JPS5972725A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS5972725A JPS5972725A JP18286382A JP18286382A JPS5972725A JP S5972725 A JPS5972725 A JP S5972725A JP 18286382 A JP18286382 A JP 18286382A JP 18286382 A JP18286382 A JP 18286382A JP S5972725 A JPS5972725 A JP S5972725A
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- Japan
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- resist
- substrate
- treated
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はレジストの塗布方法に関する。
半導体装置の集積度の増加に伴い、微細なパターンの形
成技術が重要になっている。特に、半導体装置の製造の
際に生じる、基板上の段差は、微細なパターンの形成に
悪影響を及はす。このため、最近多層レジストを用いて
この段差によるパターンの寸法精度劣化を、改善する方
策が使われるようになった。この方法では、まず段差を
埋めるに充分な厚さのレジストを塗布し、平坦化したレ
ジスト面を形成する必要がある。第1図に示す従来のレ
ジスト塗布方法では、被処理基板1上にレジスト2をノ
ズル4から重力方向8に滴下して後、保持台3を高速で
回転して、乾燥させるのが一般的である。この方法の場
合、第2図に示す被処理基板1上に前工程で予め形成さ
れた段差5(例えばシリコン酸化膜他)により、塗布し
たレジスト膜が完全には平坦化されず、レジストの小さ
な段差が残る。1〜2μmあるいは、サブミクロンのパ
ターンを形成する場合には、この程度の段差でも多層レ
ジストによるパターン形成に悪影響を及はすことか判っ
た。
成技術が重要になっている。特に、半導体装置の製造の
際に生じる、基板上の段差は、微細なパターンの形成に
悪影響を及はす。このため、最近多層レジストを用いて
この段差によるパターンの寸法精度劣化を、改善する方
策が使われるようになった。この方法では、まず段差を
埋めるに充分な厚さのレジストを塗布し、平坦化したレ
ジスト面を形成する必要がある。第1図に示す従来のレ
ジスト塗布方法では、被処理基板1上にレジスト2をノ
ズル4から重力方向8に滴下して後、保持台3を高速で
回転して、乾燥させるのが一般的である。この方法の場
合、第2図に示す被処理基板1上に前工程で予め形成さ
れた段差5(例えばシリコン酸化膜他)により、塗布し
たレジスト膜が完全には平坦化されず、レジストの小さ
な段差が残る。1〜2μmあるいは、サブミクロンのパ
ターンを形成する場合には、この程度の段差でも多層レ
ジストによるパターン形成に悪影響を及はすことか判っ
た。
本発明の目的は、上記問題点を解消して、多層レジスト
に適したレジスト平坦面を容易に形成するレジスト塗布
方法を提供することにある。
に適したレジスト平坦面を容易に形成するレジスト塗布
方法を提供することにある。
本発明のレジスト塗布方法の特徴は、レジスト膜を形成
すべき被処理面を下方に向けて被処理基板を保持し、レ
ジスト液を下方より、前記処理面に向けて吹きつけ、前
記保持台を回転することにある。このような本発明を実
施するレジスト塗布装置は、被処理基板を吸着する回転
保持台は、吸着面を下方に向けて配設され、且つレジス
ト液を吹キ出すノズルは、レジスト液を前記吸着面に向
けて、吹き上げるよう配設されている。
すべき被処理面を下方に向けて被処理基板を保持し、レ
ジスト液を下方より、前記処理面に向けて吹きつけ、前
記保持台を回転することにある。このような本発明を実
施するレジスト塗布装置は、被処理基板を吸着する回転
保持台は、吸着面を下方に向けて配設され、且つレジス
ト液を吹キ出すノズルは、レジスト液を前記吸着面に向
けて、吹き上げるよう配設されている。
以下本発明に係るレジスト塗布方法の一実施例と、その
方法を実施するためのレジスト塗布装置の一例を図面を
用いて説明する。
方法を実施するためのレジスト塗布装置の一例を図面を
用いて説明する。
第3図には、本発明に適合する装置の一例が示されてお
り、1は被処理基板、2はレジスト膜、3は真空吸着機
構を有する回転保持台、6.6’はレジスト液を噴出す
るノズルである。
り、1は被処理基板、2はレジスト膜、3は真空吸着機
構を有する回転保持台、6.6’はレジスト液を噴出す
るノズルである。
同図に示すごとく、被処理面を下方8に向けて被処理基
板1を回転保持台3に吸着せしめ、ノズル6.6′から
レジスト液2を噴射して下方から被処理基板1に吹きつ
ける。噴射終了と同時に回転保持台3を高速で回転して
、レジストを乾燥させる○このようにすることにより、
塗布すべきレジス、ト2は被処理面上で、重力と遠心力
により平坦面を形成し、その状態で乾燥される。
板1を回転保持台3に吸着せしめ、ノズル6.6′から
レジスト液2を噴射して下方から被処理基板1に吹きつ
ける。噴射終了と同時に回転保持台3を高速で回転して
、レジストを乾燥させる○このようにすることにより、
塗布すべきレジス、ト2は被処理面上で、重力と遠心力
により平坦面を形成し、その状態で乾燥される。
゛ 上述のごとくレジスト塗布した例を第4図に示す。
段差5を埋めるに充分なレジストの厚さで、且つ平坦な
レジスト面が形成される。このレジストを最下層として
多層レジストを形成することにより、段差上でも非常に
良好な寸法精度の微細パターンが形成できた。
レジスト面が形成される。このレジストを最下層として
多層レジストを形成することにより、段差上でも非常に
良好な寸法精度の微細パターンが形成できた。
上記実施例においてノスル6.6′は複数個配設したが
、レジスト膜厚の面内均一性に支障のない場合には、1
個に簡略化することが可能である。
、レジスト膜厚の面内均一性に支障のない場合には、1
個に簡略化することが可能である。
又、上記実施例では、回転保持台を1個のみ用いて説明
したが、複数個設けても良いことは、勿論である。
したが、複数個設けても良いことは、勿論である。
以上説明したごとく、本発明に依れば、段差を有する被
処理系機上に、容易に平坦なレジスト面を形成すること
が、可能となり、殊に多層レジストを利用した微細パタ
ーンの形成の際に、高精度のパターン形成が可能となる
。
処理系機上に、容易に平坦なレジスト面を形成すること
が、可能となり、殊に多層レジストを利用した微細パタ
ーンの形成の際に、高精度のパターン形成が可能となる
。
第1図は従来のレジスト塗布方法を示す説明図、第2図
は従来方法による段差上のレジスト面を示す断面図、第
3図は、本発明の一実施例を示す説明図、第4図は、本
発明の方法により形成した段差上のレジスト平坦面を示
す断面図である。 1・・・被処理基板、 2・・・レジスト、3・
・・回転保持台、 4・・・レジスト滴下ノズ
ル、5・・・被処理基板上の段差、6.6・・・レジス
ト噴射ノズル。 (7317)代理人 弁理士 則近憲佑(ほか1名)第
11!! 第 2 図第
3 図
は従来方法による段差上のレジスト面を示す断面図、第
3図は、本発明の一実施例を示す説明図、第4図は、本
発明の方法により形成した段差上のレジスト平坦面を示
す断面図である。 1・・・被処理基板、 2・・・レジスト、3・
・・回転保持台、 4・・・レジスト滴下ノズ
ル、5・・・被処理基板上の段差、6.6・・・レジス
ト噴射ノズル。 (7317)代理人 弁理士 則近憲佑(ほか1名)第
11!! 第 2 図第
3 図
Claims (1)
- 被処理基板の被処理面にレジストを塗布する工程におい
て、被処理基板を保持し、レジスト液を下方より前記処
理面に向けて吹きつけ、前記被処理基板を回転すること
を特徴とするレジスト塗布方法0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18286382A JPS5972725A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18286382A JPS5972725A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5972725A true JPS5972725A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16125757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18286382A Pending JPS5972725A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5972725A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04504377A (ja) * | 1989-04-05 | 1992-08-06 | オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド | 基体上へフォトレジスト組成物をコーティングする方法 |
JPH09173957A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-08 | Nec Corp | 基板表面の平坦化方法 |
JP2013138972A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Leap Co Ltd | スプレーコータ |
JP2018118197A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 株式会社テックインテック | 塗布液塗布方法 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP18286382A patent/JPS5972725A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04504377A (ja) * | 1989-04-05 | 1992-08-06 | オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド | 基体上へフォトレジスト組成物をコーティングする方法 |
JPH09173957A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-08 | Nec Corp | 基板表面の平坦化方法 |
JP2013138972A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Leap Co Ltd | スプレーコータ |
JP2018118197A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 株式会社テックインテック | 塗布液塗布方法 |
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