JPS6352350A - 光磁気デイスクメモリ媒体 - Google Patents
光磁気デイスクメモリ媒体Info
- Publication number
- JPS6352350A JPS6352350A JP19526786A JP19526786A JPS6352350A JP S6352350 A JPS6352350 A JP S6352350A JP 19526786 A JP19526786 A JP 19526786A JP 19526786 A JP19526786 A JP 19526786A JP S6352350 A JPS6352350 A JP S6352350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- disk
- magneto
- layer
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 15
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、安価で生産性の高い基板を用いた高性能な光
磁気ディスクメモリ媒体に関する。
磁気ディスクメモリ媒体に関する。
従来の光磁気ディスクメモリ媒体は第2−1図及び第2
−2図に示すように構成されている。
−2図に示すように構成されている。
すなわち第2−1図及び第2−2図は従来の光デイスク
媒体の断面概略図である。第2−1図において符号1は
トラック案内溝付き基板、2はトラック案内溝、3は光
磁気薄膜である。基板1はポリカーボネート樹脂(以下
、p(’と略記する)、若しくはポリメチルメタクリレ
ート(以下、PMMAと略記する)から成膜、多くは射
出成形法によシ成形される。あるいはエポキシ樹脂を用
いてセルキャスト法により形成される例もある。他の例
としてはスパッターエツチング技術により溝が形成され
たガラス基板の場合もある。第2−2図に示す構成では
、符号1〜3は第2−1図と同義であり、4はホトポリ
マーである。1はPMMA、PC,エポキシ樹脂、ガラ
スからなる平担なディスク状基板である。この種のトラ
ック案内溝付き基板は2P法すなわち平担ディスク状基
板上に紫外線硬化性樹脂(ホトポリマー)を塗布し、溝
原版を押しつけ紫外線を照射し硬化させることにより作
製される。
媒体の断面概略図である。第2−1図において符号1は
トラック案内溝付き基板、2はトラック案内溝、3は光
磁気薄膜である。基板1はポリカーボネート樹脂(以下
、p(’と略記する)、若しくはポリメチルメタクリレ
ート(以下、PMMAと略記する)から成膜、多くは射
出成形法によシ成形される。あるいはエポキシ樹脂を用
いてセルキャスト法により形成される例もある。他の例
としてはスパッターエツチング技術により溝が形成され
たガラス基板の場合もある。第2−2図に示す構成では
、符号1〜3は第2−1図と同義であり、4はホトポリ
マーである。1はPMMA、PC,エポキシ樹脂、ガラ
スからなる平担なディスク状基板である。この種のトラ
ック案内溝付き基板は2P法すなわち平担ディスク状基
板上に紫外線硬化性樹脂(ホトポリマー)を塗布し、溝
原版を押しつけ紫外線を照射し硬化させることにより作
製される。
以上述べた各種のトラック案内溝付き基板を、光磁気デ
ィスク媒体としての性能、生産性(コスト)の点で比較
してみる。まず射出成形によるPMMA基板は、生産性
、複屈折の点で問題はないが、変形しやすく、吸水性が
他と比べ大きいため、光磁気薄膜を成膜した後の経時安
定性が悪い。射出成形によるPC基板は複屈折が大きく
、それが原因で信号対雑音特性を低下させる。セルキャ
スト法によるエポキシ基板は生産性が悪く(1枚の作製
時間は約1日)コスト高である。2P法によるPC,P
MMA、ガラス基板は射出成形法に比べ作製時間が長く
、かつ性能は射出成形法のものと同程度である。
ィスク媒体としての性能、生産性(コスト)の点で比較
してみる。まず射出成形によるPMMA基板は、生産性
、複屈折の点で問題はないが、変形しやすく、吸水性が
他と比べ大きいため、光磁気薄膜を成膜した後の経時安
定性が悪い。射出成形によるPC基板は複屈折が大きく
、それが原因で信号対雑音特性を低下させる。セルキャ
スト法によるエポキシ基板は生産性が悪く(1枚の作製
時間は約1日)コスト高である。2P法によるPC,P
MMA、ガラス基板は射出成形法に比べ作製時間が長く
、かつ性能は射出成形法のものと同程度である。
スパッターエツチング法により溝を形成するガラス基板
は生産性、コスト面で実用的でない。
は生産性、コスト面で実用的でない。
このような状況の中で、PC基板の低複屈折化が主な課
題として改善に努力が払われているが、現状では生産性
、コスト面、特性面をすべて満足する実用的な溝基板は
ない。
題として改善に努力が払われているが、現状では生産性
、コスト面、特性面をすべて満足する実用的な溝基板は
ない。
本発明の目的は以上示した各基板の欠点にがんがみ、複
屈折の問題点を解決し、生産性、コスト面、性能面で優
れた実用的光磁気ディスク媒体を提供することにある。
屈折の問題点を解決し、生産性、コスト面、性能面で優
れた実用的光磁気ディスク媒体を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は光磁気ディスクメモリ媒
体に関する発明であって、トラック案内溝が形成されて
いるブフスナックディスク基板上に光磁気膜が成膜され
ているディスク媒体において、該光磁気膜上に透明接着
層、及び最上層に透明平板ディスク層を有し、該透明平
板ディスク側よシ集束レーザを照射して記録、再生、消
去を行うものであることを特徴とする。
体に関する発明であって、トラック案内溝が形成されて
いるブフスナックディスク基板上に光磁気膜が成膜され
ているディスク媒体において、該光磁気膜上に透明接着
層、及び最上層に透明平板ディスク層を有し、該透明平
板ディスク側よシ集束レーザを照射して記録、再生、消
去を行うものであることを特徴とする。
本発明の基本構成を第1図に示す。すなわち、第1図は
本発明のメモリ媒体の基本構成を示す断面概略図である
。第1図において、符号1〜3は第2−1図と同義であ
シ、5は接着7育、6は平担ディスク基板である。この
ディスク媒体において情報を記録、再生、消去するため
の集束レーザビームは平担ディスク基板6側よシ照射す
る。したがって基板1の光学的品質は問わず、複屈折は
いかなる値であってもよい。平担ディスク基板6は光学
的に高品質であることが重要であるが、本発明に用いら
れる基板は溝を必要としないためキャスト法により作製
されるPC,PMMAを使うことができる。これらは安
価で光学的に高品質である。また、平担なガラス基板も
適用される。
本発明のメモリ媒体の基本構成を示す断面概略図である
。第1図において、符号1〜3は第2−1図と同義であ
シ、5は接着7育、6は平担ディスク基板である。この
ディスク媒体において情報を記録、再生、消去するため
の集束レーザビームは平担ディスク基板6側よシ照射す
る。したがって基板1の光学的品質は問わず、複屈折は
いかなる値であってもよい。平担ディスク基板6は光学
的に高品質であることが重要であるが、本発明に用いら
れる基板は溝を必要としないためキャスト法により作製
されるPC,PMMAを使うことができる。これらは安
価で光学的に高品質である。また、平担なガラス基板も
適用される。
本発明のメモリ媒体においては、透明接着層(第1図の
5)と透明平板ディスク(第1図の6)の間には、他の
層例えば5102 薄膜層を設けてもよい。
5)と透明平板ディスク(第1図の6)の間には、他の
層例えば5102 薄膜層を設けてもよい。
その目的は、pMuA基板に含有される水分の光磁気膜
への浸透を防ぐことにある。5i02膜はこの屈折案が
約1.5であシ、P M M A基板接着層とほぼ同じ
であるために選ばれたものであり、このほか、A403
薄膜、硬質ガラス薄膜、フォルステライト膜(2MgC
l5iO2) 、ムライト膜(Sin、・At203)
などに替えてもその効果は同様に得られている。
への浸透を防ぐことにある。5i02膜はこの屈折案が
約1.5であシ、P M M A基板接着層とほぼ同じ
であるために選ばれたものであり、このほか、A403
薄膜、硬質ガラス薄膜、フォルステライト膜(2MgC
l5iO2) 、ムライト膜(Sin、・At203)
などに替えてもその効果は同様に得られている。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例1
第1図の本発明の基本構成において、1は射出成形法に
よシ作成したトラック案内溝付きPC基板(直径13譚
)、3は基板1上にスパッタリング法により形成したT
b25 (F essCOts )ys 光磁9C
膜、5はアクリル系紫外線硬化樹脂、6は厚み1.2瓢
のPMMAから成る平担ディスク基板(直径13閏)で
ある。本実施例のディスク媒体を製作する手順は、PC
基板1上に成膜してディスク板に紫外線硬化性樹脂接着
剤を塗布し、PMMA平担基板6を重ね、圧力をかけて
接着剤を均一にディスク板上にのばし、引憐き紫外線を
照射し、接着剤を硬化させることにより完成される。本
実施例のディスク媒体をトラッキング特性、信号対雑音
比特性の面から評価した。
よシ作成したトラック案内溝付きPC基板(直径13譚
)、3は基板1上にスパッタリング法により形成したT
b25 (F essCOts )ys 光磁9C
膜、5はアクリル系紫外線硬化樹脂、6は厚み1.2瓢
のPMMAから成る平担ディスク基板(直径13閏)で
ある。本実施例のディスク媒体を製作する手順は、PC
基板1上に成膜してディスク板に紫外線硬化性樹脂接着
剤を塗布し、PMMA平担基板6を重ね、圧力をかけて
接着剤を均一にディスク板上にのばし、引憐き紫外線を
照射し、接着剤を硬化させることにより完成される。本
実施例のディスク媒体をトラッキング特性、信号対雑音
比特性の面から評価した。
PMMA平担基板6側より、レーザ光を入射した場合の
トラッキング信号はPC溝付き基板1何より入射した場
合に比べ振幅が約5チ増えているほかは変わらず、トラ
ッキングサーボ特性には全くそん色なかった。一方、デ
ィスク回転数:900rpm、半導体レーザパワー:s
、vr。
トラッキング信号はPC溝付き基板1何より入射した場
合に比べ振幅が約5チ増えているほかは変わらず、トラ
ッキングサーボ特性には全くそん色なかった。一方、デ
ィスク回転数:900rpm、半導体レーザパワー:s
、vr。
外部磁界: 5000e の条件下でIMHzの信号を
記録し、再生した結果を、本実施例のPMMA平担基板
6側よシレーザ光を入射した場合と、PC溝付き基板1
側より入射した場合とにつき比較した。前者、において
はC/N値: 55 dB、後者においては48 dB
を得た。両者の差は3板の光学的品質、すなわち複屈折
に起因するものであり、本実施例によυ本発明の有効性
は確認された。
記録し、再生した結果を、本実施例のPMMA平担基板
6側よシレーザ光を入射した場合と、PC溝付き基板1
側より入射した場合とにつき比較した。前者、において
はC/N値: 55 dB、後者においては48 dB
を得た。両者の差は3板の光学的品質、すなわち複屈折
に起因するものであり、本実施例によυ本発明の有効性
は確認された。
実施例2
第3図は本発明のメモリ媒体の1実施例の断面概略図で
あ夛、符号1〜3.5及び6は第1図と同義でちシ、7
はSiO□薄膜である。1は成形法によシ作成したトフ
ツク案内溝付きPC基板(直径130)、3は前記実施
例1と同じ光磁気薄膜、5はアクリル系紫外線硬化樹脂
接着層、6は厚み1.2簡のP M M A平担ディス
ク基板(直径15 cm )、7は基板6の上に形成し
、次いで5で接着させた膜厚α1μmの8102薄膜で
ある。本実施例を完成する工程は前記実施例1の説明に
記したと同様である。
あ夛、符号1〜3.5及び6は第1図と同義でちシ、7
はSiO□薄膜である。1は成形法によシ作成したトフ
ツク案内溝付きPC基板(直径130)、3は前記実施
例1と同じ光磁気薄膜、5はアクリル系紫外線硬化樹脂
接着層、6は厚み1.2簡のP M M A平担ディス
ク基板(直径15 cm )、7は基板6の上に形成し
、次いで5で接着させた膜厚α1μmの8102薄膜で
ある。本実施例を完成する工程は前記実施例1の説明に
記したと同様である。
本実施例と前記実施例1との差異はPMMA平担基板6
と紫外線硬化樹脂との間に8102薄膜を設けたことで
ある。
と紫外線硬化樹脂との間に8102薄膜を設けたことで
ある。
本実施例を前記実施例1と同じ条件で記録し、再生した
結果、PC基板1よシ再生した場合C/N値として46
dB 、PMMA平担基板6側から再生した場合54
dBを得た。
結果、PC基板1よシ再生した場合C/N値として46
dB 、PMMA平担基板6側から再生した場合54
dBを得た。
実施例3
前記実施例1のP M M A平担基板6に替え、厚み
t 2 mnのガラスディスク基板を用いたディスク媒
体を作製した。前記実施例1と同じ条件で記録し、その
再生特性を調べた結果、PC基板側からはC/N:46
dB、ガラスディスク基板側からは58 dBを得た。
t 2 mnのガラスディスク基板を用いたディスク媒
体を作製した。前記実施例1と同じ条件で記録し、その
再生特性を調べた結果、PC基板側からはC/N:46
dB、ガラスディスク基板側からは58 dBを得た。
以上説明したように、本発明によれば、高い信号対雑音
比のディスク媒体を安価に得ることができる利点がある
。
比のディスク媒体を安価に得ることができる利点がある
。
第1図は本発明のメモリ媒体の基本構成を示す断面概略
図、第2−1図及び第2−2図は従来の光デイスク媒体
の断面概略図、第3図は本発明のメモリ媒体の1実施例
の断面概略図である。 1ニドラック案内溝付き基板、2ニドラツク案内溝、3
:光磁気薄膜、4たホトポリマー、5:接着層、6:平
担ディスク基板、 7 : 5i02薄膜
図、第2−1図及び第2−2図は従来の光デイスク媒体
の断面概略図、第3図は本発明のメモリ媒体の1実施例
の断面概略図である。 1ニドラック案内溝付き基板、2ニドラツク案内溝、3
:光磁気薄膜、4たホトポリマー、5:接着層、6:平
担ディスク基板、 7 : 5i02薄膜
Claims (1)
- 1、トラック案内溝が形成されているプラスチックディ
スク基板上に光磁気膜が成膜されているディスク媒体に
おいて、該光磁気膜上に透明接着層、及び最上層に透明
平板ディスク層を有し、該透明平板ディスク側より集束
レーザを照射して記録、再生、消去を行うものであるこ
とを特徴とする光磁気ディスクメモリ媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19526786A JPS6352350A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 光磁気デイスクメモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19526786A JPS6352350A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 光磁気デイスクメモリ媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6352350A true JPS6352350A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16338309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19526786A Pending JPS6352350A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 光磁気デイスクメモリ媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6352350A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63155451A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気デイスク |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19526786A patent/JPS6352350A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63155451A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気デイスク |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3008819B2 (ja) | 光ディスク | |
JP4258037B2 (ja) | 光記録媒体と、これを用いた光記録再生装置 | |
JP4080741B2 (ja) | 多層光記録媒体の製造方法および多層光記録媒体 | |
JPS6352350A (ja) | 光磁気デイスクメモリ媒体 | |
JPH06274940A (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
JPS63225945A (ja) | 光磁気デイスク | |
JPH0750035A (ja) | 光ディスクの製造方法及びその製造装置 | |
JPH1083571A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPH09204686A (ja) | 光デイスク及び光デイスクの製造方法 | |
JPS6326465B2 (ja) | ||
JP2000322767A (ja) | 光ディスク | |
JP2001202655A (ja) | 光ディスク | |
JP2692146B2 (ja) | 光ディスク | |
JPH02183443A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01151026A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
JPH01109549A (ja) | 光ディスク | |
JPS61168149A (ja) | 情報記録デイスク | |
JPS63113828A (ja) | 光デイスク | |
JP2000090485A (ja) | 光ディスク | |
JPS6085450A (ja) | 光記録デイスク | |
JPS6047248A (ja) | 記録媒体 | |
JPH04121843A (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
JPH06243517A (ja) | 記録可能な光ディスクの製造方法および 記録可能な光ディスク用基板 | |
JPS63316334A (ja) | 光デイスクの接着方法 | |
JPH0973663A (ja) | 多層光ディスク |