JPS636121B2 - - Google Patents
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- JPS636121B2 JPS636121B2 JP55181363A JP18136380A JPS636121B2 JP S636121 B2 JPS636121 B2 JP S636121B2 JP 55181363 A JP55181363 A JP 55181363A JP 18136380 A JP18136380 A JP 18136380A JP S636121 B2 JPS636121 B2 JP S636121B2
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- resistor
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- resistors
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体抵抗器、特に積層チツプ型抵抗
器に関する。
器に関する。
従来、固定抵抗器を含む各種の抵抗器は、リー
ド線間に配される抵抗体の材質と長さにより抵抗
値を設定している。しかしながら、この種の従来
の抵抗器は、要求される抵抗値に応じて長さが
種々変えられるので、一定の二次元寸法をもつこ
とが望まれるチツプ型の部品を構成するには不向
きである。また、最近、チツプ型の抵抗器とし
て、アルミナ等より成るベース（基体）上へ抵抗
ペーストを印刷して抵抗体層を形成し、両端に端
子電極を形成して成るものも製造されているが、
別個の材料より成るベースを必要とする上、抵抗
器の長さ方向において抵抗値を調節することには
変わりはないから、一定の二次元寸法のチツプ型
抵抗器を得ることは難しかつた。
ド線間に配される抵抗体の材質と長さにより抵抗
値を設定している。しかしながら、この種の従来
の抵抗器は、要求される抵抗値に応じて長さが
種々変えられるので、一定の二次元寸法をもつこ
とが望まれるチツプ型の部品を構成するには不向
きである。また、最近、チツプ型の抵抗器とし
て、アルミナ等より成るベース（基体）上へ抵抗
ペーストを印刷して抵抗体層を形成し、両端に端
子電極を形成して成るものも製造されているが、
別個の材料より成るベースを必要とする上、抵抗
器の長さ方向において抵抗値を調節することには
変わりはないから、一定の二次元寸法のチツプ型
抵抗器を得ることは難しかつた。
本発明は、従来の抵抗器の概念と全く異なる概
念によりこの種の問題の解決を図つたもので、逐
次の導体層が交互に他の端面まで達するように導
体層と抵抗体層とを交互に積層し、この積層体の
厚み方向の少なくとも一面に絶縁体層を配置し、
上記両端面に各交互の導体層にそれぞれ接続され
る端子電極を形成したことを特徴とするチツプ型
抵抗器を提供するものである。従来の抵抗器にお
いて抵抗値が長さにより調節されていたのと異な
り、本発明の抵抗器にあつては、抵抗値は１対の
導体層間に配置される抵抗体材料の厚みにより決
定されるから、抵抗器は、同じ二次元寸法で抵抗
体の厚みの調節により種々の抵抗値のものを得る
ことができる。また抵抗体層は薄くできるので小
抵抗値のものも容易に得られる。
念によりこの種の問題の解決を図つたもので、逐
次の導体層が交互に他の端面まで達するように導
体層と抵抗体層とを交互に積層し、この積層体の
厚み方向の少なくとも一面に絶縁体層を配置し、
上記両端面に各交互の導体層にそれぞれ接続され
る端子電極を形成したことを特徴とするチツプ型
抵抗器を提供するものである。従来の抵抗器にお
いて抵抗値が長さにより調節されていたのと異な
り、本発明の抵抗器にあつては、抵抗値は１対の
導体層間に配置される抵抗体材料の厚みにより決
定されるから、抵抗器は、同じ二次元寸法で抵抗
体の厚みの調節により種々の抵抗値のものを得る
ことができる。また抵抗体層は薄くできるので小
抵抗値のものも容易に得られる。
使用される抵抗体材料は、TiO2−Ta、Nb、
Sb系、BaTiO3−Ta、Nb、Sb系およびFe2O3−
Ta、Nb、Sb系セラミツク抵抗体材料またはこれ
と類似の材料である。Ta、Nb、Sb等の添加剤を
微量加えることにより、抵抗体の抵抗値は種々変
えることができる。導体層としては、Ag−Pd混
合ペースト、Ag100％ペースト等が使用される。
端子電極も同様のペーストを使用できる。また、
チツプの表面をカバーする絶縁体としては、セラ
ミツク、フエライト、ガラスまたは類似の材料を
使用することができる。
Sb系、BaTiO3−Ta、Nb、Sb系およびFe2O3−
Ta、Nb、Sb系セラミツク抵抗体材料またはこれ
と類似の材料である。Ta、Nb、Sb等の添加剤を
微量加えることにより、抵抗体の抵抗値は種々変
えることができる。導体層としては、Ag−Pd混
合ペースト、Ag100％ペースト等が使用される。
端子電極も同様のペーストを使用できる。また、
チツプの表面をカバーする絶縁体としては、セラ
ミツク、フエライト、ガラスまたは類似の材料を
使用することができる。
以下、図面を参照して本発明を好ましい具体例
について説明する。
について説明する。
第１図は、本発明の積層チツプ型抵抗器の１具
体例の製造工程を示す図で、セラミツク絶縁体片
１上に抵抗体材料層２を形成し（工程）、その
上にAg−Pd混合ペーストまたはAg100％ペース
ト等の導電ペーストを図示のように右端を残して
帯状に塗布して導体層すなわち電極３を形成する
（工程）。次いで、前記の行程で使用したのと
同じ抵抗体材料により抵抗体層２を形成し（工程
）、その上に工程で使用したのと同じ導電ペ
ーストを図示のように左端を残して帯状に塗布し
て他方の電極３を形成する（工程）。次に、上
で使用したのと同じ抵抗体材料により抵抗体層２
を形成し（工程）、その上にセラミツク絶縁体
片１を配置し（工程）、そして最後に、端子電
極４を形成するため、Ag−Pd混合ペーストまた
は100％ペースト等の導電ペーストを端部に塗布
する（工程）。得られた生の積層体は、炉中に
入れ800℃前後の温度で焼成する。なお、積層体
の上下に配される抵抗体材料層は必須のものでは
ないが、部品に適度の厚みをつけるため支持体と
して挿入されている。
体例の製造工程を示す図で、セラミツク絶縁体片
１上に抵抗体材料層２を形成し（工程）、その
上にAg−Pd混合ペーストまたはAg100％ペース
ト等の導電ペーストを図示のように右端を残して
帯状に塗布して導体層すなわち電極３を形成する
（工程）。次いで、前記の行程で使用したのと
同じ抵抗体材料により抵抗体層２を形成し（工程
）、その上に工程で使用したのと同じ導電ペ
ーストを図示のように左端を残して帯状に塗布し
て他方の電極３を形成する（工程）。次に、上
で使用したのと同じ抵抗体材料により抵抗体層２
を形成し（工程）、その上にセラミツク絶縁体
片１を配置し（工程）、そして最後に、端子電
極４を形成するため、Ag−Pd混合ペーストまた
は100％ペースト等の導電ペーストを端部に塗布
する（工程）。得られた生の積層体は、炉中に
入れ800℃前後の温度で焼成する。なお、積層体
の上下に配される抵抗体材料層は必須のものでは
ないが、部品に適度の厚みをつけるため支持体と
して挿入されている。
使用される抵抗体材料は、前述のようにTiO2
−Ta、Nb、Sb系、BaTiO3−Ta、Nb、Sb系、
Fe2O3−Ta、Nb、Sb系セラミツク抵抗体材料ま
たは類似の材料であり、そして添加剤Ta、Nb、
Sbは酸化物の型で、すなわちTa2O5、Nb3O5、
Sb2O3の型で混入される。Ta、Nb、Sb等の添加
剤を微量加えることにより、抵抗体の抵抗は抵下
されるので、抵抗器は添加剤の混入と厚みの調節
で広い範囲で抵抗値を調節できる。
−Ta、Nb、Sb系、BaTiO3−Ta、Nb、Sb系、
Fe2O3−Ta、Nb、Sb系セラミツク抵抗体材料ま
たは類似の材料であり、そして添加剤Ta、Nb、
Sbは酸化物の型で、すなわちTa2O5、Nb3O5、
Sb2O3の型で混入される。Ta、Nb、Sb等の添加
剤を微量加えることにより、抵抗体の抵抗は抵下
されるので、抵抗器は添加剤の混入と厚みの調節
で広い範囲で抵抗値を調節できる。
積層体をカバーする絶縁体層は、上述のように
セラミツク、フエライトガラスまたは類似の材料
より構成されるが、この絶縁体層は、抵抗器が印
刷回路板上に装着されるときその下側を走るジヤ
ンパ線から絶縁する働きをするものであるから、
片側だけに設けてもよいが、両側に設けた方が焼
成の際チツプが反らないので都合がよい。
セラミツク、フエライトガラスまたは類似の材料
より構成されるが、この絶縁体層は、抵抗器が印
刷回路板上に装着されるときその下側を走るジヤ
ンパ線から絶縁する働きをするものであるから、
片側だけに設けてもよいが、両側に設けた方が焼
成の際チツプが反らないので都合がよい。
なお、上記の製造工程は１個のチツプについて
説明したが、多量生産にあたつては、絶縁体層、
抵抗体層および導体層をすべて印刷によりシート
状の層として順次重ねて形成し、格子状のスリツ
トを入れて焼成し、焼後スリツトによりシートを
割つて積層チツプを形成し、そしてこのチツプに
端子電極を焼き付けることにより個々のチツプ型
抵抗器を製造することができる。
説明したが、多量生産にあたつては、絶縁体層、
抵抗体層および導体層をすべて印刷によりシート
状の層として順次重ねて形成し、格子状のスリツ
トを入れて焼成し、焼後スリツトによりシートを
割つて積層チツプを形成し、そしてこのチツプに
端子電極を焼き付けることにより個々のチツプ型
抵抗器を製造することができる。
第２図は、完成されたチツプ型抵抗器を、第３
図はこの抵抗器の接続図を示している。これらの
図および第１図の工程から分るように、製造途中
工程に続いてからまでの工程を繰り返えせ
ば電流容量の大きい並列接続した抵抗器が得られ
ることが分ろう。
図はこの抵抗器の接続図を示している。これらの
図および第１図の工程から分るように、製造途中
工程に続いてからまでの工程を繰り返えせ
ば電流容量の大きい並列接続した抵抗器が得られ
ることが分ろう。
以上詳しく説明したように、本発明によれば、
二次元寸法をあまり変えないで広い範囲の抵抗値
を有するチツプ型抵抗器を提供することができ、
電流容量の大きい並列接続された抵抗器を得るこ
とも容易であり、しかも従来のチツプ型抵抗器に
おけるように別の材料より成るベースを必要とし
ない。したがつて、本発明の抵抗器は、各種電子
機器に使用して極めて有用であるとともに、多量
生産にもきわめて適しているから、本発明は電子
および電気産業に利用してその効果はすこぶる大
きい。
二次元寸法をあまり変えないで広い範囲の抵抗値
を有するチツプ型抵抗器を提供することができ、
電流容量の大きい並列接続された抵抗器を得るこ
とも容易であり、しかも従来のチツプ型抵抗器に
おけるように別の材料より成るベースを必要とし
ない。したがつて、本発明の抵抗器は、各種電子
機器に使用して極めて有用であるとともに、多量
生産にもきわめて適しているから、本発明は電子
および電気産業に利用してその効果はすこぶる大
きい。
第１図は本発明の積層チツプ型抵抗器の１具体
例を製造工程において示す平面図、第２図は完成
された抵抗器の断面図、第３図は第２図の抵抗器
の接続図である。 １：絶縁体片、２：抵抗体材料層、３：導体層
または電極、４：端子電極。
例を製造工程において示す平面図、第２図は完成
された抵抗器の断面図、第３図は第２図の抵抗器
の接続図である。 １：絶縁体片、２：抵抗体材料層、３：導体層
または電極、４：端子電極。
Claims (1)
- １ 逐次の導電層が交互に他の端面まで達するよ
うに導体層と抵抗体層とを交互に積層するととも
に、該積層体の厚み方向の少なくとも一面に絶縁
体を配置し、前記両端面に各交互の導体層にそれ
ぞれ接続される端子電極を形成したことを特徴と
する積層チツプ型抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55181363A JPS57106001A (en) | 1980-12-23 | 1980-12-23 | Laminated chip resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55181363A JPS57106001A (en) | 1980-12-23 | 1980-12-23 | Laminated chip resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57106001A JPS57106001A (en) | 1982-07-01 |
| JPS636121B2 true JPS636121B2 (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=16099407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55181363A Granted JPS57106001A (en) | 1980-12-23 | 1980-12-23 | Laminated chip resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57106001A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61274397A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-04 | 株式会社住友金属セラミックス | 低温焼成セラミツクス基板及びその製造方法 |
| JPS62117393A (ja) * | 1985-11-16 | 1987-05-28 | 鳴海製陶株式会社 | 低温焼成セラミツクス多層配線基板 |
| JPS62137804A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPS62137805A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 株式会社村田製作所 | 負特性積層チップ型サーミスタ |
| JPH0547444Y2 (ja) * | 1986-10-22 | 1993-12-14 | ||
| NL8800156A (nl) * | 1988-01-25 | 1989-08-16 | Philips Nv | Chipweerstand en werkwijze voor het vervaardigen van een chipweerstand. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54156158A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing laminated ceramic varister |
-
1980
- 1980-12-23 JP JP55181363A patent/JPS57106001A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54156158A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of producing laminated ceramic varister |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57106001A (en) | 1982-07-01 |
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