메모리 모듈자체의 크기를 바꾸지 않고 반도체 기억장치의 세대 교체, 예를 들면 기억용량의 증가를 도모할 수 있다. 또, 마더 보드상에 3종류의 유닛보드와의 접속단자를 설치하여, 그것에 대응하는 3종류의 유닛보드를 사용하는 것으로, 3세대의 반도체 기억장치의 세대교체가 가능해진다.
여기에서 반도체 기억장치의 세대란, 일반적으로 반도체 기억장치의 기억 용량의 세대를 말하며, 구체적으로는, 1메가 비트, 4메가 비트, 16메가 비트 등, 4배씩 증가하는 반도체 기억장치의 기억 용량의 세대를 말하지만, 여기에서는, 이 외에 기억용량이 동일하며 액세스 비트 수가 증가하는 경우 등도 포함하는 것으로 한다.
상기 제 1 및 제 2 유닛보드의 마더보드와의 접속단자에 접속하도록 상기 마더보드상에 설정된 2종류의 유닛보드와의 접속단자는 각기 평행하게 2열씩 배치되어, 상기 제 2 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자가, 상기 제 1 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자에 대하여 평행하고 또한 외측에 배치되고, 또한 각각의 유닛보드와의 접속단자간에서 공통하는 단자끼리 접속되어 있는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 유닛보드의 마더보드와에 설정된 접속단자의 배치는, 각 유닛보드에 탑재되는 반도체 기억장치의 핀 배치 등에 합쳐서 설계되기 때문에, 마더보드에 설정되는 2종류의 유닛보드와의 접속단자의 배치도 이들에게 맞출 필요가 있다. 따라서, 일반적으로는 상기 2종류의 유닛 보드와의 접속단자의 배치(배열순서 등)가 다르기 때문에 공통 단자를 설치하여 양자공통으로 사용하는 것은 곤란하다.
그래서, 본 발명에서는 제 2 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자를, 제 1 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자의 외측에 평행하게 되도록 배치하고, 또한 각각의 유닛보드와 접속 단자간에서 공통인 단자끼리를 마더보드상의 배선에 의해 접속하는 것으로 하고 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자는, 양자에 공통하는 단자끼리 가능한 한 가까이 배치되도록 설계하는 것이, 마더보드상의 배선을 짧게하여, 적층배선의 감소를 도모하는데 있어서 바람직하다.
제1도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 마더보드상에 유닛보드를 탑재한 메모리 모듈의 외관도면.
제2도는 본 발며의 실시한 형태에 의한 64메가 비트 DRAM(×4)용 유닛보드 및 16메가 비트 DRAM(×4)용 유닛보드 공용의 유닛 보드와의 접속단자의 배치도면.
제3도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 16메가 비트 DRAM(×8)용 유닛보드 및 16메가 비트 DRAM(×4)용 유닛보드 공용의 유닛보드와의 접속단자의 배치도면.
제4도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 유닛보드의 평면도.
제5도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 유닛보드의 측면도.
제6도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 유닛보드의 측면도.
제7도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 유닛보드의 하면 도면.
제8도는 본 발명의 실시의 형태에 의한 2계통 제어의 유닛보드의 전기 배선도면.
제9도는 본 발명의 실시의 형태에 관한 유닛보드의 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 마더보드 2 : 유닛보드
3 : 반도체 기억장치 4 : 유닛보드와의 접속단자
5 : 랜드 6 : 기판
7 : 마더보드와의 접속단자 8 : 범프
9 : 리이드
<발명의 실시의 형태>
제1도에 본 발명의 실시의 형태에 의한 메모리 모듈의 외관 도면을 나타낸다. 그 메모리 모듈은 마더보드 (1) 및 유닛보드 (2)로 구성되며 마더보드 (1)는 유닛보드와의 접속단자를 가지며, 그 유닛보드와의 접속단자 상에 마더보드와의 접속단자 (7)를 배치하여 접속하는 것에 의해, 마더보드 (1)상에 유닛보드 (2)의 탑재가 가능하게 된다. 상기 유닛보드 (2)에는 유닛보드 표면에 2개, 이면에 2개의 합계 4개의 반도체 기억장치 (3)가 탑재되고, 각각 마더보드와의 접속단자와 회로배선에 의해 접속되어 있다. 상기 유닛보드 (2)는 탑재되는 반도체 기억장치의 세대가 다른 유닛보드가 2종류 준비되고, 또한 상기 마더보드 (1)에는 이러한 2종류의 유닛보드와의 접속단자 (4)가 설치되어 있다. 이에 따라, 상기 유닛보드 (2)를 그것에 대응하는 유닛보드와의 접속단자 (4)를 선택하여 접속하는 것에 의해 유닛보드 (2)의 교환이 가능해져, 마더보드 (1)에 탑재되는 반도체 기억장치의 세대교체, 즉 메모리 모듈의 기억용량의 증가를 도모하는 것이 가능하게 된다. 또, 본 실시의 형태로서는 2종류의 유닛보드를 사용하는 경우에 관해서 기술하였지만, 3종류 이상의 유닛보드에의 대응도 가능하다.
제2도에, 16메가 비트 RAM(JEDEC 규격 4메가×4 DRAM)용 유닛보드와 64메가 비트 DRAM(JEDEC 규격 16메가×4 DRAM)용 유닛보드의 2종류의 유닛보드와 접속가능한 유닛보드와의 접속단자 (4)의 배치를 나타낸다.
외측에 16개씩 2열로 배치되어 있는 것이 64메가 비트 DRAM 용 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자이고, 내측에 13개씩 2열로 배치되어 있는 것이 16메가 비트 DRAM용 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자이다. 양자에 공유되는 단자는 제2도에 도시한 바와 같이, 가능한 한 가까이 배치되도록 설계되어, 서로 마더보드상의 배선에 의해 접속되어 있다.
상기 마더보드 (1)는 적층 구조로 되어 있고, 마더보드상의 배선은 바깥층 및 내층에 각각 배치된다(제 2,3도).
우선, 본 실시의 형태의 마더보드 (1)에 16메가 비트 DRAM용 유닛보드(2)를 탑재한 경우의 데이터의 판독순서에 관해서 설명한다. 상기 유닛보드 (2)는 16메가 비트 DRAM용 단자(내측)에 의해 마더보드 (1)와 접속되어 어드레스 단자 A0~A11로부터 RAS/CAS에 의해 상위 비트/하위 비트로 나뉘어 어드레스 신호가 입력된다. 본 실시의 형태로서는 유닛보드 (2)에 탑재된 반도체 기억장치 (3)는 제8도에 도시한 바와 같이, 유닛보드 (2)의 상면의 2개로 이루어지는 제 1 계통과 하면의 2개로 이루어지는 제 2 계통과의 2개의 계통으로 분리되어 있다.
따라서, 유닛보드 (2)상의 반도체 기억장치중의 데이터를 판독하는 경우, 우선, RAS/CAS에 의해 선택된 제 1 제어계통에 어드레스 신호가 입력되어, 상면의 2개의 반도체 기억장치중의 데이터가 판독된다. 본 실시의 형태에 사용되는 반도체 기억장치는 4비트 액세스 이기 때문에 상기 2개의 반도체 기억장치중, 마찬가지로 RAS/CAS에 의해 선택된 하나의 반도체 기억장치(IC1)의 해당 어드레스중의 4비트 데이터가, DQ1~DQ4의 4비트 신호로서 출력된다. 다음에, 다른 반도체 기억장치(IC2)의 4비트 데이터가 같이 DQ1~DQ4의 4비트 신호로서 출력된다.
계속해서, 제 2 제어계통이 선택되어 유닛보드 (2)의 하면의 2개의 반도체 기억장치(IC3, IC4)가 차례로 액세스 되어, 똑 같이 각 반도체 기억장치로 부터 4비트 데이터가 출력된다. 이 데이터들은, 마더보드 (1)상의 회로배선(도시하지 않음)을 지나, JEDEC의 사양에 의거하여 설치된 마더보드의 입출력 핀(도시하지 않음)에 출력된다. 또 VCC, VSS, A0~A11, RAS, CAS 등의 단자도 각기 마더보드 (1)상의 경로배선에 의해 마더보드의 입출력 핀(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
한편, 64메가 비트 DRAM용 유닛보드 (2)를 탑재했을 경우는, 64메가 비트 DRAM용 단자(외측)에 의해 마더보드 (1)와 유닛보드 (2)가 접속되고, 유닛보드 (2)에는 어드레스 단자 A0~A12로부터 RAS/CAS에 의해 상위 비트, 하위 비트로 나누어져서 어드레스 신호가 입력된다. 64메가 비트 DRAM의 경우에는 어드레스수가 증가하기 때문에, A12 단자가 별도로 설치된다. 64메가 비트 DRAM용 유닛보드의 경우도, 상기 16메가 비트 DRAM용 유닛보드의 경우와 같은 방법으로 데이터 신호의 판독이 행하여진다. 본 실시의 형태에서는 RAS/CAS에 의한 변환에 의해, 상기 데이터 입출력단자(DQ0~DQ3)가 데이터의 기록에도 사용된다.
상기 마더보드 (1)에는 이러한 16/64메가 비트 DRAM에 대응 가능한 유닛보드와의 접속단자 (4)가 2개 이상 설치되고, 이에 제4도에 나타내는 유닛보드(2)를 각기 탑재하는 것에 의해, 다세대 대응형의 메모리 모듈이 형성된다.
제1도는 마더보드 (1)상의 2곳에 상기 유닛보드와의 접속단자가 설치되어, 각각에 유닛 보드 (2)가 탑재된 예이다. 또, 상기 마더보드의 사양은 JEDEC에 의거해 있으며 JEDEC 스탠더드 168핀 8바이트 DIMM 사양으로 되어 있다.
이와 같이, 마더보드 (1)에 미리 16메가 비트 DRAM용 유닛보드 및 64메가 비트 DRAM용 유닛보드에 각각 대응하는 유닛보드와의 접속단자를 설치함으로서, 마더보드 (1)의 설계 변경을 하지 않고서, 유닛보드 (2)의 교환만으로 메모리 모듈전체의 기억 용량의 세대교체, 즉 기억 용량의 증가가 가능해진다. 이에 따라, 다세대 대응형 마더보드를 미리 개발하여 놓으면, 유닛보드의 설계변경만으로 메모리 모듈의 기억 용량의 세대교체가 가능해져, 차세대 메모리 모듈의 개발 기간의 단축 및 개발비용의 감소가 가능해진다.
상기 유닛보드와의 접속단자는, 제2도에 도시한 바와 같이, 16메가 비트 DRAM용 유닛보드에 대응한 유닛보드와의 접속단자의 외측에, 64메가 비트 DRAM용 유닛보드에 대응한 유닛보드와의 접속단자를 배치하는 것에 의해, 유닛보드를 전자에서 후자로 교체한 경우 전자의 유닛보드가 점유하고 있는 영역이, 후자가 점유하고 있는 영역과 같거나, 또는 포함하게 된다. 이에 따라, 16메가 비트 DRAM에서 64메가 비트 DRAM으로의 유닛보드의 세대교체를, 마더보드 (1)상의 유닛보드(2)의 실장영역의 변경 없이, 또는 변경을 최소한으로 억제하면서 행하는 것이 가능해진다.
유닛보드와 접속단자 (4)와 유닛보드 (2)와의 접속은 유닛보드상의 마더보드와의 접속단자 (7)상에 형성된 범프 (8)를 사용한 땜납 접속에 의해(제5도), 또는 리이드 형상의 마더보드와의 접속단자 (9)를 땜납으로 접속할 수 있다.(제6도).
제3도에, 교환 가능한 2종류의 유닛보드 (2)가 8비트 액세스의 16메가 비트 DRAM(JEDEC 규격 2메가 비트×8DRAM)용 유닛보드와, 4비트 액세스의 16메가 비트 DRAM(JEDEC 규격 4메가 비트×4DRAM)용 유닛보드인 경우의 유닛보드와의 접속단자 (4)의 배치를 나타낸다. 이 경우도, 제3도에 도시한 바와 같이 상기한 경우와 같이 8비트 액세스 DRAM용 단자가, 4비트 액세스 DRAM 용 단자의 외측에, 서로 평행하게 되도록 배치되어 있다.
이러한 실시의 형태에서는, 액세스 비트수가 다른 것에 대응하여, 4비트 액세스의 16메가 비트 DRAM용 유닛보드에 대응한 유닛보드와의 접속단자에는 4개의 데이터 입출력단자(DQ1~DQ4)가 한편 8비트 액세스의 16메가 비트 DRAM용 유닛보드에 대응한 유닛보드와의 접속 단자에는 8개의 데이터 입출력 단자(DQ1~DQ8)가 설정되고, 각각 마더보드의 입출력핀(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또, 본 실시의 형태에서는, 16메가 비트 DRAM(×4)용 유닛보드와의 접속단자중, A11 단자는 사용되어 있지 않다(접속되어 있지 않음).
이와 같이, 액세스 비트 수가 다른 2종류의 DRAM용 유닛보드 (2)를 교환하는 것에 의해, 기억 용량이 동일하고 액세스 비트 수가 다른 반도체 기억장치간의 변경이 마더보드 (1)의 설계변경을 하지 않고 가능해져, 메모리 모듈의 개발기간의 단축 및 개발비용의 감소가 가능해진다. 또, 본 실시의 형태로서는, 2종류의 마더보드 접속 단자를 평행하게 4열로 나란히 형성하여, 내측(2,3열째)에 설치한 단자가 하나의 유닛보드에 대응하여, 외측(1,4열째)에 설치한 단자가 다른 유닛보드에 대응하는 것으로 하였지만, 예를 들면, 1, 3,열째에 설치한 단자가 하나의 유닛보드에 대응하여 2,4열째에 설치한 단자가 다른 유닛보드에 대응하도록 형성 하는 것도 가능하다.
제4도, 제5도는 상술한 4개의 반도체 기억장치 (3)을 탑재한 본 실시의 형태에 의한 유닛보드 (2)의 평면도 및 측면도를 나타낸다.
상기 유닛보드 (2)는 개구부를 설치한 기판 (6)에 반도체 기억장치 (3)를 탑재하기 위한 랜드 (5)를 개구부 주연(周緣)에 설치하여 기판 (6)의 상면, 하면에 각각 2개씩 합계 4개의 반도체 기억장치 (3)을 탑재한다. 또, 기판(2)의 좌우 주변 부에는 상기 마더보드 (1)상의 유닛보드와의 접속단자 (4)에 대응하는 위치에, 마더보드와의 접속 단자 (7)가 설치되고, 랜드 (5)와 결선되어 있다 (도시하지 않음). 또, 마더보드와의 접속단자 (7)상에는 마더보드 (1)와의 접속용 땜납 범프 (8)가 설치되어 있다.
이와 같이, 4개의 반도체 기억장치 (3)을 1조로서 유닛보드 (2)를 형성하는 것에 의해, 전세대의 기억 용량을 가지는 반도체 기억장치를 사용하여, 차세대의 기억 용량을 가지는 유닛보드를 형성할 수 있다. 즉, 반도체 기억장치의 기억 용량은 세대가 교체될 때마다 4배씩 증가하기 때문에, 이러한 유닛보드 (2)를, 일체로서 차세대의 기억 용량을 가지는 반도체 기억장치로서 취급하는 것이 가능해진다.
또, 일반적으로 최신 세대의 기억 용량을 가지는 반도체 기억장치는 공급량이 불안정하기 때문에, 공급량이 안정한 전세대의 기억 용량을 가지는 반도체 기억 장치를 사용하여 최신 세대의 반도체 기억장치 대신에 사용하는 것이 가능해진다.
제5도에 나타내는 유닛보드 (2)로서는, 마더보드와의 접속단자 (7)상에 땜납범프 (8)가 설치되지만, 제6도에 도시한 바와 같이 땜납범프 (8)대신에 리이드 단자 (9)를 사용하는 것도 가능하다.
제7도에, 마더보드와의 접속단자 (7)가, 유닛보드 (2)주위의 4방향에 설치되어 있는 실시의 형태(하면 도면)를 표시한다. 제4도에 나타낸 실시의 형태에서는, 마더보드와의 접속단자 (7)가 유닛보드 (2)의 좌우 주변부에만 설치되는 것에 대하여, 본 실시의 형태에서는, 이것에 더해서 상하 주변부에도 설치되어 있다. 이에 따라, 대응하여 설정되는 유닛보드와의 접속단자 (4)도 제2도, 제3도와 같은 2열의 직선 형상이 아닌 구형 형상으로 배치할 수 있다.
그 결과, 유닛보드와의 접속단자 (4)의 간격을 넓게 할수 있어, 마더보드 (1)상의 회로배선의 루팅(routing)이 용이하게 되는 동시에, 적층 배선구조를 적게 하는 것이 가능해져, 회로배선의 저용량화 등을 도모하는 것이 가능해진다.
또, 유닛보드 (2)에 탑재되는 반도체 기억장치 (3)는 필요에 따라서 ECC(Error Correction Code)기능 및 또는 패리티 기능용으로서 사용하는 것도 가능하다. 이에 따라 반도체 기억장치의 입출력 데이터 등의 에러 체크가 가능해진다.
특히, 마더보드 (1)에 복수의 유닛보드 (2)를 탑재하는 경우에는 실장밀도를 높이기 위해서, 제9도에 나타내는 반도체 기억장치 (3)를 상하게 2개 탑재한 유닛보드(제4도에 유닛보드 2를 좌우로 분할한 것에 상당)를 사용하는 것도 가능하다. 이러한 유닛보드를 사용하는 것에 의해, 4개의 반도체 기억장치 (3)를 탑재한 유닛보드 (2)로서는 실장 불가능한 좁은 장소에의 실장이 가능해지는 경우도 있기 때문이다.
이상의 설명에서 분명한 바와 같이, 본 발명에서는 반도체 기억장치의 세대 교체, 즉 기억 용량의 증가가 필요해진 경우 마더보드의 설계변경을 하지 않고서 유닛보드의 설계변경만으로 반도체 기억장치의 세대교체가 가능해지기 때문에, 차세대 기억 용량에 대응하는 메모리 모듈의 개발기간의 단축 및 개발비용의 삭감을 도모하는 것이 가능해진다.
또, 유닛보드에 4개의 반도체 기억장치를 탑재하여, 차세대의 기억 용량을 가지는 유닛보드를 구성함으로서, 이러한 유닛보드를 일체로서 차세대의 기억 용량을 가지는 1개의 반도체 기억장치와 같이 취급하는 것이 가능해진다.
특히, 공급량이 불안정한 최신 세대의 반도체 기억장치 대신에, 공급량이 안정한 전세대의 기억 용량을 가지는 반도체 기억장치 4개로 이루어지는 상기 유닛보드를 동등품으로서 사용하는 것에 의해, 반도체 기억장치의 공급량에 좌우되지 않고 메모리 모듈의 안정공급을 하는 것이 가능해진다.

Claims (2)

  1. 복수의 반도체 기억장치가 적재되며 그 반도체 기억장치와 접속되는 마더보드와의 접속단자를 가지는 제 1 유닛보드 및 상기 반도체 기억장치의 차세대 반도체 기억장치에 해당하는 복수의 반도체 기억장치가 적재되고, 그 반도체 기억장치와 접속되는 마더보드와의 접속단자를 가지는 제 2 유닛보드의 적어도 2종류의 유닛보드와, 복수의 상기 제 1 또는 제 2 유닛보드를 교체하여 적재 가능한 마더보드를 포함하는 메모리 모듈에 있어서, 상기 제 1 유닛보드 대신에 상기 제 2 유닛보드를 상기 마더보드상에 적재하는 경우의 제 2 유닛보드의 점유영역이, 상기 제 1 유닛보드를 상기 마더보드상에 적재하는 경우의 제 1 유닛보드의 점유영역과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 유닛보드의 마더보드와의 접속단자에 접속하도록 상기 마더보드에 설치된 2종류의 유닛보드와의 접속단자가 각기 평행하게 2열씩 배치되며, 상기 제 2 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자가, 상기 제 1 유닛보드를 접속하기 위한 유닛보드와의 접속단자에 대하여 평행함과 동시에 외측에 배치되며 또한 각각의 유닛보드와의 접속단자간에서 공통인 단자끼리가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈.
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