JPWO2017047076A1 - 光導波路素子 - Google Patents
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Abstract
パターン端面位置の形成誤差を観測者がより直感的に把握でき、そのため観測者が、より効率的に端面位置の形成誤差を測定し得るようにすることが課題である。この課題を解決するために、光導波路素子は、コアを備える光導波路と、コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列する配列パターンと、を備える。
Description
本発明は、光導波路素子、光導波路素子の製造方法、光導波路素子を用いた測定方法、及び、光導波路素子の他の光素子との接合方法に関する。
近年の光通信では通信トラフィックの増加に伴い、光通信回線の増強が強く求められている。光回線増強のために、複数の光学素子を、同一のプラットフォーム上に実装することで、多機能性を有す素子をコンパクトに実現する方法が検討されている。この場合、素子の実装精度が素子の特性に直結するため、非常に高精度な実装が求められる。そのために、0.5μmあるいは、それ以下での端面位置の読み取りが必要な場合がある。
図1は、光導波路1が形成された光導波路素子002aにおいて、端面004の位置を読み取る一般的な方法を表すイメージ図である。
光導波路素子002aにおいては、光導波路1を挟んでその両側にマーカ003a及び003bが形成される。観測者は、この素子を測長顕微鏡で観測し、目視でマーカ003aとマーカ003bの中心とを結んだ線006と光導波路1との交点007を認定し、交点007と端面004との距離005を測長顕微鏡が備える目盛を用いて目視により測定する。
しかしながら、測長顕微鏡を使用した場合、測定誤差として0.5μm程度のバラつきが生じてしまい、0.5μm以下の測定精度が得られない。
精度を改善するために、素子の端面付近にノギスパターンを形成して、そのノギスパターンから形成誤差を読み取る方法が考えられる。
図2は、ノギスパターン008が形成された光導波路素子002bを表すイメージ図である。
光導波路素子002bにおいては、導波路1の周囲に、ノギスパターン008が形成されている。
観測者は、光学顕微鏡で光導波路素子002bを観測し、光導波路素子002bの端部004が一致するノギスパターンの上端部又は下端部がどれであるかを判定することにより、端部004の位置を知り、形成誤差を読み取ことができる。
なお、本発明に関連して、特許文献1には、端面位置検出マーカと、2つの位置合わせマーカにより位置合わせする光集積素子の製造方法が開示されている。
また、本発明に関連して、特許文献2には、マーカを素子上面から一定の深さまで形成し、光導波路が形成された素子端面を研磨することによりマーカが端面に現れ、端面側からマーカを確認することにより端面位置を検出する光導波路が開示されている。
しかしながら、光学素子上に安定的に形成できるパターンは、その幅が1μm以上であるため、0.1μm以下の精度を得るためには、多くのノギスパターンを形成する必要がある。そのため、ノギスパターンを形成する領域にかなりの面積を占有してしまう。これでは、素子全体の面積が大きくなり、コスト高につながる。また、ノギスパターンは観測者が直感的に把握するのは困難なパターンであるため、観測者がノギスパターンにより端面位置を測定するのは手間がかかる作業である。観測者が、早く正確に端面位置を測定するには、より直感的に読み取れるパターン等を用いることが望ましい。
本発明は、端面位置の形成誤差を観測者がより直感的に把握でき、そのため観測者が、より効率的に端面位置の形成誤差を測定し得る光導波路素子を提供することを目的とする。
本発明の光導波路素子は、コアを備える光導波路と、コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列する配列パターン、とを備える。
本発明の光導波路素子は、パターン端面位置の形成誤差を観測者がより直感的に把握でき、そのため観測者が、より効率的に端面位置の形成誤差を測定し得る。
<第一実施形態>
本実施形態は、配列パターンを直線的に配列した光導波路素子に関する実施形態である。
[構成と動作]
図3は、本実施形態の光導波路素子002cの構成を表す概念図である。同図(a)は上面図であり、同図(b)は、同図(a)に表した切断線051で切断した場合を想定した断面図である。
本実施形態は、配列パターンを直線的に配列した光導波路素子に関する実施形態である。
[構成と動作]
図3は、本実施形態の光導波路素子002cの構成を表す概念図である。同図(a)は上面図であり、同図(b)は、同図(a)に表した切断線051で切断した場合を想定した断面図である。
光導波路素子002cは、同図(a)に表したように、パターン化されたコア001と、パターン群061とを備える。
パターン群061は、配列パターン010a、010b、010c、010d、010eを備える。
配列パターン010a、010b、010c、010d、010eは、コア001の端部020の近傍に形成されており、光導波路素子002cの端面004となす角度(以下、単に「角度」という。)が角度030aである線009に、それらの下端が接するように等間隔に配列している。
コア001及び配列パターン010dは、例えば、同図(b)に表したように、基板101上に形成され、基板101上に形成されたクラッド材料102と、さらにその上に形成されたクラッド材料105とにより覆われている。そして、コア001と配列パターン010dとは、同じコア材料103bで形成されている。
なお、図示は省略するが、配列パターン010a、010b、010c、010eについても、配列パターン010dと同様に、基板101上に形成されている。また、配列パターン010a、010b、010c、010eについても、基板101上に形成されたクラッド材料102と、さらにその上に形成されたクラッド材料105とにより覆われている。そして、コア001と配列パターン配列パターン010a、010b、010c、010eとは、同じコア材料103bで形成されている。
各配列パターンは、必ずしもコア材料103bで形成されている必要はない。しかしながら、各配列パターンをコア材料103bで形成した場合には、各配列パターン用のコア材料103bとコア用のコア材料103bとをクラッド材料102上に共通の工程で形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。
コア001は、コア材料103bとその周囲を覆うクラッド材料102及び105を構成する材料との屈折率の違いにより、コア001の内部の光を閉じ込めて伝送する光導波路として機能する。
基板101としては、例えば、シリコン基板のような劈開の容易な材料を用いることができる。
クラッド材料102、105としては、例えば石英(SiO2)を用いることができる。
コア材料103は、クラッド材料102よりも屈折率の高い材料を用いる。クラッド材料102に石英を用いた場合は、コア材料103には、例えば、石英よりも屈折率の高いシリコン酸窒化膜(SiON)を用いることができる。
また、コア材料103にシリコン酸窒化膜(SiON)を用い、さらに空気中で用いる場合は、クラッド材料105を省略することができる。コア材料103は、その周囲に存在する空気よりも屈折率が高いため、空気がクラッド材料105の代用物となるためである。
端部020は、コア001の端部020以外の部分を通じて外部からコア001に入射された光を外部に出射し、また、外部から端部020を介して光をコア001に入射させ、コア001の他の部分に伝送するための、光の入出力端部として機能する。
パターン群061は、後述のように、作成した光導波路素子002cの端面004の位置の、端面004に対する法線方向の、設計値からの形成誤差を測定するために用いられるマーカとなる。以下において、端面の位置を「端面位置」と、端面位置の端面に対する法線方向の設計値からの形成誤差を「端面位置の形成誤差」ということにする。
なお端部020は端面004上に位置するものであるから、端面位置の形成誤差は、端部の位置の面に対する法線方向の設計値からの形成誤差を意味する。
パターン群061を構成するコア材料103bの下部にはクラッド材料は存在しなくても構わない。
図4は、パターン群061を構成するコア材料103bの周囲にクラッド材料が無い場合の光導波路素子002cbを表す断面概念図である。コア001は、コア材料103bの周囲がクラッド材料102及び105により覆われているが、配列パターン010dは、コア材料103bの周囲にクラッド材料102及び105はなく、コア材料103bは基板上に直接形成されておりむき出しになっている。図示はしないが、配列パターン010a、010b、010c、010eについても同様である。
また、ここでは図示はしないが、配列パターン010a、010b、010c、010d、010eの周囲が、クラッド材料ではない別の材料で覆われていても構わない。
次に、図3に表したパターン群061を用いて、端面の位置が設計通りにできていない光導波路素子の端面の位置を評価する方法について説明する。
図5は、端面の位置が設計通りにできていない光導波路素子002ccを表す上面概念図である。
光導波路素子002ccの端面004bは、端面位置が設計通りにできている場合を想定した端面004aに比べて、その端面位置が、同図の上方向にシフトしている。光導波路素子は一般的にその端部を形成するために光導波路素子を形成した基板に対して劈開等を行う。その際に、劈開等は再現性良く同じ位置において行うことが困難なので、光導波路素子002ccのように端面位置が設計値からの形成誤差が生じることは通常起こり得る。
同図に表したように、光導波路素子002ccは、上面から見た場合に、パターン群061を構成する配列パターンのうち、配列パターン010b、010c、010d、010eは、各パターンの全体が観測される。一方、パターン010aについてはパターンの上端のみしか観測されていない。
このように各配列パターンの見え方により、端面004bの設計通りにできている場合を想定した端面004からの端面位置の形成誤差を直感的に把握することができる。
このように端面位置に形成誤差が生じると、次に説明するように、コア端部の横位置(端面に平行な基板面内の方向の位置をいう。以下同じ。)にも形成誤差が生じる。
図6は、端面位置に形成誤差が生じた場合にコア端部の横位置に形成誤差が生じることを説明するイメージ図である。
設計上の端面004aから間隔311だけ端面位置の形成誤差が生じている端面004b上のコア001の端部020bの中心025bは、端面004a上のコア001の端部020aの中心025aとでは、横位置が間隔312だけ相違する。
このような横位置の相違は、導波路素子を他の光素子と接合させる場合に支障を生じさせる。
図7は、端面位置に形成誤差が生じた光導波路素子002ccを、他の光導波路素子002yと接合する場合に生じる不都合を説明するためのイメージ図である。
同図(a)は、設計値通りの端面位置を有する光導波路素子002cを他の設計値通りの端面位置を有する光導波路素子002yに接合させる場合の、コア同士の接合状況を表す。
光導波路素子002cの端面位置と他の光導波路素子002yの端面位置がともに設計通りである場合には、光導波路素子002cのコア001の端部020aと他の光導波路素子002yのコア001yの端部020yとはほぼ重なるように接合される。端部020aの中心025aと端部020yの中心026bとはほぼ一致している。そのような接合が行えるよう、接合を行うために用いる機械や器具が予め調整されているためである。それらにより、光導波路素子002cから他の光導波路素子002yへ、及び、他の光導波路素子002yから光導波路素子002cへは、接合されたコア001及び001yにより、有効に光を送ることができる。
同図(b)は、横位置の形成誤差が生じた光導波路素子002ccを設計値通りの端面位置を有する他の光導波路素子002yに接合させる場合の、コア同士の接合状況を表す。同図に表したように、光導波路素子002ccのコア001の端部020bと、他の光導波路素子002yのコア001yの端部020yとは十分に重なっていない。また、端部020bの中心025bと端部020yの中心026bともずれている。端部の端面位置が設計値である光導波路素子同士を接合した場合に、それらのコア端部同士が十分に重なるように接合を行うために用いる機械や器具が調整されているためである。同図に表した場合には、コア端部同士の重なりが不十分なため、光導波路素子002ccから他の光導波路素子002yへ、及び、他の光導波路素子002yから光導波路素子002ccへは、コア001及び001yにより、十分に光を送ることはできない。
このように、端面位置の形成誤差が生じた光導波路素子002ccは、他の光素子と接合する用途に用いないか、用いる場合には後述のように横位置の補正を行う必要がある。
上述の、図3及び図5に表したパターン群061は、上記のような不都合を生じる原因である端面位置の形成誤差を表すものである。パターン群061を構成する各配列パターンは、上記のように直線的に配列しているため、端面位置の形成誤差を観測する観測者に、端面位置の形成誤差を直感的に把握させることができる。各配列パターンが等間隔で配列している場合は、それらは観測者に対しさらに直感的把握を容易にする。
パターン群を構成する配列パターン配列する直線が端面となす角度については種々の選択を行うことができる。
図8は、パターン群を構成する配列パターンの配列が端面となす角度が図3に表した光導波路素子002cよりも小さい光導波路素子002dを表す平面概念図である。
光導波路素子002dは、パターン群061aを構成する配列素子010aa、010ba、010ca、010da、010eaの下部が配列する直線009aが、端面004となす角度030bが、図3に表した光導波路素子002cよりも小さい。
角度030bが小さい光導波路素子002dは、次図を参照して説明するように、端面位置の形成誤差の観測者による検出感度が向上する。
図9は、パターン群を構成する配列パターンの配列と端面とがなす角度が顕著に異なる2種類の導波路素子における、端面位置の形成誤差の観測の様子を表すイメージ図である。同図には、前記角度が小さい角度030bの光導波路素子002dと、前記角度が大きい角度030cである光導波路素子002eとで、端面位置の設計値からの形成誤差が等しい場合の観測のされ方を比較して表してある。
光導波路素子002d、002eの端面004bの端面位置は、設計通りの端面004aの端面位置より、間隔313だけずれている。
光導波路素子002dは、このずれにより、端面位置が設計値である場合に備えるその配列パターンのうち配列パターン010aaと配列パターン010baを完全に失っている。光導波路素子002dは、さらに、配列パターン010caについてもその上部以外の大部分及び配列パターン010daの半分以上を失っている。
一方、光導波路素子002eは、コア001に最も近い配列パターン010abを失ったのみである。
小さい角度030bをもつ光導波路素子002dは、同じ端面位置の形成誤差により、大きい角度を持つ光導波路素子002eよりも、失った配列パターンが多く、観測者に対しその分視覚的なインパクトが大きい。すなわち、小さい角度030bをもつ光導波路素子002dは、端面位置の形成誤差に関して、より感度の高い情報を観測者に提供する。
ただし、同じ横方向(端面及び基板面に平行な方向をいう。以下同じ。)の範囲内に設置する場合には、角度が大きい方がより大きな端面位置の形成誤差も観測することが可能である。光導波路素子002dのパターン群061aと、光導波路素子002eのパターン群061bは、ともにほぼ等しい横方向の範囲内に形成されている。光導波路素子002dを用いた場合、観測者は、端面位置が設計値である場合の端面004aと配列パターン010eaの上端との間隔314の範囲にある端面位置の形成誤差しか、パターン群061aにより観測することができない。一方、光導波路素子002eを用いた場合、観測者は、端面004aと配列パターン010ebの上端との間隔315と、間隔314よりずっと大きい端面位置の形成誤差を、パターン群061bにより観測することができる。
パターン群を構成する配列パターンの数は任意である。
図10は、配列パターンの数が9個の場合の光導波路素子002fを表す上面概念図である。
パターン群061cは9個の配列パターン010ac、010bc、010cc、010dc、010ec、010fc、010gc、010hc,010icを備える。これら配列パターンの下端は線009cに沿って直線的に等間隔に配列している。
パターン群を構成する配列パターンはすべて同一である必要はなく、異なるパターンから構成されていても構わない。
図11は、高さの高い配列パターンと低い配列パターンとから構成されるパターン群を備える光導波路素子002gを表す上面概念図である。
光導波路素子002gのパターン群061dは高さの高い配列パターン010cd、010fdと、高さの低い配列パターン010ad、010bd、010dd、010ed、010gd、010hdと、を備える。これらの各配列パターンの下端は線009dに沿って直線的に等間隔に配列している。
光導波路素子002gの場合は、高さの高いパターンが、直線的に等間隔で並んだ配列パターンの3個に1個配置されている。そのため、その下端が端面004に一致した場合は、観測者は、配列パターンの3の倍数個分の端面位置の形成誤差が生じていることを即座に把握することができる場合がある。
各配列パターンの形状は、以下に説明するように種々の形状の中から選択することができる。
図12は、配列パターンの形状が円である光導波路素子002hを表す上面概念図である。
光導波路素子002hのパターン群061eは、円形の配列パターン010ae、010be、010ce、010deを備える。各配列パターンの下端は線009eに沿って直線的に配列している。
図13は、配列パターンが3つの円である光導波路素子002iを表す上面概念図である。
光導波路素子002iのパターン群061fは、それぞれが3つの円からなる配列パターン010af、010bf、010cf、010dfを備える。各配列パターンの下端は線009fに沿って直線的に配列している。
光導波路素子002iのパターン群061fの場合は、個々の配列パターンが、縦方向に配列した複数のパターンから形成されている。そのため、観測者は、端面004に一致する配列パターンの下端に加えて、配列パターンを構成する複数のパターンの下からどの位置までが消失しているかを加味して、端面位置の形成誤差を把握することができる場合がある。そのため、観測者は、パターン群061fにより、端面位置の形成誤差の把握がより容易になる場合がある。
図14は、配列パターンが円と三角形を組み合わせた形状である光導波路素子002jを表す上面概念図である。
光導波路素子002jのパターン群061gは、それぞれが円と三角形とを組み合わせた形状からなる配列パターン010ag、010bg、010cg、010dgを備える。各配列パターンの下端は線009gに沿って直線的に配列している。
光導波路素子002jのパターン群061gは、図13に表した光導波路素子002iのパターン群061fと同様の効果を奏する。それに加えて、個々の配列パターンを構成する2つのパターンは、上部と下部とで形状が異なるので、観測者は消失しているパターンをより容易に直感的に把握できる場合がある。
図15は、パターン群が複数の種類の形状の配列パターンを備える光導波路素子002jを表す上面概念図である。
光導波路素子002kのパターン群061hは、円形の配列パターン010ah、010dhと、三角形の配列パターン010bhと、四角形の配列パターン010chと、を備える。各配列パターンの下端は線009hに沿って直線的に配列している。
異なる種類の記号を規則的に配列した場合には、記号の種類と端面位置の形成誤差との関係を予め求めておくことで、光導波路素子002jが観測者に対して端面位置の形成誤差をより直感的に把握させることが可能になる場合がある。例えば、四角形の配列パターン010chの下端が端面である場合には、端面位置の設計値からの形成誤差は5μmというように定めておくのである。
配列パターンは、文字を表す形状であっても構わない。
図16は、配列パターンが文字を表す形状である光導波路素子002mを表す上面概念図である。
光導波路素子002mのパターン群061jは、文字”a”を表す形状の配列パターン010ajと、文字”b”を表す形状の配列パターン010bjとを備える。パターン群061jは、さらに、文字”c”を表す形状の配列パターン010cjと、文字”d”を表す形状の配列パターン010djとを備える。各配列パターンの下端は線009jに沿って直線的に配列している。
光導波路素子002mのパターン群061jは、図15に表した光導波路素子002kのパターン群061hと同様の効果を奏する。それに加えて、アルファベットのような順番が定まった文字を用いる場合は、端面位置の形成誤差の大小をより明確に把握することが可能である場合がある。
配列パターンは、数字を表す形状のパターンを含むものであっても構わない。
図17は、配列パターンが数字を表す形状である光導波路素子002lを表す上面概念図である。
光導波路素子002lのパターン群061iは、数字”1”を表す形状の配列パターン010aiと、数字”2”を表す形状の配列パターン010biとを備える。パターン群061iは、さらに、数字”3”を表す形状の配列パターン010ciと、数字”4”を表す形状の配列パターン010diとを備える。各配列パターンの下端は線009iに沿って直線的に配列している。
配列パターンに数字を表す形状を用いる場合は、例えば数字と端面位置の設計値からの形成誤差とを対応付けておくことにより、光導波路素子002lが観測者に対して端面位置の設計値からの形成誤差をより直感的に把握させることが可能になる場合がある。例えば、各配列パターンの下端が端面と一致した場合に端面位置の設計値からの形成誤差がその配列パターンの表す数字と等しくなるように定めておくのである。
図18は、配列パターンが数字を表す形状のパターンと四角形のパターンとを組み合わせたパターンである光導波路素子002nを表す上面概念図である。
光導波路素子002nのパターン群061kは、四角形のパターンの上に数字”1”を表す形状のパターンを配置した配列パターンと010aiと、四角形のパターンの上に数字”2”を表す形状の配列パターン010biと、を備える。パターン群061kは、さらに、四角形のパターンの上に数字”3”を表す形状のパターンを配置した配列パターン010ciと、四角形のパターンの上に数字”4”を表す形状のパターンを配置した配列パターン010diとを備える。各配列パターンに含まれる四角形パターンの下端は線009kに沿って直線的に配列している。
パターン群009kの場合も、図17に表したパターン群009iと同様に、例えば数字と端面位置の形成誤差とを対応付けておくことにより、光導波路素子002nが観測者に対して端面位置の形成誤差をより直感的に把握させることが可能になる場合がある。例えば、各配列パターンに含まれる四角形のパターンの下端が端面と一致した場合に端面位置の形成誤差がその配列パターンの表す数字と等しくなるように定めておくのである。図17に表したパターン群009iの場合は、各配列パターンの下端の形状が異なるので、その下端が端面004と一致するかどうかを観察しにくい場合がある。これに対し、図18に表したパターン群009kの場合は、各配列パターンに含まれる同じ形状や大きさの四角形のパターンが端面004に一致するかを判定する。四角形のパターンはどの配列同じ形状や大きさなので、観測者は四角形のパターンが端面004に一致するかを判定することが容易である。すなわち、光導波路素子002nは、端面位置の形成誤差を観測者により容易に直感的に認識させることが可能な場合がある。
各配列パターンの近傍に他のパターンを設けても構わない。
図19は、各配列パターンの配列と平行に追加パターンを設けた光導波路素子002qを表す平面概念図である。
光導波路素子002qが備えるパターン群061qは、長方形の配列パターン010aq、010bq、010cq、010dq、010eq、010fq、010gq、010hq、010iqを備える。パターン群061qは、さらに、それら長方形の配列パターンの下に設けられた長方形の追加パターン040を備える。各配列パターンの下端は、線009qに沿って等間隔に配列されている。また、追加パターン040は、その長辺が線009qに平行になるように設置されている。
光導波路素子002qは、例えば、端面004と追加パターン040を構成する線との交点位置を観測者に直感的に把握させることができる場合がある。その場合、観測者は、その交点位置と配列パターンとを見比べることにより、その交点位置がどの配列パターンと対応するかを即座に判定することができる可能性がある。すなわち、追加パターン040が観測者に配列パターンと端面位置の形成誤差との対応付けを補助する働きをする場合がある。
各配列パターンと追加パターンとは重なりあっても構わない。
図20は、配列パターンと追加パターンとが重なりあって一つのパターンを形成する光導波路素子002oを表す平面概念図である。
その下端が線009lに沿って配列している配列パターン010al、010bl、010cl、010dl、010el、010fl、010gl、010hl、010ilは、それぞれの下部が追加パターン040aと重なっている。追加パターン040aは線009lにその長辺が平行な長方形のパターンである。それらのパターンは重なり合うことにより一つの連結パターン062となっている。
なお、配列パターン010al、010bl、010cl、010dl、010el、010fl、010gl、010hl、010il及び追加パターン040aは、重なり合って一つの連結パターン062となる。そのため、それらの配列パターンのそれぞれは厳密にはパターンではない。それらの配列パターンのそれぞれは、説明の都合上想定された仮想パターンであると理解いただきたい。
連結パターン062を備える光導波路素子002oは、図19に表したパターン群061qを備える光導波路素子002qと同様の効果を奏する。
図21は、配列パターンが複数の種類のパターンから構成され、数字を表す形状のパターンを含み、さらに配列パターンの配列に平行に形成されたパターンの一部が、各配列パターンと重なる光導波路素子002pを表す平面概念図である。
光導波路素子002pが備えるパターン群061mは、その下端が線009mに沿って配列した9個の配列パターンと、それらの配列パターンの下部と重なりあって形成された、直線009mのその長辺が平行な長方形の追加パターン040とを備える。
9個の配列パターンのうち、配列パターン010bm、010cm、010em、010fm、010hm、010imは等しい大きさの長方形のパターンである。また、配列パターン010amは、配列パターン010bm等よりは長い長方形のパターンの上に数字”0”を表す形状のパターンを配置したパターンである。また、配列パターン010dmは、配列パターン010bm等よりは長い長方形のパターンの上に数字”1”を表す形状のパターンを配置したパターンである。また、配列パターン010gmは、配列パターン010bm等よりは長い長方形のパターンの上に数字”2”を表す形状のパターンを配置したパターンである。
なお、各配列パターン(数字を表すパターンの部分を除く。)及び追加パターン040は、重なり合って一つのパターンとなるので、それらのそれぞれは厳密にはパターンではない。それらのそれぞれは、説明の都合上想定された仮想パターンであると理解いただきたい。
パターン群061mを備える光導波路素子002pは、連結パターン062を備える光導波路素子002oの効果に加えて、さらに、端面位置の形成誤差を観測者に直感的に把握させやすいという効果を与えうる。数字により、端面位置の形成誤差を表示するように設定できるからである。なお、数字を表すパターンを備える配列パターンにおいて、長方形を長くすることは、数字を備える配列パターンをより強調する効果を奏する。
図22は、パターン群の大きさの一例を説明するイメージ図である。
同図に表したパターン群061nは、20個の長方形の配列パターン010rと、6個の、それらより長い長方形のパターンとその上部の数字を表すパターンとを組み合わせた配列パターン010sを備える。パターン群061nは、さらに、配列パターンの下端の配列に沿った線とその長辺方向が平行な長方形の追加パターン040cを備える。
追加パターン040cの辺071の端面に平行な方向の幅は例えば50μmとする。そして辺071の端面に対する法線方向の幅は例えば10μmとする。そして、端面位置が設計値である端面004aの場合に端面が辺071上の最下点である点081になるようにパターン群061nが設置されているものとする。
その場合、作成された光導波路素子の端面が点081と重なる場合は、点082の上方にある数字を表すパターンから、端面位置は設計値から4μmずれていると読み取ることができる。また、端面が点083と重なった場合には、点083の上方にある数字を表すパターンから、端面位置は設計値から10μmずれていると読み取ることができる。
以上において、光導波路素子が備える配列パターン(図20、図21の仮想的な場合を含む。以下、同じ。)は、その下端が直線上に形成される場合について説明した。しかしながら、配列パターンは、その下端が直線上に形成される場合に限らず、直線的に配列されていればよい。ここで「直線的に配列」とは、直線状に配列しているように観測者に見えるという意味である。「直線的に配列」には、配列パターンの下端が直線上に配列している場合の他、配列パターンの上端が直線上に配列している場合、配列パターンの中心が直線上に配列している場合、及び、配列パターンの重心位置が直線上に配列している場合が含まれる。「直線的に配列」は、さらに、それらに限定されない。
図3及び図8乃至図22には、各図に向かって、各配列パターンが右下から左上へ直線的に配列する場合を表したが、それらの配列は、同図に向かって、左下から右上へ直線的に配列するものであっても構わない。 また、図3及び図8乃至図22には、各図に向かって、コア001の左側に各配列パターンが配列する場合を表したが、各配列パターンはコア001の右側に配列するものであっても構わない。
[製造方法]
以下においては、本実施形態の光導波路素子の製造方法を、図21に表した光導波路素子002pの場合を例に説明する。
[製造方法]
以下においては、本実施形態の光導波路素子の製造方法を、図21に表した光導波路素子002pの場合を例に説明する。
図23乃至図30は、光導波路素子002pの製造方法の例を表す概念図である。各図において、(a)は上面図であり、(b)は(a)に表した切断線050で切断した場合を想定した断面図である。
まず、図23に表したように、基板101上に、第一のクラッド材料102と、コア材料103と、レジスト104と、を順次形成した構造物を用意する。
基板101としては、例えば、シリコン基板を用いる。
クラッド材料102としては、例えば石英(SiO2)を用いる。石英は例えばCVD(chemical vapor deposition)により成膜する。クラッド材料102にCVDで成膜した石英を用いる場合にはその膜厚は例えば15μm程度である。
コア材料103は、クラッド材料102よりも屈折率の高い材料を用いる。クラッド材料102に石英を用いた場合は、コア材料103には、例えば、石英よりも屈折率の高いシリコン酸窒化膜(SiON)を用いる。コア材料103にシリコン酸窒化膜(SiON)を用いた場合、コア材料103は例えばCVDにより成膜することができ、その膜厚は例えば30μmである。
レジスト104としては、例えば、露光により溶媒に対する溶解の容易性が変化するフォトレジストを用いる。以下においては、露光により溶媒に対する溶解性が低下するレジストを用いた場合について説明する。レジストは、例えば、スピンコートによる塗布とその後の乾燥等による硬化により形成することができる。
次に、図24に表したようにレジスト104の上にマスク150を設置し、その上から露光を行う。マスク150には、同図に表した形状に露光用の光を透過する透過部091が設けられている。マスク150の透過部091以外の部分は露光用の光をほとんど透過しない。この露光により、レジスト104の透過部091の下部の部分のみが露光される。
そして、図25に表したように、マスク150を取り除いた状態において、レジスト104の透過部091の下部にあった部分のみが、溶媒に溶解しにくいレジスト104bに変質する。
そして、図25に表した構造物を溶媒につけると、図26に表したように、レジスト104bが溶解されきれずに残り、他のレジスト104は溶媒に溶解され除去される。
次に、図26に表した構造物の上方からイオンを照射しミリングを行う。ミリングの後で、レジスト104bを溶かす溶媒に浸し、レジスト104bを除去する。
それにより、図27に表したように、レジスト104bの下のコア材料103bは残るが、他のコア材料103は除去される。
次に、図27に表した構造物の上から、第二のクラッド材料105を形成し、図28に表した構造物を形成する。クラッド材料105は、例えば石英を用い、CVDにより成膜する。
そして、図28に表した構造物を劈開するためにナイフ等の劈開用の器具を押し当てる位置を定める。その位置は、端面位置が設計値になる図29に表した線065に沿った位置である。
そして、線065に沿った位置を狙って劈開を行う。図30は、ほぼ狙い通りに線065に沿った劈開を行うことができた素子002pを表している。
上記製造方法を用いた場合、光導波路素子002pにおける、コア001とパターン群061mとは、マスク150(図24参照)を設置しての露光により位置決めされるレジスト104b(図26参照)により、その位置が定められる。そのため、コア001とパターン群061mを構成する各部分との位置関係は、複数回作成しても製造ロットによらず常にほぼ一定になる。そのため、端面004(図30参照)の端面位置の形成誤差は、端面004がパターン群を構成する部分(典型的には追加パターン040の長辺)のどの位置と一致するかを測定することにより、求めることができる。
図23乃至図26を参照した説明の場合においては、クラッド材料102上にコア材料103を形成し、そののちに、マスク150の透過部091と略等しい形状のレジスト104bを形成する。そして、レジスト104bを形成したコア材料103の上からミリング処理を行い、レジスト104bで覆われていない部分のコア材料103を除去する。
これらに代えて、図示はしないが、次のプロセスを用いることもできる。
すなわち、コア材料を形成する前に、クラッド材料にレジストを塗布し、マスク050とは逆のパターンを有するマスクにより露光する。ここで、逆のパターンとは、マスクの露光部において、マスク150の透過部091は露光光をほぼ通さず、透過部091以外の部分は露光光を透過するマスクパターンであるという意味である。
そして、溶媒に浸す等により露光されなかったレジストを除去することにより、レジストのパターンを形成した後に、その上からコア材料を形成する。
その後に、レジストを露光後の物も溶解する溶媒に浸し除去することにより、レジストの上に形成されたコア材料を除去する。
こうして、図27に表した形状とほぼ等しいコア材料103bのパターンが形成される。
[効果]
本実施形態の光導波路素子は、コアとパターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)との位置関係が、製造ロットによらず常にほぼ一定になる。そのため、パターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)を構成する部分と端面との一致を観測することにより、端面位置の形成誤差を知ることができる。そして、本実施形態の光導波路素子は、コアとパターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)が、直線的に配列(図20の構成の場合は配置)されている。そのため、直線的な配列は、人が備える通常の感性と合うものであることから観測しやすく、そのため、観測者は、端面位置の形成誤差を直感的に容易に把握することができる。
<第二実施形態>
本実施形態は、複数のパターン群を同じ横位置の範囲に形成した光導波路素子についての実施形態である。
[効果]
本実施形態の光導波路素子は、コアとパターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)との位置関係が、製造ロットによらず常にほぼ一定になる。そのため、パターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)を構成する部分と端面との一致を観測することにより、端面位置の形成誤差を知ることができる。そして、本実施形態の光導波路素子は、コアとパターン群(図20の構成の場合は連結パターン062)が、直線的に配列(図20の構成の場合は配置)されている。そのため、直線的な配列は、人が備える通常の感性と合うものであることから観測しやすく、そのため、観測者は、端面位置の形成誤差を直感的に容易に把握することができる。
<第二実施形態>
本実施形態は、複数のパターン群を同じ横位置の範囲に形成した光導波路素子についての実施形態である。
図31は、複数のパターン群を同じ横位置の範囲に形成した光導波路素子002zaを表す平面概念図である。
光導波路素子002zaは、クラッド材料102上に形成された4つのパターン群061zaa、061zab、061zac、061zadを備える。これらのパターン群はいずれも同一の横位置の範囲401に形成されている。そして、パターン群004cは、端面位置が端面位置411と端面位置412との間、すなわち、端面位置の形成誤差の量が−40μmから−20μmの範囲をカバーするパターン群である。また、パターン群061zabは、端面位置が端面位置412と端面位置413との間、すなわち、端面位置の形成誤差の量が−20μmから0μmの範囲をカバーするパターン群である。そして、パターン群061zacは、端面位置が端面位置413と端面位置414との間、すなわち、端面位置の形成誤差の量が0μmから20μmの範囲をカバーするパターン群である。さらに、パターン群061zadは、端面位置が端面位置414と端面位置415との間、すなわち、端面位置の形成誤差の量が20μmから40μmの範囲をカバーするパターン群である。
これら、同一の横位置の範囲401に形成されている4つのパターン群により、端面位置が端面位置411と端面位置415との間、すなわち、端面位置の形成誤差の量が−40μmから40μmの間の80μmの範囲をカバーすることができる。
もちろん、横位置の範囲を広くすれば一つのパターン群により幅広い端面位置の形成誤差に対応することもできるが、その場合は、パターン群を設けるためにより広い横位置の範囲を確保する必要がある。さらに、観測者は、端面がパターン群と交差する位置を認定するためにより広い横位置の範囲を顕微鏡等で調べる必要があり、そのため観測がより困難になる。本実施形態の光導波路素子002zaは、上記課題を解決するものである。
同図には、4つのパターン群を構成する配列パターンのすべてが、同図に向かって、右下から左上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列する場合を表した。しかしながら、それらの配列は、同図に向かって、左下から右上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列しても構わない。
さらには、次に説明するようなものでも構わない。すなわち、−40μmから−20μmの間の端面位置の形成誤差を表すパターン群の配列パターンを、同図に向かって、右下から左上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列する。そして、−20μmから0μmの間の端面位置の形成誤差を表すパターン群の配列パターンを、同図に向かって、左下から右上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列する。さらに、0μmから20μmの間の端面位置の形成誤差を表すパターン群の配列パターンを、同図に向かって、右下から左上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列する。そして、20μmから40μmの間の端面位置の形成誤差を表すパターン群の配列パターンを、同図に向かって、左下から右上へ、その端面位置の形成誤差を表わす数字が増加するように、直線的に配列する。
そのように、各パターン群の配列の向きを互い違いにすることにより、端面位置の形成誤差があるパターン群が表すべき範囲から他のパターン群が表すべき範囲に切り替わる場合に、観測者は、横位置の端から端に視線を移動させる必要がなくなる。そのため、観測者の観測がより容易になる場合がある。[効果]
本実施形態の光導波路素子002zaは、観測可能な端面位置の形成誤差の範囲が異なる複数のパターン群を同じ横位置の範囲に形成する。そのため本実施形態の光導波路素子002zaによると、観測者は、限られた横位置の範囲に形成されたパターン群により、より広範囲の端面位置の形成誤差を観測することができる。それに加えて、観測者は、限られた横位置の範囲のみについて、端面がパターン群と交差する位置を観測すればよいので、その観測がより容易になり得る。
<第三実施形態>
本実施形態は、コアの両側にパターン群を形成した光導波路素子002zbについての実施形態である。
本実施形態の光導波路素子002zaは、観測可能な端面位置の形成誤差の範囲が異なる複数のパターン群を同じ横位置の範囲に形成する。そのため本実施形態の光導波路素子002zaによると、観測者は、限られた横位置の範囲に形成されたパターン群により、より広範囲の端面位置の形成誤差を観測することができる。それに加えて、観測者は、限られた横位置の範囲のみについて、端面がパターン群と交差する位置を観測すればよいので、その観測がより容易になり得る。
<第三実施形態>
本実施形態は、コアの両側にパターン群を形成した光導波路素子002zbについての実施形態である。
図32は、コアの両側にパターン群を形成した光導波路素子002zbを表す上面概念図である。
光導波路素子002zbは、同図に向かって、コア001の左側にパターン群060a、コア001の右側にパターン群060bを、それぞれ備えている。
パターン群060aは、端面位置の形成誤差が−40μmから40μmの間をカバーする4層のパターン群である。
パターン群060bは、端面位置の形成誤差が−20μmから20μmの間をカバーする2層のパターン群である。
ここで、光導波路素子002zbの端面004bが同図に表したように形成されているとする。
その場合に、観測者は、パターン群060aと端面004bが交差する点と、パターン群060bと端面004bとが交差する点のそれぞれにより端面位置の形成誤差を読み取り、その平均値を求めることができる。或いは、読み取った双方の数字のうちより正確に読み取れたと観測者が確信する方の数字を採用することもできる。
同図は、概念図であるため、端面004bと、パターン群060a及びパターン群060bと交差する点を表す数字を読み取ることが容易である。しかしながら、観測者による実際の観測では、顕微鏡で操作する都合により、読み取ることが容易でない場合があり得る。そのような場合に、パターン群060aとパターン群060bの両方について読み取り、上記のような処理を行うことにより、より正確な端面位置の形成誤差を求めることができる。
なお、同図において、パターン群060bが−20μmから20μmの端面位置の形成誤差の範囲しかカバーしないのは、同範囲が特に正確に端面位置の形成誤差を求めたい範囲であるという想定による。
[効果]
本実施形態の光導波路素子002zbは、観測者に、端面位置の形成誤差を複数のパターン群を用いて測定することを可能にする。そのため観測者は、複数のパターン群を用いて測定した端面位置の形成誤差を用いて、それらの平均値を求めたり、それらから適当と思われるものの選択を行うことにより、端面位置の形成誤差を導出することができる。すなわち、本実施形態の光導波路素子002zbは、観測者に、より正確な端面位置の形成誤差の測定の機会を与える。
<第四実施形態>
本実施形態は、本発明の光導波路素子のコア端部の横位置の形成誤差を求め、補正した上で、本発明の光導波路素子を他の光導波路素子に接合する方法についての実施形態である。
[効果]
本実施形態の光導波路素子002zbは、観測者に、端面位置の形成誤差を複数のパターン群を用いて測定することを可能にする。そのため観測者は、複数のパターン群を用いて測定した端面位置の形成誤差を用いて、それらの平均値を求めたり、それらから適当と思われるものの選択を行うことにより、端面位置の形成誤差を導出することができる。すなわち、本実施形態の光導波路素子002zbは、観測者に、より正確な端面位置の形成誤差の測定の機会を与える。
<第四実施形態>
本実施形態は、本発明の光導波路素子のコア端部の横位置の形成誤差を求め、補正した上で、本発明の光導波路素子を他の光導波路素子に接合する方法についての実施形態である。
図33は、図22に表したパターン群061nを備える光導波路素子を用いてコア端部の横方向の形成誤差を求める方法を説明するイメージ図である。
パターン群061nにおいては、辺071と交差する点である点084の上の配列パターンからなる目盛を読み取ることにより、その端面位置の形成誤差である、端面位置416と設計値の端面位置417との間隔311を読み取ることができる。端面位置の形成誤差は、矢印302方向の形成誤差である。
この矢印302方向の形成誤差により、端部020dは設計上の端部020cから横方向(矢印303の方向)に間隔312だけ形成誤差が生じることになる。そして、間隔312と間隔311との関係は、コア001が矢印302が示す方向となす角度301の値をθとすると、間隔312=間隔311×tanθとなる。
こうしてコア001の端部の横方向の形成誤差を求めることができる。
次に、上記コア端部の横方向の形成誤差を補正して、光導波路素子のコアと他の光素子とを接合させる方法について説明する。
図34は、コア端部の横方向の形成誤差を補正して、本発明の導波路素子を他の光素子と接合する方法を表すイメージ図である。同図では、本発明の光導波路素子002xを、他の光導波路素子002yと、接合する場合を想定している。
図33を参照して説明したように、端面位置の形成誤差があるとコア端部の横方向の形成誤差312が生じる。
そのような光導波路素子002xを他の光導波路素子002yとそのまま接合すると、同図(a)に表したようなことが生じる。すなわち、光導波路素子002xのコア001xの端部020dと、光導波路素子002yのコア001yの端部020eとは、その横方向(矢印303の方向)の位置が食い違う。端部の横位置が設計値通りの時に端部020eとそれら端部の中心が一致するように、接合を行う機械や治具が予め調整されているためである。そのため、コア001xを通じて端部020dから出射される光は端部020eからコア001yに入射しない。また、コア001yを通じて端部020eから出射される光は端部020dからコア001xに入射しない。すなわち、これら2つの光導波路素子は接合の不良を生じる。
間隔312が同図(a)に表したほどは大きくなく、端部020dと端部020eの一部が重なる場合もあり得るが、その場合でも、一方の端部から他方の端部に入射される光の量は減少し好ましくない。
そこで、同図(b)に表したように、光導波路素子002xを、端部020dと端部020eとの横方向の形成誤差である間隔312だけ矢印304の方向にずらした上で光導波路素子002xと光導波路素子002yとを接合する。これにより、端部020dと端部020eとは重なり合い、あるいは、端部020dの中心と端部020eの中心は略一致する。そのため、一方の端部から出射される光は、より良好に、他方の端部に入射されるようになる。
[効果]
本実施形態の光導波路素子の接合方法は、本発明の光導波路素子により求めた端面位置の形成誤差から求めた、コア端部の横位置の形成誤差を補正した上で、本発明の光導波路素子を他の光素子に接合する。そのため、本実施形態の光導波路素子の接合方法は、本実施形態の光導波路素子の端部及び他の光素子の端部のうちの一方の端部から出射された光を、より良好に、他の端部に入射させることができる。
[効果]
本実施形態の光導波路素子の接合方法は、本発明の光導波路素子により求めた端面位置の形成誤差から求めた、コア端部の横位置の形成誤差を補正した上で、本発明の光導波路素子を他の光素子に接合する。そのため、本実施形態の光導波路素子の接合方法は、本実施形態の光導波路素子の端部及び他の光素子の端部のうちの一方の端部から出射された光を、より良好に、他の端部に入射させることができる。
なお、図35は、本発明の最小限の光導波路素子2を表す概念図である。
光導波路素子2は、コア001zを備える光導波路120を備える。
光導波路素子2は、さらに、コア001zの端部20近傍を含む領域に形成された、図示しない直線的に配列された配列パターンを備える。
光導波路素子2は、上記構成により、[発明の効果]の項に記載した効果を奏する。
また、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記述され得るが、以下には限られない。
(付記A1)
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子。
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子。
(付記A1.1)
前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンをさらに備える付記1に記載された光導波路素子。
前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンをさらに備える付記1に記載された光導波路素子。
(付記A1.2)
前記配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える付記A1.1に記載された光導波路素子。
前記配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える付記A1.1に記載された光導波路素子。
(付記A1.3)
前記連結パターンが、前記配列パターンのそれぞれと前記追加パターンとがつながって形成されるパターンである、付記A1.2に記載された光導波路素子。
前記連結パターンが、前記配列パターンのそれぞれと前記追加パターンとがつながって形成されるパターンである、付記A1.2に記載された光導波路素子。
(付記A2)
前記配列パターンのそれぞれの下端が直線に沿って配列する付記A1乃至付記A1.3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンのそれぞれの下端が直線に沿って配列する付記A1乃至付記A1.3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3)
前記配列パターンがほぼ等間隔に配列する、付記A1乃至付記2のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンがほぼ等間隔に配列する、付記A1乃至付記2のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3.4)
前記配列パターンの配列が、複数の種類の形状の配列パターンを備える配列である、付記A1乃至付記3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンの配列が、複数の種類の形状の配列パターンを備える配列である、付記A1乃至付記3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3.5)
少なくとも一の前記配列パターンが、複数の種類の形状のパターンを備える、付記A1乃至付記3.4のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
少なくとも一の前記配列パターンが、複数の種類の形状のパターンを備える、付記A1乃至付記3.4のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3.6)
少なくとも一の前記配列パターンが、文字を表す形状のパターンを備える、付記A1乃至付記3.5のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
少なくとも一の前記配列パターンが、文字を表す形状のパターンを備える、付記A1乃至付記3.5のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3.7)
前記配列パターンの配列がある、端面に平行な基板面内の方向の位置の範囲に、直線的に配列する他の配列パターンの配列である第二の配列を備える、付記A1乃至付記3.6のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。 (付記A3.8)
前記配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差が、前記第二の配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差と異なる、付記A3.7に記載された光導波路素子。
前記配列パターンの配列がある、端面に平行な基板面内の方向の位置の範囲に、直線的に配列する他の配列パターンの配列である第二の配列を備える、付記A1乃至付記3.6のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。 (付記A3.8)
前記配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差が、前記第二の配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差と異なる、付記A3.7に記載された光導波路素子。
(付記A3.9)
前記配列パターンが配列する、端面の法線方向の位置の範囲に、直線的に配列する他の配列パターンである第三配列パターンの配列を備える、付記A1乃至付記3.8のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが配列する、端面の法線方向の位置の範囲に、直線的に配列する他の配列パターンである第三配列パターンの配列を備える、付記A1乃至付記3.8のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A3.91)
前記配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差が、前記第三の配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差と等しい、付記A3.9に記載された光導波路素子。
前記配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差が、前記第三の配列が表す前記端部の位置の前記端部の設計位置からの形成誤差と等しい、付記A3.9に記載された光導波路素子。
(付記A4)
前記配列パターンが数字を表す形状のパターンを含む付記A1乃至付記A3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが数字を表す形状のパターンを含む付記A1乃至付記A3のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A5)
前記数字が、前記端部の位置の、前記端部の設計位置からの形成誤差を表す値である、付記A4に記載された光導波路素子。
前記数字が、前記端部の位置の、前記端部の設計位置からの形成誤差を表す値である、付記A4に記載された光導波路素子。
(付記A5.1)
前記数字が、前記端部の位置の、前記端部の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面の法線方向の、形成誤差を表す値である、付記A5に記載された光導波路素子。
前記数字が、前記端部の位置の、前記端部の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面の法線方向の、形成誤差を表す値である、付記A5に記載された光導波路素子。
(付記A5.5)
前記数字が、前記端部を備える端面の位置の、前記端面の設計位置からの形成誤差を表す値である、付記A4に記載された光導波路素子。
前記数字が、前記端部を備える端面の位置の、前記端面の設計位置からの形成誤差を表す値である、付記A4に記載された光導波路素子。
(付記A5.6)
前記数字が、前記端部を備える端面の位置の、前記端面の設計位置からの、前記光導波路素子の端面の法線方向の、形成誤差を表す値である、付記A5.5に記載された光導波路素子。
前記数字が、前記端部を備える端面の位置の、前記端面の設計位置からの、前記光導波路素子の端面の法線方向の、形成誤差を表す値である、付記A5.5に記載された光導波路素子。
(付記A7)
前記コアを構成する材料と前記配列パターンを構成する材料が同一である、付記A1乃至付記A5.6のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記コアを構成する材料と前記配列パターンを構成する材料が同一である、付記A1乃至付記A5.6のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A9)
前記コアと前記配列パターンとが同一のパターン位置決め工程を含むパターン形成工程により形成されている、付記A1乃至付記A7のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記コアと前記配列パターンとが同一のパターン位置決め工程を含むパターン形成工程により形成されている、付記A1乃至付記A7のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A10)
前記パターン位置決め工程が、レジストパターンの形成である、付記A9に記載された光導波路素子。
前記パターン位置決め工程が、レジストパターンの形成である、付記A9に記載された光導波路素子。
(付記A11)
前記パターン形成工程が、前記レジストパターンを利用したパターン形成工程である付記A10に記載された光導波路素子。
前記パターン形成工程が、前記レジストパターンを利用したパターン形成工程である付記A10に記載された光導波路素子。
(付記A12)
前記パターン形成工程が前記レジストパターンを形成した後に、ミリングによりパターンを形成する工程である、付記A11に記載された光導波路素子。
前記パターン形成工程が前記レジストパターンを形成した後に、ミリングによりパターンを形成する工程である、付記A11に記載された光導波路素子。
(付記A13)
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記コアの端部の設計位置からの形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A12のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記コアの端部の設計位置からの形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A12のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A14)
前記配列パターンが、前記コアの端部を備える前記光導波路素子の端面の位置の、設計位置からの前記端面に対して垂直な方向の形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A13のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが、前記コアの端部を備える前記光導波路素子の端面の位置の、設計位置からの前記端面に対して垂直な方向の形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A13のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A15)
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記端部の位置の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面に対して垂直な方向の、形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A14のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記端部の位置の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面に対して垂直な方向の、形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A14のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記A16)
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記端部の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面に対して平行でありかつ前記光導波路素子の面内方向の、形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A13のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
前記配列パターンが、前記コアの端部の位置の、前記端部の設計位置からの、前記端部を備える前記光導波路素子の端面に対して平行でありかつ前記光導波路素子の面内方向の、形成誤差を知るためのものである、付記A1乃至付記A13のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
(付記C1)
基板上にクラッド材料からなる層を形成する工程と、
コアを構成するコア材料からなる層を形成する工程と、
前記コアと、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、に相当するパターン形状を備えるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程と、
を含む工程を含む光導波路素子の製造方法。
基板上にクラッド材料からなる層を形成する工程と、
コアを構成するコア材料からなる層を形成する工程と、
前記コアと、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、に相当するパターン形状を備えるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程と、
を含む工程を含む光導波路素子の製造方法。
(付記C2)
前記相当するパターン形状が、前記配列パターンの形状とほぼ等しい、付記C1に記載された光導波路素子の製造方法。
前記相当するパターン形状が、前記配列パターンの形状とほぼ等しい、付記C1に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記C3)
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記コア材料の上に前記レジストパターンを形成した後に、ミリングを行うことにより、前記レジストパターンが形成されていない部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記C2に記載された光導波路素子の製造方法。
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記コア材料の上に前記レジストパターンを形成した後に、ミリングを行うことにより、前記レジストパターンが形成されていない部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記C2に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記C4)
前記相当するパターン形状が、前記配列パターンの形状を除外した形状とほぼ等しい、付記C1に記載された光導波路素子の製造方法。
前記相当するパターン形状が、前記配列パターンの形状を除外した形状とほぼ等しい、付記C1に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記C5)
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記レジストパターンの上に前記コア材料を形成した後に、前記レジストパターンの除去を行うことにより、前記レジストパターンが形成されている部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記C4に記載された光導波路素子の製造方法。
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記レジストパターンの上に前記コア材料を形成した後に、前記レジストパターンの除去を行うことにより、前記レジストパターンが形成されている部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記C4に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記D1)
基板上にクラッド材料からなる層を形成する工程と、
コアを構成する材料であるコア材料からなる層を形成する工程と、
前記コアと、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、に相当するパターン形状を備えるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程と、
を含む工程を含む光導波路素子の製造方法。
基板上にクラッド材料からなる層を形成する工程と、
コアを構成する材料であるコア材料からなる層を形成する工程と、
前記コアと、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、に相当するパターン形状を備えるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程と、
を含む工程を含む光導波路素子の製造方法。
(付記D2)
前記相当するパターン形状が、前記連結パターンの形状とほぼ等しい、付記D1に記載された光導波路素子の製造方法。
前記相当するパターン形状が、前記連結パターンの形状とほぼ等しい、付記D1に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記D3)
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記コア材料の上に前記レジストパターンを形成した後に、ミリングを行うことにより、前記レジストパターンが形成されていない部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記D2に記載された光導波路素子の製造方法。
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記コア材料の上に前記レジストパターンを形成した後に、ミリングを行うことにより、前記レジストパターンが形成されていない部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記D2に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記D4)
前記相当するパターン形状が、前記連結パターンの形状、除外した形状とほぼ等しい、付記D1に記載された光導波路素子の製造方法。
前記相当するパターン形状が、前記連結パターンの形状、除外した形状とほぼ等しい、付記D1に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記D5)
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記レジストパターンの上に前記コア材料を形成した後に、前記レジストパターンの除去を行うことにより、前記レジストパターンが形成されている部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記D4に記載された光導波路素子の製造方法。
前記、前記レジストパターンを利用して、前記コア材料からなる層をパターン化する工程が、前記レジストパターンの上に前記コア材料を形成した後に、前記レジストパターンの除去を行うことにより、前記レジストパターンが形成されている部分の前記コア材料を除去する工程を含む、付記D4に記載された光導波路素子の製造方法。
(付記E1)
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子において、前記配列と前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定する、光導波路素子の測定方法。
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子において、前記配列と前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定する、光導波路素子の測定方法。
(付記F1)
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える光導波路素子において、前記追加パターンと前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定する、光導波路素子の測定方法。
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える光導波路素子において、前記追加パターンと前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定する、光導波路素子の測定方法。
(付記G1)
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子を用いて、前記配列と前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定し、前記端部位置が設計位置になるように前記形成誤差を補正した後に、他の光素子との接合を行う、光導波路素子の接合方法。
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成された直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子を用いて、前記配列と前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定し、前記端部位置が設計位置になるように前記形成誤差を補正した後に、他の光素子との接合を行う、光導波路素子の接合方法。
(付記H1)
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える光導波路素子を用いて、前記追加パターンと前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定し、前記端部位置が設計位置になるように前記形成誤差を補正した後に、他の光素子との接合を行う、光導波路素子の接合方法。
コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列された配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える光導波路素子を用いて、前記追加パターンと前記光導波路素子の端面との交差から、前記端部位置の設計位置からの形成誤差を測定し、前記端部位置が設計位置になるように前記形成誤差を補正した後に、他の光素子との接合を行う、光導波路素子の接合方法。
以上、上述した実施形態を模範的な例として本発明を説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態には限定されない。即ち、本発明は、本発明のスコープ内において、当業者が理解し得る様々な態様を適用することができる。
この出願は、2015年9月18日に出願された日本出願特願2015−185430を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
1 光導波路
001、001x、001y、001z コア
2、002a、002b、002c、002cb、002cc、002d、002e、002f、002g、002h、002i、002j、002k、002l、002m、002n、002o、002p、002x,002y、002za、002zb 光導波路素子
003a、003b マーカ
004、004c、004d、004e、004f、004g 端面
005 距離
006、009、009a、009b、009c、009d、009e、009f、009g、009h、009i、009j、009j、009k、009l、009m、065 線
007 交点
008 ノギスパターン
010a、010b、010c、010d、010e、010aa、010ba、010ca、010da、010ea、010ab、010bb、010cb、010db、010eb、010ac、010bc、010cc、010dc、010ec、010fc、010gc、010hc、010ic、010ad、010bd、010cd、010dd、010ed、010fd、010gd、010hd、010ae、010be、010ce、010de、010af、010bf、010cf、010df、010ag、010bg、010cg、010dg、010ah、010bh、010ch、010dh、010ai、010bi、010ci、010di、010aj、010bj、010cj、010dj、010ak、010bk、010ck、010dk、010al、010bl、010cl、010dl、010el、010fl、010gl、010hl、010il、010am、010bm、010cm、010dm、010em、010fm、010gm、010hm、010im、010aq、010bq、010cq、010dq、010eq、010fq、010gq、010hq、010iq、010r、010s 配列パターン
20、020、020a、020b、020c、020d、020e 端部
025a、025b 中心
030a、030b 角度
040、040a、040b、040c 追加パターン
045 配列パターン群
046 数字パターン群
050、051 切断線
060a、060b、061a、061a、061b、061c、061d、061e、061f,061g,061h,061i,061j,061k,061m,061n、061q、061zaa、061zab、061zac、061zad パターン群
062 連結パターン
071 辺
081、082、083、084 点
091 透過部
101 基板
102、105 クラッド材料
103、103b コア材料
104、104b レジスト
120 光導波路
150 マスク
301 角度
302、303、304 矢印
311、312、313、314、315 間隔
401 範囲
411、412、413、414、415、416、417 端面位置
001、001x、001y、001z コア
2、002a、002b、002c、002cb、002cc、002d、002e、002f、002g、002h、002i、002j、002k、002l、002m、002n、002o、002p、002x,002y、002za、002zb 光導波路素子
003a、003b マーカ
004、004c、004d、004e、004f、004g 端面
005 距離
006、009、009a、009b、009c、009d、009e、009f、009g、009h、009i、009j、009j、009k、009l、009m、065 線
007 交点
008 ノギスパターン
010a、010b、010c、010d、010e、010aa、010ba、010ca、010da、010ea、010ab、010bb、010cb、010db、010eb、010ac、010bc、010cc、010dc、010ec、010fc、010gc、010hc、010ic、010ad、010bd、010cd、010dd、010ed、010fd、010gd、010hd、010ae、010be、010ce、010de、010af、010bf、010cf、010df、010ag、010bg、010cg、010dg、010ah、010bh、010ch、010dh、010ai、010bi、010ci、010di、010aj、010bj、010cj、010dj、010ak、010bk、010ck、010dk、010al、010bl、010cl、010dl、010el、010fl、010gl、010hl、010il、010am、010bm、010cm、010dm、010em、010fm、010gm、010hm、010im、010aq、010bq、010cq、010dq、010eq、010fq、010gq、010hq、010iq、010r、010s 配列パターン
20、020、020a、020b、020c、020d、020e 端部
025a、025b 中心
030a、030b 角度
040、040a、040b、040c 追加パターン
045 配列パターン群
046 数字パターン群
050、051 切断線
060a、060b、061a、061a、061b、061c、061d、061e、061f,061g,061h,061i,061j,061k,061m,061n、061q、061zaa、061zab、061zac、061zad パターン群
062 連結パターン
071 辺
081、082、083、084 点
091 透過部
101 基板
102、105 クラッド材料
103、103b コア材料
104、104b レジスト
120 光導波路
150 マスク
301 角度
302、303、304 矢印
311、312、313、314、315 間隔
401 範囲
411、412、413、414、415、416、417 端面位置
Claims (10)
- コアを備える光導波路と、前記コアの端部近傍を含む領域に形成され直線的に配列する配列パターンと、を備える光導波路素子。
- 前記配列パターンの配列に沿って形成された追加パターンをさらに備える請求項1に記載された光導波路素子。
- 前記配列パターンのうちの少なくとも一部と、前記追加パターンとがつながって形成される連結パターンと、を備える請求項2に記載された光導波路素子。
- 前記連結パターンが、前記配列パターンのそれぞれと前記追加パターンとがつながって形成されるパターンである、請求項3に記載された光導波路素子。
- 前記配列パターンのそれぞれの下端が直線に沿って配列する請求項1乃至請求項4のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
- 前記配列パターンがほぼ等間隔に配列する、請求項1乃至請求項5のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
- 前記配列パターンの少なくとも一部が数字を表す形状のパターンを含む請求項1乃至請求項6のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
- 前記数字が、前記端部の位置の、前記端部の設計位置からの形成誤差を表す値である、請求項7に記載された光導波路素子。
- 前記コアを構成する材料と前記配列パターンを構成する材料が同一である、請求項1乃至請求項8のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
- 前記コアと前記配列パターンとが同一のパターン位置決め工程を含むパターン形成工程により形成されている、請求項1乃至請求項9のうちのいずれか一に記載された光導波路素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015185430 | 2015-09-18 | ||
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