[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPWO2008090912A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008090912A1
JPWO2008090912A1 JP2008555085A JP2008555085A JPWO2008090912A1 JP WO2008090912 A1 JPWO2008090912 A1 JP WO2008090912A1 JP 2008555085 A JP2008555085 A JP 2008555085A JP 2008555085 A JP2008555085 A JP 2008555085A JP WO2008090912 A1 JPWO2008090912 A1 JP WO2008090912A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
group
layer
ring
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008555085A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5381103B2 (ja
Inventor
秀雄 ▲高▼
秀雄 ▲高▼
大谷 浩
浩 大谷
北 弘志
弘志 北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2008555085A priority Critical patent/JP5381103B2/ja
Publication of JPWO2008090912A1 publication Critical patent/JPWO2008090912A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5381103B2 publication Critical patent/JP5381103B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565Oxadiazole compounds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658Organoboranes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本発明は、外部取り出し量子効率が高く、低駆動電圧である有機EL素子の製造方法を提供することであり、更にまた、該製造方法により製造された、有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供する。

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、ELDと略記する)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
今後の実用化に向けた有機EL素子の開発としては、更に低消費電力で、効率よく高輝度に発光する有機EL素子が望まれており、例えば、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する方法(例えば、特許文献1参照。)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特許文献2参照。)、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子(例えば、特許文献3参照。)等が知られている。
上記各特許文献に開示されている技術は、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が1:3であるため、発光性励起種の生成確率が25%であることと、光の取り出し効率が約20%であるため、外部取り出し量子効率(ηext)の限界は5%とされている。
ところが、プリンストン大学のM.A.Baldo et al.,nature、395巻、151−154ページ(1998年)により、励起三重項からの燐光発光を用いる有機EL素子の報告がされて以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている(例えば、特許文献4参照。)。
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が100%となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が4倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている。
現在、この燐光発光を用いた有機EL素子の更なる発光の高効率化、長寿命化が活発に検討されている。その一つとして、素子構造の多層化が挙げられる。初期の有機EL素子では、発光層を陽極と陰極で挟んだ単層構造であり、この場合、発光層のみでキャリア注入、移動、発光までの全てを行わなくてはならず、そのため効率も非常に低いものであった。その後、キャリア注入、移動、ブロック及び発光等、それぞれの機能を分離した多層(積層構造)素子へと展開し、高効率化、長寿命化、低駆動電圧化の点で大きな進展を見せている。
一方、有機EL素子を大面積化するにあたり、低分子化合物を用いた有機EL素子の作製において一般的である真空蒸着法による製造は、設備やエネルギー効率の面で問題があることが知られており、インクジェット法やスクリーン印刷法などを含む印刷法もしくはスピンコートあるいはキャストコートといった塗布法が望ましいと考えられている。
また、例えば、白色発光素子を作製する際には異なる発光極大波長をもつ複数の発光性化合物を発光層に設置しなければならないが、特に、リン光発光素子の場合、真空蒸着法で複数のリン光性ドーパントを毎回同じ比率で蒸着することは困難であり、製造時の歩留まりに問題の出ることが予想されるが、溶剤溶解性に優れた材料を用いて前記印刷法や塗布法による有機EL素子の作製が可能となれば、リン光性ドーパントを同じ比率で混合した溶液を調製することによって、製造されるいずれの有機EL素子に対しても同じ比率のリン光性ドーパントを含有せしめることができ、同じ発光色の白色発光有機EL素子を安定的に作製することが可能となる。
特に、リン光発光方式の有機EL素子においては、発光中心を発光層内に位置させることが重要であり、電荷輸送のバランスや、励起子の閉じ込め等、リン光発光方式特有の問題により、少なくとも発光層の前後どちらかに機能層を有する、2層または3層以上の積層型素子が、発光の高効率化、長寿命化、低駆動電圧化等にとって非常に有利であることが知られている。
このようにいろいろな点で塗布製造方法は優れた製造方法のひとつであると考えられるが、薄膜物性や膜界面での物性の点で、一般的に蒸着系に対して劣る場合があり、さらなる塗布法の改良が待たれている。
例えば、塗布法では、有機層間の密着性の低下が課題としてあったが、密着性を向上させる技術として、複数の有機層を塗布後、一括して加圧加熱乾燥を行うことにより、有機層間の膜界面に凹凸が生じ、アンカー効果により、界面の密着性を向上させる技術が記載されている(例えば、特許文献5参照)。
また、発光の高効率化、長寿命化などを目的として、有機層を機能層(正孔輸送層、発光層、電子輸送層等)ごとに積層するような場合、塗布法では、有機層の上層の塗布液溶媒により下層の膜表面の溶解が生じてしまい下層の膜に乱れが生じることがあるため、複数の有機層を積層して形成するのが極めて困難であった。
これに対し、下層の主材料の溶解度パラメータの可溶範囲外の溶媒に上層の材料を溶解させ、下層薄膜表面を乱れさせること無く、積層する技術が開示されている(例えば、特許文献6参照)。
しかしながら、上述したように、連続した湿式塗布による積層はそれ自体が困難であり、また有機層間の密着性の低下、有機層間の混じりあい等は、低効率化、低寿命化、高駆動電圧化を招く原因となる。
また、一般的に有機EL素子材料は、その種類によって溶解度パラメータ、溶解度等の溶解物性が大きく異なるという例は極めて稀であるため、従来公知の方法は任意の有機EL材料に対して適用が困難であるという課題がある。
更に、多くの利点を持つ塗布法であるが、発光の高効率化、長寿命化、低駆動電圧化など要求される諸要素について未だ充分とはいえず、これらの課題を解決するための手段や材料が強く望まれている。
特許第3093796号公報 特開昭63−264692号公報 特開平3−255190号公報 米国特許第6,097,147号明細書 特開2005−26000号公報 特開2002−299061号公報
本発明の目的は、外部取り出し量子効率が高く、低駆動電圧である有機EL素子の製造方法を提供することであり、更にまた、該製造方法により製造された、有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
本発明の上記目的は下記の構成により達成された。
1.陰極と陽極の間に複数の有機化合物層を有するリン光発光方式の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
少なくとも1種類以上の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する、微分散溶解法により調製された溶液を塗布することにより、該有機化合物層の少なくとも一層を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
2.前記有機化合物層の少なくとも隣接する二層を塗布法で形成する工程を有することを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3.前記隣接する二層を形成する構成材料に対する貧溶媒が、少なくとも1種類は同一であり、且つ、該隣接する二層の中で、後に形成された層を微分散溶解法により調製された溶液を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする前記2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
4.前記隣接する二層を形成する構成材料に対する貧溶媒が同一であることを特徴とする前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5.前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料として少なくとも1種の電子輸送性材料を含むことを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
6.前記溶液を用いて、塗布法により電子輸送層を形成することを特徴とする前記1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
7.前記有機化合物層の少なくとも1層が、少なくとも2つの重合性官能基を分子内に有する化合物を重合する工程を経て得られたことを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
8.前記有機化合物層が構成層として正孔輸送層または発光層を有し、該正孔輸送層または該発光層の少なくとも1層を、少なくとも2つの重合性官能基を分子内に有する化合物を重合し、形成する工程を有することを特徴とする前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
9.前記1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.白色に発光することを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
12.前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
本発明の有機EL素子の製造方法により、外部取り出し量子効率が高く、低駆動電圧である有機EL素子を提供することができた。また、照明装置及び表示装置を提供することができた。
有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の断面図である。
符号の説明
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
107 透明電極付きガラス基板
106 有機EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤
本発明の有機EL素子の製造方法においては、請求の範囲項1〜8のいずれか1項に記載の構成を有することにより、外部取り出し量子効率が高く、低駆動電圧である有機EL素子を提供し、且つ、照明装置及びディスプレイ装置を提供することができた。
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
《有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法》
本発明の有機EL素子の製造方法について説明する。
本発明の有機EL素子の製造方法は、請求の範囲第1項に記載のように、陰極と陽極の間に複数の有機化合物層を有するリン光発光方式の有機EL素子の製造方法において、少なくとも1種類以上の有機EL素子材料を含有する、微分散溶解法により調製された溶液を塗布することにより、該有機化合物層の少なくとも一層を形成する工程を有することが特徴である。
従来公知の塗布系による有機EL素子の構成層の形成についての問題点として、通常の塗布系(材料が塗布溶媒に均一に溶解している塗布溶液を塗布する場合を表す。)では、上層から下層への材料の拡散若しくは下層から上層への拡散が起こり、素子機能の分離が損なわれやすいという問題点が挙げられる。
このような上層形成に用いる塗布溶媒によって、下層の塗膜表面の平面性が損なわれ、上下層の混合が起こるという理由は、一つには、一般に使用される有機EL素子材料においては、各機能材料間で溶解度の差が少ない、即ち、各機能層の材料がある特定の溶媒には溶解しやすく、それ以外の溶媒に対する溶解性が悪いという事実による。
一般的な有機EL素子材料は、ハロゲン系溶媒やTHF(テトラヒドロフラン)には溶解性が高いが、アルコール等には難溶であり、溶解度の差を利用して積層しようとすると、積層する材料の選択幅が非常に狭くなり、各層での機能にあった材料を最適なものに選択するという積層化のメリットがなくなり、また、材料に溶解度調製のための置換基を導入しても、導入により有機EL素子材料としての性能(例えば、電子輸送性、HOMO、LUMO準位、成膜性等)が変化してしまうため、溶解度の調節と材料の適性を同時に満たすことは容易ではない。
例えば、現在、正孔輸送層等に使用しているPEDOT/PSSは水分散液として市販され使用されているが、PEDOT/PSSは通常の有機溶媒に対して非常に難溶であるため、PEDOT/PSSからなる正孔輸送層上に、有機溶媒を用いて調製した有機EL素子材料溶液を塗布することで有機層形成が可能なことは知られている。
しかしながら、形成した有機層上に、更に有機EL素子材料溶液からなる塗布膜を形成(例えば、塗布での3層構造)とすることは、下層の乱れ、また上下層の混合が生じてしまう。
このため、有機EL素子材料を貧溶媒中に分散した状態で塗布する方法が検討されているが、有機EL素子材料の分散状態は不安定であり、均一膜を得るためには膜面均一化などの後処理を加えるなどの工程が必要となる等の工程上の問題点がある。
《微分散溶解法により調製された溶液》
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液について説明する。
本発明者等は上記の種々の問題点を検討した結果、有機EL素子材料を貧溶媒中に投入して得られた懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液することにより、微細に破砕し、微粒化することにより、前記有機EL素子材料を貧溶媒に溶解する方法を開発したものである。
より具体的には、従来公知の有機EL用途に用いられる材料に対して、後述するナノマイザー等のシングルナノオーダーの微分散可能な分散機を用いた時、通常では前記材料に対して貧溶媒の範疇に入る溶媒に対して、塗布法による薄膜形成が可能な濃度で溶解することを見出したことが本発明の特徴である。
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液を用いることで、従来技術のように特殊な有機EL材料を選択することなく、且つ、下層薄膜表面を乱れさせること無く、積層構成の有機EL素子の作製を可能とし、発光効率が高く、長寿命であり、且つ、低駆動電圧である有機EL素子を低コストで製造する製造方法を提供することが可能になった。
また、微分散溶解法を用いて調製された溶液を用いる塗布が、従来公知の分散液塗布と異なるのは、分散液では塗布後に必要となる均一膜化処理が不要であり、通常の塗布乾燥工程を経ることで均一な塗布膜を形成できる点にある。
すなわち、溶媒による下層への影響を出来る限り少なくする、または、全く影響をなくす分散液を用いる特徴と、均一膜を形成できる溶液を用いる特徴を併せ持つ点にある。
微分散溶解法により調製された溶液は、上層の塗布形成時に、下層を侵食しない溶媒を適宜選択できるので、その結果、極めて自由度の高い(即ち、有機EL素子材料の溶媒への溶解性にとらわれることなく、材料のEL素子特性として最も好ましい材料を選択することが出来る)積層塗布を可能にする画期的技術である。
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液を用いることで、有機EL素子の種々の構成層(陽極、陰極、有機化合物層(有機層等ともいい、後で詳細に説明する。)等)を形成することで、従来公知の溶液塗布では困難であった、上層〜下層へ、また、下層〜上層への有機EL素子材料の拡散を効果的に防止することができるので、結果として、得られた有機EL素子は、優れた素子機能(高い外部取り出し量子効率を示し、且つ、駆動電圧が低い)を示すことがわかった。
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液、即ち、有機EL素子材料溶液の調製方法は、有機EL素子用材料が貧溶媒に溶解しており、本願発明の要件は、下記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の構成が挙げられる。
構成(1)有機EL素子材料を貧溶媒中に投入して懸濁液を調製する工程、次いで、該懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液することにより、前記懸濁液中の前記有機EL素子材料を破砕、微粒化する工程を経て、前記有機EL素子材料を前記貧溶媒中に溶解させる、
構成(2)有機EL素子材料を該貧溶媒の20体積%以下の良溶媒中に溶解して溶液を調製する工程、次いで、該溶液を前記貧溶媒中に投入し懸濁液を調製する工程、該懸濁液を微細ノズルで高圧で送液することにより、前記懸濁液中の前記有機EL素子材料を破砕し、微粒化する工程を経て、前記有機EL素子材料を前記貧溶媒中に溶解させる、
構成(3)貧溶媒中に、該貧溶媒の20体積%以下の良溶媒を混合させ、混合溶媒を調製する工程、該混合溶媒中に該有機EL素子用材料を投入して懸濁液を調製する工程、次いで、該懸濁液を微細ノズルで高圧で送液することにより、前記懸濁液中の前記有機EL素子材料を破砕し、微粒化する工程を経て、前記有機EL素子材料を前記混合溶媒中に溶解させる、
上記構成(1)〜(3)のいずれかひとつの構成に記載の、微分散溶解法による溶液の調製方法は、コンタミを特に嫌う有機EL素子材料溶液の調製において、有機EL素子材料を含む懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液することで溶媒中の材料を破砕し微粒化する方法であり、特に、コンタミがないことを求められる有機EL素子用材料溶液の調製方法として優れていることがわかった。
《微分散溶解法において、有機EL素子用材料を破砕、微粒化する工程》
本発明に係る、微分散溶解法による有機EL素子材料の破砕、微粒化する工程について、上記の構成(1)を例にとって説明する。
上記の構成(1)においては、本発明に係る有機EL素子用材料を該材料の貧溶媒中に投入して得られる懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液することにより、該懸濁液中の有機EL素子用材料を破砕、微粒化する工程を経て、前記有機EL素子用材料が前記貧溶媒中に溶解される。
本発明では、懸濁液中の有機EL素子用材料の破砕、微粒化する工程においては、ナノマイザーと呼ばれる、湿式メディアレス微粒化装置が好ましく用いられる。
前記ナノマイザーとしては、例えば、圧力式破砕機 吉田機械興業製 ナノマイザー等を挙げることが出来る。
《微細ノズル》
本発明に係る懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液する場合、微細ノズルのノズル系としては、有機EL素子用材料の破砕時にノズルがつまらないことが好ましく、そのような観点から、有機EL素子用材料を貧溶媒に投入した初期の懸濁液中の初期粒子径より大きければよいが、高圧で送液する、且つ、ノズルへの詰まりなどを考慮し、初期の粒径の2倍以上、好ましくは3倍〜5倍程度が好ましい。
更に、有機EL素子材料の破砕、微粒化の進行に伴い、微細ノズルのノズル径を更に小さくしていくと効率よく高圧を得ることが出来る。
《破砕、微粒化工程の回数、及び、破砕、微粒化時の圧力》
有機EL素子用材料と貧溶媒(貧溶媒と良溶媒の混合溶媒の場合もある)を含む懸濁液を微細ノズルを用いて高圧で送液するが、前記高圧(破砕圧力ともいう)の範囲としては、10MPa〜300MPaの範囲が好ましく、より好ましくは、80MPa〜250MPaの高圧力条件下で破砕、微粒化が行われることが好ましい。
また、送液時の懸濁液の流速は、200m/秒〜400m/秒の範囲が好ましい。
更に、破砕、微粒化の工程は、1回でもよいが、少なくとも2回、反復繰り返して行われることが好ましい。この際、反復して高圧条件下に置かれるために、懸濁液の温度が上昇することを防止する観点からは、破砕、微粒化を行う、循環系は冷却を行うことが好ましく、懸濁液の温度を60℃以下に調整することが好ましく、更に、5℃〜50℃の範囲に調整することが好ましい。
《微分散溶解法により調製された溶液の確認方法》
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液の確認方法について説明する。
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液は、含有される有機EL素子材料が難溶または不溶である貧溶媒中に溶解していることが好ましい。
ここで、有機EL素子用材料が貧溶媒中に溶解しているとは、本願では下記(a)、(b)のように定義している。
(a)貧溶媒中に有機EL素子用材料が分子状に溶解している場合(これば、通常、当業界で溶解といわれている)、
(b)有機EL素子用材料が、超微細粒子を形成していて、粒子や粒子径分布を有していても、本願において、予め決められた分析条件において、有機EL素子用材料の粒子や粒子径分布が認められない場合、本願では実質上、有機EL素子用材料が溶解していると考え、溶液とする。
ここで、本発明に係る、微分散溶解法により調製された溶液であることを確認する為の、予め決められた分析条件を下記に示す。
《粒子や粒子径分布を確認するための分析条件》
本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液(有機EL素子用材料が貧溶媒に溶解している状態、または、実質的に有機EL素子用材料が溶解している状態)であることを確認する分析方法(分析機器名、測定条件等)について説明する。
粒子や粒子径分布の測定方法は、下記の分析条件において、粒子や粒子径分布(粒径分布ともいう)が観測されない場合、本発明において、微分散溶解法により調製された溶液であると定義する。
小角広角X線回折装置(理学電機株式会社製:RINT2500/PC)を用いてX線小角散乱測定を行い、分散液中の微粒子の粒径分布を求めた。
以下に示す測定条件で、透過法で測定を行った。尚、分散液はガラスキャピラリに封じ、この際、試料の厚さは1/μ(μは試料の質量吸収係数)となるように調整した。
ターゲット:銅
出力:40kV−200mA
1stスリット:0.04mm
2ndスリット:0.03mm
受光スリット:0.1mm
散乱スリット:0.2mm
測定法:2θ FTスキャン法
測定範囲:0.1°〜6°
サンプリング:0.04°
計数時間:30秒
得られた散乱パターンに基づいて、解析ソフト(理学電機株式会社製:NANO−solver Ver3.0)を用いて解析を行った。ここで、解析に必要なブランクデータは、分散媒のみを同条件で測定することによって得た。
解析は、散乱体のモデルを球とし、ブランクデータの除去、スリット補正を行った後、フィッティングを行った。
尚、粒径分布関数を求める方法としては、分散微粒子が分散媒に分散された状態で光散乱等を利用する方法等が挙げられるが、本実施形態における粒径分布関数は、測定対象や、粒径の範囲等の観点から、X線小角散乱法によって求めることが好ましい。
X線小角散乱法による測定は、市販の小角広角X線回折装置によって行うことができ、RINT2500/PC(理学電機株式会社製)、RINT−TTR2(理学電機株式会社製)、NANO−Viewer(理学電機株式会社製)、SAXSess(Anton−Paar GmbH製)等を好適に用いることができる。
また、X線小角散乱曲線から粒径分布を求めるためのプログラムとしては、NANO−solver(理学電機株式会社製)又はGIFT(Anton−Paar GmbH製)等のプログラムを用いることが好ましい。
また、本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液に含有される有機EL素子材料としては、低分子化合物が好ましく、ここで、低分子化合物としては、10000以下の化合物を表すが、好ましくは、100〜10000の範囲の分子量を有するものであり、更に好ましくは、100〜2000の範囲の化合物である。
《貧溶媒、良溶媒》
本発明に係る貧溶媒、良溶媒について説明する。
有機EL素子材料の良溶媒また貧溶媒は、成膜しようとする有機EL素子材料の種類や性質によって異なる。
本発明に係る貧溶媒とは、超音波溶解時に、有機EL素子材料の溶解度が、0.3質量%未満(25℃、101.3kPa)である溶媒をいい、好ましくは0.1質量%以下のものを表す。
ここで、超音波溶解とは、0.3%(サンプル3mgを秤量し、これに1mlの溶媒(単一溶媒の場合もあれば、混合溶媒の場合もある)を加える)となるように、溶質と溶媒を加えたサンプル瓶を、UH−50(株式会社エスエムテー(SMT)製、超音波分散機、出力50W)で、30℃、10分間分散を行い、目視で溶解の可否を判断した。
また、本発明に係る貧溶媒は、隣接する二層の中で、後に形成する一方の層を微分散溶解法により調製された溶液を塗布するときに、該溶液の溶媒(単一溶媒の場合もあるし、混合溶媒の場合もある)を形成するとき、前もって形成されていた他方の層(膜ともいう)上に該溶媒を滴下などをしても不溶であることが目視で確認(下層(下層薄膜ともいう))できるものである。
ここで、下層(下層薄膜)の不溶確認とは、下層材料を、2cm角の硝子板に30nmとなるように成膜し、この薄膜上に0.5mlの溶媒を滴下、500rpm、30sのスピンコート条件でリンスを行う。リンス後、下層の乱れを目視で確認し、膜の乱れが認められない場合、これをもって不溶とした。
また、0.3質量%以上の溶解性を有し、且つ、下層膜の不溶確認できるものは、特殊な材料を適用した場合であり、本発明に係る微分散溶解法により調製された溶液を用いる有機EL素子の製造方法ではなく、これまで知られている、溶解度パラメータの差を利用した従来公知の有機EL素子の製造で行われている積層塗布になる。
本発明に係る良溶媒とは、有機EL素子材料に対する溶解度が、1質量%以上(25℃、101.3kPa)である溶媒をいい、好ましくは1.5質量%以上のものを表す。
本発明に係る貧溶媒、良溶媒としては、用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機EL素子材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール、2−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタンデカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンイソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。
尚、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを2種以上混合して、混合溶媒として用いてもよい。
これらのうち好ましい例としては、有機EL素子材料において、各機能層材料によっても異なるものの、良溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン系炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒である。また、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、好ましくはアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒が挙げられる。
《有機EL素子の構成層、有機化合物層、無機化合物層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。
また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有してもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
また、電子輸送層の形成には、下記に示す反応性電子輸送材料も好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。
また、上記の反応性電子輸送材料は更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、後述する一般式(E)において、Arで表される芳香族複素環が有してもよい置換基が挙げられる。
更にまた、反応性電子輸送材料としては、従来公知の電子輸送材料に、反応性電子輸送材料が有してもよい反応性基が置換した化合物も好ましく用いられる。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm〜20nmの範囲である。
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。
(ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良い。
併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
また、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
以下、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物として好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
また、発光層の形成には、下記に示す反応性ホスト化合物が好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。
《発光ドーパント》
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
(リン光ドーパント)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素周期表で8族〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。
また、発光層の形成には、下記に示す反応性リン光ドーパントが好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。
また、反応性リン光ドーパントとしては、従来公知のリン光性化合物に、上記の反応性ホスト化合物が有してもよい反応性基が置換した化合物も好ましく用いられる。
本発明に係るリン光ドーパント(リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。
《デンドリマー型リン光発光性有機金属錯体》
また、本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式(D1)で表されるデンドリマー型リン光発光性有機金属錯体を用いることができる。
一般式(D1)
P−[(デンドロン)m]n
一般式(D1)において、デンドロンは、下記一般式(E)で表される樹木状分子を表し、nは、0を超える整数を表し、mは、0を超え、且つ、n未満の整数を表す。Pは、コア(核)となる、リン光発光性有機金属錯体を表す。
一般式(E)
一般式(E)においてArは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される三価の基を表す。芳香族複素環を表し、Xは、前記コア(核)となる、リン光発光性有機金属錯体Pと結合する単結合または二価の連結基を表す。nは、分岐回数(世代数ともいう)を表す。
一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、下記の一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。
一般式(E)において、Arで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。
尚、これらの環は、更に、置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、ナフチル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。尚、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
一般式(E)において、Xで表される二価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基などの炭化水素基のほか、前記アルキレン基、前記アルケニレン基、前記アルキニレン基、前記アリーレン基中、各々ヘテロ原子(例えば、窒素原子、硫黄原子、珪素原子等)を含むものであってもよく、また、チオフェン−2,5−ジイル基や、ピラジン−2,3−ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物(ヘテロ芳香族化合物ともいう)に由来する二価の連結基であってもよいし、酸素や硫黄などのカルコゲン原子であってもよい。また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のような、ヘテロ原子を会して連結する基でもよい。
以下、一般式(D1)で表されるデンドリマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
《シクロデキストリン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式(D)で表されるシクロデキストリン誘導体を用いることができる。ここで、シクロデキストリン誘導体とは、複数のD−グルコピラノース基がα−1、4グリコシド結合によって環化した構造を有する化合物の総称。分子内に存在する1級と2級の水酸基は置換基で置換されていて構わない。
一般式(D)において、Rは置換基を表し、Zはリン光性化合物の残基を表す。
一般式(D)において、Rで表される置換基は、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基と同義である。
一般式(D)において、Zで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、リン光性化合物(リン光ドーパントともいう)を用いることができる。
以下、本発明に用いられるシクロデキストリン誘導体の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
尚、CD−1、2において、Acは、各々アセチル基を表す。
《カリックスアレーン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるカリックスアレーン誘導体について説明する。
本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体とは、下記一般式(A)で表されるように、フェノール誘導体をアルキレン基またはオキシアルキレン基で結合した環状構造を有する化合物の総称を表し、また、分子内のフェノール性水酸基は置換基で置換されていて構わない。
一般式(A)において、A、Lで、各々表される二価の連結基としては、一般式(E)において、Xで表される二価の連結基と同義である。
更に、A、Lで各々表される二価の連結基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環等のような芳香族複素環群から選択される芳香族複素環から導出される二価の基等を用いることが出来る。
また、更に、一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基を有してもよい。
以下に、本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
CA−1において、Aは、CHまたはNを表し、Rは、水素原子、メチル基またはアセチル基を表し、nは、1〜6の整数を表す。
《クラウンエーテル誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるクラウンエーテル誘導体について説明する。
本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体とは、下記一般式(B)または一般式(C)で各々表されるように、環状ポリエーテルであって、環全体が多座配位子となり、金属イオンや有機イオンと包接する機能を持つ化合物の総称を表し、且つ、酸素原子の代わりにその一部、または全てが窒素、硫黄で置換されても良い。
一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lは、単結合または二価の連結基を表し、Chは、酸素原子または硫黄原子を表す。mは、1〜9の整数、nは、1〜3の整数を表し、Zは、蛍光性化合物の残基またはリン光性化合物の残基を表す。
一般式(B)、一般式(C)の各々において、Lで表される二価の連結基は、上記一般式(A)のA、Lで各々表される二価の連結基と同義である。
一般式(B)、一般式(C)の各々において、Zで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、後述するリン光性化合物(リン光ドーパントともいう)に記載の化合物等が挙げられる。
また、上記一般式(B)、(C)で各々表されるクラウンエーテル誘導体は、上記一般式(A)で表されるカリックスアレーン誘導体が有する置換基Rを有していてもよい。
以下、本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
上記の具体例である、CE−1、CE−2の各々において、Aは、CHまたはNを表し、nは、1〜9の整数を表す。
本発明に用いられるリン光性化合物は、例えばOrganic Letter誌、vol3、No.16、p2579〜2581(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687ページ(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304ページ(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711ページ(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066ページ(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171ページ(2002年)、更に、これらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
このほかにも、例えば、J.Am.Chem.Soc.123巻4304〜4312頁(2001年)、国際公開第00/70655号パンフレット、同第02/15645号パンフレット、特開2001−247859号公報、同2001−345183号公報、同2002−117978号公報、同2002−170684号公報、同2002−203678号公報、同2002−235076号公報、同2002−302671号公報、同2002−324679号公報、同2002−332291号公報、同2002−332292号公報、同2002−338588号公報等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開2002−8860号公報記載の式(IV)で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。
(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
本発明に用いることのできる蛍光ドーパントとしては、上記一般式(D)で表されるシクロデキストリン誘導体において、Zで表されるリン光性化合物の残基の代わりに、蛍光性化合物残基を有するものが挙げられる。
また、本発明に用いることのできる蛍光ドーパントの例としては、上記一般式(B)、上記一般式(C)の各々で表されるクラウンエーテル誘導体において、Zで表されるリン光発光性化合物残基の代わりに、蛍光性化合物の残基を用いて化合物が挙げられる。
ここで、蛍光性化合物としては、上記の蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)に記載の色素、蛍光性化合物または蛍光性ドーパントの具体例等が挙げられる。
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
また、正孔輸送層の形成には、下記に示す反応性正孔輸送材料も好ましく用いられるが、本発明はこれらに限定されない。
《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。
《縮合ポリマー》
本発明の有機EL素子の製造方法においては、有機EL素子の有機層の構成材料の他にも、下記に示す縮合ポリマーを適宜用いることが出来る。
以下、本発明に用いられる縮合ポリマーとしては、下記一般式(1)で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
一般式(1)において、[Ar]nは、n個所の置換可能な部位を有する、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。Zは、蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基を表し、Arの置換可能な部位n個所のうちのm個所がKを介して連結している。Kは、二価の連結基または単結合を表す。nは、1〜3の数を表し、mは、1〜nの数を表す。ここで、Z、Kが複数の場合、各々は独立に、同一でもよく、異なっていてもよい。Lは、後述する連結基群1から選択される二価の連結基である。
一般式(1)において、Arで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。
一般式(1)において、Arで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す)等が挙げられる。
尚、これらの環は、更に、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。
一般式(1)において、Kで表される二価の連結基は、一般式(1)において、Aで表される二価の連結基と同義である。
一般式(1)において、Zで表される蛍光性化合物の残基、リン光性化合物残基は、各々、一般式(1)において、Zで表される蛍光性化合物残基、リン光性化合物残基と各々同義である。
一般式(1)において、Lで表される二価の連結基は、下記の連結基群1から選択される。
上記連結基群1において、R1〜R4は、各々アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
上記連結基群1において、R1〜R4で各々表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。これらは、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。
上記連結基群1において、R1〜R4で表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
これらの基は、更に、上記一般式(A)において、Rで表される置換基を有していてもよい。
上記連結基群1において、R1〜R4で表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(カルボニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
これらの基は、更に、上記一般式(E)において、Arで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。
以下、一般式(1)で表される縮合ポリマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In23−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常は、10nm〜1000nmの範囲であり、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/(m2・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。
ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24h
r・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
《有機EL素子の用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000Cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
実施例1
《有機EL素子材料微分散溶解液1の調製》
1gのOCE−21(tBu−PBDともいう)をTHF(テトラヒドロフラン)10mlに溶解し、メタノール100ml中に加え、再沈させ、懸濁液(プレ分散液ともいう)とした。
(尚、THFは、良溶媒であり、OCE−21、OC−11、OC−12、OC−17の溶解度(20℃)が10質量%以上あり、また、メタノールは貧溶媒であり、OCE−21、OC−11、OC−12、OC−17の溶解度(20℃)が0.3質量%未満である。)
次に、上記懸濁液(プレ分散液)を圧力式破砕器(吉田機械興業製ナノマイザー)を用いて破砕・溶解し、有機EL素子材料微分散溶解液1を調製した。
《有機EL素子材料微分散溶解液2〜4の調製》
有機EL素子材料微分散溶解液1の調製において、OCE−21の代わりに、OC−11、OC−12、OC−17を各々用いた以外は同様にして、有機EL素子材料微分散溶解液2〜4を各々調製した。
《有機EL素子材料微分散溶解液5、6の調製》
有機EL素子材料微分散溶解液4の調製において、OC−17に対してメタノール以外の貧溶媒であるイソプロピルアルコール、シクロヘキサンを用いた以外は同様にして、有機EL素子材料微分散溶解液5、6を各々調製した。
ここで、上記の圧力式破砕器の破砕条件は次の通りである。
微細ノズル径:120μm
破砕圧力 :200MPa
破砕回数 :80回
また、破砕の際、循環経路中に熱交換器を設置して、懸濁液の温度を冷却水(4℃)を用いて、5℃〜60℃の範囲になるように冷却した。
破砕回数80回後に、有機EL素子材料微分散溶解液1(OCE−21)、2(OC−11)、3(OC−12)、4〜6(OC−17)中の有機EL素子材料の分散粒径をMalvern社製のZetasizer 1000HSで測定したところ、粒子、粒子径分布等は観察されず溶液になっていることを確認することができた。
《有機EL素子1−1の製造》
得られた有機EL素子材料微分散溶液1を用い、下記のようにして有機EL素子1−1を製造した。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、ITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製 NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。
第一正孔輸送層上に、30mgのMO−11をトルエン3mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、窒素下、150℃にて1時間加熱し、MO−11分子内の反応性基を重合させることにより不溶化処理を行った。
結果、加熱処理によりMO−11の重合膜から成る膜厚30nmの第二正孔輸送層を設けた。更に、第二正孔輸送層上に、30mgのOC−23と1.5mgのPD−1をトルエン3mlに溶解した溶液を、1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、150℃にて1時間乾燥し、膜厚35nmの発光層を設けた。
この発光層上に、上記の有機EL素子材料微分散溶解液1を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、60℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの電子輸送層を設けた。これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。
《有機EL素子1−5〜1−20の製造》
有機EL素子1−1の製造において、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いる化合物を表1のように変更した以外は同様にして、有機EL素子1−5〜1−20を製造した。
《有機EL素子1−2の製造》:比較例
有機EL素子1−1の製造と全く同様にして発光層まで設けた後、発光層上に、30mgのOCE−21をトルエン3mlに溶解した溶液を、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により電子輸送層の成膜を行った。
しかしながら、OCE−21塗布溶液中のトルエンにより、発光層が再溶解したため、電子輸送層を積層することができなかった。
《有機EL素子1−3の製造》:比較例
先ず、30mgのOCE−21にメタノール3mlを加え、UH−50(株式会社エスエムテー(SMT)製、超音波分散機、出力50W)で、30℃、10分間溶解を行った。10分後、混合液は完全に溶解しておらず、溶け残ったOCE−21が目視で確認された。この溶液を0.2μmの孔径を有するシリンジフィルター(アドバンテック東洋株式会社製)で残渣を除去し、OCE−21のメタノール溶液を調製した。
次に、有機EL素子1−1の製造と全く同様にして発光層まで設けた後、この発光層上に、先に調製したOCE−21のメタノール溶液を300rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、60℃にて1時間乾燥し、膜厚15nmの電子輸送層を設けた。
成膜後の電子輸送層は若干の白濁が認められたが、これは調製した溶液が結果としてほぼ飽和溶液であったため、成膜時に析出(膜の結晶化を含む)があった為と推察した。
これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−3を製造した。
《有機EL素子1−21〜1−23の製造》:比較例
有機EL素子1−3の製造において、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層の化合物を表2のように変更した以外は同様にして、有機EL素子1−21〜1−23を各々製造した。また、電子輸送層の形成には、上記の有機EL素子材料微分散溶解液2(OC−11)、3(OC−11)、4(OC−17)を各々用いた。
《有機EL素子1−4の製造》:比較例
有機EL素子1−1の製造と全く同様にして発光層まで設けた後、これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧し、OCE−21の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、発光層上に蒸着して、膜厚30nmの電子輸送層を設けた。
次いで、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−4を製造した。
《有機EL素子1−1B、2−1〜2−11の製造》:青色発光素子
有機EL素子1−1の作製において、PD−1をPD−12に変更した以外は同様にして、青色発光有機EL素子1−1Bを製造した。
更に、有機EL素子1−1の製造において、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層の化合物を表3の化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子2−1〜2−11を製造した。
《有機EL素子2−12の製造》:青色発光素子
有機EL素子1−2の製造において、発光層に用いたPD−1をPD−12に代えた以外は同様にして、有機EL素子2−12を製造した。
《有機EL素子2−13の製造》:青色発光素子
有機EL素子1−3の製造において、発光層に用いたPD−1をPD−12に代えた以外は同様にして有機EL素子2−13を製造した。
《有機EL素子1−1R、3−1〜3−13の製造》:赤色発光素子
有機EL素子1−1の作製において、PD−1をPD−6に変更した以外は同様にして、赤色発光有機EL素子1−1Rを作製した。
更に、有機EL素子1−1の製造において、第二正孔輸送層、発光層、電子輸送層の化合物を表4に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機EL素子3−1〜3−13を製造した。
《有機EL素子3−14、3−15の製造》:赤色発光素子
有機EL素子1−2の製造において、PD−1をPD−6、PD−10に各々代えた以外は同様にして有機EL素子3−14、3−15を各々製造した。
《有機EL素子3−16、3−17の製造》:赤色発光素子
有機EL素子1−3の製造において、PD−1をPD−6、PD−10に各々代えた以外は同様にして、有機EL素子3−16、3−17を各々製造した。
《有機EL素子1−1、1−3〜1−23の評価》
得られた有機EL素子1−1、1−3〜1−23(ここで、有機EL素子1−2は素子化が出来ていないため、評価できなかった。)を評価するに際しては、各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている(尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った)。
図4は、照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
《外部取りだし量子効率》
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。尚、測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。尚、有機EL素子1−1、1−3〜1−23の外部取り出し量子効率、駆動電圧の測定結果は、有機EL素子1−1を100とした時の相対評価で行った。得られた結果を表5に示す。
表5から、有機EL素子1−2のように、従来の塗布法では製造が極めて困難であった積層素子構成や、1−3および1−21のように、従来から知られているような下層の貧溶媒を用いて塗布積層するような場合、積層素子が製造できるものの下層膜の結晶化や塗布溶液内での析出のため、十分な素子性能を発揮することができなかった。
一方、本発明では、有機EL素子1−1、1−5〜1−20に各々示したように、本発明の有機EL素子の製造方法を適用することにより積層成膜が可能となり、素子の製造が出来た。
また、有機EL素子1−4のように、塗布法と蒸着法を併用することで、該素子構成を製造することは可能であるが、このようなプロセスでは、本発明の有機EL素子の製造方法の特徴である、塗布法のメリットを十分に活かすことができない。
さらに言えば、塗布法による電極作成(大日本印刷株式会社:SID’06 予稿集P−1559)も技術的に可能となり、ALLウエットプロセスでの有機EL素子の製造が可能となってきた。
《有機EL素子1−1B、2−1〜2−13の評価》
有機EL素子1−1B、2−1〜2−13についても、有機EL素子1−1、1−3〜1−23の評価と同様に評価した。得られた結果を表6に示す。
《有機EL素子1−1R、3−1〜3−14、3−16の評価》
有機EL素子1−1R、3−1〜3−14、3−16についても、有機EL素子1−1、1−3〜1−23の評価と同様に評価した。得られた結果を表7に示す。
《有機EL素子3−2、3−15、3−17の評価》
ここで、発光ドーパントとして、PD−10を各々用いた製造された、有機EL素子3−2、3−15及び3−17についても並列評価を行った。得られた結果を表8に示す
表6〜8から、他の発光ドーパントを用いた場合でも、同様な効果が認められ、本発明の有機EL素子の製造方法が有効であることがわかった。
この現状で、ウエットプロセスの間に高真空プロセスが入ることはプロセス的にはますます大きなデメリットとなる。本発明の有機EL素子の製造方法を適用することにより、素子性能を損なうことなく、プロセスメリットの高い塗布方式で有機EL素子の全層を積層形成可能であることが判った。また、本発明の有機EL素子の製造方法は電極をも含めた完全な塗布法による積層型有機EL素子の実現させる技術である。
実施例2
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光有機EL素子)
実施例1に記載の有機EL素子1−1Bを青色発光有機EL素子として用いた。
(緑色発光有機EL素子)
実施例1に記載の有機EL素子1−1を緑色発光有機EL素子として用いた。
(赤色発光有機EL素子)
実施例1に記載の有機EL素子1−1Rを赤色発光有機EL素子として用いた。
上記の赤色、緑色及び青色発光有機EL素子を、同一基板上に並置し、図1に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
該フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。
実施例3
《白色発光照明装置の作製》
実施例1で作製した有機EL素子1−1の作製において、PD−1をPD−1、PD−6、PD−12に変更した以外は同様して、白色発光有機EL素子1−1Wを作製した。
得られた有機EL素子1−1Wを同様に、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。

Claims (12)

  1. 陰極と陽極の間に複数の有機化合物層を有するリン光発光方式の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
    少なくとも1種類以上の有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有する、微分散溶解法により調製された溶液を塗布することにより、該有機化合物層の少なくとも一層を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  2. 前記有機化合物層の少なくとも隣接する二層を塗布法で形成する工程を有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  3. 前記隣接する二層を形成する構成材料に対する貧溶媒が、少なくとも1種類は同一であり、且つ、該隣接する二層の中で、後に形成された層を微分散溶解法により調製された溶液を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする請求の範囲第2項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  4. 前記隣接する二層を形成する構成材料に対する貧溶媒が同一であることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子材料として少なくとも1種の電子輸送性材料を含むことを特徴とする請求の範囲第1項〜請求の範囲第4項のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  6. 前記溶液を用いて、塗布法により電子輸送層を形成することを特徴とする請求の範囲第1項〜請求の範囲第5項のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  7. 前記有機化合物層の少なくとも1層が、少なくとも2つの重合性官能基を分子内に有する化合物を重合する工程を経て得られたことを特徴とする請求の範囲第1項〜請求の範囲第6項のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  8. 前記有機化合物層が構成層として正孔輸送層または発光層を有し、該正孔輸送層または該発光層の少なくとも1層を、少なくとも2つの重合性官能基を分子内に有する化合物を重合し、形成する工程を有することを特徴とする請求の範囲第7項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  9. 請求の範囲第1項〜請求の範囲第8項のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 白色に発光することを特徴とする請求の範囲第9項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 請求の範囲第9項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
  12. 請求の範囲第9項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
JP2008555085A 2007-01-23 2008-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Expired - Fee Related JP5381103B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008555085A JP5381103B2 (ja) 2007-01-23 2008-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007012502 2007-01-23
JP2007012502 2007-01-23
JP2008555085A JP5381103B2 (ja) 2007-01-23 2008-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
PCT/JP2008/050868 WO2008090912A1 (ja) 2007-01-23 2008-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008090912A1 true JPWO2008090912A1 (ja) 2010-05-20
JP5381103B2 JP5381103B2 (ja) 2014-01-08

Family

ID=39644486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008555085A Expired - Fee Related JP5381103B2 (ja) 2007-01-23 2008-01-23 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5381103B2 (ja)
WO (1) WO2008090912A1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008035571A1 (fr) * 2006-09-20 2008-03-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément électroluminescent organique
TWI471309B (zh) * 2009-06-03 2015-02-01 Fujifilm Corp 光電變換元件及其製造方法、光感測器與攝像元件及它們的驅動方法
TWI472511B (zh) 2009-06-03 2015-02-11 Fujifilm Corp 光電變換元件及攝像元件
KR101431644B1 (ko) * 2009-08-10 2014-08-21 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101718165B1 (ko) 2009-09-11 2017-03-20 후지필름 가부시키가이샤 광전 변환 소자 및 그 제조방법, 광센서, 촬상소자 및 이들의 구동방법
JP5939984B2 (ja) 2009-10-28 2016-06-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se ヘテロレプティックなカルベン錯体及び該錯体を有機エレクトロニクスで用いる使用
KR101506999B1 (ko) 2009-11-03 2015-03-31 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US8828561B2 (en) 2009-11-03 2014-09-09 Cheil Industries, Inc. Compound for organic photoelectric device and organic photoelectric device including the same
CN102762582B (zh) 2009-12-14 2015-11-25 巴斯夫欧洲公司 包含二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属配合物及其在oled中的用途
EP2517278B1 (en) * 2009-12-22 2019-07-17 Merck Patent GmbH Electroluminescent formulations
US8691401B2 (en) 2010-04-16 2014-04-08 Basf Se Bridged benzimidazole-carbene complexes and use thereof in OLEDS
KR20110122051A (ko) 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US9142792B2 (en) 2010-06-18 2015-09-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer comprising at least one metal organic compound and at least one metal oxide
US9287512B2 (en) 2011-03-08 2016-03-15 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compounds, layers and organic electroluminescent device using the same
US9315724B2 (en) 2011-06-14 2016-04-19 Basf Se Metal complexes comprising azabenzimidazole carbene ligands and the use thereof in OLEDs
CN107501330A (zh) 2011-06-14 2017-12-22 Udc 爱尔兰有限责任公司 包含氮杂苯并咪唑碳烯配体的金属配合物及其在oled中的用途
KR102034916B1 (ko) 2012-07-19 2019-10-21 유디씨 아일랜드 리미티드 카르벤 리간드를 포함하는 이핵 금속 착물 및 oled에서의 그의 용도
WO2014147134A1 (en) 2013-03-20 2014-09-25 Basf Se Azabenzimidazole carbene complexes as efficiency booster in oleds
CN105073763B (zh) 2013-04-29 2019-03-01 Udc 爱尔兰有限责任公司 具有碳烯配体的过渡金属配合物及其在oled中的用途
EP3266789B1 (en) 2013-07-02 2019-09-25 UDC Ireland Limited Monosubstituted diazabenzimidazole carbene metal complexes for use in organic light emitting diodes
US9673408B2 (en) 2013-07-31 2017-06-06 Udc Ireland Limited Luminescent diazabenzimidazole carbene metal complexes
KR20160100961A (ko) 2013-12-20 2016-08-24 바스프 에스이 매우 짧은 감쇠 시간을 갖는 고효율 oled 장치
WO2015097841A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 株式会社日立製作所 有機発光材料、有機発光素子およびそれを用いた光源
CN115160373A (zh) 2014-03-31 2022-10-11 Udc 爱尔兰有限责任公司 金属络合物和其在有机发光二极管中的用途
WO2016016791A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd (Ikc) 2,9-functionalized benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles as hosts for organic light emitting diodes (oleds)
EP2982676B1 (en) 2014-08-07 2018-04-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazo[2,1-B]benzoxazoles for electronic applications
EP2993215B1 (en) 2014-09-04 2019-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Azabenzimidazo[2,1-a]benzimidazoles for electronic applications
EP3015469B1 (en) 2014-10-30 2018-12-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 5-(benzimidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications
WO2016079667A1 (en) 2014-11-17 2016-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Indole derivatives for electronic applications
WO2016079169A1 (en) 2014-11-18 2016-05-26 Basf Se Pt- or pd-carbene complexes for use in organic light emitting diodes
EP3034506A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 4-functionalized carbazole derivatives for electronic applications
EP3034507A1 (en) 2014-12-15 2016-06-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs)
EP3054498B1 (en) 2015-02-06 2017-09-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Bisimidazodiazocines
EP3053918B1 (en) 2015-02-06 2018-04-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 2-carbazole substituted benzimidazoles for electronic applications
EP3061759B1 (en) 2015-02-24 2019-12-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd Nitrile substituted dibenzofurans
EP3070144B1 (en) 2015-03-17 2018-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds
EP3072943B1 (en) 2015-03-26 2018-05-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dibenzofuran/carbazole-substituted benzonitriles
EP3075737B1 (en) 2015-03-31 2019-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes
EP3304612B1 (en) 2015-06-03 2022-05-04 UDC Ireland Limited Highly efficient oled devices with very short decay times
US20180291028A1 (en) 2015-10-01 2018-10-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150606B1 (en) 2015-10-01 2019-08-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles carrying benzofurane or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3150604B1 (en) 2015-10-01 2021-07-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolylyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
EP3356369B1 (en) 2015-10-01 2022-05-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying triazine groups for organic light emitting diodes
CN108349987A (zh) 2015-11-04 2018-07-31 出光兴产株式会社 苯并咪唑稠合杂芳族类
WO2017093958A1 (en) 2015-12-04 2017-06-08 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole derivatives for organic light emitting diodes
US20180370981A1 (en) 2015-12-21 2018-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Hetero-condensed phenylquinazolines and their use in electronic devices
US10968229B2 (en) 2016-04-12 2021-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Seven-membered ring compounds
JPWO2018173729A1 (ja) * 2017-03-23 2020-02-06 コニカミノルタ株式会社 組成物、組成物の製造方法、塗布膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000204364A (ja) * 1999-01-14 2000-07-25 Oki Electric Ind Co Ltd 発光材料およびこれを用いた有機el素子
JP2000315584A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機薄膜発光素子
JP4040235B2 (ja) * 2000-04-14 2008-01-30 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4792724B2 (ja) * 2004-09-29 2011-10-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2006117914A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4844276B2 (ja) * 2006-08-02 2011-12-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料溶液の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008090912A1 (ja) 2008-07-31
JP5381103B2 (ja) 2014-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5381103B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、該製造方法により得られた有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5648710B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置
JP5564942B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5691170B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5708781B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5018891B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5765223B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた照明装置及び表示装置
JP5653617B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、表示装置及び照明装置
US8242488B2 (en) Organic electroluminescent element, display device, and illuminating device
JP5533652B2 (ja) 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5304010B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5103781B2 (ja) 化合物、該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置
JP5857754B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP2008066569A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2009104488A1 (ja) 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008207520A (ja) 有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2014068027A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2008311608A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5652083B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP2008210941A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JPWO2008108162A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP6160485B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5359088B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5320881B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
JP2008047428A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100726

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130916

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5381103

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350