[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS63150985A - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

Info

Publication number
JPS63150985A
JPS63150985A JP61298174A JP29817486A JPS63150985A JP S63150985 A JPS63150985 A JP S63150985A JP 61298174 A JP61298174 A JP 61298174A JP 29817486 A JP29817486 A JP 29817486A JP S63150985 A JPS63150985 A JP S63150985A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
mesa
doped
current
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61298174A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiro Hayakawa
利郎 早川
Naohiro Suyama
尚宏 須山
Kousei Takahashi
向星 高橋
Masafumi Kondo
雅文 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP61298174A priority Critical patent/JPS63150985A/ja
Priority to US07/132,300 priority patent/US4852111A/en
Priority to EP87311052A priority patent/EP0272096B1/en
Priority to DE8787311052T priority patent/DE3778510D1/de
Publication of JPS63150985A publication Critical patent/JPS63150985A/ja
Priority to US07/348,807 priority patent/US4907239A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、量子井戸構造の活性領域をＭＢＥ（分子線
エピタキシ）法やＭＯＣＶＤ　（有機金属化学気相成長
）法を用いて容易に作製することのできる極めて低いし
きい値電流を有する半導体レーザの素子構造に関する。
［従来の技術］ 近年、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法あるいは有機金属
を用いた化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法などの薄膜単結
晶成長技術の進歩が著しく、これらの薄膜成長技術を用
いれば、ＩＯＡ程度の極めて薄いエピタキシャル成長層
を得ることが可能である。このような製造技術の進歩に
より、半導体レーザの分野においても、従来の液相エピ
タキシャル成長（Ｌ　Ｐ　Ｅ）法では製作が困難であっ
た極めて薄い層（層厚１００Ａ以下）を活性領域として
そこに量子井戸を形成した超低しきい値電流密度の量子
井戸レーザを製作することが可能となってきている。特
に、量子井戸構造の活性領域を傾斜アルミニウム組成分
布を有する光ガイド層で挟み込む構造のＧＲＩＮ−３Ｃ
Ｈ（ＧｒａｄｅｄＩｎｄｅｘ−Ｓｅｐａｒａｔｅ　　Ｃ
ｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ）型の単一量子井戸構造レーザにおいては、共振器
長約２５０４ｍで３５０Ａ／Ｃｍ２、共振器長約５００
μｍでは２００Ａ／ｃｍ２程度の超低しきい値電流密度
を得ることが可能である（たとえば、Ｗ、Ｔ、Ｔｓａｎ
ｇ、Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ、Ｖｏｌ、４０．１９８１、ｐ、２１？参照）。一
方、実際に半導体レーザを低電流動作させるためには、
効率良く電流を光発振領域内に閉じ込めることが必要で
あり、このような素子構造としてはＶＳ　ＩＳ　（Ｖ−
ｃｈａｎｎｅｌｅｄ　　５ｕｂｓｔｒａｔｅ　　Ｉｎｎ
ｅｒＳｔｒｉｐｅ）レーザおよびＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ　
　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザがよく知ら
れている。
第２図は従来のＶＳＩＳレーザの断面構造を模式的に示
す図である。以下、第２図を参照してＶＳＩＳレーザの
構造および製造方法について説明する。
まず半導体基板１表面上に電流阻止層６を形成する。こ
の電流阻止層６表面から半導体基板１に達するＶ字溝を
エツチング法を用いて形成し狭い電流通路を形成する。
次に７字溝上および電流阻止層６上にＬＰＥ　（液相エ
ピタキシ）法の段差被覆性に優れている特性を利用して
、クラッド層２、活性層３、クラッド層４およびキャッ
プ層５を順次形成する。このＶ字溝により、電流通路が
狭くされ、発振モードの不安定性をなくし、基本横モー
ドで発振させるようにされている。このＶＳＩＳレーザ
は、平坦な活性層３をクラッド層２，４で挟設したダブ
ルへテロ接合構造を積層したものであり、Ｖ字溝幅ｗ−
４μｍでしきい値電流４０ｍＡ以下の半導体レーザが実
現されている。この種の屈折率導波型の半導体レーザは
従来からＬＰＥ法を用いて盛んに開発されているが、溝
加工やメサ加工をした基板上にＬＰＥ法を用いて作製さ
れた結晶層の特殊な形状を利用しているため、ＭＢＥ法
やＭＯＣＶＤ法を用いてこの素子構造を実現することは
一般に困難であり、活性領域に量子井戸構造を適用して
半導体レーザの低電流化を図ることができないという欠
点を有している。
第３図はＢＨレーザの断面構造を模式的に示す図である
。以下、ＢＨレーザの構成について説明する。半導体基
板１表面に形成されたメサ型領域（凸状のストライブ領
域）上に下側のクラッド層２、活性層３および上側のク
ラッド層４を順次形成し、メサ型のダブルへテロ接合発
振領域を形成する。次に半導体基板１表面上の発振領域
２，３゜４を除く領域に半導体基板１および下側クラッ
ド層２と反対の導電型を有する第１の埋込層８、埋込層
８および上側のクラッド層４と反対の導電型を有する第
２の埋込層９を順次形成し、発振領域２．３．４を埋込
む。この工程の後、キャップ層５を形成する。埋込層８
，９はともに発振領域の等偏屈折率よりも小さな屈折率
となるようにその屈折率が設定されており、レーザ光は
メサ型の発振領域内に強く閉じ込めることが可能である
。また、レーザ発振に必要とされる電流は、動作時にお
いては埋込層８，９に逆バイアスが印加されるため、こ
の領域を流れることはできず、発振領域２．３および４
にのみ流れることになり、電流通路を狭くすることが可
能である。この屈折率導波型のＢＨレーザは埋込層８，
９により電流および光を発振領域内に閉じ込めそれによ
り半導体レーザの低電流化を図るものである。この構造
の半導体レーザにおいては、ストライプ幅（メサ領域の
幅）Ｗ−２μｍ以下で１０ｍＡ以下の低しきい値電流を
実現することが可能である。
また、このＢＨレーザに対しては活性領域に量子井戸構
造を採用し、かつストライプ幅（メサ領域幅）をさらに
小さくすることによりしきい値電流をさらに下げること
が可能であるが、しきい値電流を１ｍＡ程度まで下げる
ことは容易ではない。
すなわち、埋込層８，９の界面に形成されるｐ／ｎ接合
と発振領域２，３および４のｐ　／　ｎ接合となる活性
層３界面が第３図に示されるように一致している場合は
良いが、第４Ａ図および第４Ｂ図に示すように、この埋
込層８，９が形成するｐ／ｎ接合面と発振領域２．３お
よび４が形成するｐ／ｎ接合面とに不一致が生じた場合
、第４Ａ図および第４Ｂ図に示されるように矢印で示し
たような発振に利用されない無効電流の通路が生じる。
この無効電流は通常１〜５ｍＡ程度あるため、レーザ発
振に必要な電流よりも無効電流の方が大きくなり、半導
体レーザの低しきい値電流化に対する限界要因となって
いる。
さらに、埋込層８，９が形成するｐ　／　ｎ接合面を活
性層３界面に一致させた場合においても、活性層３から
埋込層（８または９）へ漏れる１ｍＡ程度以下のわずか
な無効電流を防止することは不可能である。
［発明が解決しようとする問題点コ 以上のように、従来のＶＳＩＳレーザにおいてはＭＢＥ
法やＭＯＣＶＤ法を用いて活性領域を量子井戸構造とす
ることが困難であり、またＢＨレーザにおいてはＭＢＥ
法やＭＯＣＶＤ法を用いて活性領域に量子井戸構造を適
用することは可能であるものの、活性領域界面と埋込層
の形成するｐ／ｎ接合面とを一致させることは困難であ
り、またたとえ一致させることができても活性領域から
埋込層へ漏れ出す無効電流を防止することは困難であり
、いずれの場合においても半導体レーザの低しきい値電
流化を図ることが困難であるという問題点があった。
それゆえこの発明の目的は上述の従来の半導体レーザの
問題点を除去し、ＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法を用いて量子
井戸構造を活性領域に適用することができるとともに、
無効電流の発生を抑止することができ、それにより超低
電流化が可能な新規な素子構造を有する半導体レーザを
提供することである。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体レーザは、電流挾搾用のメサ領域
を存する第１導電型の半導体基板表面に、メサ領域によ
り生じた段差を補償するに足る膜厚の第２導電型の半導
体層を形成して基板表面を平坦化した後、メサ領域を含
む領域上に発振領域を形成し、この後第２導電型半導体
層上に高抵抗層および第１導電型半導体層を含む多層埋
込層により発振領域を埋込むようにしたものである。
［作用］ 半導体基板表面を第２導電型半導体層を用いて平坦化す
ることによりＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法を用いた超格子構
造の量子井戸領域を活性領域へ適用することが可能とな
り、また発振領域を高抵抗層および第１導電型半導体層
で埋込むことにより、埋込層に逆バイアス電圧が印加さ
れることとなり、発振動作中の電流は発振領域にのみ流
れ、かつさらに活性領域は特に高抵抗層で埋込まれるた
め、活性領域から埋込層への無効電流の漏れ出しが生じ
ることはない。
［発明の実施例］ 第１Ａ図ないし第１Ｅ図はこの発明の一実施例である半
導体レーザの製造工程および構造を模式的に示す断面図
である。以下、第１Ａ図ないし第１Ｅ図を参照してこの
発明の一実施例である半導体レーザの製造方法および構
造について説明する。
第１Ａ図において、ｐ型ＧａＡｓ基板１１表面に、メサ
エッチングを施して上部の幅１μｍ高さ２μｍのストラ
イプ状メサ２０を形成する。次に、テルル（Ｔｅ）を２
×１０１８／ｃｍ３　ドープしたｎ型ＧａＡｓ電流阻止
層１２をメサ２０を埋込むように半導体基板１１上に成
長させる。
第１Ｂ図に示すように、電流阻止層１２に対しエツチン
グ処理を施して、メサ２０上部のｐ型ＧａＡｓ基板１１
表面を露出させる。これによりメサ２０上部表面と電流
阻止層１２表面とが同一平面を形成し、基板表面が平坦
化される。
第１Ｃ図において、平坦化された基板表面上に、ＭＢＥ
法を用いてベリリウム（Ｂ　ｅ）を１×１０１８／ｃｍ
３ドープした層厚１μｍのｐ型Ａ１１゜、７Ｇ　ａ　６
，３　　Ａ　ｓクラッド層１３、層厚０．２ｔｔｍのア
ンドープＡ（ｊｘＧａ、ｘＡｓＧＲＩＮ層（光ガイド層
）１４、層厚７０ＡのアンドープＧａＡｓ量子井戸層（
活性領域）１５、層厚０．　２μｍのアンドープＡＬｘ
　Ｇａ）Ｘ　ＡｓＧ　ＩＲＮ層（光ガイド層）１６、シ
リコン（Ｓｉ）をｌＸ１０’８／　ｃ　ｍ　３　ドープ
した層厚１ｕｍのｎ型Ａｕ、７Ｇａ、１３　Ａｓクラッ
ド層１７、Ｓｌを１×１０１８／　ｃ　ｍ　’　ドープ
した層厚０，０５μｍのｎ型Ａαｂ、ｂｒ　Ｇａａ、ｆ
ｒＡ”キャンプ層１８を順次連続的に成長させる。ここ
で、ＧＲＩＮ層１４．１６のＡ込混晶比Ｘは０．　２〜
０．　７の範囲で層厚とともに２次関数的に変化するよ
うにされる。すなわち、ＧＲＩＮ層１４．１６のＡ〔混
晶比は量子井戸層１５から遠ざかるにつれて２次関数的
に増加している。
第１Ｄ図において、少なくともクラッド層１３の下部が
順メサ型となり、かつメサ型クラツド層１３底部が電流
通路１９を含むように、発振領域１３〜１８をストライ
ブ状に電流阻止層１２表面に達するまでエツチングする
。このエツチング法は通常のメサエッチング法を用いか
つエッチャントを適当に選択することにより実現される
。図示されるようにメサ型のクラツド層１３底部を順メ
サ型とすることにより、量子井戸層１５近傍のストライ
ブ幅を１μｍ程度に狭く形成しても、発振領域１３〜１
８、すなわちクラッド層１３が電流通路１９を完全に含
むように容易に形成することができる。
第１Ｅ図において、ＬＰＥ法を用いてメサストライプ状
に形成された発振領域１３〜１８を埋込むように、アン
ドープＡ込５４Ｇａ６．之　Ａｓ埋込層２１、マグネシ
ウム（Ｍｇ）をｌＸ１０’８／ｃｍ’　ドープしたｐ型
Ａ　Ｌ　６．ｇ　Ｇ　ａ　１１．２　Ａ　ｓ埋込層２２
、テルル（Ｔｅ）をｌＸｌ０１８／ｃｍ３ドープしたｎ
型ＧａＡｓキャップ層２３を順次成長させる。このとき
量子井戸層１５（活性領域）１５は高抵抗のアンドープ
ＡＱ−、、、Ｇａ、、Ａｓ埋込層２１でその周囲が完全
に覆われる横通となっている。この後キャップ層２３上
にＡｕＧｅ／Ｎｉ層を、ＧａＡｓ基板１１裏面上にＡｕ
Ｚｎ層を蒸着し合金化させることによりオーミックなｐ
側（＋側）電極３１およびｎ側（−側＞ｔＳ極３２を形
成する。高Ａα混晶比の埋込層２１はＬＰＥ法を用いて
成長させることより容易に高抵抗層とすることができ、
またｐ型埋込層２２、高抵抗埋込層２１およびｎ型電流
阻止層１２により動作中はこの９１１層には逆バイアス
が印加されることになり電流は発振領域１３〜１８にの
み流れることとなり、電流通路を狭くすることができ、
さらに発振領域はその周囲が高抵抗層２１で囲まれてい
るため無効電流が生じることはない。
上述の製造方法を用いて作製した半導体レーザ素子は、
共振器長２５０μｍ１発振波長８４０ｎｍにおいてしき
い値電流１．５ｍＡで発振した。
一方、同一構造のＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造の半導体レーザ
は全面電極型素子で、３　Ｂ　ＯＡ　／　ｃ　ｍ２（共
振器長２５０μｍ）のしきい値電流密度が得られている
ことから、この発明による半導体レーザ素子においては
、無効電流は少なくとも１．５ｍＡ−（３６０Ａ／ｃｍ
２ＸｉμｍＸ２５０μｍ）＝０．６ｍＡ（但し共振器幅
は１μｍ）と１ｍＡ以下の極めて低い値に抑制されてい
ることがわかる。
なお、上記実施例においては、ｐ型ＧａＡｓ基板上に発
振領域を構成する場合を示したが、ｎ型のＧａＡｓ基板
を用い、各層の導電型を適当に変えることにより同様に
形成することができる。また用いる材料についても、Ａ
ｌＧａＡｓ系に限定されず、ＩｎＡｕＧａＰ系やＩｎＧ
ａＡｓＰ系などのヘテロ構造の半導体レーザに本願発明
を広く適用することが可能である。また、基板上への各
層の成長方法はＬＰＥ法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法、お
よびＶＰＥ（気相エピタキシ）法などを適当に組合わせ
て利用することが可能である。
［発明の効果コ 以上のようにこの発明によれば、電流挾搾用のメサ領域
を有する半導体基板を電流阻止層を用いて表面を平坦化
し、この平坦な表面上に発振領域を形成しているので、
活性領域をＭＢＥ法やＭＯＣＶＤ法を用いて量子井戸構
造とすることが可能であり、かつ発振領域を高抵抗層で
埋込むように構成しているので、ＢＨレーザおける発振
に不要な無効電流を１ｍＡ以下の極小値に抑制すること
が可能となる。また、従来の半導体レーザにおけるよう
に凹凸加工を施した基板表面上とは異なり平坦な基板を
用いてその上に発振領域を形成しているため、ＭＢＥ法
やＭＯＣＶＤ法を用いて量子井戸構造を有する活性領域
を結晶性を低下させることなく形成することができ、高
信頼度の超低しきい値レーザを実現することができる。
また、従来のＢＨレーザと異なり、埋込層のｐ　／　ｎ
接合位置を活性層界面に整合させる必要がないため製造
工程が容易となり素子の歩留りも向上する。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図ないし第１Ｅ図はこの発明の一実施例である半
導体レーザの製造工程および構造を模式的示す断面図で
ある。第２図は従来のＶＳＩＳレーザの断面構造を模式
的に示す図である。第３図は従来のＢＨレーザの断面構
造を模式的に示す図である。第４Ａ図および第４Ｂ図は
従来のＢＨレーザにおける無効電流通路を示す図である
。 図において、１１はＧａＡｓ半導体基板、１２は電流阻
止層、１３は下側のクラッド層、１４はＧＲＩＮ層（光
ガイド層）、１５は活性領域（量子井戸層）、１６はＧ
ＲＩＮ層（光ガイド層）、１７は上側のクラッド層、１
８はキャップ層、２１は高抵抗層、２２は電流阻止層１
２と異なる導電型を有する半導体層、２３はキャップ層
、３１はｐ側電極、３２はｎ側電極である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第２図 高。Ａ回 ２．４．クラッド１ ６゛ｖ流阻よ漫 ９、第２つ埋込層 第３回 第４８回 ３　°　シ古　＋９二／巳 ８　第１７）理込ｊ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 メサ領域を有する第１導電型の半導体基板と、前記メサ
    領域による段差を補償して前記半導体基板表面を平坦に
    する膜厚で前記半導体基板表面上に形成される第２導電
    型の半導体層と、 少なくとも前記メサ領域全てを含むように前記メサ領域
    表面上に形成される、レーザ光を放出するための発振領
    域と、 前記第２導電型の半導体層上に前記発振領域を埋込むよ
    うに形成される、少なくとも前記第２導電型の半導体層
    上に形成される高抵抗層と前記高抵抗層上に形成される
    第１導電型の半導体層を含む多層構造の埋込層とを備え
    る半導体レーザ。
JP61298174A 1986-12-15 1986-12-15 半導体レ−ザ Pending JPS63150985A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61298174A JPS63150985A (ja) 1986-12-15 1986-12-15 半導体レ−ザ
US07/132,300 US4852111A (en) 1986-12-15 1987-12-15 Semiconductor laser device
EP87311052A EP0272096B1 (en) 1986-12-15 1987-12-15 A semiconductor laser device
DE8787311052T DE3778510D1 (de) 1986-12-15 1987-12-15 Halbleiterlaser.
US07/348,807 US4907239A (en) 1986-12-15 1989-05-08 Semiconductor laser device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61298174A JPS63150985A (ja) 1986-12-15 1986-12-15 半導体レ−ザ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63150985A true JPS63150985A (ja) 1988-06-23

Family

ID=17856164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61298174A Pending JPS63150985A (ja) 1986-12-15 1986-12-15 半導体レ−ザ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US4852111A (ja)
EP (1) EP0272096B1 (ja)
JP (1) JPS63150985A (ja)
DE (1) DE3778510D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120788A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US5654779A (en) * 1994-05-18 1997-08-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having a removable holding member for the light source
JP6987322B1 (ja) * 2021-03-05 2021-12-22 三菱電機株式会社 光半導体装置およびその製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01220492A (ja) * 1988-02-26 1989-09-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JPH0279486A (ja) * 1988-09-14 1990-03-20 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH0327578A (ja) * 1989-06-23 1991-02-05 Eastman Kodatsuku Japan Kk 発光ダイオ―ドアレイ
JP2827326B2 (ja) * 1989-09-27 1998-11-25 住友電気工業株式会社 半導体レーザの製造方法
JP2965668B2 (ja) * 1990-11-13 1999-10-18 株式会社東芝 半導体レーザ素子及びその製造方法
JPH04352374A (ja) * 1991-05-29 1992-12-07 Eastman Kodak Japan Kk 半導体発光装置
JP3108183B2 (ja) * 1992-02-10 2000-11-13 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子とその製造方法
JPH0661570A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 歪多重量子井戸半導体レーザ
JP2758803B2 (ja) * 1992-12-17 1998-05-28 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US6590918B1 (en) * 1999-11-17 2003-07-08 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor laser device and method for producing the same
US6996149B2 (en) * 2002-02-19 2006-02-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and semiconductor laser module
KR20060109112A (ko) * 2005-04-15 2006-10-19 삼성전자주식회사 리지부를 구비하는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JP4853008B2 (ja) * 2005-12-14 2012-01-11 住友電気工業株式会社 半導体光素子を作製する方法
JP5151627B2 (ja) * 2008-04-02 2013-02-27 住友電気工業株式会社 半導体レーザの製造方法
JP5916414B2 (ja) * 2012-02-09 2016-05-11 日本オクラロ株式会社 光半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58166789A (ja) * 1982-03-29 1983-10-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61204993A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Fujitsu Ltd 半導体発光装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1378128A (en) * 1973-06-26 1974-12-18 Alferov Z I Semiconductor laser
JPS5826834B2 (ja) * 1979-09-28 1983-06-06 株式会社日立製作所 半導体レ−ザ−装置
JPS5710992A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd Semiconductor device and manufacture therefor
JPS5726487A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor laser device
US4481631A (en) * 1981-06-12 1984-11-06 At&T Bell Laboratories Loss stabilized buried heterostructure laser
GB2105099B (en) * 1981-07-02 1985-06-12 Standard Telephones Cables Ltd Injection laser
US4416012A (en) * 1981-11-19 1983-11-15 Rca Corporation W-Guide buried heterostructure laser
JPS59104189A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体レ−ザ
US4512022A (en) * 1982-07-13 1985-04-16 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser having graded index waveguide
JPS5948976A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS59127893A (ja) * 1983-01-11 1984-07-23 Nec Corp 半導体レ−ザ
NL8301745A (nl) * 1983-05-17 1984-12-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
JPS6014482A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置
JPS60140777A (ja) * 1983-12-27 1985-07-25 Nec Corp 埋め込み型半導体レ−ザ
JPS61207090A (ja) * 1985-03-12 1986-09-13 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
US4706255A (en) * 1985-05-20 1987-11-10 Xerox Corporation Phased array semiconductor laser with preferred emission in the fundamental supermode
JPS6218082A (ja) * 1985-07-16 1987-01-27 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
CA1279394C (en) * 1985-07-26 1991-01-22 Naoki Chinone Multiple quantum well type semiconductor laser
JPS6267890A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ
JPS6273687A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS62193192A (ja) * 1986-02-19 1987-08-25 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58166789A (ja) * 1982-03-29 1983-10-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61204993A (ja) * 1985-03-08 1986-09-11 Fujitsu Ltd 半導体発光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04120788A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Sharp Corp 半導体レーザ装置
US5654779A (en) * 1994-05-18 1997-08-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having a removable holding member for the light source
JP6987322B1 (ja) * 2021-03-05 2021-12-22 三菱電機株式会社 光半導体装置およびその製造方法
WO2022185508A1 (ja) * 2021-03-05 2022-09-09 三菱電機株式会社 光半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4907239A (en) 1990-03-06
US4852111A (en) 1989-07-25
DE3778510D1 (de) 1992-05-27
EP0272096A2 (en) 1988-06-22
EP0272096B1 (en) 1992-04-22
EP0272096A3 (en) 1989-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4425650A (en) Buried heterostructure laser diode
JPS63150985A (ja) 半導体レ−ザ
US6317444B1 (en) Optical device including carbon-doped contact layers
JPH0118590B2 (ja)
US4932033A (en) Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same
JPH0834330B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPS6220392A (ja) 半導体レ−ザ素子
JPH0529713A (ja) 半導体レーザ素子
JPH0575215A (ja) 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法
JPH1098234A (ja) 半導体レーザ，及びその製造方法
JP2554192B2 (ja) 半導体レーザの製造方法
JPH05226774A (ja) 半導体レーザ素子とその製造方法
JPH04150087A (ja) 可視光半導体レーザ装置
JPH07235725A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JPS61187287A (ja) 半導体発光装置
JPS6252984A (ja) 自己整合電流狭窄型半導体発光素子
JPH1140897A (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JPH0632334B2 (ja) 半導体レ−ザ−
JPS61204993A (ja) 半導体発光装置
JPH05226767A (ja) 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法
JPH05190970A (ja) 半導体レーザの製造方法
JPH0831658B2 (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JPS63244785A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JPH08316584A (ja) 半導体光素子およびその製造方法
JPH088482A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法