JPWO2007052483A1 - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

Abstract

トラップの低域側に通過帯域を有し、トラップの高域側に第２の減衰域を有し、通過帯域における帯域幅が十分に拡げられている弾性波フィルタ装置を提供する。第１のフィルタ回路部２が、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとを結ぶ直列腕に挿入された第１のインダクタＬ１ａと、第１の弾性波共振子Ｓ１ａと直列に接続した構成を有し、第２のフィルタ回路部３が、直列腕に挿入された第２のインダクタＬ２と、第２のインダクタＬ２の一端及び他端とグラウンド電位との間に接続された第２，第３の弾性波共振子Ｐ１，Ｐ２とを有し、通過帯域中心周波数を第１の中心周波数ｆ１とし、第１，第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ２のインダクタンスと第１〜第３の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｐ１，Ｐ２の容量とで構成されるフィルタの中心周波数を第２の中心周波数ｆ２としたときに、ｆ１＜ｆ２とされている、弾性波フィルタ装置１。

Description

本発明は、弾性表面波フィルタ装置や弾性境界波フィルタ装置などの弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、入力端と出力端との間に複数のインダクタが接続されており、前記入力腕と出力腕とを結ぶ直列腕とグラウンド電位との間に複数の共振子が接続されている弾性波フィルタ装置に関する。

従来、携帯電話機などの通信機器のＲＦ段の帯域フィルタとして、小型化を図り得るので、様々な弾性表面波フィルタ装置が用いられている。例えば、下記の特許文献１には、入力端と出力端との間に直列に接続された複数のインダクタンスと、入力端とグラウンド電位との間、出力端とグラウンド電位との間、隣り合うインダクタンス間の接続点とグラウンド電位との間にそれぞれ並列腕共振子を接続してなる帯域阻止型フィルタが開示されている。

図１２は、上記帯域阻止型フィルタの回路構成を示す回路図である。帯域阻止型フィルタ５０１では、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵＴとの間にインダクタンスＬ１が接続されている。入力端子ＩＮとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。また、出力端子ＯＵＴとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。ここでは、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２は、それぞれ、圧電基板上にＩＤＴ電極を形成してなる弾性表面波共振子により構成されている。また、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２の共振周波数Ｆ１，Ｆ２は略等しくされており、阻止域に位置されている。

他方、前記の特許文献２には入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕に、所定の反共振周波数を有する第１の一端子対弾性表面波共振子が接続されており、第１の一端子対弾性表面波共振子の一端とグラウンド電位との間に第２の一端子対弾性表面波共振子が接続されている弾性表面波フィルタ装置が開示されている。ここでは、第２の一端子対弾性表面波共振子の共振周波数が第１の一端子対弾性表面波共振子の反共振周波数に略一致されており、それによって減衰量が大きなトラップが形成されている。
特開２００４−１２９２３８号公報 特開２００３−３３２８８１号公報

特許文献１に記載の帯域阻止型フィルタ５０１では、上記インダクタンスＬ１と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２により阻止域、すなわちトラップが構成されている。しかしながら、上記トラップよりも低周波数域における減衰特性は平坦であり、バンドパスフィルタとしての特性を該低周波数域側において得ることはできなかった。

また、特許文献２に記載の弾性表面波フィルタ装置においても、上記のように第１の一端子対弾性表面波共振子の反共振周波数と、第２の一端子対弾性表面波共振子の共振周波数とを略一致させることによりトラップが形成されており、ここでは、第１の一端子対弾性表面波共振子に直列に接続されているインダクタと、第１の一端子対弾性表面波共振子の容量との直列共振によりバンドパスフィルタとしての特性が得られる。しかしながら、トラップの低域側における上記バンドパスフィルタとしての特性では、通過帯域の幅は比較的狭かった。

他方、地上波デジタルテレビＤＶＢ−Ｈの録画機能が搭載された携帯電話機では、送信中に録画を可能とするために、トラップよりも低域側に広帯域の通過帯域を形成することが求められている。ところが、特許文献１や特許文献２に記載の帯域阻止型フィルタでは、上記のように、トラップよりも低域側に十分な帯域幅を有する通過帯域を形成することが困難であった。

本発明の目的は上述した従来技術の現状に鑑み、弾性波共振子とインダクタとを接続した回路構成を有し、小型化を進めることができ、十分な減衰量のトラップを形成できるだけでなく、該トラップよりも低域側に十分な広さの帯域幅を有する通過帯域を形成することが可能な弾性波フィルタ装置を提供することにある。

本発明は、第１の減衰帯域と、該第１の減衰帯域の低域側に位置しており、第１の中心周波数を有する通過帯域と、前記第１の減衰帯域の高域側に位置している第２の減衰帯域とを有する弾性波フィルタ装置であって、入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕に挿入されている第１のインダクタと、前記第１のインダクタに直列に接続された第１の弾性波共振子とを有する第１のフィルタ回路部と、前記直列腕に挿入されている少なくとも１個の第２のインダクタと、前記第２のインダクタの一方端とグラウンド電位との間に接続されている第２の弾性波共振子と、前記第２のインダクタの他方端とグラウンド電位との間に接続されている第３の弾性波共振子とを有する第２のフィルタ回路部とを備え、前記第１のフィルタ回路部と第２のフィルタ回路部とが、直列腕において直列に接続されており、前記第１〜第３の弾性波共振子の容量成分と、前記第１，第２のインダクタのインダクタンス成分とにより構成されるＬＣフィルタの周波数特性の中心周波数を第２の中心周波数としたときに、該第２の中心周波数が、前記第１の中心周波数よりも高くされていることを特徴とする。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のある特定の局面では、前記第２のフィルタ回路部の入力側及び出力側の双方に前記第１のフィルタ回路部が接続されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記第２のフィルタ回路部において、第２のインダクタが複数設けられており、隣り合う第２のインダクタ間において、一方のインダクタの一方端に接続される第２の弾性波共振子と、他方のインダクタの他方端に接続される第３の弾性波共振子とが兼用されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第２の中心周波数が前記通過帯域の高域側端部に位置されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の弾性波共振子の反共振周波数と、前記第２の弾性波共振子の共振周波数とが異なっている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２のインダクタがチップ型インダクタンス部品により構成されている。

本発明に係る弾性波フィルタ装置のさらに別の特定の局面では、前記第１〜第３の弾性波共振子が形成されている１枚の圧電基板を有する弾性波フィルタチップと、前記弾性波フィルタチップが実装されている実装基板とがさらに備えられており、前記実装基板内に前記第１，第２のインダクタが内蔵されている。

（発明の効果）
本発明に係る弾性波フィルタ装置によれば、第１のフィルタ回路部が、入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕に挿入されている第１のインダクタと、第１のインダクタに直列に接続された第１の弾性波共振子とを有し、第２のフィルタ回路部が、直列腕に挿入されている少なくとも１個の第２のインダクタと、第２のインダクタの一方端とグラウンド電位との間に接続されている第２の弾性波共振子と、第２のインダクタの他方端とグラウンド電位との間に接続されている第３の弾性波共振子とを有し、第１のフィルタ回路部と第２のフィルタ回路部とが直列に接続されている。従って、直列腕に挿入されている第１の弾性波共振子及び上記第２，第３の弾性波共振子の周波数特性を選択することにより、減衰量が大きなトラップとして、第１の減衰帯域を形成することができる。

しかも、第１の減衰帯域の低域側においては、第１〜第３の弾性波共振子の容量成分と、第１，第２のインダクタのインダクタンス成分とによりＬＣフィルタが形成され、該ＬＣフィルタの周波数特性が有する上記第２の中心周波数が、第１の減衰帯域の低域側に位置している上記通過帯域の中心周波数である第１の中心周波数よりも高くされているため、通過帯域の高域側において上記阻止域に隣接する部分の減衰量が十分に小さくなり、帯域幅が十分に広くされ得る。従って、トラップの低域側に十分な広さの帯域幅を有する通過帯域を確実に形成することができる。よって、例えば地上波デジタルテレビ放送の録画機能が設けられた携帯電話機において、送信中に録画を可能とするための帯域フィルタとして好ましい弾性波フィルタ装置を提供することが可能となる。

第２のフィルタ回路部の入力側及び出力側の双方に第１のフィルタ回路部が接続されている場合には、それによって第１及び第２の減衰帯域における減衰量をより大きくすることができる。

第２のフィルタ回路部において、第２のインダクタは複数設けられていてもよく、その場合には隣り合う第２のインダクタ間において一方のインダクタの上記一方端に接続された上記第２の弾性波共振子と、他方のインダクタの上記他方端に接続されている上記第３の弾性波共振子とが兼用されてもよい。その場合には、使用する部品点数を低減することができるとともに、前記の第２のフィルタ回路部が多段構成となるため、第１及び第２の減衰帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。

第２の中心周波数が上記通過帯域の高域側端部に位置されている場合には、第２の中心周波数における減衰量が十分に小さくなるので、上記通過帯域の高域側端部における減衰量を十分に小さくすることができる。従って、通過帯域幅をより一層確実に拡大することができる。

第１の弾性波共振子の反共振周波数と、第２の弾性波共振子の共振周波数とが異なっている場合には、上記第２の減衰帯域の幅を拡げることができる。

第１，第２のインダクタがチップ型インダクタンス部品により構成されている場合には、第１，第２のインダクタを実装基板などに表面実装でき、弾性波フィルタ装置の小型化を進めることができる。

前記第１〜第３の弾性波共振子が形成されている１枚の圧電基板を有する弾性波フィルタチップと、弾性波フィルタチップが実装されている実装基板とをさらに備え、該実装基板内に第１，第２のインダクタが内蔵されている場合には、第１，第２のインダクタとして外付けの部品を必要としない。従って、弾性波フィルタ装置のより一層の小型化を進めることができるとともに、部品点数の低減を図ることが可能となる。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す回路図である。 図２は、図１に示した実施形態の弾性表面波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図３は、図１に示した実施形態の弾性表面波フィルタ装置に用いられている弾性表面波フィルタチップの圧電基板の下面の電極構造を示す圧電基板の模式的平面図である。 図４（ａ）は、図１に示した実施形態の弾性表面波フィルタ装置において用いられているパッケージ基板の平面図であり、（ｂ）は、弾性表面波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。 図５（ａ）は、図１に示した実施形態の弾性表面波フィルタ装置のパッケージに設けられた電極ランドと外付けのインダクタンス部品との関係を示す模式的ブロック図であり、（ｂ）は、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置の要部を示す略図的正面断面図である。 図６は、図１に示した実施形態の弾性波共振子を容量素子に置き換えた場合の回路を示す回路図である。 図７は、図６に示した回路の減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、従来の弾性表面波フィルタ装置の一例の回路構成を示す回路図である。 図９は、図８に示した弾性表面波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図１０（ａ）は、本発明の変形例におけるパッケージ基板と実装基板との関係を示す部分切欠平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した実装基板に設けられた内蔵インダクタンス素子を説明するための部分切欠正面断面図であり、（ｃ）は、内蔵インダクタのパターンを説明するための模式的平面図である。 図１１は、図１に示した実施形態の変形例の回路図である。 図１２は、従来の弾性表面波フィルタ装置の一例を示す回路図である。

符号の説明

１…弾性表面波フィルタ装置
ＩＮ…入力端子
ＯＵＴ…出力端子
２，４…第１のフィルタ回路部
３…第２のフィルタ回路部
Ａ…トラップ
Ｌ１ａ…第１のインダクタ
Ｌ１ｂ…第１のインダクタ
Ｌ２…第２のインダクタ
Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ…第１の弾性波共振子
Ｐ３２…第２の弾性波共振子
Ｐ３３…第３の弾性波共振子
１１…弾性表面波フィルタチップ
１２…圧電基板
１２ａ〜１２ｆ…電極ランド
１３ａ〜１３ｆ…バンプ
１４…パッケージ基板
１４ａ〜１４ｅ…電極ランド
１５…ＩＤＴ電極
１６，１７…反射器
２１…実装基板
２２ａ，２２ｂ…電極ランド
２３…端子電極
２４ａ，２４ｂ…スルーホール電極
２５…コイルパターン

以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の回路図である。本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１は、例えば地上波デジタルテレビ放送の録画機能が設けられた携帯電話機において、ＲＦ段に用いられる帯域阻止型フィルタとして好適に用いられるものであり、８８０〜９１５ＭＨｚ付近にトラップ帯域を有し、８００ＭＨｚ以下の周波数領域に地上波デジタルテレビＤＶＢ−Ｈの周波数帯４７０〜７５０ＭＨｚを含む通過帯域を有するように構成されている。この通過帯域の中心周波数を第１の中心周波数とする。また、前記トラップ帯域としての第１の減衰帯域よりも高域側、すなわち１３００ＭＨｚ以上の周波数領域に第２の減衰帯域を有する。

図１に示すように、弾性表面波フィルタ装置１では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間において、第１のフィルタ回路部２、第２のフィルタ回路部３及び第１のフィルタ回路部４がこの順序で直列に接続されている。第１のフィルタ回路部２は、入力端子ＩＮと、出力端子ＯＵＴとを結ぶ直列腕に挿入された第１のインダクタＬ１ａと、第１のインダクタＬ１ａに直列に接続された第１の弾性波共振子Ｓ１ａとを有する。

第２のフィルタ回路部３は、直列腕に挿入された少なくとも１個の第２のインダクタＬ２と、第２のインダクタＬ２の一方端とグラウンド電位との間に接続された第２の弾性波共振子Ｐ３２と、第２のインダクタＬ２の他方端とグラウンド電位との間に接続された第３の弾性波共振子Ｐ３３とを有する。

また、第１のフィルタ回路部４は、直列腕に挿入された第１のインダクタＬ１ｂと、第１のインダクタＬ１ｂに直列に接続された第１の弾性波共振子Ｓ１ｂとを有する。

本実施形態の弾性波フィルタ装置では、直列腕に挿入されている第１の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの容量成分と、第１のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂとにより直列共振回路が形成されており、かつ並列腕に配置されている第２，第３の弾性波共振子Ｐ３２，Ｐ３３の容量成分と、直列腕に挿入されている第２のインダクタＬ２とで移相回路が形成されており、それによって、上記直列共振回路と移相回路とにより、通過帯域を有する帯域通過型のフィルタ特性が得られている。つまり、第１〜第３の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｐ３２，Ｐ３３の容量成分と、第１，第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２のインダクタンス成分とによりＬＣフィルタが構成されている。そして、前記トラップ帯域としての第１の減衰帯域の低域側に位置する上記通過帯域の中心周波数を第１の中心周波数としたときに、上記ＬＣフィルタの中心周波数である第２の中心周波数が、第１の中心周波数よりも高くされており、それによって上記通過帯域の帯域幅が拡げられている。これを、より具体的に説明する。

図２は、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置の減衰量周波数特性である。弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの反共振周波数は、並列腕に配置されている第２，第３の弾性波共振子Ｐ３２，Ｐ３３の共振周波数と略一致されている。そのため、矢印Ａで示す減衰トラップが形成されている。トラップＡは比較的幅が狭く、大きな減衰量を有する。

他方、トラップＡの両側では減衰量が小さくされているが、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１では、トラップＡの低域側が通過帯域とされている。この通過帯域は、上記のように、弾性波共振子の容量成分とインダクタとによりそれぞれ形成される。直列共振回路と移相回路とにより形成されるフィルタ特性を利用して設けられている。すなわち、図１に示した弾性表面波フィルタ装置１における弾性波共振子を全て容量素子に置き換えると、図６に示す回路が得られる。直列腕では、容量素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂが弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの代わりに配置されることになり、並列腕では、容量素子Ｃ２，Ｃ３が弾性波共振子Ｐ３２，Ｐ３３の代わりに配置されることになる。図６に示した回路の減衰量周波数特性は、図７に示す通りとなる。すなわち、上記容量素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ，Ｃ２，Ｃ３の容量と、直列腕に配置されたインダクタＬ１ａ，Ｌ２，Ｌ１ｂのインダクタンスとによりＬＣフィルタ回路が構成され、このフィルタ回路の周波数特性は図７に示す通りとなる。

そして、この容量素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ，Ｃ２，Ｃ３を、弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ，Ｐ３２，Ｐ３３に置き換えることにより、図２に示した特性が得られることになる。

本実施形態では、第１の減衰帯域としてのトラップＡにおける減衰量は十分大きくされている。さらに、上記トラップＡよりも低域側には、十分な帯域幅の通過帯域が形成され、かつトラップＡよりも高い周波数域に第２の減衰帯域が形成される。これをより具体的に説明する。

本実施形態では、上述したように、上記容量成分とインダクタンス成分とにより構成されるＬＣフィルタの中心周波数を第２の中心周波数ｆ２としたとき、弾性表面波フィルタ装置１の上記トラップＡの低域側に設けられる通過帯域の中心周波数を第１の中心周波数ｆ１としたときに、ｆ２＞ｆ１とされているので、図２の矢印Ｂで示す部分、すなわち、弾性表面波フィルタ装置１の通過帯域高域側端部近傍における減衰量が十分小さくされる。言い換えれば通過帯域内であって、通過帯域の高域側端部近傍における減衰量が十分小さくされ、通過帯域が高域側において十分に拡げられる。

また、ＬＣフィルタの帯域幅を広くして挿入損失を低減し、かつトラップＡの低域側に設けられる通過帯域の帯域幅を低域側において広くするには、第１のフィルタ回路部における第１のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂのインダクタンス値を小さくし、弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの容量を大きくする必要がある。そのため、インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂのインダクタンス値が低められることになり、抵抗が低下する。加えて、第１の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂの容量を高めた場合には、Ｑ値が高くなる。従って、挿入損失をより一層低減することができる。

すなわち、本実施形態によれば、通過帯域の幅を拡げ得るだけでなく、挿入損失も効果的に小さくすることが可能となる。よって、トラップと、トラップの低域側に低損失かつ広帯域の通過帯域を形成することが可能となる。

次に、具体的な実験例を説明する。
図１に示した弾性表面波フィルタ装置の第１の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ及び第２，第３の弾性共振子Ｐ３２，Ｐ３３の仕様を下記の表１に示す。また、第１のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂのインダクタンス値は２７ｎＨとし、第２のインダクタＬ２のインダクタンス値は２４ｎＨとした。この場合の弾性表面波フィルタ装置１の周波数特性は図２に示す通りとなる。

ここでは、８８０〜９１５ＭＨｚ付近にあるトラップＡにおける減衰量は５５ｄＢと大きく、しかもトラップＡの低域側に、通過帯域が形成された。なお、通過帯域の帯域幅とは減衰量が３ｄＢ以下の帯域の幅とする。通過帯域の帯域幅は３８０ＭＨｚであった。従って、４７０〜７５０ＭＨｚにおいて低挿入損失にすることが可能となった。

また、上記トラップＡの高域側には１５００〜２０００ＭＨｚの周波数域に第２の減衰帯域が形成されていた。

比較のために、図８に示すフィルタ回路を構成した。このフィルタ回路では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、インダクタＬ５１ａ、弾性波共振子Ｓ５２ａ，Ｓ５２ｂ及びインダクタＬ５１ｂがこの順序で接続されており、弾性波共振子Ｓ５２ａ，Ｓ５２ｂ間の接続点とグラウンド電位との間を結ぶ並列腕に、弾性波共振子Ｐ５３が挿入されている。すなわち、前述した特許文献２に記載の回路構成に従って作製された弾性表面波フィルタ装置である。この比較例の弾性表面波フィルタ装置における弾性波共振子Ｓ５２ａ，Ｓ５２ｂ，Ｐ５３の仕様を下記の表２に示す通りとした。また、インダクタＬ５１ａのインダクタンス値は２２ｎＨ、インダクタＬ５１ｂのインダクタンス値は２３ｎＨとした。

なお、表２に示す仕様及び上記インダクタンス値は、上記実施形態と同様に、８８０〜９１５ＭＨｚにトラップを形成し、４７０〜７５０ＭＨｚ付近に通過帯域を形成するように選択したものである。

上記のようにして作製した従来例の弾性表面波フィルタ装置の周波数特性を図９に示す。
図９に示すように、４７０ＭＨｚ付近及び７５０ＭＨｚ付近の通過帯域端部近傍における減衰量が３ｄＢよりも大きく、従って、３ｄＢ減衰量を示す周波数領域である帯域幅は２７０ＭＨｚに留まっていた。従って、地上波デジタルテレビＤＶＢ−Ｈの周波数帯４７０〜７５０ＭＨｚの高域側及び低域側端部近傍において挿入損失の大きいという問題点のあることが分かる。

図２及び図９を比較すれば明らかなように、上記実施形態によれば、従来の弾性表面波フィルタ装置に比べて、低損失かつ広帯域の通過帯域をトラップの低域側に形成し得ることがわかる。

なお、第２のフィルタ回路部３では、１個の第２のインダクタＬ２が接続されていたが、図１１に示すように、第２のフィルタ回路部では、直列腕に複数の第２のインダクタＬ２ａ，Ｌ２ｂが接続されていてもよい。その場合には、隣り合う第２のインダクタＬ２ａ，Ｌ２ｂ間において、一方のインダクタＬ２ｂの一方端に接続される第２の弾性波共振子と、他方の第２のインダクタＬ２ａの他方端に接続される第３の弾性波共振子とが兼用されてもよく、それによって、部品点数の低減を図ることができるとともに、第２のフィルタ回路部が多段構成となるため第１及び第２の減衰帯域における減衰量を大きくすることができる。

次に、上記実施形態の弾性波フィルタ装置の具体的な構造例につき説明する。
図３は、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１に用いられる弾性表面波フィルタチップ１１を示す模式的平面図である。この弾性表面波フィルタチップ１１は、矩形の圧電基板１２を有する。図３では、圧電基板１２が模式的平面図で示されているが、ここでは、圧電基板１２の下面に形成されている電極が透視して図示されている。これは、圧電基板１２は図示の向きのまま図４（ａ）に示すパッケージ基板１４上に実装されることにより、図５（ｂ）に略図的断面図で示す弾性表面波フィルタ装置１の主要部分が構成されることによる。

図３に示すように、圧電基板１２の下面においては、上記第１の弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｓ１ｂ及び第２，第３の弾性波共振子Ｐ３２，Ｐ３３が形成されている。このような各弾性波共振子はＩＤＴ電極とＩＤＴ電極の表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する一端子対弾性表面波共振子により構成されている。図３では、これらの電極は具体的には示されておらずＩＤＴ電極及び一対の反射器が配置されている部分が略図的に示されている。

図４（ｂ）に、弾性波共振子を構成するＩＤＴ電極及び反射器の電極構造を略図的に示す。図４（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１５は、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する。そして、ＩＤＴ電極１５の両側に反射器１６，１７が配置されている。

図３に戻り、弾性波共振子Ｓ１ａは、入力端子側の電極ランド１２ａに配線パターンにより接続されている。電極ランド１２ａの下面には、バンプ１３ａが接合されている。バンプ１３ａは、後述するパッケージ基板１４上の電極ランド１４ａに電気的に接続するために設けられている。また、弾性波共振子Ｓ１ａ，Ｐ３２の各一端が共通接続され、配線パターンにより電極ランド１２ｂに電気的に接続されている。

弾性波共振子Ｐ３２の電極ランド１２ｂと接続されている側とは反対側の端部が電極ランド１２ｃに配線パターンにより接続されている。電極ランド１２ｃは、グラウンド電位に接続される電極ランドである。

弾性波共振子Ｐ３３の他端が電極ランド１２ｄに電気的に接続されている。電極ランド１２ｄはグラウンド電位に接続される電極ランドである。

弾性波共振子Ｐ３３の一端と、弾性波共振子Ｓ１ｂとが共通接続され、配線パターンにより電極ランド１２ｅに接続されている。

弾性波共振子Ｓ１ｂの上記電極ランド１２ｅに接続されている側とは反対側の端部が配線パターンにより電極ランド１２ｆに接続されている。電極ランド１２ｆは、第１のインダクタＬ１ｂを介して出力端子に電気的に接続される。

電極ランド１２ａ〜１２ｆ上には、それぞれ、バンプ１３ａ〜１３ｆが接続されている。

図４（ａ）に示すように、パッケージ基板１４上には、電極ランド１４ａ〜１４ｅが形成されている。電極ランド１４ｄに、バンプ１３ｃ，１３ｄを介して電極ランド１２ｃ，１２ｄが接続される。電極ランド１４ｂ，１４ｃ，１４ｅには、それぞれバンプ１３ｄ，１３ｃ，１３ｆを介して電極ランド１２ｂ，１２ｃ，１２ｆが接続される。電極ランド１４ａが、第１のインダクタＬ１ａを介して入力端子に、電極ランド１４ｅが第１のインダクタＬ１ｂを介して出力端子に接続される電極ランドである。電極ランド１４ｄがグラウンド電位に接続される唯一の電極ランドである。電極ランド１４ｂ，１４ｃは、それぞれ、インダクタＬ２に接続される端子を構成している。

すなわち、図５（ａ）に示すように、第１のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ及び第２のインダクタＬ２は、前記パッケージ基板１４とは別のチップ型インダクタンス部品により構成されており、パッケージ基板１４の電極ランド１４ａにインダクタＬ１ａが、電極ランド１４ｅにインダクタＬ１ｂが、電極ランド１４ｂ，１４ｃ間にインダクタＬ２が電気的に接続される。

この構造例では、図５（ｂ）に示すように、１枚の圧電基板１２を用いて弾性表面波フィルタチップ１１が構成され、バンプにより、パッケージ基板１４上の電極ランドにバンプ接合により搭載されていた。しかしながら、本発明においては、インダクタは、チップ型インダクタンス部品以外のインダクタンス素子により構成されてもよい。

図１０（ａ）〜（ｃ）は、実装基板にインダクタが内蔵されている変形例を説明するための模式的平面図、切欠正面断面図及びインダクタンスの一例を示す模式的平面図である。

図１０（ａ）に示すように、変形例では、上記と同様にパッケージ基板１４上に、図示しない弾性表面波フィルタチップがバンプ接合により搭載される。パッケージ基板１４は、多層基板からなる実装基板２１上に搭載される。実装基板２１に、前述した第１，第２のインダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２が内蔵されている。ここでは、第１のインダクタＬ１ａが設けられている部分を代表して説明することとする。

図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、実装基板２１は、上面に電極ランド２２ａ，２２ｂを有する。電極ランド２２ａは、実装基板２１上に設けられた端子電極２３に電気的に接続されている。端子電極２３は、入力端子を構成している。なお、電極ランド２２ｂは、パッケージ基板１４に設けられた入力端子に接続される電極ランド１４ａに電気的に接続されている。

電極ランド２２ａ，２２ｂは、それぞれ、スルーホール電極２４ａ，２４ｂに接続されている。スルーホール電極２４ａ，２４ｂは、実装基板２１の中間高さ位置まで延ばされており、中間高さ位置に設けられた第１のインダクタＬ１ａを構成するコイルパターン２５に接続されている。図１０（ｃ）に示すように、コイルパターン２５は、実装基板２１上において、複数のターン数を有するように巻回されたパターン形状を有し、その一端がスルーホール電極２４ａに、他端がスルーホール電極２４ｂに接続されている。このようにして実装基板２１内に、第１のインダクタＬ１ａが内蔵されている。第２のインダクタＬ２及びもう１つの第１のインダクタＬ１ｂについても同様に実装基板２１に内蔵されている。

従って、実装基板内にインダクタを内蔵させることにより部品点数の低減及び弾性表面波フィルタ装置のさらなる小型化を図ることができる。

上記実施形態及び変形例からも明らかなように、本発明において、第１，第２のインダクタは、チップ型インダクタンス部品により構成されてもよく、実装基板に内蔵されたインダクタにより構成されてもよい。さらに、上記実施形態では、上記圧電基板１２を用いて構成された弾性表面波フィルタチップ１１は、バンプにより基板にフェイスボンディング工法により搭載されていたが、パッケージ基板上の電極ランドに、弾性表面波フィルタチップがボンディングワイヤにより接合されていてもよい。

また、上記実施形態では、第１，第２の弾性波共振子は弾性表面波共振子により構成されていたが、弾性境界波共振子により構成されていてもよい。

Claims (7)

1. 第１の減衰帯域と、該第１の減衰帯域の低域側に位置しており、第１の中心周波数を有する通過帯域と、前記第１の減衰帯域の高域側に位置している第２の減衰帯域とを有する弾性波フィルタ装置であって、
   入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕に挿入されている第１のインダクタと、前記第１のインダクタに直列に接続された第１の弾性波共振子とを有する第１のフィルタ回路部と、
   前記直列腕に挿入されている少なくとも１個の第２のインダクタと、前記第２のインダクタの一方端とグラウンド電位との間に接続されている第２の弾性波共振子と、前記第２のインダクタの他方端とグラウンド電位との間に接続されている第３の弾性波共振子とを有する第２のフィルタ回路部とを備え、
   前記第１のフィルタ回路部と第２のフィルタ回路部とが、直列腕において直列に接続されており、
   前記第１〜第３の弾性波共振子の容量成分と、前記第１，第２のインダクタのインダクタンス成分とにより構成されるＬＣフィルタの周波数特性の中心周波数を第２の中心周波数としたときに、該第２の中心周波数が、前記第１の中心周波数よりも高くされていることを特徴とする、弾性波フィルタ装置。
2. 前記第２のフィルタ回路部の入力側及び出力側の双方に前記第１のフィルタ回路部が接続されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
3. 前記第２のフィルタ回路部において、第２のインダクタが複数設けられており、隣り合う第２のインダクタ間において、一方のインダクタの一方端に接続される第２の弾性波共振子と、他方のインダクタの他方端に接続される第３の弾性波共振子とが兼用されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
4. 前記第２の中心周波数が前記通過帯域の高域側端部に位置されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
5. 前記第１の弾性波共振子の反共振周波数と、前記第２の弾性波共振子の共振周波数とが異なっている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置。
6. 前記第１，第２のインダクタがチップ型インダクタンス部品により構成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。
7. 前記第１〜第３の弾性波共振子が形成されている１枚の圧電基板を有する弾性波フィルタチップと、前記弾性波フィルタチップが実装されている実装基板とをさらに備え、前記実装基板内に前記第１，第２のインダクタが内蔵されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ装置。

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