JPS6392029A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6392029A JPS6392029A JP61238442A JP23844286A JPS6392029A JP S6392029 A JPS6392029 A JP S6392029A JP 61238442 A JP61238442 A JP 61238442A JP 23844286 A JP23844286 A JP 23844286A JP S6392029 A JPS6392029 A JP S6392029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- pad electrode
- bonding
- semiconductor device
- bonding pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 235000013527 bean curd Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011093 chipboard Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体チッ
プ表面のパッジベージ璽ン膿の改良に関する。
プ表面のパッジベージ璽ン膿の改良に関する。
従来、この種の半導体装置における半導体チップはプラ
ズマ成長さ；ｎ、ｆｃシリコン窒化膜等にエクパッシベ
ーシｌンさｎる。すなわち、半導体チップ全面にこの耐
湿性の保諌膜全形成した後、ボンディング・パッド部分
全エツチング除去し、その後、リード・フレームへのボ
ンディング接続上行なってから樹脂封止さｎる。
ズマ成長さ；ｎ、ｆｃシリコン窒化膜等にエクパッシベ
ーシｌンさｎる。すなわち、半導体チップ全面にこの耐
湿性の保諌膜全形成した後、ボンディング・パッド部分
全エツチング除去し、その後、リード・フレームへのボ
ンディング接続上行なってから樹脂封止さｎる。
従って、上述した従来の賓脂封止型半導体装置はボンデ
ィング響バット部分にはパッジページ〕ン膜が存在しな
い梠造のものとなり、樹脂封止へ′全侵透した外部の水
分全リード・フレームおよび謳 ワイヤーの界面勾・伝わらせ、アルミ・パッド電極全溶
出せしめる欠点を有する。
ィング響バット部分にはパッジページ〕ン膜が存在しな
い梠造のものとなり、樹脂封止へ′全侵透した外部の水
分全リード・フレームおよび謳 ワイヤーの界面勾・伝わらせ、アルミ・パッド電極全溶
出せしめる欠点を有する。
本発明の目的は、上記の欠点に鑑み、アルミ句パッド電
極のボンディング・パッド部に対するパッシペーション
摸全備え友樹脂封止塑半導体装置を提供することである
。
極のボンディング・パッド部に対するパッシペーション
摸全備え友樹脂封止塑半導体装置を提供することである
。
と前記半導体チップ士に設けらｎるアルミ・ボンディン
グ・パッドＮ＆と、前記アルミ・ボンディング・ボッド
電極とリード９フレームの外部リードと′に接続する金
ボンディングやワイヤと、前記アルミ・ボンディング・
パッドＮ極の縁端部および金ポンディング・ワイヤのボ
ンディング面を除く電極全面ｔそｎぞｎ被覆するシリコ
ン窒化膜および化成アルミナ膜からなるパッシベーショ
ン膜とを備えることを含む。
グ・パッドＮ＆と、前記アルミ・ボンディング・ボッド
電極とリード９フレームの外部リードと′に接続する金
ボンディングやワイヤと、前記アルミ・ボンディング・
パッドＮ極の縁端部および金ポンディング・ワイヤのボ
ンディング面を除く電極全面ｔそｎぞｎ被覆するシリコ
ン窒化膜および化成アルミナ膜からなるパッシベーショ
ン膜とを備えることを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１（凶は本発明の一実施例を示す要部断面図である。
本実施例に工ｎば半導体装置１０は、リード・フレーム
１と、こｎにダイボンディングさｎた半導体チップ２と
半導体チップ２上のアルミ・ボンディング・パッド１！
極４と、このアルミ・ボンディング・パッド電極４とリ
ード・フレーム１の外部リード９とを接続する金ポンデ
ィ／グ・ワイヤ６と、ワイヤ接続後リード・フレーム１
全電極端子として陽＝Ｗ比さｎたアルミ串ボンディング
・パッド電極４の化成アルミナ（ＡＬ２０ｓ ）領域８
と、最上層のアルミ配−３と、シリコン窒化膜からなる
パッシベーション膜５と、ａ１脂封脂矛ス゛７と會含む
。
１と、こｎにダイボンディングさｎた半導体チップ２と
半導体チップ２上のアルミ・ボンディング・パッド１！
極４と、このアルミ・ボンディング・パッド電極４とリ
ード・フレーム１の外部リード９とを接続する金ポンデ
ィ／グ・ワイヤ６と、ワイヤ接続後リード・フレーム１
全電極端子として陽＝Ｗ比さｎたアルミ串ボンディング
・パッド電極４の化成アルミナ（ＡＬ２０ｓ ）領域８
と、最上層のアルミ配−３と、シリコン窒化膜からなる
パッシベーション膜５と、ａ１脂封脂矛ス゛７と會含む
。
本実施例に工ＩＬば、アルミ・ボンディング・パッド電
極４の縁端部は従来の同じく窒化膜からなルハッシベー
シ曹ン膜で被櫟さｎ％また。金ボンディング・ワイヤ直
下を除くボンディング・パッド部分は化成アルミナ膜８
で被覆さｔしるので樹脂封止オス゛７から侵透した外部
水分にエフアルミ・パッド電極４が侵さｎ浴出するなど
の事故上発生せしめることはない。すなわち、半等体長
盆の信頼性を著しく向上せしめることができる。
極４の縁端部は従来の同じく窒化膜からなルハッシベー
シ曹ン膜で被櫟さｎ％また。金ボンディング・ワイヤ直
下を除くボンディング・パッド部分は化成アルミナ膜８
で被覆さｔしるので樹脂封止オス゛７から侵透した外部
水分にエフアルミ・パッド電極４が侵さｎ浴出するなど
の事故上発生せしめることはない。すなわち、半等体長
盆の信頼性を著しく向上せしめることができる。
以上詳細に説明し７ｅＪ：うに５本発例に＝Ｊシは従来
露出されたままとなっていン′こアルミ・パッド電極の
ポンディング部分音化成アルミナ（Ａｌｚ Ｏｓ）で充
分被覆する構造としたのでアルミ °パッド電極に対す
るパッシベーション膜果を著しく高めることができ、樹
脂型半導体装置の信頼性向上に格段の効果音あげること
ができる。
露出されたままとなっていン′こアルミ・パッド電極の
ポンディング部分音化成アルミナ（Ａｌｚ Ｏｓ）で充
分被覆する構造としたのでアルミ °パッド電極に対す
るパッシベーション膜果を著しく高めることができ、樹
脂型半導体装置の信頼性向上に格段の効果音あげること
ができる。
第１図は本発す弓の−′：Ａ飽何ｊ七示す要部断面図で
ある。 １・・・・・・リード９フレーム、２・・・・・・半導
体チップ、３・・・・・・最上層のアルミ配線、４・・
・・・・アルミ優ポンディング・パッド電極、５・・・
・・・窒化膜からなるパッシベーション膜、６・・・・
・・金ボンディング・ワイヤ、７・・・・・・樹脂封止
矛）′、８・・・・・・化成アルミナ（ＡｔｚＯｓ）１
１．９・・・・・・リード・フレームの外部リード、１
０・・・・・・樹脂封止半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 晋１′ ・、−２
：／−ｍ−リード・フし一ム ２−一−キ４石トー手ッフ・ ３−・−羊上檜刀フルミ紀射Ｖ
ある。 １・・・・・・リード９フレーム、２・・・・・・半導
体チップ、３・・・・・・最上層のアルミ配線、４・・
・・・・アルミ優ポンディング・パッド電極、５・・・
・・・窒化膜からなるパッシベーション膜、６・・・・
・・金ボンディング・ワイヤ、７・・・・・・樹脂封止
矛）′、８・・・・・・化成アルミナ（ＡｔｚＯｓ）１
１．９・・・・・・リード・フレームの外部リード、１
０・・・・・・樹脂封止半導体装置。 代理人 弁理士 内 原 晋１′ ・、−２
：／−ｍ−リード・フし一ム ２−一−キ４石トー手ッフ・ ３−・−羊上檜刀フルミ紀射Ｖ
Claims (1)
- リード・フレーム上に固着される半導体チップと、前記
半導体チップ上に設けられるアルミ・ボンディング・パ
ッド電極と、前記アルミ・ボンディング・パッド電極と
リード・フレームの外部リードとを接続する金ボンディ
ング・ワイヤと、前記アルミ・ボンディング・パッド電
極の縁端部および金ボンディング・ワイヤのボンディン
グ面を除く電極全面をそれぞれ被覆するシリコン窒化膜
および化成アルミナ膜からなるパッシベーション膜とを
備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238442A JPS6392029A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238442A JPS6392029A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6392029A true JPS6392029A (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=17030283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238442A Pending JPS6392029A (ja) | 1986-10-06 | 1986-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6392029A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125850A (en) * | 1980-03-06 | 1981-10-02 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5742139A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-10-06 JP JP61238442A patent/JPS6392029A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125850A (en) * | 1980-03-06 | 1981-10-02 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5742139A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6943450B2 (en) | Packaged microelectronic devices and methods of forming same | |
| KR940007385B1 (ko) | 수지 봉지형 반도체장치 및 그 리이드 프레임 | |
| KR960705357A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPH08116016A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH1174442A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体パッケージ | |
| JPS6392029A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0729927A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS61236130A (ja) | 半導体装置 | |
| US6913951B2 (en) | Method of making a lead-on-chip device | |
| JPS6086851A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08115941A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2694871B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0329333A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62154769A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2543525B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR0184061B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPS6437043A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPH04359550A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61125044A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3354716B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01283855A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002016210A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6163042A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JPH05218276A (ja) | 割れにくい半導体装置およびその作製方法 | |
| JPS58134446A (ja) | 半導体装置 |