JPS63138736A - レジストのパタ−ニング方法 - Google Patents
レジストのパタ−ニング方法Info
- Publication number
- JPS63138736A JPS63138736A JP61286483A JP28648386A JPS63138736A JP S63138736 A JPS63138736 A JP S63138736A JP 61286483 A JP61286483 A JP 61286483A JP 28648386 A JP28648386 A JP 28648386A JP S63138736 A JPS63138736 A JP S63138736A
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- Japan
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- resist layer
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- Pending
Links
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造におけるレジストのパターニ
ング方法に関するものである。
ング方法に関するものである。
ポジ型レジスト層に、露光部と未露光部を作りこれをベ
ークし、さらに全面露光を行うことにより、初めの露光
における未露光部を現像液によって溶解させる、いわゆ
る画像反転によるレジストパターニング方法において、
ポジ型レジスト層上にコントラスト増強層（以下ＣＫＬ
という）を形成し、最初の露光を行うことにより、レジ
ストパターンの断面形状をオーバーハング型から直立型
にしたものである。
ークし、さらに全面露光を行うことにより、初めの露光
における未露光部を現像液によって溶解させる、いわゆ
る画像反転によるレジストパターニング方法において、
ポジ型レジスト層上にコントラスト増強層（以下ＣＫＬ
という）を形成し、最初の露光を行うことにより、レジ
ストパターンの断面形状をオーバーハング型から直立型
にしたものである。
従来の画像反転によるレジストパターニング方法は、第
２図（α）〜（ｄ）に示すごとく、ポジ型レジスト層上
に直接露光を行っていた。
２図（α）〜（ｄ）に示すごとく、ポジ型レジスト層上
に直接露光を行っていた。
しかし、前述の従来技術では、ガラスマスクからの透過
光はコントラストを低下したまま、レジストを感光する
ために、これから画像反転して得られるレジストパター
ンの断面形状は第１図ｃｄ）のようなオーバーハング型
となり易かった。このオーバーハング型のレジストパタ
ーンでは寸法制御が離しく、エツチングに困難を生じさ
せていた。
光はコントラストを低下したまま、レジストを感光する
ために、これから画像反転して得られるレジストパター
ンの断面形状は第１図ｃｄ）のようなオーバーハング型
となり易かった。このオーバーハング型のレジストパタ
ーンでは寸法制御が離しく、エツチングに困難を生じさ
せていた。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的と
するところは、０１！Ｌを介してレジストを感光するこ
とによって、低下したコントラストを増強させ、画像反
転によって得られるレジストパターン形状を直立にする
ことにある。
するところは、０１！Ｌを介してレジストを感光するこ
とによって、低下したコントラストを増強させ、画像反
転によって得られるレジストパターン形状を直立にする
ことにある。
本発明のレジストのパターニング方法は、α）レジスト
層上に０ＥＬＩを形成し、ガラスマスクを介して露光す
る工程と、 ｂ＞Ｏ’ｌ、Ｌを剥離し、ベークを行う工程と、Ｃ）全
面一光を行う工程と、 ｄ）レジスト層を現像する工程と、 かうなることを特徴とする。
層上に０ＥＬＩを形成し、ガラスマスクを介して露光す
る工程と、 ｂ＞Ｏ’ｌ、Ｌを剥離し、ベークを行う工程と、Ｃ）全
面一光を行う工程と、 ｄ）レジスト層を現像する工程と、 かうなることを特徴とする。
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
第１図（α）〜（ｄ）は本発明の実施例を工程順に示す
図である。まず（ａ）の如く加工基板１上に、画像反転
処理用のポジ型レジストＮ２を形成する。実施例では、
ヘキスト製のポジ型しジス）、ＡＺ５２１４を使用し、
１．’ｌｐｍ厚のぎジ型レジスト層２をスピンコード法
により形成した。
図である。まず（ａ）の如く加工基板１上に、画像反転
処理用のポジ型レジストＮ２を形成する。実施例では、
ヘキスト製のポジ型しジス）、ＡＺ５２１４を使用し、
１．’ｌｐｍ厚のぎジ型レジスト層２をスピンコード法
により形成した。
ＡＺ５２１４は４５６ｎｍの露光波長に対し、はとんど
感光性を持たない、非常に感度の低いポジ型レジストで
ある。プレベークは、ホットプレートにより、９０℃で
、５分間行った。このポジ型レジスト層２の上に、０Ｋ
Ｌ５を形成する。実施例としては、ゼネラル、士しクト
リック社製のＣＥＭ−４２０を使用した。ＣＩＣＭ−４
２０は、露光波長λが、４５６ｎｒｎＯ時、最も効果的
にブリーチング特性を示すよう合成された０ＫＬ５であ
る。ＯＥＭ−４２０は、スピンコード法により、約８０
００にの膜厚に形成する。
感光性を持たない、非常に感度の低いポジ型レジストで
ある。プレベークは、ホットプレートにより、９０℃で
、５分間行った。このポジ型レジスト層２の上に、０Ｋ
Ｌ５を形成する。実施例としては、ゼネラル、士しクト
リック社製のＣＥＭ−４２０を使用した。ＣＩＣＭ−４
２０は、露光波長λが、４５６ｎｒｎＯ時、最も効果的
にブリーチング特性を示すよう合成された０ＫＬ５であ
る。ＯＥＭ−４２０は、スピンコード法により、約８０
００にの膜厚に形成する。
この後、ベークは行わず、第一の露光４を行う。
この第一の露光４では、通常のパターニングで、露光部
と来露光部が逆となるようなパターンをマスクとする。
と来露光部が逆となるようなパターンをマスクとする。
実施例では、日本光学工業Ｃ株°）の縮少露光装置ｓ
Ｎ Ｓ Ｒ１５０５−Ｇ Ｓ Ａ （縮少率１１５ｔｉ
ｉ！光波長λ＝４５６３ｍ）で、照度が、４００ｎｓＷ
の時、２．５秒面の露光を行った。この露光時間は、加
工基板１の反射率などによりて異なり、２．５秒間とは
、加工基板１がｐｏ１７５１１の時である。
Ｎ Ｓ Ｒ１５０５−Ｇ Ｓ Ａ （縮少率１１５ｔｉ
ｉ！光波長λ＝４５６３ｍ）で、照度が、４００ｎｓＷ
の時、２．５秒面の露光を行った。この露光時間は、加
工基板１の反射率などによりて異なり、２．５秒間とは
、加工基板１がｐｏ１７５１１の時である。
次いで（Ａ）の如（、ＣＫ１．５を専用液によって剥離
する。０１！！Ｍ−４２０を使った場合、専用液はＣＥ
ｉＭストリッパー人−１５となる。ＯＥＭストリッパー
Ａ−１５は、ウェハな回転させた所へ、加圧によりスプ
レーされる。ａｘＬｓを剥離した後、ベーク７５を行う
、実施例では、ホットプレートにより、１１５℃で１５
０秒間行った。
する。０１！！Ｍ−４２０を使った場合、専用液はＣＥ
ｉＭストリッパー人−１５となる。ＯＥＭストリッパー
Ａ−１５は、ウェハな回転させた所へ、加圧によりスプ
レーされる。ａｘＬｓを剥離した後、ベーク７５を行う
、実施例では、ホットプレートにより、１１５℃で１５
０秒間行った。
次に＜ｃ＞の如く全面一光４を行う。実施例では、キャ
ノン販売（株）のＰＬＡにより、１０秒１１ｊ （１２
５ｍ Ｊ ／ ｃｊ ｓ露光波長λ；４０５ルｍ）行っ
た。
ノン販売（株）のＰＬＡにより、１０秒１１ｊ （１２
５ｍ Ｊ ／ ｃｊ ｓ露光波長λ；４０５ルｍ）行っ
た。
この後、現像を行う、実施例では、ヘキスト社製、ＡＺ
５１２ＭＩＩＦ（１：１）で６０秒間ツバドル現像を行
った。
５１２ＭＩＩＦ（１：１）で６０秒間ツバドル現像を行
った。
従来の方法は、第２図（α）〜（ｄ）に示すように、０
ＩＬ３の形成、並びに剥離工程がないだけで、他は上述
と同じ方法である。ただ第一の露光４の露光時間が、本
発明よりも短かく、１程度度となる。
ＩＬ３の形成、並びに剥離工程がないだけで、他は上述
と同じ方法である。ただ第一の露光４の露光時間が、本
発明よりも短かく、１程度度となる。
上述の如く本発明のレジストのパターニング工程によれ
ば、従来のようなパターン形状のオーバーハング化がな
くなり、寸法制御、並びにエツチングを容易にした。
ば、従来のようなパターン形状のオーバーハング化がな
くなり、寸法制御、並びにエツチングを容易にした。
このパターニング方法は、レジストパターン寸法が１μ
ｍ以下でも可能であり、これは、パターンサイズの微細
化を容易にすることにつながる。
ｍ以下でも可能であり、これは、パターンサイズの微細
化を容易にすることにつながる。
【図面の簡単な説明】
第１図（α）〜（ｄ）は、本発明の笑施ｍｊによるレジ
ストのパターニング方法を示す工程断面図第２図（α）
〜Ｃｄ）は、従来の技術によるレジストのパターニング
方法を示す工１断面図。 １・・・・・・加工基板 ２・・・・・・ポジ型レジスト ３ ・・・・・・ ０ＷＬ ４・・・・・・露光 ５・・・・・・ベーク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第７０ 第２０
ストのパターニング方法を示す工程断面図第２図（α）
〜Ｃｄ）は、従来の技術によるレジストのパターニング
方法を示す工１断面図。 １・・・・・・加工基板 ２・・・・・・ポジ型レジスト ３ ・・・・・・ ０ＷＬ ４・・・・・・露光 ５・・・・・・ベーク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第７０ 第２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）レジスト層上にコントラスト増強層を形成し、ガラ
スマスクを介して露光する工程と、 ｂ）前記コントラスト増強層を剥離し、ベークを行う工
程と、 ｃ）全面露光を行う工程と、 ｄ）レジスト層を現像する工程からなることを特徴とす
るレジストのパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61286483A JPS63138736A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | レジストのパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61286483A JPS63138736A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | レジストのパタ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138736A true JPS63138736A (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=17704980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61286483A Pending JPS63138736A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | レジストのパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63138736A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215038A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JP2002365806A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法 |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61286483A patent/JPS63138736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215038A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JP2002365806A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法 |
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