JPWO2014050798A1 - 電子機器用カバーガラス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態では、電子機器用カバーガラスとして、電子機器の外装の一部を成すように筐体に組み込まれたカバーガラスを例示して説明する。
まず、大きなサイズの板ガラスを機械加工等により所定の大きさにカッティング(小片化)し、カバーガラス用のガラス基板10を作成する。
次に、上記のようにして作製したガラス基板10に対して、ガラス表面改質処理を行う。通常、ガラス基板10の表面に形成した印刷面側は携帯機器の内側に向けて搭載されるため、この印刷面とは反対側の、つまり携帯機器の外側に向けて露出する主表面12に対してガラス表面改質処理を行う。
次に、主表面12に対して防汚コート層20を形成する。これにより、図4(a)に示すようにガラス基板10のみの状態から、図4(b)に示すように防汚コート層20が形成された状態となる。コーティング材料は、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物(フッ素系樹脂)が好ましい。これにより、ガラス基板の表面にある水酸基やカルボキシル基等の官能基と強固に結合し、高い耐久性を発揮することができる。
上記のようにして形成した防汚コート層20は、硬化する(溶媒が蒸発する)に伴い、その内部に付着領域22と流動領域24とが形成される。付着領域22は、主表面12に付着され耐久性に影響を与える領域である。流動領域24は、滑り性に寄与する領域である。そこで本発明では、次に領域厚さ調整工程を行って、防汚コート層20の厚さに対する付着領域22の厚さの割合を調整する。
以下に実施例を挙げて、本発明にかかる電子機器用カバーガラスおよびその製造方法についてさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
まず、ダウンドロー法やフロート法で製造されたアルミノシリゲートガラスからなる厚さ0.5mmの板ガラスから所定の大きさに切り出してカバーガラス用のガラス基板を作成した。このアルミノシリケートガラスとしては、SiO2:58〜75重量%、Al2O3:4〜20重量%、Li2O:3〜10重量%、Na2O:4〜13重量%を含有する化学強化用ガラスを使用した。
フッ素系樹脂(信越化学工業社製(商品名)KY100シリーズ)を溶剤で適当な濃度に調整した塗布液(液温25℃)を用いてディップ法により、ガラス基板の全面にフッ素系樹脂からなる防汚コート層を塗布した。防汚コート層の塗布膜厚は10nmとした。
次に領域厚さ調整工程として、30分間熱風乾燥した。ここで、表1に示すように乾燥温度を異ならせて、複数のサンプルを製作した。そして乾燥後の防汚コート層20の厚さを測定した後に、溶剤としてのHFEに1分間浸漬して流動領域24を除去し、付着領域22の厚さを測定した。表1には、こうして求めた防汚コート層20に対する付着領域22の厚さの割合を示している。膜厚は、FiveLab社製エリプソメータMARY−102による測定値である。
本発明にかかる電子機器用カバーガラスの第2実施形態について説明する。本実施形態では、電子機器用カバーガラスとして、電子機器の外装の一部を覆うように着脱可能に貼り付けられる外付けの保護カバーガラスを例示して説明する。
上記第2実施形態においては貼付部104の外周端104Aの位置によって窪み部106を形成するよう説明したが、第3実施形態にかかる保護カバーガラス200は、ガラス基板202の外周部分の裏面側が内側に向かって窪んでいて、窪み部106の一部を形成している点で、第2実施形態にかかる保護カバーガラス100と異なる。
実施例として第2実施形態の図7に示したように貼付部104の外周端104Aのみを端面102Aから間隔をおいて配置して窪み部106を形成し、窪み部106の長さL1を変更して、試験・評価を行った。ガラス基板102の厚みは0.3mmとし、窪み部106の高さは0.1mmとした。
◎…1回で成功、○…2回〜3回で成功、△…4〜5回で成功、×…6回以上で成功
上記表5より、窪み部106の長さ(窪み部106の端面102Aからの奥行き寸法)L1は0.1mm〜0.3mmの範囲にするとよいことが分かった。
Claims (19)
- ガラス基板と、
前記ガラス基板の表面に形成された防汚コート層とを備え、
前記防汚コート層は、前記ガラス基板の表面に付着する付着領域と、該付着領域の表面に配置された流動領域とを有することを特徴とする電子機器用カバーガラス。 - ガラス基板と、
前記ガラス基板の表面に形成された防汚コート層とを備え、
前記防汚コート層は末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有し、前記ガラス基板の表面に付着し溶剤に浸漬した際に残存する領域である付着領域と、該付着領域の表面に配置され前記溶剤に浸漬した際に溶解する領域である流動領域とを有することを特徴とする電子機器用カバーガラス。 - 前記防汚コート層の厚さに対する付着領域の厚さの割合が20%〜80%であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器用カバーガラス。
- 前記防汚コート層の厚さに対する付着領域の厚さの割合が40%〜70%であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラス。
- 前記防汚コート層の厚さが3nm〜30nmであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラス。
- 前記流動領域の表面の静止摩擦係数が0.2〜0.4であり、動摩擦係数は0.1〜0.3であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラス。
- 前記流動領域の表面の水の接触角が100度〜120度であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラス。
- 前記防汚コート層は、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に電子機器用カバーガラス。
- ガラス基板の表面に、末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を含有するコーティング材料を塗布して、
前記ガラス基板の表面に付着する付着領域と、該付着領域の表面に配置された流動領域とを有する防汚コート層を形成したことを特徴とする電子機器用カバーガラス。 - 電子機器の外装の一部を覆うように着脱可能な外付けの電子機器用カバーガラスであって、
第1の主表面、前記第1の主表面に対する裏面であり前記電子機器の外装へ向けて配置するための第2の主表面、及び前記第1の主表面と前記第2の主表面とを繋ぐ端面とを有し、
前記第2の主表面の外周の少なくとも一部には、前記端面から前記第2の主表面の面方向内側へ向けて窪んでいる窪み部が設けられていることを特徴とする請求項1−9のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラス。 - 電子機器用カバーガラスの製造方法であって、
ガラス基板作成工程と、
ガラス基板に対して防汚性を有するコーティングを施す防汚コート層形成工程とを含み、
前記防汚コート層形成工程においては、
前記ガラス基板の表面に付着する付着領域と、前記付着領域の表面に配置された流動領域とを形成することを特徴とする電子機器用カバーガラスの製造方法。 - 防汚コート層形成工程の後に、
前記流動領域の厚さを調節することにより、前記防汚コート層の厚さに対する付着領域の厚さの割合を調整する領域厚さ調整工程を更に含むことを特徴とする請求項11に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。 - 前記領域厚さ調整工程により、前記防汚コート層の厚さに対する付着領域の厚さの割合を20%〜80%とすることを特徴とする請求項12に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記領域厚さ調整工程により、前記防汚コート層の厚さに対する付着領域の厚さの割合を40%〜70%とすることを特徴とする請求項12に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記領域厚さ調整工程は、ベーク処理によって前記流動領域の厚さを調節することを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記領域厚さ調整工程は、紫外線照射処理によって前記流動領域の厚さを調節することを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記領域厚さ調整工程は、減圧による真空度調整処理によって前記流動領域の厚さを調節することを特徴とする請求項12から14のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記防汚コート層形成工程において、前記防汚コート層の厚さを3nm〜30nmとすることを特徴とする請求項11から17のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
- 前記防汚コート層形成工程の前に、プラナー方式プラズマ処理及びダウンストリーム方式プラズマ処理の両処理からなるガラス表面改質処理を施すことを特徴とする請求項11−18のいずれか1項に記載の電子機器用カバーガラスの製造方法。
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