JPS63151021A - レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置Info
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- JPS63151021A JPS63151021A JP29940286A JP29940286A JPS63151021A JP S63151021 A JPS63151021 A JP S63151021A JP 29940286 A JP29940286 A JP 29940286A JP 29940286 A JP29940286 A JP 29940286A JP S63151021 A JPS63151021 A JP S63151021A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造工程等に用いるレジストの塗布方法
および塗布装置に関する。
および塗布装置に関する。
従来の技術
半導体集積回路の集積度が向上するにつれて微細レジス
トパターンの形成はますます重要度を増している。又、
同時に半導体製造のウエノ・−の大口径が進み、現在で
は６インチが主流を占め、近い将来には８インチや１０
インチといった一層の大口径ウェハーを使用することが
予想される。
トパターンの形成はますます重要度を増している。又、
同時に半導体製造のウエノ・−の大口径が進み、現在で
は６インチが主流を占め、近い将来には８インチや１０
インチといった一層の大口径ウェハーを使用することが
予想される。
このような状況の中で、基板（ウェハー）上へのレジス
トの均一塗布は非常に重要であり、又、むずかしい問題
である。即ち、パターン形成において、レジスト膜厚の
不均一はパターン露光時の露光量の変動につながり、こ
れはパターン寸法の変動、ひいては素子の歩留まりの低
下につながる。
トの均一塗布は非常に重要であり、又、むずかしい問題
である。即ち、パターン形成において、レジスト膜厚の
不均一はパターン露光時の露光量の変動につながり、こ
れはパターン寸法の変動、ひいては素子の歩留まりの低
下につながる。
以上の様に重要なレジストの塗布であるが、従来の技術
では、ウェハーが大口径になるほど均一塗布がむずかし
くなってきている。この従来例を第２図を用いて説明す
る。
では、ウェハーが大口径になるほど均一塗布がむずかし
くなってきている。この従来例を第２図を用いて説明す
る。
レジスト塗布装置において、真空吸着したロインチロ径
のウェハの中心部に１本のノズル３によりホトレジスト
（シブレイ社製ＭＰＳ−１４００−２７）を約３ｃｃ滴
下する。このとき中心部と周辺部では流体状のレジスト
は均一厚さにならない。即ち中心部Ｌ３：周辺部Ｌ４＝
１＝０．６ である。（使用装置；東京エレクトロン社
製クリーントラック）悌２図ａ） 次に１０秒間に５００Ｏｒｐｍまで前記ウェハーを回転
させ、その後５０００回転のまま２０秒間回転させ、そ
の後の５秒間で回転数を０とした。このとき基板上の塗
布されたレジスト５ｂは膜厚差を生じ、中心部と周辺部
で膜厚差がＳＯＯ人となった。即ち中心部Ｌ３′：周辺
部Ｌｊ＝１：ｏ、７ であった（第２図ｂ）。
のウェハの中心部に１本のノズル３によりホトレジスト
（シブレイ社製ＭＰＳ−１４００−２７）を約３ｃｃ滴
下する。このとき中心部と周辺部では流体状のレジスト
は均一厚さにならない。即ち中心部Ｌ３：周辺部Ｌ４＝
１＝０．６ である。（使用装置；東京エレクトロン社
製クリーントラック）悌２図ａ） 次に１０秒間に５００Ｏｒｐｍまで前記ウェハーを回転
させ、その後５０００回転のまま２０秒間回転させ、そ
の後の５秒間で回転数を０とした。このとき基板上の塗
布されたレジスト５ｂは膜厚差を生じ、中心部と周辺部
で膜厚差がＳＯＯ人となった。即ち中心部Ｌ３′：周辺
部Ｌｊ＝１：ｏ、７ であった（第２図ｂ）。
即ち、レジストを滴下した中心部とそうでない周辺部と
の差が回転後も保持されるわけである。このような不均
一なレジスト塗布装置及び方法は、ウェハーがより大口
径になるほど、そのウェハー径内でのレジスト膜厚差を
生じ、微細レジストパターン形成の障害となる。
の差が回転後も保持されるわけである。このような不均
一なレジスト塗布装置及び方法は、ウェハーがより大口
径になるほど、そのウェハー径内でのレジスト膜厚差を
生じ、微細レジストパターン形成の障害となる。
発明が解決しようとする問題点
本発明は従来の技術で示したようなレジストの不均一塗
布を解決するものである。
布を解決するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は従来の問題点を解決すべく、レジスト塗布を複
数個のノズルをウェハー上に点在させて滴下することに
より、レジストの均一塗布を現実とするものである。
数個のノズルをウェハー上に点在させて滴下することに
より、レジストの均一塗布を現実とするものである。
複数のノズルを中心部以外にも周辺部にも設置・滴下す
れば、回転前の基板上でのまだ流体状態のレジストが面
内で均一となシ、回転による均一性が向上する。
れば、回転前の基板上でのまだ流体状態のレジストが面
内で均一となシ、回転による均一性が向上する。
このような方法・装置は今後の大口径ウェハにおいて特
に威力を発揮する。
に威力を発揮する。
作 用
本発明の方法・装置を用いることにより、ウェハー面内
でのレジスト膜厚変動がなくなり、結果として露光量が
均一となり、レジスト寸法制御が容易となる。
でのレジスト膜厚変動がなくなり、結果として露光量が
均一となり、レジスト寸法制御が容易となる。
実施例
６インチウェハ１の中心部および周辺部４点（中心よ９
２インチの位置）の垂直上にノズル２を設けた本発明の
レジスト塗布装置よりホトレジスト（シブレイ池社製Ｍ
ＰＳ１４００−２７）を真空吸着した６インチウェハに
同時にＱ、 ５０ Ｃずつ計約３ ｃｃ滴下した（第１
図ａ：上空より見た同第１図Ｃ）。第１図とにおいて、
レジス）４ａはウェハ面内でほぼ均一であった。すなわ
ち、中心部におけるレジスト厚Ｌ１ と周辺部（中心
部より２インチの位置）におけるレジスト厚Ｌ２の比は
Ｌｌ：Ｌ２＝１：ｏ、９であシ、中心部と周辺部の間の
レジスト厚もＬｌ を１としたときに０．９〜１．０の
間の値であった。このように中心部と周辺部にレジスト
を同時に滴下することにより流体状態におけるレジスト
厚かほぼ均一となることがわかっ ・た。
２インチの位置）の垂直上にノズル２を設けた本発明の
レジスト塗布装置よりホトレジスト（シブレイ池社製Ｍ
ＰＳ１４００−２７）を真空吸着した６インチウェハに
同時にＱ、 ５０ Ｃずつ計約３ ｃｃ滴下した（第１
図ａ：上空より見た同第１図Ｃ）。第１図とにおいて、
レジス）４ａはウェハ面内でほぼ均一であった。すなわ
ち、中心部におけるレジスト厚Ｌ１ と周辺部（中心
部より２インチの位置）におけるレジスト厚Ｌ２の比は
Ｌｌ：Ｌ２＝１：ｏ、９であシ、中心部と周辺部の間の
レジスト厚もＬｌ を１としたときに０．９〜１．０の
間の値であった。このように中心部と周辺部にレジスト
を同時に滴下することにより流体状態におけるレジスト
厚かほぼ均一となることがわかっ ・た。
次に、１０秒間で６００Ｏｒｐｍまで前記ウェハを回転
させ、その後５０００ｒｐｍのまま２０秒間回転させ、
その後の５秒間で回転数を０とした。
させ、その後５０００ｒｐｍのまま２０秒間回転させ、
その後の５秒間で回転数を０とした。
このとき基板上の塗布されたレジス）５ａは膜厚差が中
心部と周辺部で１０Å以下であシ、即ち、中心部におけ
るレジスト厚Ｌ１′と周辺部におけるレジスト厚Ｌ２′
の比はＬ／１： Ｌ２＝ａ １ 、ｏ：０．９８ であ
った（第１図ｂ）。
心部と周辺部で１０Å以下であシ、即ち、中心部におけ
るレジスト厚Ｌ１′と周辺部におけるレジスト厚Ｌ２′
の比はＬ／１： Ｌ２＝ａ １ 、ｏ：０．９８ であ
った（第１図ｂ）。
なお、本実施例の如く同時滴下でない場合にも同様の効
果が得られた。又、ノズルの位置や本数においても、本
実施例の如く周辺部４点以外に数多く設けても良く、又
、ノズルの数が２本で中心部と異った位置に配位しても
良い。もちろん、中心部と他局辺部の２点に設置して滴
下しても、中心部のみの１点に比較すれば流体のレジス
トの厚さはその均一度を増し、その後の回転により中心
部と周辺部の膜厚差は１０八以下となる。
果が得られた。又、ノズルの位置や本数においても、本
実施例の如く周辺部４点以外に数多く設けても良く、又
、ノズルの数が２本で中心部と異った位置に配位しても
良い。もちろん、中心部と他局辺部の２点に設置して滴
下しても、中心部のみの１点に比較すれば流体のレジス
トの厚さはその均一度を増し、その後の回転により中心
部と周辺部の膜厚差は１０八以下となる。
このような本発明の装置・方法によれば、実施例の如く
平坦なウェハー上のみらなす、段差のある基板上でも従
来の装置・方法に比べて、均一レジスト塗布に関してか
なシ効来があることは、平坦な基板上においてと同様で
ある。
平坦なウェハー上のみらなす、段差のある基板上でも従
来の装置・方法に比べて、均一レジスト塗布に関してか
なシ効来があることは、平坦な基板上においてと同様で
ある。
発明の効果
本発明の方法及び装置は、特に大口径ウェハー（６イン
チ以上）に対してレジスト均一塗布を実現し、結果とし
て素子の歩留まシが向上することから工業的価値が高い
。
チ以上）に対してレジスト均一塗布を実現し、結果とし
て素子の歩留まシが向上することから工業的価値が高い
。
第１図ａ、ｂは本発明の一実施例のレジスト塗布状態を
示す断面図、第１図Ｃは第１Ｎｄにおけるノズルの平面
図、第２図ａ、ｌ＋は従来のレジスト塗布状態の断面図
−である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ノズル、３・・・
・・・従来のノズル、４ａ・・・・・・回転前のレジス
ト、５ａ・・・・・・回転後のレジスト、６・・・・・
・回転板。
示す断面図、第１図Ｃは第１Ｎｄにおけるノズルの平面
図、第２図ａ、ｌ＋は従来のレジスト塗布状態の断面図
−である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ノズル、３・・・
・・・従来のノズル、４ａ・・・・・・回転前のレジス
ト、５ａ・・・・・・回転後のレジスト、６・・・・・
・回転板。
Claims (2)
- （１）複数のノズルより同一レジストを基板上に滴下す
る工程と、回転することによりレジストを膜にする工程
を含むレジスト塗布方法。 - （２）基板上に複数のノズルより同一レジストを滴下さ
せる機構を有したレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29940286A JPS63151021A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29940286A JPS63151021A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151021A true JPS63151021A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17872093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29940286A Pending JPS63151021A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29940286A patent/JPS63151021A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02295108A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
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