JPS63247323A - アルミ合金複合材料及びその製造方法 - Google Patents
アルミ合金複合材料及びその製造方法Info
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- JPS63247323A JPS63247323A JP7745387A JP7745387A JPS63247323A JP S63247323 A JPS63247323 A JP S63247323A JP 7745387 A JP7745387 A JP 7745387A JP 7745387 A JP7745387 A JP 7745387A JP S63247323 A JPS63247323 A JP S63247323A
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Landscapes
- Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、アルミt (AQ)合金をマトリックスとす
るアルミ合金複合材料及びその製造方法に関する。
るアルミ合金複合材料及びその製造方法に関する。
(従来の技術)
SiCウィスカーはその製造方法によってα型(六方晶
系)とβ型(立方晶系)が得られる。これらのSiCウ
ィスカーは常温では2500)cg/mm”以上の強さ
をもっており、耐熱性、化学的安定性など、優れた物性
を有することから、AMマトリックスとする複合材料に
大きな期待がよせられている。
系)とβ型(立方晶系)が得られる。これらのSiCウ
ィスカーは常温では2500)cg/mm”以上の強さ
をもっており、耐熱性、化学的安定性など、優れた物性
を有することから、AMマトリックスとする複合材料に
大きな期待がよせられている。
現在までこの種のSiCウィスカーによって強化された
Ajl基合金複合材料に関して多くの製造方法が提案さ
れている。その中でも溶浸加圧鋳造法が一般に用いられ
ている。この製造法においては、予め形成されたSiC
ウィスカーの予備形成体を金型内に設置し、これにA2
合金の溶湯を含浸して加圧鋳造する。この方法では、マ
トリックス金属をその融点以上の温度で強化繊維間に含
浸させるので、繊維は高温にさらされるため、その界面
では拡散反応を伴う、これによりSiCウィスカーとマ
トリックスの間に新しい反応相が形成されると。
Ajl基合金複合材料に関して多くの製造方法が提案さ
れている。その中でも溶浸加圧鋳造法が一般に用いられ
ている。この製造法においては、予め形成されたSiC
ウィスカーの予備形成体を金型内に設置し、これにA2
合金の溶湯を含浸して加圧鋳造する。この方法では、マ
トリックス金属をその融点以上の温度で強化繊維間に含
浸させるので、繊維は高温にさらされるため、その界面
では拡散反応を伴う、これによりSiCウィスカーとマ
トリックスの間に新しい反応相が形成されると。
複合材料の強度が低下するので、こうした界面の問題は
極めて重要となる。
極めて重要となる。
またMgを含有する組成のAQ金合金マトリックスとし
てSiCウィスカー予備形成体に含浸加圧鋳造して製造
した複合材料においては、激しいMgの偏析が生ずるこ
とが一般に知られている。
てSiCウィスカー予備形成体に含浸加圧鋳造して製造
した複合材料においては、激しいMgの偏析が生ずるこ
とが一般に知られている。
本発明者らは上記の偏析現象をX線回折法により調べた
結果、SiCウィスカーとマトリックスとの界面にはア
ルミニウム、マグネシウム、シリク−ト((MgAj2
)*(Aj!5iO)aO,。))となる新しい反応相
が形成されていることを見い出した。これは予備形成体
中の繊維骨格となるSiCウィスカーの表面層に介在す
るSiO□に起因するものであり、このSin、が上記
複合シリケートの主要部分ににっている。すなわち上記
Mg偏析は、SiCウィスカーの予備形成体にAffi
合金を含浸加圧鋳造して複合化する際、SiCウィスカ
ーの繊維骨格の表層部でMgがこの複合シリケート内に
捕獲されるため、予備形成体の外周部でMgの濃度が高
くなり、逆に中心部ではMgが欠乏の状態となるもので
ある。従って、上記のMg偏析の問題を防止するために
は、SiCウィスカーの表面層にSin、のほとんどな
いウィスカーで成形した予備形成体を用いれば良い。
結果、SiCウィスカーとマトリックスとの界面にはア
ルミニウム、マグネシウム、シリク−ト((MgAj2
)*(Aj!5iO)aO,。))となる新しい反応相
が形成されていることを見い出した。これは予備形成体
中の繊維骨格となるSiCウィスカーの表面層に介在す
るSiO□に起因するものであり、このSin、が上記
複合シリケートの主要部分ににっている。すなわち上記
Mg偏析は、SiCウィスカーの予備形成体にAffi
合金を含浸加圧鋳造して複合化する際、SiCウィスカ
ーの繊維骨格の表層部でMgがこの複合シリケート内に
捕獲されるため、予備形成体の外周部でMgの濃度が高
くなり、逆に中心部ではMgが欠乏の状態となるもので
ある。従って、上記のMg偏析の問題を防止するために
は、SiCウィスカーの表面層にSin、のほとんどな
いウィスカーで成形した予備形成体を用いれば良い。
発明者らが種々の市販のSiCウィスカーの表面のSi
O□の含有量を分析して調べた結果、それが約0.3〜
4重量%の間にあることがわかった。しかしながら、こ
へちSiO□の含有量の少ないSiCウィス1判カーを
用いて、上記の含浸加圧鋳造試験と全く同一な条件で複
合化した材料においても、Mg偏析の程度が軽減してい
るものの完全には回避することができなかった。
O□の含有量を分析して調べた結果、それが約0.3〜
4重量%の間にあることがわかった。しかしながら、こ
へちSiO□の含有量の少ないSiCウィス1判カーを
用いて、上記の含浸加圧鋳造試験と全く同一な条件で複
合化した材料においても、Mg偏析の程度が軽減してい
るものの完全には回避することができなかった。
そこで上記のMg偏析の問題を解消するために、SiC
ウィスカーの表層部に介在する5in2の成分を538
号公報)。
ウィスカーの表層部に介在する5in2の成分を538
号公報)。
この方法では、Sin、成分の除去のためフッ化水素処
理する方法を複数回繰返すことにより、はとんど完全に
Sin、を除去することができる。こうしてSiCウィ
スカーの表面にあるSin、の問題が解消されたが、こ
の場合下記のように新たに二つの問題が生ずる。それは
、 ■ SiCの予備形成体の作製に際してSiCウィスカ
ーの表層部に介在するSiO□は、ウィスカー間の結合
力を高めるバインダーとしての作用をもっており、 S
in、の含有量の少ないアイスカーでの予備形成体の作
製は困難で、プレス成形した予備形成体の表面からクラ
ックが発生しやすい、しかも予備形成体の強度が低いた
め含浸加圧鋳造する際破壊され、完全に強化された複合
材料を得にくい。
理する方法を複数回繰返すことにより、はとんど完全に
Sin、を除去することができる。こうしてSiCウィ
スカーの表面にあるSin、の問題が解消されたが、こ
の場合下記のように新たに二つの問題が生ずる。それは
、 ■ SiCの予備形成体の作製に際してSiCウィスカ
ーの表層部に介在するSiO□は、ウィスカー間の結合
力を高めるバインダーとしての作用をもっており、 S
in、の含有量の少ないアイスカーでの予備形成体の作
製は困難で、プレス成形した予備形成体の表面からクラ
ックが発生しやすい、しかも予備形成体の強度が低いた
め含浸加圧鋳造する際破壊され、完全に強化された複合
材料を得にくい。
■ 予備形成体を乾燥するための加熱工程及び含浸加圧
鋳造する際の予備加熱工程が必要不可欠であるが、 S
in、をほぼ完全に除去したSiCウィスカーには、前
記両工程において、酸化により新たに表面層にSin、
が形成される。
鋳造する際の予備加熱工程が必要不可欠であるが、 S
in、をほぼ完全に除去したSiCウィスカーには、前
記両工程において、酸化により新たに表面層にSin、
が形成される。
ことである。
てsio、の含有量の変化を調べた。その結果を第1図
中の曲線(b)で示した。加熱前、Sin、の含有量が
、当初はとんどないにもかがねらず、500”C。
中の曲線(b)で示した。加熱前、Sin、の含有量が
、当初はとんどないにもかがねらず、500”C。
1時の加熱で表面層に酸化が生じ、加熱温度の上昇に伴
い急激に酸化量が増加した。
い急激に酸化量が増加した。
従って、SiCウィスカーの表面酸化を防止するために
は、予備形成体を乾燥する加熱工程および含浸加圧鋳造
する際の予備加熱工程の両工程で、高真空または不活性
化ガス雰囲気を必要とする。
は、予備形成体を乾燥する加熱工程および含浸加圧鋳造
する際の予備加熱工程の両工程で、高真空または不活性
化ガス雰囲気を必要とする。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記の種々の問題点を解決すべくなされたもの
であり、高価な高真空設備や高純度の不活性化ガスを得
る特別の雰囲気発生設備や雰囲気供給設備を必要とせず
、大気中で極めて簡単な設備で製造を可能とし1作業性
が良く、経済的であって、しかもMgを含有する組成の
A1合金を含浸加圧鋳造する際は、Mg偏析の問題を生
じないアルミ合金複合材料及びその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
であり、高価な高真空設備や高純度の不活性化ガスを得
る特別の雰囲気発生設備や雰囲気供給設備を必要とせず
、大気中で極めて簡単な設備で製造を可能とし1作業性
が良く、経済的であって、しかもMgを含有する組成の
A1合金を含浸加圧鋳造する際は、Mg偏析の問題を生
じないアルミ合金複合材料及びその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明においては、SiCウィスカーの予備形成体を繊
維骨格とし、これにAQ金合金マトリックスとして溶湯
含浸し加圧鋳造法により複合化にするにあたり、前記繊
維骨格を構成するSiCウィスカーの表面に、予めアル
ミナ被覆層を形成させたものを用いることを特徴とする
。
維骨格とし、これにAQ金合金マトリックスとして溶湯
含浸し加圧鋳造法により複合化にするにあたり、前記繊
維骨格を構成するSiCウィスカーの表面に、予めアル
ミナ被覆層を形成させたものを用いることを特徴とする
。
すなわち、本発明は1表面にアルミナ被覆層を有したS
iCウィスカーよりなる予備形成体と、マトリックスと
して前記予備形成体に含浸させたアルミ合金とを有した
ことを特徴とするアルミ合金複合材料である。またその
製造方法としては、SiCウィスカーをアルミナゾルに
接触させた後、乾燥して、前記SiCウィスカーの表面
にアルミナ被覆層を形成する工程と、前記アルミナ被覆
層の形成されたSiCウィスカーを形成して予備形成体
とする工程と、前記予備形成体にマトリックスとしてア
ルミ合金を含浸させて複合化する工程とを備えたことを
特徴とする。
iCウィスカーよりなる予備形成体と、マトリックスと
して前記予備形成体に含浸させたアルミ合金とを有した
ことを特徴とするアルミ合金複合材料である。またその
製造方法としては、SiCウィスカーをアルミナゾルに
接触させた後、乾燥して、前記SiCウィスカーの表面
にアルミナ被覆層を形成する工程と、前記アルミナ被覆
層の形成されたSiCウィスカーを形成して予備形成体
とする工程と、前記予備形成体にマトリックスとしてア
ルミ合金を含浸させて複合化する工程とを備えたことを
特徴とする。
以下に2本発明で用いるSiCウィスカーの表面にアル
ミナ被覆層を形成させる表面処理法および表面処理した
SiCウィスカーの予備形成体の製造方法さらにそれを
用いてなる複合材料について詳述する。
ミナ被覆層を形成させる表面処理法および表面処理した
SiCウィスカーの予備形成体の製造方法さらにそれを
用いてなる複合材料について詳述する。
水等の溶液を分散媒としたアルミナゾル中にSiCウィ
スカーを浸漬、攪伴した後脱水し、高温□の大気流中で
分散乾燥させる。この乾燥によりアルミナゾルがゲル化
され、三次元的網目構造となり、SiCウィスカー表面
にアルミナ被覆層が形成される。
スカーを浸漬、攪伴した後脱水し、高温□の大気流中で
分散乾燥させる。この乾燥によりアルミナゾルがゲル化
され、三次元的網目構造となり、SiCウィスカー表面
にアルミナ被覆層が形成される。
このようなアルミナ被覆層の乾燥は常温〜150℃程度
の温度で十分である。またアルミナ被覆層の厚さは、複
合材料の製造過程における加熱によるSiCウィスカー
の表面の酸化および含浸加圧鋳造する際、SiCウィス
カーとマトリックスの界面反応を防止するため少なくと
も0.01μs以上であることが望ましい。
の温度で十分である。またアルミナ被覆層の厚さは、複
合材料の製造過程における加熱によるSiCウィスカー
の表面の酸化および含浸加圧鋳造する際、SiCウィス
カーとマトリックスの界面反応を防止するため少なくと
も0.01μs以上であることが望ましい。
次にアルミナ被覆層を有するSiCウィスカーを水ある
いは有機溶媒に分散した後常圧または加圧下に濾過し、
所定の密度に圧縮し、乾燥して予備形成体を製造する。
いは有機溶媒に分散した後常圧または加圧下に濾過し、
所定の密度に圧縮し、乾燥して予備形成体を製造する。
一方マトリックスとなる1合金は問題となるMgの含有
量に関係なく適用することができる。
量に関係なく適用することができる。
そしてこれらの複合化は、前述したアルミナ被覆層を有
するSiCウィスカーよりなる予備形成体を金型内にR
置し、AQ合金溶湯を含浸させ、加圧鋳造を行なう、こ
とで達成される。
するSiCウィスカーよりなる予備形成体を金型内にR
置し、AQ合金溶湯を含浸させ、加圧鋳造を行なう、こ
とで達成される。
(作用)
上記のアルミナ被覆層は、SiCウィスカーの表面にお
ける酸素の拡散I1m壁作用を持ち、且つ同ウィスカー
を予備形成体に固める際の成形性と予備形成体の強度を
それぞれ向上させるバインダーの作用を有する。従って
当該予備形成体を用いる複合材料を製造する加熱工程で
、 SiCウィスカーの表面酸化による5102の生成
を防止し、SiCウィスカーの表面に介在しているSi
n、とマトリックスとの界面反応を実質的に皆無にする
ことができ、またAj1合金に軸が含まれる場合でもM
gの偏析を生起することがない、さらには、予備形成体
にクラックが発生して複合材料製品が不良になる要因を
も除外できる。
ける酸素の拡散I1m壁作用を持ち、且つ同ウィスカー
を予備形成体に固める際の成形性と予備形成体の強度を
それぞれ向上させるバインダーの作用を有する。従って
当該予備形成体を用いる複合材料を製造する加熱工程で
、 SiCウィスカーの表面酸化による5102の生成
を防止し、SiCウィスカーの表面に介在しているSi
n、とマトリックスとの界面反応を実質的に皆無にする
ことができ、またAj1合金に軸が含まれる場合でもM
gの偏析を生起することがない、さらには、予備形成体
にクラックが発生して複合材料製品が不良になる要因を
も除外できる。
(実施例)
平均径0.5−1平均長さ50μsのβ型SiCウィス
カー(Sin、含有量0.3重量%)をアルミナゾル(
アルミナ水和物含有量10vt%)に5分間浸漬し、攪
伴した後脱水し、150℃、2時間大気中で分散、乾燥
させた。このようにしてSiCウィスカーの表面に均一
なアルミナ被覆層をを得た。このアルミナ被覆層を透過
電子顕微鏡(TEM)により確認した。
カー(Sin、含有量0.3重量%)をアルミナゾル(
アルミナ水和物含有量10vt%)に5分間浸漬し、攪
伴した後脱水し、150℃、2時間大気中で分散、乾燥
させた。このようにしてSiCウィスカーの表面に均一
なアルミナ被覆層をを得た。このアルミナ被覆層を透過
電子顕微鏡(TEM)により確認した。
アルミナ被覆層を施した上記SiCウィスカーを、50
0℃から1000℃までの各温度で1時間加熱した後の
Sin、の含有量の変化を調べた。その結果を第1図の
直線(a)に示す、またアルミナ被覆を施さなかったS
iCウィスカーの8102含有量は前述したように加熱
に伴い急激に増加した(第1図の曲線(b)で示す)。
0℃から1000℃までの各温度で1時間加熱した後の
Sin、の含有量の変化を調べた。その結果を第1図の
直線(a)に示す、またアルミナ被覆を施さなかったS
iCウィスカーの8102含有量は前述したように加熱
に伴い急激に増加した(第1図の曲線(b)で示す)。
以上のことにより、アルミナ被覆を施すことによってS
iCウィスカーの表面の酸化が抑制されることは、明ら
かである。
iCウィスカーの表面の酸化が抑制されることは、明ら
かである。
次に、こうしたアルミナ被覆層を有するSiCウィスカ
ーを有機溶媒に30分間分散、攪拌した後、加圧下に濾
過し、圧縮し、乾燥して直径100may高さ85m、
体積率25%のSiCウィスカーの予備形成体を作製し
た。
ーを有機溶媒に30分間分散、攪拌した後、加圧下に濾
過し、圧縮し、乾燥して直径100may高さ85m、
体積率25%のSiCウィスカーの予備形成体を作製し
た。
この予備形成体を金型内、に設定し、予備形成体および
金型をいずれも500℃に予備加熱した。そして606
1合金(Mg含有量0.95重量%)よりなるマトリッ
クス溶湯を800℃で注湯し、1000kg/aJの加
圧力で加圧鋳造した。このようにして得られたSiCウ
ィスカーで強化した6061合金複合材料の縦中心断面
のMg分布を分析した結果、M、の偏析は認められなか
った。これを第2図のa図及びb図に示す、この第2図
で、a図はこの複合材料の縦中心断面を示したものであ
り、(イ)はマトリックスの6061合金、(ロ)は複
合材料の表層部、(ハ)は複合材料の中心部である。ま
たこのa図のA−A’線に沿うMg濃度変化をb図に示
している。このb図かられかるように、Mg濃度はほと
んど一定に分布している。さらにこの時のビッカーズ硬
度の様子を(C)図に示す。硬度もまた一様になってい
ることがわかる。
金型をいずれも500℃に予備加熱した。そして606
1合金(Mg含有量0.95重量%)よりなるマトリッ
クス溶湯を800℃で注湯し、1000kg/aJの加
圧力で加圧鋳造した。このようにして得られたSiCウ
ィスカーで強化した6061合金複合材料の縦中心断面
のMg分布を分析した結果、M、の偏析は認められなか
った。これを第2図のa図及びb図に示す、この第2図
で、a図はこの複合材料の縦中心断面を示したものであ
り、(イ)はマトリックスの6061合金、(ロ)は複
合材料の表層部、(ハ)は複合材料の中心部である。ま
たこのa図のA−A’線に沿うMg濃度変化をb図に示
している。このb図かられかるように、Mg濃度はほと
んど一定に分布している。さらにこの時のビッカーズ硬
度の様子を(C)図に示す。硬度もまた一様になってい
ることがわかる。
一方、比較のため表面にアルミナ被覆を施さなかったS
iCウィスカーを用い、同様に予備形成体を作製し、同
条件で複合かした。得られた複合材料の縦中心断面をw
1察したところ中央部に境界のはっきりした白色状の領
域が明確に認められた。
iCウィスカーを用い、同様に予備形成体を作製し、同
条件で複合かした。得られた複合材料の縦中心断面をw
1察したところ中央部に境界のはっきりした白色状の領
域が明確に認められた。
これを第3図のa図及びb図に示す。a図はこの複合材
料の縦中心断面を示したものであり、このB−8’線に
沿ってMgの濃度分布を分析して調べた結果、b図に示
すように複合材の表層部ではMgの含有量が約1.3重
量%あるのに対して中心部では0に近い値を示し、著し
いMg偏析を生じていた。
料の縦中心断面を示したものであり、このB−8’線に
沿ってMgの濃度分布を分析して調べた結果、b図に示
すように複合材の表層部ではMgの含有量が約1.3重
量%あるのに対して中心部では0に近い値を示し、著し
いMg偏析を生じていた。
このMgの偏析の影響は複合材の強度にも表われ。
C図に示すように表層部では硬度が高く、一方中央部で
は硬度が低かった。
は硬度が低かった。
さらに第2図a図の(イ)、(ロ)、(ハ)の位置及び
第3図の(イ)、(ロ)、(ハ)の位置から試験片前取
り出して引張試験を行なった。その結果を第1表に示す
。
第3図の(イ)、(ロ)、(ハ)の位置から試験片前取
り出して引張試験を行なった。その結果を第1表に示す
。
第1表
実施例の複合材料においては、その表層部(ロ)および
中央部(ハ)のいずれにおいてもその引張強さはおよそ
52 kg f / wn ”程度を示し、i合金部分
(イ)よりも格段に引張強さが強化されていることがわ
かる。一方、比較例の複合材料においては、その表層部
(ロ)では本発明による実施例と同等の引張強さを示し
ているが、その中心部ではMgの偏析によりMgが欠乏
してその引張強さが36 、 O)cg f / m
” と著しく低下していることがわかる。
中央部(ハ)のいずれにおいてもその引張強さはおよそ
52 kg f / wn ”程度を示し、i合金部分
(イ)よりも格段に引張強さが強化されていることがわ
かる。一方、比較例の複合材料においては、その表層部
(ロ)では本発明による実施例と同等の引張強さを示し
ているが、その中心部ではMgの偏析によりMgが欠乏
してその引張強さが36 、 O)cg f / m
” と著しく低下していることがわかる。
〔発明の効果〕−
上記実施例でも明らかなように、本発明によれば、アル
ミナ被覆層を施したSiCウィスカーの予備形成体を用
いることにより、高い強度を有する均一なA1合金複合
材料を得ることができる。
ミナ被覆層を施したSiCウィスカーの予備形成体を用
いることにより、高い強度を有する均一なA1合金複合
材料を得ることができる。
第1図は本発明に係るSiCウィスカー(曲線a)及び
従来例のSiCウィスカー(曲ab)における加熱温度
とSiO,含有量との関係を示した特性図、第2図a図
、b図及びC図は、それ′F:九本発明の実施例におけ
るAI2合金合金材料の縦断面図(a図)、a図のA−
A’線に沿うMg濃度の変化を示した特性図(b図)、
及び硬度の変化を示した特性図(C図)、第3図a図、
b図及びC図は、比較例のi合金複合材料の縦断面図(
a図)、a図のB −B’線にMMg濃度変化を示した
特性図(b図)及び硬度の変化を示した特性図(C図)
である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第 1 図 第 2 図 第 3 図
従来例のSiCウィスカー(曲ab)における加熱温度
とSiO,含有量との関係を示した特性図、第2図a図
、b図及びC図は、それ′F:九本発明の実施例におけ
るAI2合金合金材料の縦断面図(a図)、a図のA−
A’線に沿うMg濃度の変化を示した特性図(b図)、
及び硬度の変化を示した特性図(C図)、第3図a図、
b図及びC図は、比較例のi合金複合材料の縦断面図(
a図)、a図のB −B’線にMMg濃度変化を示した
特性図(b図)及び硬度の変化を示した特性図(C図)
である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第 1 図 第 2 図 第 3 図
Claims (4)
- (1)表面にアルミナ被覆層を有したSiCウィスカー
よりなる予備形成体と、 マトリックスとして前記予備形成体に含浸させたアルミ
合金とを有したことを特徴とするアルミ合金複合材料。 - (2)マグネシウムを含んでなるアルミ合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のアルミ合金複
合材料。 - (3)SiCウィスカーをアルミナゾルに接触させた後
、乾燥して、前記SiCウィスカーの表面にアルミナ被
覆層を形成する工程と、 前記アルミナ被覆層の形成されたSiCウィスカーを型
成形して予備形成体とする工程と、 前記予備形成体にマトリックスとしてアルミ合金を含浸
させて複合化する工程とを備えたことを特徴とするアル
ミ合金複合材料の製造方法。 - (4)マグネシウムを含んでなるアルミ合金を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のアルミ合金
複合材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7745387A JPS63247323A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | アルミ合金複合材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7745387A JPS63247323A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | アルミ合金複合材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63247323A true JPS63247323A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13634432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7745387A Pending JPS63247323A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | アルミ合金複合材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63247323A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0483190B1 (en) * | 1989-07-06 | 1996-12-04 | Forskningscenter Riso | Method for the preparation of metal matrix composite materials |
JP2001073049A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-03-21 | Her Majesty In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Natural Resources | マグネシウム金属基複合材料のためのプリフォームの製造方法、および、金属基複合材料の製造方法、および、複合材料 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5330407A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-22 | Tokushiyu Muki Zairiyou Kenkiy | Process for production of composite material based on siliconncarbideefibreereinforced light alloy |
JPS5615470A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-14 | Mitsubishi Chem Ind | Modifying of silicon carbide fiber |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP7745387A patent/JPS63247323A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5330407A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-22 | Tokushiyu Muki Zairiyou Kenkiy | Process for production of composite material based on siliconncarbideefibreereinforced light alloy |
JPS5615470A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-14 | Mitsubishi Chem Ind | Modifying of silicon carbide fiber |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0483190B1 (en) * | 1989-07-06 | 1996-12-04 | Forskningscenter Riso | Method for the preparation of metal matrix composite materials |
JP2001073049A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-03-21 | Her Majesty In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Natural Resources | マグネシウム金属基複合材料のためのプリフォームの製造方法、および、金属基複合材料の製造方法、および、複合材料 |
JP4568410B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2010-10-27 | ハー マジェスティ イン ライト オブ カナダ アズ レプリゼンティッド バイ ザ ミニスター オブ ナチュラル リソーシーズ | マグネシウム金属基複合材料のためのプリフォームの製造方法、および、金属基複合材料の製造方法、および、複合材料 |
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