JPS63275194A - 金属パタ−ン形成方法 - Google Patents
金属パタ−ン形成方法Info
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- JPS63275194A JPS63275194A JP11150487A JP11150487A JPS63275194A JP S63275194 A JPS63275194 A JP S63275194A JP 11150487 A JP11150487 A JP 11150487A JP 11150487 A JP11150487 A JP 11150487A JP S63275194 A JPS63275194 A JP S63275194A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は金属パターン形成方法に関するものである。
さらに詳しくは、この発明は、プリント配線基板、装飾
板、銘板1等としても有用な金属パターンの高効率、高
品質での製造を可能とする金属パターンの形成方法に関
するものである。
板、銘板1等としても有用な金属パターンの高効率、高
品質での製造を可能とする金属パターンの形成方法に関
するものである。
(背景技術)
従来、プリント配線板の製造においては、装置の小型化
や低価格化のためにフレキシブルプリント板が用いられ
てきている。また、最近では、フレキシブルプリンI・
板に直接ICチップを搭載するデツプオンボードの方式
がとられつつもある。
や低価格化のためにフレキシブルプリント板が用いられ
てきている。また、最近では、フレキシブルプリンI・
板に直接ICチップを搭載するデツプオンボードの方式
がとられつつもある。
この場合には、パターン幅がピン間3木程度という高精
度、高精細化が必要であり、またボンディング等の工程
において剥離を生じないための強いパターン密着強度が
必要とされている。
度、高精細化が必要であり、またボンディング等の工程
において剥離を生じないための強いパターン密着強度が
必要とされている。
このようなフレキシブルプリントの製造法としては、
(ア) ベースフィルムと銀箔をラミネート加工した後
に、スクリーン印刷あるいは水溶性のドライフィルムを
用いてパターン形成してエツチングする方法、 (イ) ベースフィルム上にドライフィルムやスクリー
ン印刷等の手段によってレジストやインクのパターンを
形成した後に無電解メッキや電解メツキにより銅を析出
させ、次いでマスクパターンを除去することにより導体
パターンを形成するアディ・ティブ法や、あるいは、 (つ) ベースフィルムにクラスターイオンビーム等に
よって気相で銅薄膜を形成し、サブトラクティブ法によ
って導体パターンを形成する方法などが知られている。
に、スクリーン印刷あるいは水溶性のドライフィルムを
用いてパターン形成してエツチングする方法、 (イ) ベースフィルム上にドライフィルムやスクリー
ン印刷等の手段によってレジストやインクのパターンを
形成した後に無電解メッキや電解メツキにより銅を析出
させ、次いでマスクパターンを除去することにより導体
パターンを形成するアディ・ティブ法や、あるいは、 (つ) ベースフィルムにクラスターイオンビーム等に
よって気相で銅薄膜を形成し、サブトラクティブ法によ
って導体パターンを形成する方法などが知られている。
しかしながら、これらの製造法には依然として多くの問
題点が残されている。まず、(ア)ラミネート法におい
ては、銀箔を薄くすることができず、厚い銀箔をエツチ
ングするため高精細化が困難であり、しかも、各種の金
属導体を用いる場合には、エツチング剤によってマスキ
ング材が溶解し、多様な金属膜を用いることが難しい。
題点が残されている。まず、(ア)ラミネート法におい
ては、銀箔を薄くすることができず、厚い銀箔をエツチ
ングするため高精細化が困難であり、しかも、各種の金
属導体を用いる場合には、エツチング剤によってマスキ
ング材が溶解し、多様な金属膜を用いることが難しい。
次の(イ)アディティブ法は、プラスチックフィルム表
面に電解あるいは無電解メッキを行うために高濃度クロ
ム酸と硫酸との混合液によって表面処理エツチングする
ことが必要となる。
面に電解あるいは無電解メッキを行うために高濃度クロ
ム酸と硫酸との混合液によって表面処理エツチングする
ことが必要となる。
これらの処理剤は公害を誘発するもので、その対策のた
めの製造工程、装置が複雑になり、コスト高となる。
めの製造工程、装置が複雑になり、コスト高となる。
さらに(つ)気相法、サブトラクティブ法の場合には、
従来のものは薄膜形成速度が遅く、所望の膜厚を得るた
めには長時間の操作が必要てあって、生産性が良好でな
く、コスト高となっていた。
従来のものは薄膜形成速度が遅く、所望の膜厚を得るた
めには長時間の操作が必要てあって、生産性が良好でな
く、コスト高となっていた。
装飾用プレート、あるいは銘板についても同様の方法に
よって製造することができるか、やはり上記した通りの
問題を解消していないのか現状である。また、蒸着法に
よって金廊膜を形成する場合には、該金属膜の付着性が
悪く、しかも膜厚を厚くすることが容易ではなかった。
よって製造することができるか、やはり上記した通りの
問題を解消していないのか現状である。また、蒸着法に
よって金廊膜を形成する場合には、該金属膜の付着性が
悪く、しかも膜厚を厚くすることが容易ではなかった。
このため、従来のラミネート法、アディティブ法、さら
には気相法の欠点を改善した改良された金属パターンプ
リント板とその製造方法の実現が望まれていた。
には気相法の欠点を改善した改良された金属パターンプ
リント板とその製造方法の実現が望まれていた。
(発明の目的)
この発明は、以上の通りの事情を鑑みてなされたもので
あり、生産性に優れ、高品質の金属パターンを効率的に
製造することのできる新しい金属パターン形成方法を提
供することを目的としている。
あり、生産性に優れ、高品質の金属パターンを効率的に
製造することのできる新しい金属パターン形成方法を提
供することを目的としている。
さらに詳しくは、この発明は、高精細、多層の金属パタ
ーンを有するフレキシブルプリント配線板、さらには装
飾用プレー1〜、銘板と、その製造方法を提供すること
を目的としている。
ーンを有するフレキシブルプリント配線板、さらには装
飾用プレー1〜、銘板と、その製造方法を提供すること
を目的としている。
(発明の開示)
この発明の金属パターン形成方法は、上記の目的を実現
するために、基板表面に導電性膜を設は電解メッキまた
は無電解メッキを行った後にマスクパターンを形成して
エツチングを行うことを特徴としている。
するために、基板表面に導電性膜を設は電解メッキまた
は無電解メッキを行った後にマスクパターンを形成して
エツチングを行うことを特徴としている。
また、この発明は、関連する方法として、基板表面に導
電性膜を設け、マスクパターンを形成した後にエツチン
グを行い、マスク除去して得た導電性膜パターンに電解
または無電解メッキを行うことを特徴としてもいる。
電性膜を設け、マスクパターンを形成した後にエツチン
グを行い、マスク除去して得た導電性膜パターンに電解
または無電解メッキを行うことを特徴としてもいる。
この発明の方法は、無電解メッキ、または電解メッキの
前工程として導電性の下地膜を設けることにより、従来
のメッキ工程では欠くことのできなかったプラスチック
表面のクロム酸/硫酸による処理を不用とし、無公害化
するという大きな利点を有し金属パターンの形状、膜厚
のコントロールが容易である。
前工程として導電性の下地膜を設けることにより、従来
のメッキ工程では欠くことのできなかったプラスチック
表面のクロム酸/硫酸による処理を不用とし、無公害化
するという大きな利点を有し金属パターンの形状、膜厚
のコントロールが容易である。
この発明の方法を、添付した図面に沿ってさらに詳しく
説明する。第1図は、この発明の方法を示したものであ
る。
説明する。第1図は、この発明の方法を示したものであ
る。
この第1図に示したように、
(a)たとえば、25〜75μm程度の厚みのPET(
ポリエヂレンテレフタレー1−)の基板(1)の表面に
、直接、あるいは離型層を介して導電性膜(2)を形成
する。
ポリエヂレンテレフタレー1−)の基板(1)の表面に
、直接、あるいは離型層を介して導電性膜(2)を形成
する。
基板(1)としては、PETに限定されることなく、ポ
リエステル、ナイロン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
スルホンなどの比較的耐熱性の大きいプラスチックのフ
ィルム、板体等の任意のものを用いることができる。積
層板であってもよい。
リエステル、ナイロン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
スルホンなどの比較的耐熱性の大きいプラスチックのフ
ィルム、板体等の任意のものを用いることができる。積
層板であってもよい。
また、離型層としては、熱硬化性樹脂やUV硬化樹脂を
用いることができる。プリント回路として用いる場合に
は、部品搭載時のハンダ付は時に十分な導電性を有する
ように、この離型層の材質と= 6− 膜厚を適宜に選択する。
用いることができる。プリント回路として用いる場合に
は、部品搭載時のハンダ付は時に十分な導電性を有する
ように、この離型層の材質と= 6− 膜厚を適宜に選択する。
S h O2や′r″102などの透明無機化合物を用
いることにより、保護膜とすることもできる。この場合
にも、たとえば装飾用パターンを得る場合には、その膜
厚を厚くし、一方プリント回路等の導体パターンを得る
場合には、50〜100Aの極薄層とすることが好まし
い。
いることにより、保護膜とすることもできる。この場合
にも、たとえば装飾用パターンを得る場合には、その膜
厚を厚くし、一方プリント回路等の導体パターンを得る
場合には、50〜100Aの極薄層とすることが好まし
い。
導電性膜(2)は、真空蒸着、プラズマイオンビーム製
膜法等の気相プロセスとして形成することができる。場
合によっては湿式メッキで行ってもよい。また、基板(
1)に対して弱い密着性を持つ金(八〇)などの金属の
極薄膜を形成した後、導電性膜(2)を形成してもよい
。
膜法等の気相プロセスとして形成することができる。場
合によっては湿式メッキで行ってもよい。また、基板(
1)に対して弱い密着性を持つ金(八〇)などの金属の
極薄膜を形成した後、導電性膜(2)を形成してもよい
。
この導電性膜(2)としては、銅(Cu)、アルミニウ
ム(八1)、銀(八g)、二・ンクル(Ni) 、ヂタ
ン(Ti) 、亜鉛(Zn)などの金属の任意のものが
用いられる。酸化インジウム、酸化スズ、ITOなどの
無機物であってもよい。ITOは透明薄膜となることか
ら、干渉色を持った装飾用プレー+−1あるいはプリン
1−回路のいずれの場合にも有用である。電気泳動法に
よって着色されなITOを用いることもできる。
ム(八1)、銀(八g)、二・ンクル(Ni) 、ヂタ
ン(Ti) 、亜鉛(Zn)などの金属の任意のものが
用いられる。酸化インジウム、酸化スズ、ITOなどの
無機物であってもよい。ITOは透明薄膜となることか
ら、干渉色を持った装飾用プレー+−1あるいはプリン
1−回路のいずれの場合にも有用である。電気泳動法に
よって着色されなITOを用いることもできる。
この導電性膜(2)の厚さは、好適には0.5〜1μm
程度である。
程度である。
(b)次いで、導電性膜(2)を基板(1)に配設した
積層体には、電解または無電解メッキによって銅(Cu
)、ニッケル(旧)などの金属膜(3)を形成する。メ
ッキ層の厚さは、格別に限定的なものではなく、プリン
ト回路の導体の場合には、たとえば、1〜30μm程度
と厚くすることもできる。
積層体には、電解または無電解メッキによって銅(Cu
)、ニッケル(旧)などの金属膜(3)を形成する。メ
ッキ層の厚さは、格別に限定的なものではなく、プリン
ト回路の導体の場合には、たとえば、1〜30μm程度
と厚くすることもできる。
(C)このメッキ金属Wi(3)の上には、次いで、マ
スキング材によってマスクパターン(4)を形成する。
スキング材によってマスクパターン(4)を形成する。
このマスキング材としては、水溶性のデンプン、ポリビ
ニルアルコール、その他の水溶性の着色インク、水溶性
のドライフィルム、あるいは油性のアクリル系、エポキ
シ系、アミド系などの樹脂を用いてもよい。
ニルアルコール、その他の水溶性の着色インク、水溶性
のドライフィルム、あるいは油性のアクリル系、エポキ
シ系、アミド系などの樹脂を用いてもよい。
これらのマスキング材は、スクリーン印刷法、ドライフ
ィルムによるフォI・リソグラフィー法等によってマス
クパターン(4)とする。
ィルムによるフォI・リソグラフィー法等によってマス
クパターン(4)とする。
(d)次いて、マスクパターン(4)に沿って適宜なエ
ツチング剤を用いてエツチングするにの場合、金属膜を
形成している金属、導電性膜の種類によってエツチング
剤を適宜に選択する。
ツチング剤を用いてエツチングするにの場合、金属膜を
形成している金属、導電性膜の種類によってエツチング
剤を適宜に選択する。
メッキ金属膜と導電性膜は同時に、または別々にエツチ
ングしてもよいし、導電性膜はエツチングせずにそのま
ま残しておいてもよい。メッキ金属膜と導電性膜の種類
とエツチング剤との関係を例示したものが表−1である
。
ングしてもよいし、導電性膜はエツチングせずにそのま
ま残しておいてもよい。メッキ金属膜と導電性膜の種類
とエツチング剤との関係を例示したものが表−1である
。
このエツチングにより、所要の金属パターン(5)が得
られる。
られる。
金属パターンプリント板は、そのままプリント回路板と
して用いることもできるし、あるいはまた、第2図に示
したように、プラスチック板、積層板等の基板(6)に
、接着剤を用いて貼着し、次いで基板(1)を剥離して
用いることもできる。
して用いることもできるし、あるいはまた、第2図に示
したように、プラスチック板、積層板等の基板(6)に
、接着剤を用いて貼着し、次いで基板(1)を剥離して
用いることもできる。
さらには、第3図に示したように、別の基板(7)を金
属パターンの表面に貼着して装飾板、あるいは銘板など
に用いることもできる。接着剤表−1 を用いてもよい。
属パターンの表面に貼着して装飾板、あるいは銘板など
に用いることもできる。接着剤表−1 を用いてもよい。
以上の方法に代えて、電解メッキまたは無電解メッキを
施す前にマスクパターンに沿ってエツチングを行い、導
電性膜のパターンを形成しておいてもよい。
施す前にマスクパターンに沿ってエツチングを行い、導
電性膜のパターンを形成しておいてもよい。
以上の方法について、次に実施例を説明する。
もちろん、この発明は以下の実施例によって限定される
ものではない。
ものではない。
実施例
P E Tフィルムの表面に、プラズマイオンビームデ
ポジションによりITO薄膜を0.6μm形成した。ロ
ール・トつ・ロールによる圧力勾配型イオンブレーティ
ング装置を用い18m/分の速度で移動さぜながらIT
O薄膜を形成した。次いで無電解メッキによって銅の薄
膜を厚さ20μm形成した。
ポジションによりITO薄膜を0.6μm形成した。ロ
ール・トつ・ロールによる圧力勾配型イオンブレーティ
ング装置を用い18m/分の速度で移動さぜながらIT
O薄膜を形成した。次いで無電解メッキによって銅の薄
膜を厚さ20μm形成した。
水溶性インクをマスクとしてパターン形成し、VIl酸
銅、塩化鉄溶液によって銅のエツチングを行い、続いて
、カセイソーダを用いてITO下地膜のエツチングを行
った。
銅、塩化鉄溶液によって銅のエツチングを行い、続いて
、カセイソーダを用いてITO下地膜のエツチングを行
った。
I T″0/銅の多層パターンを有するP E ’l”
ベースフィルムの積層体を積な。
ベースフィルムの積層体を積な。
これにスルホール形成等した後にプリント回路として用
い、電気部品を実装しな。
い、電気部品を実装しな。
(発明の効果)
この発明により、生産性良く、高品質の金属パターンを
形成することが可能となる。
形成することが可能となる。
プリント回路としてばかりでなく、装飾用パターンとし
てもこの発明による金属パターンプリント板は有用なも
のである。
てもこの発明による金属パターンプリント板は有用なも
のである。
第1図(a)(b)(c)(d)は、この発明の方法を
示した工程図である。第2図および第3図は各々この発
明の金属パターンプリント板の使用例を示した断面図で
ある。 1・・・基板、2・・・導電性膜、3・・・メッキ金属
膜、4・・・マスクパターン、5・・・金属パターン、
6.7・・・基板。 代理人弁理士 西 澤 利 夫= 12− 第 1 図 第 2 図 第 3 図
示した工程図である。第2図および第3図は各々この発
明の金属パターンプリント板の使用例を示した断面図で
ある。 1・・・基板、2・・・導電性膜、3・・・メッキ金属
膜、4・・・マスクパターン、5・・・金属パターン、
6.7・・・基板。 代理人弁理士 西 澤 利 夫= 12− 第 1 図 第 2 図 第 3 図
Claims (2)
- (1)基板表面に導電性膜を設け、電解または無電解メ
ッキを行った後にマスクパターンを形成してエッチング
を行うことを特徴とする金属パターン形成方法。 - (2)基板表面に導電性膜を設け、マスクパターンを形
成した後にエッチングを行い、マスク除去して得た導電
性膜パターンに電解または無電解メッキを行うことを特
徴とする金属パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11150487A JPS63275194A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 金属パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11150487A JPS63275194A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 金属パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63275194A true JPS63275194A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14562978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11150487A Pending JPS63275194A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 金属パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63275194A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101543A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の作製方法 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP11150487A patent/JPS63275194A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101543A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レジスト組成物およびそれを用いた半導体装置の作製方法 |
JP4531475B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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