JPS63313874A - 太陽電池用基板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アモルファス・シリコン太陽電池に使用され
る光電変換効率の良好な太陽電池用基板に関するもので
ある。
る光電変換効率の良好な太陽電池用基板に関するもので
ある。
［従来の技術］
第２図の様に、透明絶縁性基板１面に形成された透明電
導膜２上にｐ型ａ−３ｉ層３、ｊ型ａ−３ｉ層４および
ｎ型ａ−３ｉ層５からなるａ−３ｉ半導体層６とアルミ
ニウム電極７とを順次積層したアモルファス太陽電池８
が低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして使用
されている。かかるアモルファス太陽電池８は、光９が
透明絶縁性基板１側から入射し、主としてｌ型ａ−３ｉ
層４内で吸収されて透明電導膜２とアルミニウム電極７
どの間で起電力が発生し、導線１０を通して電力が取り
出される。
導膜２上にｐ型ａ−３ｉ層３、ｊ型ａ−３ｉ層４および
ｎ型ａ−３ｉ層５からなるａ−３ｉ半導体層６とアルミ
ニウム電極７とを順次積層したアモルファス太陽電池８
が低コストで製造可能な光電変換装置の一つとして使用
されている。かかるアモルファス太陽電池８は、光９が
透明絶縁性基板１側から入射し、主としてｌ型ａ−３ｉ
層４内で吸収されて透明電導膜２とアルミニウム電極７
どの間で起電力が発生し、導線１０を通して電力が取り
出される。
アモルファス・シリコン太陽電池においては、光電変換
効率の向上が最も重要な課題である。光電変換効率を高
める方法として、透明電導膜の表面を凹凸化する方法が
知られている。
効率の向上が最も重要な課題である。光電変換効率を高
める方法として、透明電導膜の表面を凹凸化する方法が
知られている。
この凹凸化により、入射光が透明電導膜とａ−３ｉ半導
体層との界面で散乱され、この光学的な散乱効果により
、入射光の表面反射損失の低減、ａ−３ｉ半導体層内で
の多重反射屈折による光路長の増大によるｉ型ａ−３ｉ
層内での光の吸収量の増大が得られ、ｉ型ａ−３ｉ層内
での光閉じ込め効果によりアモルファス・シリコン太陽
電池の長波長光に対する収集効率が向上し、短絡電流密
度を増大することができ、発電効率が高くなり、光電変
換効率が向上される。
体層との界面で散乱され、この光学的な散乱効果により
、入射光の表面反射損失の低減、ａ−３ｉ半導体層内で
の多重反射屈折による光路長の増大によるｉ型ａ−３ｉ
層内での光の吸収量の増大が得られ、ｉ型ａ−３ｉ層内
での光閉じ込め効果によりアモルファス・シリコン太陽
電池の長波長光に対する収集効率が向上し、短絡電流密
度を増大することができ、発電効率が高くなり、光電変
換効率が向上される。
この様な凹凸化の具体的な方法として、特開昭５８−Ｅ
１７７５５号においては、透明電導膜の表面の平均粒径
を０．１ μｍ−２，５μｍとすること、又特開昭５９
−２０１４７０号においては、透明電導膜を平均粒径０
．１ μｍ−０，９μｍの結晶粒からなる様にすること
、又特開昭５９−１０３３８４号においては、透明電導
膜を構成する微結晶の平均粒径を３００Å以上とするこ
と、又特開昭６［］−１７５４６５号においては透明電
導膜を形成する太陽電池基板として、基板面にヘイズ率
が１％以上であり、直径が３００〜５０００人、高さが
２００〜３０００人の多数の凸部を持つ酸化珪素被膜を
形成することが提案されている。
１７７５５号においては、透明電導膜の表面の平均粒径
を０．１ μｍ−２，５μｍとすること、又特開昭５９
−２０１４７０号においては、透明電導膜を平均粒径０
．１ μｍ−０，９μｍの結晶粒からなる様にすること
、又特開昭５９−１０３３８４号においては、透明電導
膜を構成する微結晶の平均粒径を３００Å以上とするこ
と、又特開昭６［］−１７５４６５号においては透明電
導膜を形成する太陽電池基板として、基板面にヘイズ率
が１％以上であり、直径が３００〜５０００人、高さが
２００〜３０００人の多数の凸部を持つ酸化珪素被膜を
形成することが提案されている。
しかしながら、上記した様な形状、構造の太陽電池用基
板では、光電変換効率を高めること彎 ができるが、更に高効率化を図る上では不充分であり、
更に高い光電変換効率が得られる最適形状の凹凸が求め
られていた。
板では、光電変換効率を高めること彎 ができるが、更に高効率化を図る上では不充分であり、
更に高い光電変換効率が得られる最適形状の凹凸が求め
られていた。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、更に一層高い光電変換効率が得られる最適凹
凸面を有する太陽電池用基板を提供することを目的とす
るものである。
凸面を有する太陽電池用基板を提供することを目的とす
るものである。
［課題を解決するための手段１
本発明は、前述の目的に基づき研究の結果発明されたも
のであり、ガラス基板上に多数の凸部を有する透明電導
膜が形成された太陽電池用基板であって、上記凸部は０
．１μｍ〜０．３μｍの直径と０．６以上の高さ／直径
の比を有することを特徴とする太陽電池用基板を提供す
るものである。
のであり、ガラス基板上に多数の凸部を有する透明電導
膜が形成された太陽電池用基板であって、上記凸部は０
．１μｍ〜０．３μｍの直径と０．６以上の高さ／直径
の比を有することを特徴とする太陽電池用基板を提供す
るものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明において使用されるガラス基板としては、ソーダ
ライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、
硼珪酸塩ガラス、リジウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラス、その他の各種ガラスからなる３５０〜８０
０μｍの波長域において高い透過率、例えば８０％以上
の透過率を有し、絶縁性で、かつ化学的、物理的耐久性
が高く、かつ光学的特性の良好な透明性ガラス板が使用
できる。なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナ
トリウムを含有するガラスからなるガラス基板、又は低
アルカリ含有のガラスからなるガラス基板の場合には、
ガラス表面からナトリウムが溶出してその上面に形成さ
れる透明電導膜に悪影響を及ぼさない様に、例えばヘイ
ズが発生しない様に、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム
膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコート
をガラス基板面に施してもよい。ガラス基板の厚さは特
に限定されないが、光の透過率の低下、重量の極端な上
昇、強度低下、取扱いの不便さが起らない様に、０．６
ｍｍ〜６ｍｍが適当である。
ライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、
硼珪酸塩ガラス、リジウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラス、その他の各種ガラスからなる３５０〜８０
０μｍの波長域において高い透過率、例えば８０％以上
の透過率を有し、絶縁性で、かつ化学的、物理的耐久性
が高く、かつ光学的特性の良好な透明性ガラス板が使用
できる。なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナ
トリウムを含有するガラスからなるガラス基板、又は低
アルカリ含有のガラスからなるガラス基板の場合には、
ガラス表面からナトリウムが溶出してその上面に形成さ
れる透明電導膜に悪影響を及ぼさない様に、例えばヘイ
ズが発生しない様に、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム
膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコート
をガラス基板面に施してもよい。ガラス基板の厚さは特
に限定されないが、光の透過率の低下、重量の極端な上
昇、強度低下、取扱いの不便さが起らない様に、０．６
ｍｍ〜６ｍｍが適当である。
ガラス基板上に形成される透明電導膜としては、酸化錫
、フッ素が酸化錫に対し０．１〜５重量％ドープされた
酸化錫、アンチモンが酸化錫に対し０．１〜３０重量％
ドープされた酸化錫、錫が酸化インジウム対し０．５〜
３０重量％ドープされた酸化インジウムなどの電気伝導
性の良好な透明性金属酸化物からなるものが適当である
。
、フッ素が酸化錫に対し０．１〜５重量％ドープされた
酸化錫、アンチモンが酸化錫に対し０．１〜３０重量％
ドープされた酸化錫、錫が酸化インジウム対し０．５〜
３０重量％ドープされた酸化インジウムなどの電気伝導
性の良好な透明性金属酸化物からなるものが適当である
。
中でも、フッ素がドープされた酸化錫からなる透明電導
膜は、シート抵抗３０Ω／口以下の低抵抗が容易に得ら
れ、又プラズマＣＶＤ法によりａ−３ｉ層を形成する時
に曝される還元性の高い水素プラズマに対して高い耐性
を有し、かつ所定の表面凹凸が容易に得られやすいので
太陽電池用基板として最適である。
膜は、シート抵抗３０Ω／口以下の低抵抗が容易に得ら
れ、又プラズマＣＶＤ法によりａ−３ｉ層を形成する時
に曝される還元性の高い水素プラズマに対して高い耐性
を有し、かつ所定の表面凹凸が容易に得られやすいので
太陽電池用基板として最適である。
本発明の透明電導膜において、第１図の様に、透明電導
膜２２の表面は全体に渡って凹凸面となっており、多数
の凸部２４を有している。そして、かかる凸部２４の直
径りは０．１〜０．３μｍであり、かつ凸部２４の高さ
／直径の比（Ｈ／Ｄ）は０．６以上、好ましくは０．７
〜１．２となっている。かかる凸部２４の高さは０．１
〜０．６μｍ、特に、０．２５μｍ以下であることが好
ましい。又、多数の凸部２４は、互いにあまり距離をお
いて形成されていると十分な光散乱効果が得られないた
め、０．１〜０．５μｍのピッチＰを持って形成されて
いることが好ましい。
膜２２の表面は全体に渡って凹凸面となっており、多数
の凸部２４を有している。そして、かかる凸部２４の直
径りは０．１〜０．３μｍであり、かつ凸部２４の高さ
／直径の比（Ｈ／Ｄ）は０．６以上、好ましくは０．７
〜１．２となっている。かかる凸部２４の高さは０．１
〜０．６μｍ、特に、０．２５μｍ以下であることが好
ましい。又、多数の凸部２４は、互いにあまり距離をお
いて形成されていると十分な光散乱効果が得られないた
め、０．１〜０．５μｍのピッチＰを持って形成されて
いることが好ましい。
又、凸部の形状は任意であるが、凸部の底面の形状が四
角形ないしそれ以上の多角形などのものが代表的な例と
して挙げられる。
角形ないしそれ以上の多角形などのものが代表的な例と
して挙げられる。
上記した凸部の高さは、あらかじめ触針式膜厚計により
膜厚ｔ。を測定した後、これを研磨してヘイズ値が２％
以下となる時点での膜厚し、を測定し、ｊ ｏ ｊ
＋の値を凸部の高さとした。また、直径及びピッチはＳ
ＥＭ写真により実測し、求めたものである。
膜厚ｔ。を測定した後、これを研磨してヘイズ値が２％
以下となる時点での膜厚し、を測定し、ｊ ｏ ｊ
＋の値を凸部の高さとした。また、直径及びピッチはＳ
ＥＭ写真により実測し、求めたものである。
なお、本発明においては、Ｏ１〜０．５μｍの直径と０
．６以上の高さ／直径の比を有しない凸部が、本発明の
効果に影響を及ぼさない範囲において多少混在していて
も構わない。
．６以上の高さ／直径の比を有しない凸部が、本発明の
効果に影響を及ぼさない範囲において多少混在していて
も構わない。
又、上記した多数の凸部を有する透明電導膜のシート抵
抗値は３０Ω／口以下、特に大型基板におけるオーム損
失、透過率の確保などの点から４〜１０Ω／□とするる
のが太陽電池用基板として最適である。
抗値は３０Ω／口以下、特に大型基板におけるオーム損
失、透過率の確保などの点から４〜１０Ω／□とするる
のが太陽電池用基板として最適である。
また、本発明においてへイス率は前述の粒子形状と光学
的性質との関係から、又、光電変換効率の点から、８〜
３０％とするのが最適である。
的性質との関係から、又、光電変換効率の点から、８〜
３０％とするのが最適である。
本発明の透明電導膜は従来から利用されているコーティ
ング方法、例えば、ＣＶＤ法、スプレー法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、浸漬法
など各種方法により作成できる。中でも上記した様な直
径、高さ、高さ／直径、ピッチを持った凸部が容易に、
かつコントロールされて得られる ＣＶＤ法、スパッタ
リング法が最適である。
ング方法、例えば、ＣＶＤ法、スプレー法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法、浸漬法
など各種方法により作成できる。中でも上記した様な直
径、高さ、高さ／直径、ピッチを持った凸部が容易に、
かつコントロールされて得られる ＣＶＤ法、スパッタ
リング法が最適である。
［作用］
本発明において、透明電導膜内に入射した光は、透明電
導膜とａ−３ｉの界面をへて、ａ−３ｉ層に入射される
。その際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散
乱されてａ−３ｉ層内にとり込まれるため、Ｓｉ層内で
のオプティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率
が高まる。
導膜とａ−３ｉの界面をへて、ａ−３ｉ層に入射される
。その際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散
乱されてａ−３ｉ層内にとり込まれるため、Ｓｉ層内で
のオプティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率
が高まる。
特に長波長領域ではシリコンの吸光係数が小さいため特
にこの効果が大きい。この長波長領域における光の散乱
性を高めるためには、ある程度以上の大きさの直径、高
さが必要となる。
にこの効果が大きい。この長波長領域における光の散乱
性を高めるためには、ある程度以上の大きさの直径、高
さが必要となる。
又、オプティカルパスをより長くとるためには、散乱す
る角度を大きくする事が望ましく、直径に対する高さの
比が大きい方が好ましいと考えられる。
る角度を大きくする事が望ましく、直径に対する高さの
比が大きい方が好ましいと考えられる。
本発明における透明電導膜は多数の凸部を有し、かかる
凸部は０．１〜０．３μｍの直径と、０．６以上、好ま
しくは０．７〜１．２の高さ／直径の比を有している。
凸部は０．１〜０．３μｍの直径と、０．６以上、好ま
しくは０．７〜１．２の高さ／直径の比を有している。
上述の様に、凸部の直径や高さ／直径の比がある程度大
きい方が光散乱効果が大きくなりシリコン層内でのオプ
ティカルパスが長くなるため好ましいが、直径が０．３
μｍを超え、かつ／又は高さ／直径の比が１．２を超え
る場合には結果的に凸部の高さが大きくなりすぎ、透明
電導膜上にａ−３ｉ層を均一に積層することが困難とな
り、最悪の場合には、透明電導膜の凸部と背面電極とが
接してしまい短絡してしまう。従って、凸部の直径や高
さ／直径の比はａ−３ｉ層の膜厚やａ−３ｉ積層条件に
より制約を受ける。又、直径が０．３μｍを超える凸部
を有する透明電導膜を形成する為には基板温度をかなり
高くする必要があり、例えば６２０℃程度以上にする必
要があり、かかる高温はガラス基板を変形させる恐れが
あり好ましくない。
きい方が光散乱効果が大きくなりシリコン層内でのオプ
ティカルパスが長くなるため好ましいが、直径が０．３
μｍを超え、かつ／又は高さ／直径の比が１．２を超え
る場合には結果的に凸部の高さが大きくなりすぎ、透明
電導膜上にａ−３ｉ層を均一に積層することが困難とな
り、最悪の場合には、透明電導膜の凸部と背面電極とが
接してしまい短絡してしまう。従って、凸部の直径や高
さ／直径の比はａ−３ｉ層の膜厚やａ−３ｉ積層条件に
より制約を受ける。又、直径が０．３μｍを超える凸部
を有する透明電導膜を形成する為には基板温度をかなり
高くする必要があり、例えば６２０℃程度以上にする必
要があり、かかる高温はガラス基板を変形させる恐れが
あり好ましくない。
以上のような理由で、本発明においては直径及び高さ／
直径は上記範囲が好ましい。
直径は上記範囲が好ましい。
一方、凸部の直径が０．１μｍ未満かつ／又は高さ／直
径の比が０．６未満であると、凸部が小さく、かつ／又
は鈍角三角形形状に、平らたくなってしまい、光が散乱
する角度が小さくなり、光路長の増大が図れず、充分な
光電変換効率が得られない。
径の比が０．６未満であると、凸部が小さく、かつ／又
は鈍角三角形形状に、平らたくなってしまい、光が散乱
する角度が小さくなり、光路長の増大が図れず、充分な
光電変換効率が得られない。
以下、本発明の詳細な説明する。
［実施例］
（１）透明電導膜の作成
太陽電池用基板の透明電導膜の表面性状と太陽電池の光
電変換効率の関係を調べるために、まず、ＳｉＯ□膜（
膜厚８００人）の形成されたソーダライムシリケートガ
ラス板（４インチ×３．５インチ×厚さ １．Ｉｍｍ）
上に、下記の方法で、各々製膜条件を変え、表面性状の
異なる９種類の透明電導膜を作成した。
電変換効率の関係を調べるために、まず、ＳｉＯ□膜（
膜厚８００人）の形成されたソーダライムシリケートガ
ラス板（４インチ×３．５インチ×厚さ １．Ｉｍｍ）
上に、下記の方法で、各々製膜条件を変え、表面性状の
異なる９種類の透明電導膜を作成した。
各々Ｎ２ガスに同伴させた、５ｎＣＩ４． ｌＩｇｏ
。
。
ＣＨ，ＯＨ、ｌ（Ｆ及び希釈用Ｎ２ガスを反応ガスとし
、加熱部及び冷却部を有し加熱部には反応ガスを導入す
るためのノズル（幅４インチ）と、反応後のガスを排気
するための排気孔を有するベルト搬送式のＣＶＤ炉を用
いて以下の透明電導膜を作成した。
、加熱部及び冷却部を有し加熱部には反応ガスを導入す
るためのノズル（幅４インチ）と、反応後のガスを排気
するための排気孔を有するベルト搬送式のＣＶＤ炉を用
いて以下の透明電導膜を作成した。
ガス導入ノズルは、反応ガスその他のガスの吐出口とし
て５つのスリット状吐出口を有し、中央のスリットより
５ｎＣ１４及び希釈用Ｎ２ガスが、これに隣接する２つ
のスリットより分離用のＮ２ガスが、また最外層の２つ
のスリットより ８２０． ＣＨ，ＤＨ、ＨＦ及び希釈
用Ｎ２ガスが、それぞれ吐出する構造をしている。また
吐出口とガラス基板との距離は調整可能な構造をしてい
る。
て５つのスリット状吐出口を有し、中央のスリットより
５ｎＣ１４及び希釈用Ｎ２ガスが、これに隣接する２つ
のスリットより分離用のＮ２ガスが、また最外層の２つ
のスリットより ８２０． ＣＨ，ＤＨ、ＨＦ及び希釈
用Ｎ２ガスが、それぞれ吐出する構造をしている。また
吐出口とガラス基板との距離は調整可能な構造をしてい
る。
サンプルＮｏ、 ｌ
５ｉＯ□膜を８００人の厚さでコーティングしたソーダ
ライムシリカガラス基板（４インチ×３．５インチ膜厚
さ１．１ ｍｍ）を前述のＣＶＤ炉の一端よりベルト搬
送速度０．２０ｍ／ｍｉｎで炉内に導入し、基板温度６
００℃まで加熱した後、前述のガス導入ノズルより反応
ガスを基板上に吹きつけて、基板のＳｉＯ□膜上にフッ
素のドープされた５ｎ０２膜を形成した。供給ガス導入
量は、中央スリットから５ｎＣ１４０，０２５１／ｍｉ
ｎ 、 Ｎ２１．６ｆｌ／ｍｉｎ’、中央スリットに隣
接する分離スリットからＮ２１．５ｎ ／ ｍ１ｎ−最
外スリットからＨ，００，９３ｊ２ ／ ｍｉｎ 、
ＨＦ Ｏ，０＋５ｊ２ ／ ｍｉｎ ％ＣＨｓＯＨＯ
，０１７Ａ ／ ｍｉｎ 、 Ｎ２１．５ｊ２ ／ ｍ
ｉｎであった。
ライムシリカガラス基板（４インチ×３．５インチ膜厚
さ１．１ ｍｍ）を前述のＣＶＤ炉の一端よりベルト搬
送速度０．２０ｍ／ｍｉｎで炉内に導入し、基板温度６
００℃まで加熱した後、前述のガス導入ノズルより反応
ガスを基板上に吹きつけて、基板のＳｉＯ□膜上にフッ
素のドープされた５ｎ０２膜を形成した。供給ガス導入
量は、中央スリットから５ｎＣ１４０，０２５１／ｍｉ
ｎ 、 Ｎ２１．６ｆｌ／ｍｉｎ’、中央スリットに隣
接する分離スリットからＮ２１．５ｎ ／ ｍ１ｎ−最
外スリットからＨ，００，９３ｊ２ ／ ｍｉｎ 、
ＨＦ Ｏ，０＋５ｊ２ ／ ｍｉｎ ％ＣＨｓＯＨＯ
，０１７Ａ ／ ｍｉｎ 、 Ｎ２１．５ｊ２ ／ ｍ
ｉｎであった。
さらに、サンプルＮＯ１２からＮ００９までを、前述の
ＣＶＤ炉を用いて、表１に示した作成条件により作成し
た。
ＣＶＤ炉を用いて、表１に示した作成条件により作成し
た。
（２）表面性状の測定
■ 凸部の高さ
作成した基板上の透明電導膜の膜厚ｔＯをあらかじめ触
針式膜厚計（Ｔａｌｙ−３ｔｅｐ；Ｔａ１ｌｏｒ−Ｈｏ
ｂｓｏｎ Ｃｏ、、ｔｏｐ ｏｆ ｎｅｅｄｌｅ １２
．５ μｍφ）により測定した後、０．５μｍのダイア
モンドペーストを用い、５００ｇ／ｃｍ２の荷重下で研
磨を行なった。研磨の過程で、膜厚およびヘイズ値を測
定し、ヘイズ値が２％以下となる時点での膜厚ｔ、と当
初の膜厚ｔ。どの差（Ｌｏ−ｔｅｌ を凸部の高さとし
た。
針式膜厚計（Ｔａｌｙ−３ｔｅｐ；Ｔａ１ｌｏｒ−Ｈｏ
ｂｓｏｎ Ｃｏ、、ｔｏｐ ｏｆ ｎｅｅｄｌｅ １２
．５ μｍφ）により測定した後、０．５μｍのダイア
モンドペーストを用い、５００ｇ／ｃｍ２の荷重下で研
磨を行なった。研磨の過程で、膜厚およびヘイズ値を測
定し、ヘイズ値が２％以下となる時点での膜厚ｔ、と当
初の膜厚ｔ。どの差（Ｌｏ−ｔｅｌ を凸部の高さとし
た。
■ 凸部の直径
作成した基板上の透明電導膜のＳＥＭ写真を撮影し、実
測した。
測した。
各サンプルの透明電導膜の表面性状を表２に示す。
（３）太陽電池としての特性
サンプルＮｏ、 １〜９の各透明電導膜上にＰ−ＣＶＤ
法により順次ｐ型ａ−３ｉ層（膜厚１００人）、ｉ型ａ
−Ｓｉ層（膜厚４０００人）、ｎ型ａ−Ｓｉ層（膜厚１
０００人）からなるａ−Ｓｉ半導体層を形成し、次いで
、その表面にアルミニウム電極層（膜厚１００００人）
を真空蒸着法により形成した。
法により順次ｐ型ａ−３ｉ層（膜厚１００人）、ｉ型ａ
−Ｓｉ層（膜厚４０００人）、ｎ型ａ−Ｓｉ層（膜厚１
０００人）からなるａ−Ｓｉ半導体層を形成し、次いで
、その表面にアルミニウム電極層（膜厚１００００人）
を真空蒸着法により形成した。
このようにして作成した各太陽電池の光電変換効率、短
絡電流、開放端電圧、フィルファクターの測定値を表２
に示す。
絡電流、開放端電圧、フィルファクターの測定値を表２
に示す。
Ａ
［発明の効果］
上記した本発明の実施例（サンプル１〜７）及び比較例
（サンプル８．９）から明らかなように、本発明の太陽
電池用基板を用いると次の様な優れた効果が得られる。
（サンプル８．９）から明らかなように、本発明の太陽
電池用基板を用いると次の様な優れた効果が得られる。
（１’）光電変換効率 約０．５％の向上（２）短絡電
流密度 約１ ｍＡ／ ｃｍ”の向上
流密度 約１ ｍＡ／ ｃｍ”の向上
第１図は本発明の太陽電池用基板の透明電導膜の表面性
状を示すための部分的拡大図、第２図はアモルファスシ
リコン太陽電池の構成を示す断面図である。 ｌ：透明絶縁性基板 ２：透明電導膜３：ｐ型ａ−３
ｉ層 ４：ｉ型ａ−３ｉ層５：ｎ型ａ−３ｉ層
６ ： ａ−３ｉ半導体層７：アルミニウム電極
８ ： ａ−３ｉ太陽電池９：入射光 ｌ
Ｏ：導線 ２０ニガラス基体 ２２：透明電導膜２４：透明
電導膜の凸部 Ｄ＝凸部の直径Ｈ：凸部の高さ Ｐ
：凸部と凸部の間隔第１図 第２図
状を示すための部分的拡大図、第２図はアモルファスシ
リコン太陽電池の構成を示す断面図である。 ｌ：透明絶縁性基板 ２：透明電導膜３：ｐ型ａ−３
ｉ層 ４：ｉ型ａ−３ｉ層５：ｎ型ａ−３ｉ層
６ ： ａ−３ｉ半導体層７：アルミニウム電極
８ ： ａ−３ｉ太陽電池９：入射光 ｌ
Ｏ：導線 ２０ニガラス基体 ２２：透明電導膜２４：透明
電導膜の凸部 Ｄ＝凸部の直径Ｈ：凸部の高さ Ｐ
：凸部と凸部の間隔第１図 第２図
Claims (5)
- （１）ガラス基板上に多数の凸部を有する透明電導膜が
形成された太陽電池用基板であって、上記凸部は０．１
μｍ〜０．３μｍの直径と０．６以上の高さ／直径の比
を有することを特徴とする太陽電池用基板。 - （２）凸部の高さ／直径の比が０．７〜１．２であるこ
とを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - （３）透明電導膜が酸化錫、フッ素がドープされた酸化
、アンチモンがドープされた酸化錫、錫がドープされた
酸化インジウムのうち１種からなるものであることを特
徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - （４）透明電導膜のシート抵抗が４〜１０Ω／□である
ことを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - （５）透明電導膜のヘイズ値が８〜３０％であることを
特徴とする請求項１記載のの太陽電池用基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/052,991 US4808462A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Solar cell substrate |
| US052991 | 1987-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63313874A true JPS63313874A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=21981205
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122152A Pending JPS63313874A (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
| JP63505022A Expired - Lifetime JP2862174B2 (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63505022A Expired - Lifetime JP2862174B2 (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4808462A (ja) |
| EP (1) | EP0360831A4 (ja) |
| JP (2) | JPS63313874A (ja) |
| WO (1) | WO1988009265A1 (ja) |
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