JPWO2016024394A1 - 非水電解質蓄電素子用正極板、及び非水電解質蓄電素子 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の正極板は、非水電解質蓄電素子の正極として使用される正極板である。本発明の正極板の一態様の断面図を図1に示す。図1に示すように、本発明の正極板は、正極集電体11と、正極集電体に接触する中間層12と、正極合剤層13とを有する構造を備える。また、本発明の正極板は、前記中間層が導電剤及びバインダーを含み、前記正極合剤層が正極活物質及びバインダーを含み、且つ前記中間層中のバインダーの質量平均分子量が、前記正極合剤層中のバインダーの質量平均分子量よりも大きいことを特徴とする。以下、本発明の正極板について詳述する。
本発明の正極板に使用される正極集電体としては、特に制限されないが、例えば、アルミニウム及びその金属を含む合金等の金属材料;カーボンクロス、カーボンペーパー等の炭素質材料等が挙げられる。これらの中でも、アルミニウムが好ましい。
本発明の正極板において、中間層は、正極集電体と正極合剤層の間に配置される。当該中間層は、導電剤及びバインダーを含有する。
本発明の正極板において、正極合剤層は、前記中間層上に設けられ、正極活物質及びバインダーを含有する。
中でも、正極活物質としてリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物を用いることで、放電容量が大きく、高率放電特性に優れた非水電解質蓄電素子とすることができるので好ましい。特に、一般式LiNixCoyMn1−x−yO2(0.3<x≦0.8)で表されるリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物が好ましい。
正極合剤層に使用されるバインダーの種類については、結着剤として使用できるものであればよく、例えば、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体の様なポリフッ化ビニリデンの共重合体、スチレン−ブタジエンゴム(SBR)、ポリアクリロニトリル、フッ素ゴム等が挙げられる。これらのバインダーは、1種単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。
正極板の多孔度については、特に制限されないが、例えば15〜45%、好ましくは20〜35%が挙げられる。このような多孔度を充足することにより、非水電解質蓄電素子の注液性に優れ、エネルギー密度、充放電レート特性等のバランスの良い非水電解質蓄電素子を提供することが可能になる。正極板の多孔度は、放電状態で正極板を取り出して水銀ポロシメーターにより測定される。正極板の多孔度は、中間層及び正極合剤層の塗布重量と厚さを制御することで調整できる。
本発明の非水電解質蓄電素子は、前記正極板を備えることを特徴とする。このように、非水電解質蓄電素子において、前記正極板を使用することにより、高温域の抵抗変化率を増大させることができ、高い安全性を備えさせることが可能になる。
負極板は、負極集電体上に負極合剤層が形成されていればよい。
非水電解質に使用される非水溶媒としては、特に制限されないが、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、クロロエチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等の環状炭酸エステル類;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン等の環状エステル類;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート等の鎖状カーボネート類;ギ酸メチル、酢酸メチル、酪酸メチル等の鎖状エステル類;テトラヒドロフラン又はその誘導体;1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、1,4−ジブトキシエタン、メチルジグライム等のエーテル類;アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ジオキソラン又はその誘導体;エチレンスルフィド、スルホラン、スルトン又はその誘導体等が挙げられる。これらの非水溶媒は、1種単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。
セパレータは、絶縁性を備えるものであることを限度として特に制限されず、微多孔性膜や不織布等が使用される。セパレータを構成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂や、ポリイミド系樹脂、セルロース類が挙げられる。これらの材料は、1種単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。
また、非水電解質蓄電素子において、その他の構成要素としては、端子、絶縁板、ケース等があるが、本発明の非水電解質蓄電素子において、これらの構成要素は従来用いられているものをそのまま用いても差し支えない。
図2に、本発明の非水電解質蓄電素子の一実施形態である矩形状の非水電解質蓄電素子1の概略図を示す。なお、同図は、容器内部を透視した図としている。図2に示す非水電解液蓄電素子1は、電極群2が外装体3に収納されている。電極群2は、本発明の非水電解質蓄電素子用正極と、負極活物質を含有する負極とが、セパレータを介して捲回されることにより形成されている。正極は、正極リード4’を介して正極端子4と電気的に接続され、負極は、負極リード5’を介して負極端子5と電気的に接続されている。
本発明の非水電解質蓄電素子は、正極板と負極版の間にセパレータを挟み、これらに非水電解質を含浸させることによって製造される。
本発明の蓄電装置は、前記非水電解質蓄電素子を備えることを特徴とする。本発明において、蓄電装置とは、前記非水電解質蓄電素子を用いて、電気エネルギーで作動する動力源に電力を供給したり、当該動力源から電力を供給されたりする装置であり、前記非水電解質蓄電素子の他に、必要に応じて、前記非水電解質蓄電素を制御するために、電子制御ユニット等を備えていてもよい。
導電剤(アセチレンブラック)と、バインダーと、非水系溶媒(N−メチルピロリドン;NMP)を含む中間層用のペーストを作製した。実施例1及び2では、質量平均分子量28万と63万の2種のPVDFを適量混合することにより、表1に示す質量平均分子量に調整したPVDFをバインダーとして使用した。実施例3では、質量平均分子量63万のPVDFをバインダーとして使用した。実施例4では、質量平均分子量100万のフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体P(VDF−HFP)をバインダーとして使用した。比較例1では、質量平均分子量28万のPVDFをバインダーとして使用した。なお、中間層用のペーストにおいて、導電剤:バインダーの質量比率について、実施例1〜4及び比較例1では30:70、参考例1では10:90、参考例2では20:80とした。また、参考例3では、質量平均分子量約50万のフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(P(VDF−TEF−HFP))をバインダーとして使用し、導電剤:バインダーの質量比率を30:70とした。中間層層用のペーストは、NMPの量を調整することにより、固形分濃度を14質量%に調整し、マルチブレンダーミルを用いた混練工程を経て作製した。この中間層用のペーストを厚さ20μmの集電体(アルミ箔)の片面に塗布し、100℃の恒温槽中でNMPを蒸発させて乾燥することで、中間層を備えた集電体を作製した。
抵抗測定用セルの作製方法
電極の抵抗測定には、トムセル(有限会社日本トムセル社製)を用いた。このトムセルは、下蓋、電極板、セパレータ、電極板、円盤、板ばね、及び上蓋で構成されている。ステンレス製の下蓋の上に存在するパッキンの内側に、予め非水電解質に浸漬させた二枚の正極電極板により一枚のセパレータを挟み込むようにして載せた。この時、各正極電極板の活物質塗布面が向き合うようにした。その後、ステンレス製の円盤と板ばねをのせ,最後にステンレス製の上蓋を載せた後にナットにより締め付けて固定した。このときの締め付け圧は0.5Nmとした。
[非水電解質]
エチレンカーボネート(EC)/エチルメチルカーボネート(EMC)/ジメチルカーボネート(DMC)を体積比30:35:35の割合で混合した混合溶媒に、含フッ素系電解質塩である六フッ化リン酸リチウム(LiPF6)を1.0mol/lの濃度で溶解させ、非水電解質を作製した。該非水電解質中の水分量は50ppm未満とした。
セパレータには、透気度が約600秒/100ccである厚さ30μmのポリエチレン微多孔膜を直径1.6cmの円形に加工したものを用いた。
測定用セルを恒温槽中に入れ、恒温槽を3℃/minで昇温させながら、1kHz(振幅5mV)の交流抵抗を測定した。セル温度は、セルの上面に設置した温度測定用端子により得られた温度を記録した。交流抵抗測定は、ソーラトロン社製の1287型ポテンショ/ガルバノスタットと1260型周波数応答アナライザを組み合わせた装置を使用した。
得られた結果を表1に示す。この結果から、中間層に含まれるバインダーが、正極合剤層に含まれるバインダーよりも、質量平均分子量が大きい場合(実施例1〜4)に、高温に達した際の抵抗が大きくなり、抵抗変化率が高くなることが確認された。また、中間層に含まれるバインダーの質量平均分子量が54万以上、或いは中間層に含まれるバインダーが正極合剤層に含まれるバインダーよりも質量平均分子量が1.9倍以上の場合(実施例2〜4)には、抵抗開始温度の低下が認められることも明らかとなった。
2 電極群
3 外装体
4 正極端子
4’ 正極リード
5 負極端子
5’ 負極リード
11 正極集電体
12 中間層
13 正極合剤層
20 蓄電ユニット
30 蓄電装置
Claims (12)
- 正極集電体と、正極活物質及びバインダーを含む正極合剤層と、前記正極集電体と前記正極合剤層との間に位置し導電剤及びバインダーを含む中間層とを備え、
前記中間層中のバインダーの質量平均分子量が、前記正極合剤層中のバインダーの質量平均分子量よりも大きいことを特徴とする、非水電解質蓄電素子用正極板。 - 前記中間層のバインダーがポリフッ化ビニリデンを含む、請求項1又は2に記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記中間層のバインダーがポリフッ化ビニリデンの共重合体を含む、請求項1に記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記正極合剤層中のバインダーが、ポリフッ化ビニリデンを含む、請求項1〜3のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記中間層中のバインダーの質量平均分子量が、前記正極合剤層中のバインダーの質量平均分子量に対して1.6倍以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記中間層中のバインダーの質量平均分子量が、前記正極合剤層中のバインダーの質量平均分子量に対して1.9倍以上である、請求項1〜4のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記中間層中のバインダーの質量平均分子量が46万以上である、請求項1〜6のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記中間層中の前記導電材の嵩密度が、1.0g/cm3 以下である、請求項1〜7のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記正極合剤層の質量が、0.5〜2.5g/100cm2である、請求項1〜8のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 前記正極合剤層の多孔度が、15〜45%である、請求項1〜9のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の非水電解質蓄電素子用正極板を備える、非水電解質蓄電素子。
- 請求項11に記載の非水電解質蓄電素子を備える、蓄電装置。
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