JPS63995A - 薄膜発光層材料 - Google Patents
薄膜発光層材料Info
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- JPS63995A JPS63995A JP61141473A JP14147386A JPS63995A JP S63995 A JPS63995 A JP S63995A JP 61141473 A JP61141473 A JP 61141473A JP 14147386 A JP14147386 A JP 14147386A JP S63995 A JPS63995 A JP S63995A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical group [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 CaS Chemical class 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野］
本発明は交流電界の印加によってＥＬ （Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄膜ＥＬ素
子に関し。
ｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄膜ＥＬ素
子に関し。
特に該薄膜発光層が母体中で光学的に活性である遷移金
属あるいは希土類の元素をドープした。 ＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれる少なくとも一つと
ＺｎＳとの複合体を母材とする薄膜層から成ることを特
徴とする新規薄膜ＥＬ素子に関する。さらには、母体中
で光学的に活性である遷移金属あるいは希土類の元素の
化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ば
れる少なくとも一つ及びＺｎＳとを用いて蒸着法あるい
はスパッタリング法により、薄膜発光層を調製すること
を特徴とする薄膜ＥＬ索子の製造法に関する。
属あるいは希土類の元素をドープした。 ＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれる少なくとも一つと
ＺｎＳとの複合体を母材とする薄膜層から成ることを特
徴とする新規薄膜ＥＬ素子に関する。さらには、母体中
で光学的に活性である遷移金属あるいは希土類の元素の
化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ば
れる少なくとも一つ及びＺｎＳとを用いて蒸着法あるい
はスパッタリング法により、薄膜発光層を調製すること
を特徴とする薄膜ＥＬ索子の製造法に関する。
〔発明の技術的背景］
従来、交流で駆動する薄膜ＥＬ素子の絶縁耐圧。
発光効率及び動作の安定性を高めるために、 Ｍｎをド
ープしたＺｎＳやＺｎ！３ｅ等の発光層をＡｌ ２０３
． Ｙ２Ｏ３あるいはＴ１０３等の誘電体薄膜で挟んだ
型の二重絶縁構造ＥＬ素子が開発され１発光諸特性など
が研究されている。特にＭｎをドープしたＺｎＳを発光
層とする薄膜ＥＬ素子に関しては良く研究されているが
、近年、ＥＬパネルの多色化を目的としてＺｎＳのみな
らずＧａｓ、ＳｒＳ等を母材とする薄膜ＥＬ素子が注目
されてきている。例えばＥｕをドープしたＣａＳを発光
層として用いた薄膜ＥＬ素子は赤色に、又Ｃｅをドープ
したＳｒＳを発光層として用いた薄膜ＥＬ素子は緑青色
に発光する。しかしながら、これらの系は母材の吸湿性
がＺｎＳに比べて顕著であり、加水分解しやすいという
性質を有する。この様な性質は、これらの系を母材とし
て用いた発光層の欠陥密度を高め、その結果素子の発光
輝度や耐久性を低下させる原因となる。又。
ープしたＺｎＳやＺｎ！３ｅ等の発光層をＡｌ ２０３
． Ｙ２Ｏ３あるいはＴ１０３等の誘電体薄膜で挟んだ
型の二重絶縁構造ＥＬ素子が開発され１発光諸特性など
が研究されている。特にＭｎをドープしたＺｎＳを発光
層とする薄膜ＥＬ素子に関しては良く研究されているが
、近年、ＥＬパネルの多色化を目的としてＺｎＳのみな
らずＧａｓ、ＳｒＳ等を母材とする薄膜ＥＬ素子が注目
されてきている。例えばＥｕをドープしたＣａＳを発光
層として用いた薄膜ＥＬ素子は赤色に、又Ｃｅをドープ
したＳｒＳを発光層として用いた薄膜ＥＬ素子は緑青色
に発光する。しかしながら、これらの系は母材の吸湿性
がＺｎＳに比べて顕著であり、加水分解しやすいという
性質を有する。この様な性質は、これらの系を母材とし
て用いた発光層の欠陥密度を高め、その結果素子の発光
輝度や耐久性を低下させる原因となる。又。
ＺｎＳに比べてＣａＳやＳｒＳ等は緑色あるいは青色発
光のドーパントであるＣｅが母材中に容易に挿入され、
高輝度発光する発光層を与える。これに対してＺｎＳは
母材として十分な安定性を有するが、 Ｃｅ等の一部の
ドーパントはこの母材中に挿入されにくいという欠点を
有する。そこでこれらの母材の弱点を補い、ドーパント
を容易にドーピングでき。
光のドーパントであるＣｅが母材中に容易に挿入され、
高輝度発光する発光層を与える。これに対してＺｎＳは
母材として十分な安定性を有するが、 Ｃｅ等の一部の
ドーパントはこの母材中に挿入されにくいという欠点を
有する。そこでこれらの母材の弱点を補い、ドーパント
を容易にドーピングでき。
且つ耐湿性、耐候性に優れた母材が望まれている。
ｎ−ｖｒ族化合物の中でＧａｓやＳｒＳ等のｎ 、 −
ＶＩ。
ＶＩ。
族化合物の結晶型は食塩型構造であり、 ＺｎＳ 、
Ｚｎ５ｓ等の■ｂ−■ｂ族化合物の結晶型はウルツ鉱型
あるいは閃亜鉛鉱型構造である。同じ結晶型の異なる化
合物は比較的容易に固溶し、混晶を形成することは知ら
れている。しかしながら結晶型の異なる化合物の混合焼
結体を薄膜形成材料として用い１例えば蒸着やスパッタ
リング法によって基板上に薄膜を形成する場合、生成し
た薄膜の結晶性や結晶構造についてはほとんど報告され
ていない。
Ｚｎ５ｓ等の■ｂ−■ｂ族化合物の結晶型はウルツ鉱型
あるいは閃亜鉛鉱型構造である。同じ結晶型の異なる化
合物は比較的容易に固溶し、混晶を形成することは知ら
れている。しかしながら結晶型の異なる化合物の混合焼
結体を薄膜形成材料として用い１例えば蒸着やスパッタ
リング法によって基板上に薄膜を形成する場合、生成し
た薄膜の結晶性や結晶構造についてはほとんど報告され
ていない。
ＩＩ −Ｖｌ 族化合物及びｎ 、−Ｖｌ、族化合
物のｂ 両者共まったく異なる結晶型を有するが１例えばドーパ
ントを含むＳｒＳとＺｎＳとの混合体を薄膜調製用材料
としてもちい、蒸着法あるいはスパッタリング法によっ
て調製した薄膜発光層の母材にはＳｒＳ及びＺｎＳの両
者が存する母材としての特徴を合せ持った特性を示す可
能性を有する。そこで母体中で光学的に活性である遷移
金属あるいは希土類の元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、
ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれる少なくとも一つ及びＺ
ｎＳとを蒸着あるいはスパッタリング用材料として用い
、二重絶縁構造の薄膜ＥＬ索子を作成し、素子の発光特
性を調べた結果、これらの素子が良好なＥＬ特性を発揮
することを見出し本発明を完成した。
物のｂ 両者共まったく異なる結晶型を有するが１例えばドーパ
ントを含むＳｒＳとＺｎＳとの混合体を薄膜調製用材料
としてもちい、蒸着法あるいはスパッタリング法によっ
て調製した薄膜発光層の母材にはＳｒＳ及びＺｎＳの両
者が存する母材としての特徴を合せ持った特性を示す可
能性を有する。そこで母体中で光学的に活性である遷移
金属あるいは希土類の元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、
ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれる少なくとも一つ及びＺ
ｎＳとを蒸着あるいはスパッタリング用材料として用い
、二重絶縁構造の薄膜ＥＬ索子を作成し、素子の発光特
性を調べた結果、これらの素子が良好なＥＬ特性を発揮
することを見出し本発明を完成した。
［発明の目的］
本発明の目的は薄膜ＥＬ素子において該薄膜発光層が、
母体中で光学的に活性である遷移金属あるいは希土類の
元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中か
ら選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳとの複合体を母材
とする薄膜層からなることを特徴とする新規薄［ＥＬ素
子及びその製造法を提供することにある。
母体中で光学的に活性である遷移金属あるいは希土類の
元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中か
ら選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳとの複合体を母材
とする薄膜層からなることを特徴とする新規薄［ＥＬ素
子及びその製造法を提供することにある。
［発明の概要コ
本発明は薄膜ＥＬ素子において該薄膜発光層が。
母体中で光学的に活性である遷移金属あるいは希土類の
元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中か
ら選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳとの複合体を母材
とする薄膜層からなることを特徴とする新規薄膜ＥＬ素
子及びその製造法を提供するものである。
元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中か
ら選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳとの複合体を母材
とする薄膜層からなることを特徴とする新規薄膜ＥＬ素
子及びその製造法を提供するものである。
従来、薄膜ＥＬ素子の薄膜発光層には■−■族化合物で
あるＺｎＳにＭｎ、Ｔｂ、Ｓｓ、あるいはＣｅなどの遷
移金属あるいは希土類元素の化合物をドープした薄膜層
を用いた素子が研究の対象とされてきた。
あるＺｎＳにＭｎ、Ｔｂ、Ｓｓ、あるいはＣｅなどの遷
移金属あるいは希土類元素の化合物をドープした薄膜層
を用いた素子が研究の対象とされてきた。
ＺｎＳは他の■−■族化合物であるＣａＳなどにくらべ
て、吸湿性が少なく分解しにくいなど化学的に安定であ
り、十分大きなバンドギャップを有するので薄膜発光層
の母材として適している。すなわちＺｎＳに色々なドー
パントをドープすれば多様な色を発光するような薄膜Ｅ
Ｌ素子を作製することができる。 例えばＨｏ Ｆ
、Ｅｒ Ｆ ３，５ＩＩＦ ３．ＴｂＦ、）ＪｄＦ３．
あるいはＴｔｐ Ｆ ３等をドープして調製した薄膜Ｅ
Ｌ素子は赤、青、緑などの種々の色で発光するが、青色
はいま一歩発光輝度が弱く。
て、吸湿性が少なく分解しにくいなど化学的に安定であ
り、十分大きなバンドギャップを有するので薄膜発光層
の母材として適している。すなわちＺｎＳに色々なドー
パントをドープすれば多様な色を発光するような薄膜Ｅ
Ｌ素子を作製することができる。 例えばＨｏ Ｆ
、Ｅｒ Ｆ ３，５ＩＩＦ ３．ＴｂＦ、）ＪｄＦ３．
あるいはＴｔｐ Ｆ ３等をドープして調製した薄膜Ｅ
Ｌ素子は赤、青、緑などの種々の色で発光するが、青色
はいま一歩発光輝度が弱く。
改善が要求されており、特にカラーパネルに応用するた
めに光の三原色である赤、青、緑の色を発光する薄膜Ｅ
Ｌ素子の高輝度、長寿命化が望まれている。この目的を
達成するためにはドーパントの改質のみならず、その母
材をも改善する必要がある。ＳｒＳはＺｎＳに比べて化
学的安定性という点において劣るが、これにＣｅＰ ａ
をドープして調製した薄膜ＥＬ素子は青色に発光し、し
かもＴｍＦ ａをドープしたＺｎＳの発光層を具備する
薄膜ＥＬ素子による青色発光輝度に比べて、より高輝度
である。しかしながら薄膜ＥＬ素子の長寿命化という観
点からは母材自体が化学的に安定であることが望ましい
。そこで本発明では発光の輝度が高く。
めに光の三原色である赤、青、緑の色を発光する薄膜Ｅ
Ｌ素子の高輝度、長寿命化が望まれている。この目的を
達成するためにはドーパントの改質のみならず、その母
材をも改善する必要がある。ＳｒＳはＺｎＳに比べて化
学的安定性という点において劣るが、これにＣｅＰ ａ
をドープして調製した薄膜ＥＬ素子は青色に発光し、し
かもＴｍＦ ａをドープしたＺｎＳの発光層を具備する
薄膜ＥＬ素子による青色発光輝度に比べて、より高輝度
である。しかしながら薄膜ＥＬ素子の長寿命化という観
点からは母材自体が化学的に安定であることが望ましい
。そこで本発明では発光の輝度が高く。
耐湿性、耐候性に優れた薄膜ＥＬ素子の作成を目的とし
て薄膜発光層に用いる母材を改善するために、 Ｓｒ’
３のように青色発光に適した性質とＺｎＳのように化学
的に安定であるという性質との両者の特性を合せ持った
母材を見出すためにＭｇＳ、Ｃａ！３．９ｒＳ、ＢａＳ
の中から選ばれる少なくとも一つとＺｎＳとの複合化を
試みた。
て薄膜発光層に用いる母材を改善するために、 Ｓｒ’
３のように青色発光に適した性質とＺｎＳのように化学
的に安定であるという性質との両者の特性を合せ持った
母材を見出すためにＭｇＳ、Ｃａ！３．９ｒＳ、ＢａＳ
の中から選ばれる少なくとも一つとＺｎＳとの複合化を
試みた。
本発明の薄膜ＥＬ素子における薄膜発光層はドーパント
とＭｇＳ、Ｃａ！３．Ｓｒ８．ＢａＳの中から選ばれる
少なくとも一つ及びＺｎＳとの混合体をそのまま蒸着法
やそのほかの適当な方法によって調製してもよい。ある
いはドーパントとＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中
から選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳを混合せずに多
元蒸着法等の方法によって薄膜発光層を調製することも
できる。薄膜ＥＬ素子作成の作業性を考慮するならば、
ドーパントを含むＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ。
とＭｇＳ、Ｃａ！３．Ｓｒ８．ＢａＳの中から選ばれる
少なくとも一つ及びＺｎＳとの混合体をそのまま蒸着法
やそのほかの適当な方法によって調製してもよい。ある
いはドーパントとＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中
から選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳを混合せずに多
元蒸着法等の方法によって薄膜発光層を調製することも
できる。薄膜ＥＬ素子作成の作業性を考慮するならば、
ドーパントを含むＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ。
ＢａＳの中から選ばれる少なくとも一つとＺｎＳとの混
合焼結体をターゲットとして用いたスパッタリグ法ある
いは蒸着法などの方法が好ましぐ用いられる。又上記ド
ーパントには適当な遷移金属あるいは希土類元素の化合
物を用いることができる。
合焼結体をターゲットとして用いたスパッタリグ法ある
いは蒸着法などの方法が好ましぐ用いられる。又上記ド
ーパントには適当な遷移金属あるいは希土類元素の化合
物を用いることができる。
このようにして形成される複合体は通常全体が一つの相
となる固溶体であるが、−種以上の結晶型の異なる相が
混在して、薄膜層を構成する場合もある。
となる固溶体であるが、−種以上の結晶型の異なる相が
混在して、薄膜層を構成する場合もある。
［発明の効果］
本発明によれば耐湿性、耐候性等の耐久性に優れた薄膜
発光層を具備する薄膜ＥＬ素子を作成することができる
。さらには薄膜発光層の新規母材として種々の遷移金属
あるいは希土類元素の化合物をドープすることができる
ので、ドーパントを変えることによって多様な色を発光
する薄膜ＥＬ素子を作成でき、特にＣｅＦ ａをドー
プしたＳｒ９とＺｎＳとの複合体からなる薄膜発光層を
用いれば。
発光層を具備する薄膜ＥＬ素子を作成することができる
。さらには薄膜発光層の新規母材として種々の遷移金属
あるいは希土類元素の化合物をドープすることができる
ので、ドーパントを変えることによって多様な色を発光
する薄膜ＥＬ素子を作成でき、特にＣｅＦ ａをドー
プしたＳｒ９とＺｎＳとの複合体からなる薄膜発光層を
用いれば。
青色に近い色を高輝度発光する薄膜ＥＬ素子を作成する
ことができる。
ことができる。
以下実施例により本発明をさらに具体的に説明するが１
本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない
。
本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない
。
実施例１
最初に薄膜発光層を調製するためのスパッタリング用タ
ーゲットを調製した。ＳｒＳ粉末（純度９９．９％）と
ＺｎＳ （純度９９．９％）およびＣｅＦ ３（純度
９９．９９％）とを３０分間混合し、混合粉体を得た。
ーゲットを調製した。ＳｒＳ粉末（純度９９．９％）と
ＺｎＳ （純度９９．９％）およびＣｅＦ ３（純度
９９．９９％）とを３０分間混合し、混合粉体を得た。
これをホットプレス法によりスパッタリング用ターゲッ
トとした。係る発光層用ターゲット及びＡｌ２Ｏ３の誘
電体層用ターゲットを用い、 Ａｒ雰囲気中でスパッタ
リング法により透明電極上に二重絶縁構造の薄膜層を形
成し、薄膜ＥＬ素子を作成した。
トとした。係る発光層用ターゲット及びＡｌ２Ｏ３の誘
電体層用ターゲットを用い、 Ａｒ雰囲気中でスパッタ
リング法により透明電極上に二重絶縁構造の薄膜層を形
成し、薄膜ＥＬ素子を作成した。
本実施例における薄膜ＥＬ素子の構成を第１図に示す。
ガラス基板１上に透明電極２を帯状に多数平行配列し、
その上に＾１□０３からなる第１の誘電体層３を２００
０〜３０００Ａ程変形成し２発光１５４としてＳｒＳと
ＺｎＳとの複合膜中にＣｅＰ ａが添加された層を８０
００〜ＬＯＯＯＯＡ程度積層し、さらにＡＩ ２０３か
らなる第２の誘電体層５を２０００〜３０００Ａ程度重
畳しＡＩの背面電極６を蒸着するとともに透明電極２と
直交する方向へ帯状に成型配列する事により構成されて
いる。
その上に＾１□０３からなる第１の誘電体層３を２００
０〜３０００Ａ程変形成し２発光１５４としてＳｒＳと
ＺｎＳとの複合膜中にＣｅＰ ａが添加された層を８０
００〜ＬＯＯＯＯＡ程度積層し、さらにＡＩ ２０３か
らなる第２の誘電体層５を２０００〜３０００Ａ程度重
畳しＡＩの背面電極６を蒸着するとともに透明電極２と
直交する方向へ帯状に成型配列する事により構成されて
いる。
上記のように構成した薄膜ＥＬ素子をＡｒ雰囲気中５０
０℃で１時間熱処理した後、このＥＬ素子の発光特性を
周波数５ｋｌｌｚの交流正弦電圧を印加して調べた。発
光輝度の印加電圧（Ｖ ）に対すｓｍ る依存性を第２図に示す。第２図（Ａ）の曲線はＥＬ素
子に交流正弦電圧を印加した直後の輝度−電圧特性曲線
である。しきい電圧の値は１５２ｖであり、 Ｖ ｒｍ
ｓ −１８２Ｖにおける発光輝度は１６０ ｃｄ／ｍ２
であった。このＥＬ素子にＶ ｒｍｓ −１８２Ｖであ
る交流電圧を１０時間印加し、エイジングした後の輝度
−電圧特性曲線が第２図（Ｂ）である。エイジングによ
ってしきい電圧及び発光輝度が多少変化しているものの
１図から明らかなように特性曲線はエイジング前と同様
に明瞭な発光特性を示している。
０℃で１時間熱処理した後、このＥＬ素子の発光特性を
周波数５ｋｌｌｚの交流正弦電圧を印加して調べた。発
光輝度の印加電圧（Ｖ ）に対すｓｍ る依存性を第２図に示す。第２図（Ａ）の曲線はＥＬ素
子に交流正弦電圧を印加した直後の輝度−電圧特性曲線
である。しきい電圧の値は１５２ｖであり、 Ｖ ｒｍ
ｓ −１８２Ｖにおける発光輝度は１６０ ｃｄ／ｍ２
であった。このＥＬ素子にＶ ｒｍｓ −１８２Ｖであ
る交流電圧を１０時間印加し、エイジングした後の輝度
−電圧特性曲線が第２図（Ｂ）である。エイジングによ
ってしきい電圧及び発光輝度が多少変化しているものの
１図から明らかなように特性曲線はエイジング前と同様
に明瞭な発光特性を示している。
このＥＬ素子による発光色の発光スペクトルを′！Ｊ３
図に示す。又、この発光スペクトルに基ずく発光色の色
度座標を第４図に示す。図から明らかな如く、このＥＬ
素子の発光色は青緑色であり。
図に示す。又、この発光スペクトルに基ずく発光色の色
度座標を第４図に示す。図から明らかな如く、このＥＬ
素子の発光色は青緑色であり。
ＣｅＰ ａを発光中心とするＳｒＳ薄膜発光層による発
光色とほぼ一致する。
光色とほぼ一致する。
次ぎに該薄１１１ＥＬ素子における薄膜発光層の結晶構
造をＸ線回折法によって調べた。Ｘ線回折パターンを第
５図（Ａ）に示す。比較のために青緑色に発光するＣｅ
Ｆ ３をドープしたＳｒＳ薄膜発光層のＸ線回折パター
ンを第５図（Ｂ）に示した。後者の薄膜ＥＬ素子は前者
と同様にして作製したものである。蒸着法により基板上
に調製したＳｒＳ薄膜の結晶構造が食塩型結晶であるこ
とは周知である。本発明において比較のためにスパッタ
リング法によって調製したＳｒＳ薄膜のＸ線回折パター
ン（第５図（Ｂ））は蒸着法によって調製したＳｒ９薄
膜のＸ線回折パターンとほぼ一致しており、その結晶型
は食塩型構造であると認められる。さらに９本発明のＣ
ｅＦ ａをドープしたＳｒＳとＺｎＳとからなる複合薄
膜発光層のＸ線回折パターンにはＺｎＳ薄膜に特有のウ
ルツ鉱型若しくは閃亜鉛鉱型構造の結晶に基ずくピーク
は認められず、このＸ線回折パターンは第５図（Ｂ）に
示したＳｒＳ薄膜のそれとほぼ一致している。さらに、
この複合薄膜の組成をＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭ
Ａ）によって調べた結果、複合薄膜を構成する原子Ｓｒ
、Ｚｎ及びＳの原子％はそれぞれＳｒ：Ｚｎ：Ｓ ＝
４０：３：５７であった。これらの結果から本発明にお
ける複合薄膜はその結晶型がＳｒＳ薄膜と同じように食
塩型構造であり、 ＳｒＳ結晶格子中のＳｒがＺｎによ
って一部分置換された構造を有すると考えられる。
造をＸ線回折法によって調べた。Ｘ線回折パターンを第
５図（Ａ）に示す。比較のために青緑色に発光するＣｅ
Ｆ ３をドープしたＳｒＳ薄膜発光層のＸ線回折パター
ンを第５図（Ｂ）に示した。後者の薄膜ＥＬ素子は前者
と同様にして作製したものである。蒸着法により基板上
に調製したＳｒＳ薄膜の結晶構造が食塩型結晶であるこ
とは周知である。本発明において比較のためにスパッタ
リング法によって調製したＳｒＳ薄膜のＸ線回折パター
ン（第５図（Ｂ））は蒸着法によって調製したＳｒ９薄
膜のＸ線回折パターンとほぼ一致しており、その結晶型
は食塩型構造であると認められる。さらに９本発明のＣ
ｅＦ ａをドープしたＳｒＳとＺｎＳとからなる複合薄
膜発光層のＸ線回折パターンにはＺｎＳ薄膜に特有のウ
ルツ鉱型若しくは閃亜鉛鉱型構造の結晶に基ずくピーク
は認められず、このＸ線回折パターンは第５図（Ｂ）に
示したＳｒＳ薄膜のそれとほぼ一致している。さらに、
この複合薄膜の組成をＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭ
Ａ）によって調べた結果、複合薄膜を構成する原子Ｓｒ
、Ｚｎ及びＳの原子％はそれぞれＳｒ：Ｚｎ：Ｓ ＝
４０：３：５７であった。これらの結果から本発明にお
ける複合薄膜はその結晶型がＳｒＳ薄膜と同じように食
塩型構造であり、 ＳｒＳ結晶格子中のＳｒがＺｎによ
って一部分置換された構造を有すると考えられる。
実施例２
ＣｅＦ ａをドープしたＣａＳとＺｎＳからなる複合薄
膜を発光層とする薄膜ＥＬ素子を実施例１に示した方法
に従って調製した。この薄膜ＥＬ素子もまた実施例１に
示したＣｅＰ ａをドープしたＳｒＳとＺｎＳからなる
複合薄膜を発光層とする薄膜ＥＬ素子と同様に緑色に高
輝度発光した。
膜を発光層とする薄膜ＥＬ素子を実施例１に示した方法
に従って調製した。この薄膜ＥＬ素子もまた実施例１に
示したＣｅＰ ａをドープしたＳｒＳとＺｎＳからなる
複合薄膜を発光層とする薄膜ＥＬ素子と同様に緑色に高
輝度発光した。
第１図は本発明における薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示
す構成図である。 第２図は本発明におけるＣｅＰ ａをドープしたＳｒＳ
とＺｎ９との複合膜を発光層とする薄膜ＥＬ索子の発光
特性を示す。 第３図は上記薄膜ＥＬ素子による発光スペクトルを示す
。 第４図は第３図の発光スペクトルに基ずく色度座標を示
す。 第５図（Ａ）は本発明におけるＣｅＰ ａをドープした
ＳｒＳとＺｎＳとの複合膜からなる薄膜発光層のＸ線回
折パターンであり、 （Ｂ）はＣａＰ ３をドープした
ＳｒＳからなる薄膜発光層のＸ線回折パターンである。 １・・・ガラス基盤、２・・・透明電極、３・・・第１
の誘電体層、４・・・発光層、５・・・第２の誘電体層
、６・・・背面電極、７・・・電源。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社第１図 第２図 印加電圧 （Ｖｒｍｓ） 第３図 波長λ （ｎｍ） 第４図 第５図 回折角、 ２θ （度）／Ｃｕｋα 手続補正書坊式） ％式％ １事件の表示 昭和６１年特許願第１４１４７３号 ２発明の名称 薄膜発光層材料 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所〒７４６山ロ県新南陽市大字富田４５６０番地（連
絡先）〒１０７東京都港区赤坂１丁目７番７号（乗替ビ
ル）東洋曹達工業株式会社 特許情報部 電話番号（５０５）４４７１ ４補正命令の日付 ５補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６補正の内容 （１）明細書第１３頁第１４〜１８行を次のとおり訂正
する。 「第５図は薄膜発光層のＸ線回折パターンを示すもので
あり、第５図中（Ａ）は本発明におけるＣ ｅ Ｆ ａ
をドープしたＳｒＳとＺｎＳとの複合膜からなる薄膜発
光層のＸ線回折パターンであり、（Ｂ）はＣｅ Ｆ ａ
をドープしたＳｒＳからなる薄膜発光層のＸ線回折パタ
ーンである。」以上
す構成図である。 第２図は本発明におけるＣｅＰ ａをドープしたＳｒＳ
とＺｎ９との複合膜を発光層とする薄膜ＥＬ索子の発光
特性を示す。 第３図は上記薄膜ＥＬ素子による発光スペクトルを示す
。 第４図は第３図の発光スペクトルに基ずく色度座標を示
す。 第５図（Ａ）は本発明におけるＣｅＰ ａをドープした
ＳｒＳとＺｎＳとの複合膜からなる薄膜発光層のＸ線回
折パターンであり、 （Ｂ）はＣａＰ ３をドープした
ＳｒＳからなる薄膜発光層のＸ線回折パターンである。 １・・・ガラス基盤、２・・・透明電極、３・・・第１
の誘電体層、４・・・発光層、５・・・第２の誘電体層
、６・・・背面電極、７・・・電源。 特許出願人 東洋曹達工業株式会社第１図 第２図 印加電圧 （Ｖｒｍｓ） 第３図 波長λ （ｎｍ） 第４図 第５図 回折角、 ２θ （度）／Ｃｕｋα 手続補正書坊式） ％式％ １事件の表示 昭和６１年特許願第１４１４７３号 ２発明の名称 薄膜発光層材料 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所〒７４６山ロ県新南陽市大字富田４５６０番地（連
絡先）〒１０７東京都港区赤坂１丁目７番７号（乗替ビ
ル）東洋曹達工業株式会社 特許情報部 電話番号（５０５）４４７１ ４補正命令の日付 ５補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ６補正の内容 （１）明細書第１３頁第１４〜１８行を次のとおり訂正
する。 「第５図は薄膜発光層のＸ線回折パターンを示すもので
あり、第５図中（Ａ）は本発明におけるＣ ｅ Ｆ ａ
をドープしたＳｒＳとＺｎＳとの複合膜からなる薄膜発
光層のＸ線回折パターンであり、（Ｂ）はＣｅ Ｆ ａ
をドープしたＳｒＳからなる薄膜発光層のＸ線回折パタ
ーンである。」以上
Claims (3)
- （１）薄膜ＥＬ素子に於て該薄膜発光層が、母体中で光
学的に活性である遷移金属あるいは希土類の元素をドー
プしたＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれ
る少なくとも一つとＺｎＳとの複合体を母材とする薄膜
層から成ることを特徴とする新規薄膜ＥＬ素子。 - （２）薄膜ＥＬ素子に於て該薄膜発光層を形成する、Ｍ
ｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳの中から選ばれる少なく
とも一つとＺｎＳとの複合体から成る母材において、こ
れに含まれるＺｎ元素の混合割合が０．５モル％〜９９
．５モル％である特許請求の範囲第１項に記載された薄
膜ＥＬ素子。 - （３）母体中で光学的に活性である遷移金属あるいは希
土類の元素の化合物とＭｇＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ、ＢａＳ
の中から選ばれる少なくとも一つ及びＺｎＳとを用いて
蒸着法あるいはスパッタリング法により、薄膜発光層を
調製することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141473A JPS63995A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜発光層材料 |
| EP87108638A EP0249942A3 (en) | 1986-06-19 | 1987-06-16 | Thin film electroluminescent layer material |
| FI872713A FI872713A (fi) | 1986-06-19 | 1987-06-17 | Tunn film av elektroluminescensskiktmaterial. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61141473A JPS63995A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜発光層材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63995A true JPS63995A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15292702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61141473A Pending JPS63995A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 薄膜発光層材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0249942A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63995A (ja) |
| FI (1) | FI872713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| JP2011032416A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 蛍光体とその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3876158T2 (de) * | 1987-07-08 | 1993-06-03 | Sharp Kk | Duennfilm-elektrolumineszenzgeraet. |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1469230A (en) * | 1974-06-04 | 1977-04-06 | Secr Defence | Preparation of chemical c-mpounds |
| FI83015C (fi) * | 1985-05-28 | 1991-05-10 | Sharp Kk | Tunnfilmelektroluminiscensanordning och process foer dess produktion. |
| JPH086086B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1996-01-24 | 株式会社リコー | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61141473A patent/JPS63995A/ja active Pending
-
1987
- 1987-06-16 EP EP87108638A patent/EP0249942A3/en not_active Withdrawn
- 1987-06-17 FI FI872713A patent/FI872713A/fi not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7538483B2 (en) | 2002-08-07 | 2009-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Inorganic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| JP2011032416A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 蛍光体とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI872713A (fi) | 1987-12-20 |
| EP0249942A2 (en) | 1987-12-23 |
| FI872713A0 (fi) | 1987-06-17 |
| EP0249942A3 (en) | 1989-08-09 |
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