[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS6235517A - 基体処理装置 - Google Patents

基体処理装置

Info

Publication number
JPS6235517A
JPS6235517A JP60174895A JP17489585A JPS6235517A JP S6235517 A JPS6235517 A JP S6235517A JP 60174895 A JP60174895 A JP 60174895A JP 17489585 A JP17489585 A JP 17489585A JP S6235517 A JPS6235517 A JP S6235517A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
stage
cooling
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60174895A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07105345B2 (ja
Inventor
Nobuyuki Takahashi
信行 高橋
Ryuji Sugimoto
杉本　龍二
Yasuyuki Shirai
泰幸 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP60174895A priority Critical patent/JPH07105345B2/ja
Priority to US06/894,146 priority patent/US4747928A/en
Publication of JPS6235517A publication Critical patent/JPS6235517A/ja
Publication of JPH07105345B2 publication Critical patent/JPH07105345B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はスパッタリングにより同一形状の多数の板状基
体に次々と自動的に薄膜を形成するためのスバ、り装置
の構造に関するものである。更に具体的には本発明はス
パッタ装置の基体の搬送系における簡潔で信頼性が高く
生産性の大きい方式を提供するものである。
本発明の具体的応用分野の一例はシリコンのモノリシッ
クＩＣの製造工程における薄膜作製過程である。そこで
は例えば直径約１２５ｎ厚み約０．５龍程度の大量のシ
リコンウェハの上に厚み１ミクロン程度の金属薄膜や絶
縁物薄膜を形成することが必要とされる。作製すべき薄
膜に必要ときれる電気的・機械的・物理内諾特性は一般
的に真空容器内の不純物ガス分圧が低いほどすぐれたも
のが得られるので、スパッタリングを行うべき真空容器
は可能な限り大気に晒す時間を短かくするのが好ましい
。また大量にシリコンウェハを処理するためにウェハの
装置への挿入・脱離と真空に排気するため時間の全工程
に占める割合を小さくするコトが望ましい。他方大量の
ウェハに均質な薄膜炸裂を能率よく行うためには、作業
者ができる限りクエ・・に直接手を触れずウェハを自動
搬送して自動的に処理することが望ましい。更にウェハ
の上には所定の材質の薄膜のみを均一な厚みで被覆する
ことが必要であり、極めて微細な塵埃が混入したりある
いは膜の付着しないピンホール等が生ずることさえ嫌ら
れれ、そのために仮に塵埃が発生してもウェハ表面に堆
積しないように膜付の最中にはウエノ・を鉛直に保持す
ることが好ましい。
一方膜形成中のウェハの温度は膜特性に大きな影響を与
えることが知られている。そして所望の膜特性を得るた
めにはある場合にはウエノ・を室温よりも大変高い温度
に加熱することが必要とされ、また別の場合にはウェハ
を充分低い温度に保持しながら膜作製をすることが必要
である。従ってウェハの上に材質の異る２層の膜を作製
する場合にはしばしば第１層目の膜形成のための最適ウ
ェハ温度と第２層目の膜形成のための最適温度が異る場
合が生ずる。
本発明は以上のような自動化された膜付スパッタ装置で
あってかつ膜付最中のウェハ温度を少くとも異る２つの
水準に制御できるような装置のウェハ搬送及び膜付処理
最中の温度制御機構を与えるものである。
（従来技術とその問題点） 自動的にウェハを処理するスパッタ装置については従来
各種の方式のものが知られているが、連続して２層の膜
を形成するとき第一層形成のウェハ温度と第二層形成の
ウェハ温度を別々に制御するような考慮は殆んど払われ
ていなかった。それ故第一層目形成中の最適ウェハ温度
と第２層目形成中の最適ウェハ温度の差が非常に大きい
場合には温度制御は非常にむつかしかった。勿論充分長
い時間をかければウェハをそれぞれの最適温度に設定す
ることはできるが、その場合には当然生産性が極めて低
くなる。
例えば第１層目の膜形成最適ウェハ温度が室温に較べて
非常に高く、第２層目の膜形成最適ウェハ温度が室温に
近い場合には、従来の装置では一度加熱されたウェハが
充分冷却するまで待機することが必要であり連続した比
較的短かい時間の内に第１層と第２層を形成してしまう
ということはできなかった。
（発明の目的） 本発明は上述のような問題を解決し、比較的短時間のう
ちに同一のウェハに対して異る温度で膜作成を行うこと
がでさるようなウェハの搬送系とホルダー及び温度制御
機構を与えるものである。
一般にウェハの加熱は容易であるが加熱されたウェハを
冷却する方が困難な技術である。それ数本発明は特に第
１段階で高温のウェハに膜形成した後に第２段階でウェ
ハを冷却して膜形成するような場合に効果のある生産性
の高いウェハ冷却機構を与えるものである。
（実施例） 次に図面により本発明の具体的実施例を説明する。
第１図は本発明の特徴とするウェハホルダーと公転機構
を含むスパッタ装置の構成例を示す。図において装置は
４個の連結しているが相互にパルプを介在して独立して
排気することのできる真空室即ちロードロック室１０．
バッファ室２０．エツチング処理室３０．及びスパッタ
室４０で構成されそれぞれの真空室は図示されていない
真空ポンプにより排気することができる。
ロードロック室内のカセット１１に水平に挿入された複
数の未処理ウェハＡは１枚づつ順次矢印１０１の方向に
ベルト機構により搬送されバッファ室内の第１カセツト
２１の中の位置Ｂに一度収容される。更に矢印１０２に
従いスパッタエツチング室のエツチングステージＣに送
られその上でエツチングの前処理を負い、次いで矢印１
０３に従いスパッタ室に送り込まれ後に述べる基体着脱
ステージにおける＠檎によりウェハホルダーに保持せし
められ位置りで鉛直姿勢をとった後矢印１０４に従い加
熱ステージＥに送られ加熱ランプ４２よｔ）熱線照射を
受けて加熱処理せしめられる。
次いで矢印１０５に従い第１の膜付処理ステージＦに送
られ第１カンード４３に対向しながら膜付処理せしめら
れる。ステージＦにおいてつ上ハは第１の最適温度を保
っているが、これは室温よりも商い。次いでウェハはス
テージＧに送られ、図示されていない冷却機構により第
２の最適温度まで冷却されなから第２のカソード、４４
に対向した状態で膜付処理される。更に矢印１０７に従
い再ひ基体看呪ステージを肚て鉛直状態から水平に戻さ
れた膜付処理所与ウェハはスパッタエツチング室３０内
の後処理ステージＨに送られる。そして矢印１０８に従
いバッファ室２０内の第２カセツト２２の中の位置、■
に一度収容される。最後に処理済みウェハは最初のカセ
７）１１に戻される。
ロードロックｘｉ　Ｏ、ハ７ファｉ２０．及びスパッタ
エツチング室３０におけるウェハの水平搬送の方法につ
いては本発明に先行する形式のスパッタ装置として特願
昭５７−４１３６９．特願昭５７−６３６７８及び特願
昭５９−１０４４２９　　（真空処理装置におけるスパ
ッタエツチング機構）に詳細に述べられており、本発明
の主旨には直接関与しないので説明を省略する。
第２図は第１図のスパッタ室４０内部におけるウェハの
搬送系と第２の膜付ステージＧにおけるウェハを冷却す
る基体冷却機構２００の相対的位置関係を示す。後に詳
細に示すようにウェハは公転機構を約９０°ステツプで
回転することによりステージＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇの順序に移
動し再びステージＤに戻る。基体冷却機構は矢印１１１
，１１２に示すような方向の往復運動を行うことにより
ウェハがステージＧで静止しているときウェハ裏面ｌこ
接触してウェハを冷却し、またウェハが回転移動すると
きにはウェハ裏面から離れて遠ざかることができる。
第３図は第２図の中でウェハホルダを含むウェハの搬送
機構とウェハ冷却機構とを更に詳細に示す。図において
２組のベルト搬送系６０．６１を図示されていないスパ
ッタエツチング室に設けられたベルト搬送系と共に駆動
することにより矢印１０３の方向に示すように水平状態
のウェハをスパッタエツチング室からスパッタ室へ移送
することができかつ矢印１０７の方向に示すように水平
状態のウェハをスパッタ室からスパッタエツチング室へ
移送することができる。またウェハホルダー５０は後に
詳細に述べるような機構と動作により基板着脱ステージ
４５にほぼ水平姿勢を保って２点鎖線りでその外周を示
すようにウェハを載せることができる。ウェハホルダー
５０の水平姿勢はその両側に設けられた一対のイヤリン
グ５４ａ及び５４ｂをそれぞれ一対の押しつけアーム９
０ａ及び９０ｂにより押えつけることにより維持されて
いる。基体着脱ステージ４５の付近にはウェハホルダー
５０が水平姿勢をとるときこれを両側からはさむような
位置に１対のアーム機構８０ａ。
８０ｂが設けられておりそれぞれ軸８４ａ、８４ｂのま
わりに水平に回転駆動することができる。ウェハホルダ
５０は公転機構７０に取付けられている。ウェハホルダ
ー５０．公転機構７０．アーム機構８０ａ及び８０ｂ、
押しつけアーム９０ａ及び９０ｂ、及びベルト搬送系６
０．６１はいずれもこれらがある定められた運動をする
ことにより基体着脱ステージに於てウェハホルダー上に
水平な状態でウェハを受は取り、次いで鉛直に保持し、
更に処理ステージに移送し処理を行った後、再び基体着
脱ステージにウェハを戻し水平な状態でベルト搬送系に
送り出すことができる。その具体的機構と駆動方式が本
発明の特徴とするところであるが、後に更に詳細に述べ
る。また基体冷却機構２００の構造と運動も本発明の特
徴とするところであるが、別に詳細に述べる。
辺狂＝ジ 第４図は第３図の矢視１−１における垂直断面図を示す
。公転機構７０は図示されていない１駆動源により公転
駆動軸７１のまわりに矢印１０４に伎 示す如く回転することとあらかじめ定められた元首で静
止せしめることができる。公転ベースプレート７３にウ
ェハホルダー５０が取付けられている。押しつけアーム
９０ａの運動によりウェハホルダー５０はほぼ水平に倒
れることができまた２点鎖勝５０’で示す如くほぼ鉛直
に自立することもできる。このように基体着脱ステージ
においてウニ・・ホルダは水平姿勢と鉛直姿勢を矢印９
３．９４に示す如く交互に繰返してとることができる。
なおウェハホルダが基体着脱ステージ４５に於て水平姿
勢をとったときに、ウェハホルダーの中央の空間にはベ
ルトｉ送系６１が位置する。２組のベルト搬送系６０．
６１はプリー６０１ａ、６０２ａ及び６１１ａ、６１２
ａを図示していない機構１こより回参照）の示す方向に
移送することができる。
基体着脱ステージにおけるアーム機構８０ａ及びｓｏｂ
の動作と機能については第３図と第４図の双方を用いて
説明する。アーみ機構８０ａは回転駆動軸８４ａによっ
て水平に回転し定められた位置で静止するストッパアー
ム８Ｌａと、８　］、、　ａとは別の位置で静止するこ
とのできる押し出しアー°ム８２ａより構成されている
。これらのストッパーアームと押し出しアームが第３図
の平面図でみたときに同じ位置でも異る位置でも静止で
きるメカニズムについては本発明の要旨からはずれるの
で説明を省略する。アーム機構８０ｂはベルト搬送系を
はさんでアーム機構８０ａとほぼ対称の位置に設けられ
ており、やはり回転駆動１１！８４ｂをもつストッパー
アーム８１ｂと押し出しアーム８２ｂより構成されてい
る。これら１対のアーム機構は第２図の実線で示すよう
に通常はウエノ・ホルダーから離れて開いた状態になっ
ているが、ウェハホルダーを水平姿勢にしてウェハを受
けとるときと送り出すときに次に述べるような動作をす
る。ウェハを受けとるときにはストッパーアームは２点
鎖１８３ａ及び８３ｂで示すようにベルト搬送系６１の
方向へ近寄る。このときベルト搬送系に近い側の外周線
はウェハＤの外周線と接してベルト搬送系によって矢印
１０３の方向へ送られてきたウェハはベルトが回転して
もそれ以上進まずウェハホルダーの適切な位置に停止す
るので一定時間後にベルトブリーの駆動を停止すること
ができる。もしストッパーアームが存在しないとすれば
ウェハＤをウェハホルダー５０に対して適切な位置に８
現性よく短時間で配置するのは極めて困難になる。一方
押し出しアーム８２ａはウェハホルダーに保持して膜付
処理したウェハＤをウェハホルダー５０からベルト搬送
系６１及び６０によって矢印１０７の方向へ送り出すと
きに使用する。押し出しアーム８２ａ及び８２ｂを駆動
してウェハ５０を水平に押すときにこれら１対のアーム
とウェハの接する点は前述のストッパアーム８３ａ及び
８３ｂが接する面よりもずっとベルト搬送系６１に近く
なる。押し出しアーム８２ａ。
８２ｂは仮になくてもウェハはウェハホルダより離れて
ベルト搬送系６１の駆動で移送できるのでス）７バアー
ムはど必要不可欠な構成要素ではないが、例えばスパッ
タ膜が付着することによりウェハＤとウェハホルダ５０
が付着したような場合にベルト搬送系のベルトとウェハ
裏面の摩擦力だけではウェハの送り出しが回顧なことが
生ずるので確実にウェハを送り出すための機能として実
用上重要な役割を果す。以上の説明かられかることであ
るが一対のアーム機構はウェハホルダーがウェハを受は
取る際にも、ウェハを送り出す際にもベルト搬送系６１
をはさんでほぼ対称な運動を行う。
第５図、第６図、第７図は第３図のウェハホルダー５０
の構造を更に詳細に構成部分で示す。
第５図はウェハを保持するホルダ表板５１を示す。中心
部分にウェハの大きさよりいくらか小さめの円形の穴５
１０が設けられたほぼ円環状板からなり、中心の穴に沿
って土手５１１が設けられている。土手の頂部にウェハ
の裏面を接するようにウェハを保持することができる。
土手の両側にはウェハチャッキングバネ５１３ａ及び５
１３ｂがそれぞれ孔５１５ａ、５１５ｂを介して取付け
られている。土手５１１には２個の切れ目５１２ａ１５
１２ｂが設けられており前に述べた第２図における。押
し出しアーム８２ａ及び８２ｂかウェハを押し出すとき
に土手にぶつからずにベルト搬送系の近くまで充分長い
距離を動くことができる構造をとっている。一対のネジ
５１４ａ、５１４ｂはホルダ表板５１を後述するホルダ
裏板に取付けるために使用する。
第６図は第５図の矢視■−■における断面図を示す。一
対のウェハチャッキングバネ５１３ａ。
５１３ｂはホルダ表板を水平上向きにしてほぼ水平の台
５の上で上から押しつけるときにバネが縮められウェハ
Ｄとチャッキングバネの先端の間隔が広まる。このとき
ウェハは土手の上を容易にすべらせて移動することがで
きる。他方自然の状態ではバネが伸ひているので一対の
チャッキングバネはぞの先端と土手５１１の頂上との間
にウェハＤをはさむ。もしバネの力を適切に選らぷなら
ばウェハホルダーを鉛直にしてもチャッキングバネはウ
ェハを充分強くウェハホルダーに固定保持することがで
きる。以上の説明で第３図及び第４図においてウェハホ
ルダーを水平姿勢にしてウェハを受は取りあるいは送゛
り出しが可能であり、かつウェハホルダを鉛直姿勢にし
てウェハをウェハホルダーに固定保持することが可能で
あることが理解できるであろう。
次に第７図によりウェハホルダーの水平姿勢と鉛直姿勢
のいずれかを選択するための機構について説明する。図
においてウェハホルダーはホルダ表板を取り除いた状態
で公転ペースプレート７３に取付けられている。ホルダ
ー裏板５２はその両側に一対の柱板５３ａ及び５３ｂに
はさまれ固定されている。柱板５３ａ　、５３ｂとホル
ダー裏板５２は溶接され相対的位置関係は変らない。柱
板５３ａ、５３１）の片側の端近くには回転できるイヤ
リング５４ａ　、５４ｂがそれぞれ取付けられている。
柱板５３ａ、５３ｂの反対側の端はホルダー固定具５６
と結合されている。ホルダー固定具５６はネジにより公
転ペースプレート７３に固定されている。柱板５３ａ、
５３ｂとホルダー固定具５６の間の回転軸５６１ａ　、
５６１ｂのまわりにはねじりコイルバネ５６３ａ、５６
３ｂを配置する。
ねじりコイルバネの一端は柱板に設けた穴５３１ａ（図
示せず）、５３１ｂで固定され他端は公転ペースプレー
ト７３を押しつける。適切なバネ定数を選らぶことによ
り、イヤリング５４ａ、５４ｂに第３図における押しつ
けアーム９０ａ、９０ｂによりそれぞれ矢印９３　ａ　
、　９３Ｆ）の方向の力を与えたときにはウェハホルダ
ーをほぼ水平姿勢をとるように倒すことができ、かつま
た矢印９３ａ、９３ｂの力を除くならばウェハホルダー
を公転ペースプレート７３の上に自立せしめることがで
きる。
−第７図のホルダー表板５２に設けられたネジ穴に第５
図のホルダー表板５１をネジ５１４ａ。
５１４ｂによって取付けると第３図のウェハホルダー５
０が得られる。
ここまで述べてきたところにより第３図及び第４図にお
いて基体着脱ステージにおけるウェハのベルト搬送系か
らウェハホルダへの移送、ウェハホルダーからベルト搬
送系への移送、ウェハホルダーのほぼ水平な姿勢と鉛直
な姿勢を交互に繰返してとる機能について理解できるで
あろう。
次に第２図、第３図及び第４図により鉛直状態のウェハ
ホルダが公転機構７０により回転運動で搬送される様子
を説明する。ウェハホルダ５０を鉛直状態にして公転駆
動軸７１を矢印１０４の方向に約９０°回転すると回転
アーム７２によって公転駆動軸と結合している公転ペー
スプレート７３も回転し、ウェハホルダー５１は加熱処
理ステージ４６に移動し停止する。第２図に示す如くこ
こに於てウェハＥはランプヒーター４２より熱縁照射を
行い膜付前のウェハ温度をあらかじめ予定した値にまで
上昇せしめる。次いで貴び公転駆動軸７１を約９０°回
転せしめウェハホルダー５１を第１膜付ステージ４７に
移動せしめる。第２図に示す如くここに於てウェハＦは
第１カンード４３に対向して膜付処理が行われる。次に
更に公転駆動軸７１を約９０°回転してウェハホルダ５
１゛を第２膜付ステージ４８まで移動し停止する。ここ
に於て第２図に示す如くウェハＧは第２カソード４４に
対向して膜付処理が行われる。最後に公転駆動＠７１を
約９０°回転し、ウェハホルダー５１°を基体着脱ステ
ージ４５に戻す。ここに於てウェハホルダーは既に述べ
たように鉛直姿勢から水平姿勢に倒され膜付処理された
ウェハはベルト搬送系を経てスパッタエツチングルーム
へ移送され、新らたに未処理ウェハがスパッタエツチン
グ室から移送されウェハホルダーに挿着される。このよ
うにして公転機構７０を約９００ステツプで断続的に１
回転駆動するとスパッタ室において１枚のウェハへの膜
付処理が行われる。このような動作の繰返しにより多数
のウェハが１枚づつ膜付処理されていく。
第８図は第２図における基体冷却機構２００の水平断面
、第９図はその垂直断面図を示す。図においてウェハホ
ルダ５１はウェハＧをその表側に保持した状態で公転ホ
ルダー上にほぼ垂直に自立静止している。基体冷却機構
２００はエアシリンダー２１０．エアシリンダーにより
駆動されるシャツ）２１１　、シャフトの先端に設けら
れた連結体２２０．ウェハＧの裏面に接してこれを冷却
することができる冷却ブロック２３０．及び伸縮自在の
ベロー包囲体２４０から成っている。エアシリンダーは
固定フランジ２５１を介して支柱２５０とネジ２５１に
よりスパッタ室の底板４１１に固定され、その中に設け
られたシャフト２１１を矢印１１１あるいは１１２の方
向に１巌的に往復運動せしめることができる。図におい
てはパイプ２１２を通して圧縮空気を空間２１３に導き
シャフトを矢印１１２の方向に移動し終えて端で静止し
た状態が示されており、この場合ウェハホルダ５１に対
して基体冷却機構２００は離遠しているので先に述べた
ようにウェハホルダを回転移動することができる。一方
バイブ２１４を通して圧稲空気を空間２１５に導くとシ
ャフト２１１は矢印１１１の方向に移動し冷却機構はウ
ェハの離面に次第に接近し最終的（こはその先端に設け
られた冷却ブロックが一点鎖線２３０で示されるように
ウェハ裏面に接触して静止する。このときウェハＧは冷
却されており、ウェハホルダ５１を回転移動することは
できない。
シャフト２１１の先端に設けられた連結体２２０を介し
て冷却ブロック２３０がシャフトと運動する。本発明の
必須条件ではないが冷却ブロックとシャフトの運動をス
ムーズに行いしかも冷却ブロックをウェハ裏面に密着せ
しめ効率よく冷却を行うためには連結体２２０は球面ベ
アリングのようにシャフトの軸に対する冷却ブロックの
接触面の角度に自由度を与える物で構成することが望ま
しい０ 冷却ブロック２３０には接触板２３１が設けられウェハ
Ｇの裏面に密着接触することができる。
接融板２３１はヒートシンク２３３に図示されていない
ネジにより固定されウェハＧの熱を移動せしめる役を果
す。ヒートシンク２３３の内部には冷媒がコイル状の一
対のパイプ２３４を介してその内部空間２３５に導かれ
再びパイプ２３４を介して流れ出ることによりヒートシ
ンクを冷却する。
固定フランジ２５１とヒートシンク２３３の間にはベロ
ー包囲体２４０が設けられ一対のコイル状冷媒用パイプ
２３４を囲んで真空的に密封する。
コイル状パイプ２３４はシャフト２１１と冷却ブロック
２３０の矢印１１１，１１２の方向の往復運動に応じて
伸縮しながら変形してしかも冷媒の供給を行うことがで
きる。ベロー包囲体は一対のフランジ２４２１．２４２
２　　とベロー胴管２４２から成り冷媒パイプとガス供
給パイプがスパッタ室の真空に悪影響を与える危険性を
避けるために真空的にこの空間をスパッタ室内の空間か
ら隔絶している。本発明に必須ではないが実用上重要な
ことであるが、このベロー包囲体の内側の空間はスパッ
タ室を排気するのとは別のポンプで排気することにより
ベロー包囲空間の内側と外側の圧力差を殆んどなくして
ペローへの負荷を少くしてペローの往復運動をスムーズ
に行うことができ、同時にまたペローの寿命を長くして
装置の信頼性を向上することができる。
第８図において冷媒用の一対のコイル状パイプ２３４に
冷媒を供給するパイプ２３４１　は固定フランジに取り
つけられているがこれは冷却ブロックの往復運動に関係
なく常時固定静止しており従って強固な形状にすること
ができるので伸縮するバイブのようにスパッタ室４０の
内部の真空に悪影響を及ぼす危険性はない。本発明に必
須ではないが固定フランジ２５１とヒートシンク２３３
の間をスプリング２６０で連結することは、冷却ブロッ
ク２３０の姿勢をゆるい範囲内で一定に維持し７ヤフト
２１１と運動する往復運動を平滑にす　。
る効果がある。
第１０図は第９図において矢視■−■からみたときの基
体冷却機構を示す。
第１１図は本発明によるスパッタ室４０内のウェハの搬
送機構の拡張された第二の実施例である。
第一の実施例に於ては１個の公転機構７０に１個のウェ
ハホルダー５０が取付けられていたが、第二の実施例に
於ては公転機構７０に４個のウエノ・ホルダー５ＯＡ、
５０Ｂ、５０Ｃ，５０Ｄが取付けられている。基体着脱
ステージ４５に配置されウェハＤを載せたウェハホルダ
ー５ＯＡは第３図の第一の実施例と全く同一構造かつ同
一機能を果す。
加熱処理ステージ４６に配置され公転ベースブンート７
３の上に既に述べてきたねじれコイルバネの働きにより
ほぼ鉛直に起立していたウェハホルダ５０Ｂはその表面
に保持したウェハＥをこの場所で加熱昇温することがで
きる。第１膜付ステージ４７に配置され公転ベースプレ
ート７３の上にほぼ鉛直に起立したウェハホルダ５０Ｃ
はその表面に保持したウェハＦをこの場所で第１カソー
ドに対向せしめ膜付処理することができる。第２膜付ス
テージ４８に配置され公転ベースプレート７３の上にほ
ぼ鉛直に起立したウェハホルダー５０Ｄはその表面に保
持したウェハＧをこの場所で第２カソードに対向せしめ
冷却機構２００をウェハ裏面に矢印１１１に示すように
接近して密着せしめウェハを冷却しながら膜付処理をす
ることができる。その後矢印１１２に示すように冷却機
構をウェハから離遠せしめることができる。基体着脱ス
テージ４５におけるウェハのベルト搬送系とウェハホル
ダー５ＯＡの間の相互移送と、残りの３箇所のステージ
４６，４７．４８における各ウェハの処理は同時に行う
ことができる。またすべてのウェハホルダをほぼ鉛直状
態にして公転駆。
動軸７１を約９０°回転することにより、４個の回転７
−１７２ａ、７２ｂ、７２Ｃ，７２ｄにより公転駆動軸
と結合している公転ベースプレート７３が回転し、これ
に従いウェハホルダ５０Ａは矢印１０４の方向に移動し
加熱ステージ４６に静止する。また同時にウェハホルダ
５０に３，５０Ｃ，５０Ｄは矢印１０５，１０６，１０
７にそれぞれ沿って移動し、第１膜付ステージ４７．第
２膜付ステージ４８、及び基体着脱ステージ４５にそれ
ぞれ静止する。以上述べたように第二の実施例ではスパ
ッタ室内に最大４個のウェハを収容してそれぞれ独立し
て処理または搬送を行うことにより、第一の実施例にく
らべれば同じ時間で約４倍の数量のウェハの膜付処理が
可能である。
（発明の効果） 以上説明したように本発明はウェハの水平搬送と鉛直膜
付処理と組合わせた信頼性が高く生産性の大きい膜付最
中の温度制御の機構を与えるものである。なお以上の実
施例においてスパッタリングの膜付処理に本発明を適応
する場合について述べたが、本発明はほかに真空中で薄
膜処理を行うために例えばドライエツチング装置、プラ
ズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置に適応することもできる
。
またこれらの薄膜処理技術を組合わせた複合装置につい
ても適応することカニできる。なお、具体的実施例にお
いてはシリコンウェハを基体として処理する場合につい
て説明したが、基体の形状・材質・寸法等に関して本発
明は特別な限定をするものではない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の特徴とするウェハホルダー。 公転機構、及び基体冷却機構を含むスパッタ装置の構成
を示す図。第２図は第１図のスパッタ室内を示す図。第
３図はスパッタ室内のウェハ搬送系と基体冷却機構の平
面図。第４図は第３図矢視夏−１より見た断面図。第５
図、第６図、第７図はウェハホルダーを構成する部分の
図゛で、第５図はウェハ表板を示す鳥轍図、第６図は第
５図の矢視■−Ｈにおける断面図、第７図はウェハホル
ダの水平姿勢と鉛亘姿勢のいずれかを選択する機構を示
す図。第８図はウェハホルダと基体冷却機構の水平断面
図、第９図はウェハホルダーと基体冷却機構の鉛直断面
図。第１０図は第９図の矢視■−■からみた図。第１１
図は本発明の第二の実施例による４個のウェハホルダと
冷却機構の組合せによるスパッタ室内部を示す図。 １０・・・ロードロック室、　２０−ｚ＜ノファ室。 ３０、スパッタエツチング室、４０・・・スパッタ室。 Ａ　、　Ｂ　、　Ｃ、Ｄ　、　Ｅ　、　Ｆ　、　Ｇ　、
、　Ｈ、Ｊ・・・ウェハ。 ４２・・・加熱ランプ、４３．４４・・・カソード、　
　・４５・・基体着脱ステージ、４６・・・加熱ステー
ジ。 ４７・・・第１膜付ステージ、４８・・第２膜付ステー
ジ。 ５０．５０．５ＯＡ、５０Ｂ、５０Ｃ，５０Ｄ・・・ウ
ェハホルダ。 ６０．６］　・・ベルト搬送系、７０・・・公転機構。 ７３・・・公転ペースグレート、８０ａ、８０ｂ・・・
アーム機構、９０ａ、９０１）・・・押しつけアーム。 ５１１・・・土手、５１３ａ、５１３ｂ・・・チャキン
グバネ。 ５１・・・ホルダ表板、５３ａ、５３ｂ・・・板柱。 ５４ａ、５４ｂ・・・イヤリング、５６・・・ホルダ固
定具。 ５６３ａ、５６３ｂ・・・ねじれコイルバネ。 ２００・・・基体冷却機構、２１０・・・エアシリンダ
。 ２２０・・・連結体、２３０・・・冷却ブロック。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）真空中において一枚づつ基体表面に薄膜処理を行
    うための基体処理装置は、基体を鉛直に保持した状態で
    基体処理を施すための基体ホルダーと、該基体ホルダー
    に保持された基体の裏面に接近し基体を冷却しまた基体
    より離遠する運動を繰返すことができる基体冷却機構と
    を含む基体処理装置。
  2. （２）該基体冷却機構の該運動が直線的往復運動である
    特許請求の範囲第１項記載の基体処理装置。
  3. （３）該直線運動を行う該基体冷却機構は、基体裏面に
    接近して停止しまた離遠して停止する真空中においてエ
    アシリンダーにより駆動されるシャフトと、該シャフト
    の先端に連結体を介して取付けられた冷却ブロックと、
    該冷却板に冷媒を供給する伸縮可能なように該シャフト
    を囲んでコイル状に巻いた冷媒パイプとを含んで構成さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲２項記載の基体処
    理装置。
  4. （４）該基体処理装置は、該基体冷却機構の冷却ブロッ
    クに冷媒を供給する伸縮可能な冷媒パイプをそなえ、か
    つ、冷却ブロックを駆動するシャフトの一部は該冷却ブ
    ロックと該シャフトを駆動するエアシリンダーとの間に
    設けられた伸縮可能なベローズ胴管に包囲されて基体処
    理室内部の雰囲気と真空的に隔絶され、該ベローズ胴管
    に包囲された空間は基体処理室を排気するのとは別の真
    空ポンプにより排気されることを特徴とする特許請求の
    範囲第３項記載の基体処理装置。
JP60174895A 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置 Expired - Lifetime JPH07105345B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60174895A JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置
US06/894,146 US4747928A (en) 1985-08-08 1986-08-07 Substrate processing apparatus including wafer transporting and substrate cooling mechanisms

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60174895A JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6235517A true JPS6235517A (ja) 1987-02-16
JPH07105345B2 JPH07105345B2 (ja) 1995-11-13

Family

ID=15986560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60174895A Expired - Lifetime JPH07105345B2 (ja) 1985-08-08 1985-08-08 基体処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4747928A (ja)
JP (1) JPH07105345B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63137932U (ja) * 1987-03-02 1988-09-12
JPH01164028A (ja) * 1987-12-21 1989-06-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> オーム性電極の形成方法および装置
JPH03165034A (ja) * 1989-11-22 1991-07-17 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH05332007A (ja) * 1992-06-03 1993-12-14 Daiken Trade & Ind Co Ltd 無機質床材
JPH0723545U (ja) * 1994-09-26 1995-05-02 イビデン株式会社 建築用化粧板
JP2002530883A (ja) * 1998-11-20 2002-09-17 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
WO2014119580A1 (ja) * 2013-02-04 2014-08-07 株式会社 アルバック 薄型基板処理装置
JP2014148736A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Ulvac Japan Ltd 薄型基板処理装置
JP2014148735A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Ulvac Japan Ltd 薄型基板処理装置
CN112725747A (zh) * 2019-10-29 2021-04-30 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射机台
CN112779510A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射镀膜设备

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3856483T2 (de) * 1987-03-18 2002-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten
US4861563A (en) * 1987-05-14 1989-08-29 Spectrum Cvd, Inc. Vacuum load lock
US4956043A (en) * 1987-05-25 1990-09-11 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus
US4851101A (en) * 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
ES2163388T3 (es) * 1988-05-24 2002-02-01 Unaxis Balzers Ag Instalacion de vacio.
US5019233A (en) * 1988-10-31 1991-05-28 Eaton Corporation Sputtering system
US4944860A (en) * 1988-11-04 1990-07-31 Eaton Corporation Platen assembly for a vacuum processing system
JPH083146B2 (ja) * 1989-10-16 1996-01-17 富士通株式会社 薄膜形成方法
JPH0818902B2 (ja) * 1989-11-02 1996-02-28 シャープ株式会社 気相成長装置
US5121052A (en) * 1991-01-18 1992-06-09 Motorola Inc. Automated handler for semiconductor devices
US5154730A (en) * 1991-05-17 1992-10-13 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US5295777A (en) * 1992-12-23 1994-03-22 Materials Research Corporation Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5791895A (en) * 1994-02-17 1998-08-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus for thermal treatment of thin film wafer
US5664337A (en) * 1996-03-26 1997-09-09 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing systems
US5709785A (en) * 1995-06-08 1998-01-20 First Light Technology Inc. Metallizing machine
DE69521911T2 (de) * 1995-11-03 2001-11-15 Seagate Technology Llc, Scotts Valley Unter zyklisch veränderten temperaturen kathodenzerstäubte strukturierungsschichten aus materialien mit hohem schmelzpunkt
US5928750A (en) * 1995-11-03 1999-07-27 Seagate Technology, Inc. Sputtered thermally cycled texture layers formed of high melting point materials
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US5975740A (en) 1996-05-28 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Apparatus, method and medium for enhancing the throughput of a wafer processing facility using a multi-slot cool down chamber and a priority transfer scheme
US6026896A (en) * 1997-04-10 2000-02-22 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor processing facilities
US6267642B1 (en) * 1998-02-14 2001-07-31 Lam Research Corporation Sensing the presence of a wafer
US6217272B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
US6530733B2 (en) 2000-07-27 2003-03-11 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6821912B2 (en) 2000-07-27 2004-11-23 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
US6682288B2 (en) 2000-07-27 2004-01-27 Nexx Systems Packaging, Llc Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
ITMI20031021A1 (it) * 2003-05-21 2004-11-22 Whirlpool Co Frigorifero con evaporatore a dimensioni variabili.
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP2005320590A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 National Institute For Materials Science コンビナトリアル成膜方法とその装置
JP4653418B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
KR100899355B1 (ko) * 2007-11-15 2009-05-27 한국과학기술연구원 플라스마 증착 장치 및 방법
JP5665679B2 (ja) * 2011-07-14 2015-02-04 住友重機械工業株式会社 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法
WO2016206728A1 (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Applied Materials, Inc. Processing chamber having a cooling device and a method for cooling a substrate in a processing chamber
EP4018473B1 (en) * 2019-08-19 2024-07-03 Oem Group, LLC Systems and methods for a lift and rotate wafer handling process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58177463A (ja) * 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
JPS6037717A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPS6039162A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Anelva Corp 薄膜処理真空装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013539A (en) * 1973-01-12 1977-03-22 Coulter Information Systems, Inc. Thin film deposition apparatus
US4282924A (en) * 1979-03-16 1981-08-11 Varian Associates, Inc. Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface
US4756815A (en) * 1979-12-21 1988-07-12 Varian Associates, Inc. Wafer coating system
US4361749A (en) * 1980-02-04 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Uniformly cooled plasma etching electrode
US4405435A (en) * 1980-08-27 1983-09-20 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing continuous treatment in vacuum
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
US4384938A (en) * 1982-05-03 1983-05-24 International Business Machines Corporation Reactive ion etching chamber
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
US4439261A (en) * 1983-08-26 1984-03-27 International Business Machines Corporation Composite pallet
US4548699A (en) * 1984-05-17 1985-10-22 Varian Associates, Inc. Transfer plate rotation system
JPS61106768A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Anelva Corp 基体処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58177463A (ja) * 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
JPS6037717A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPS6039162A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Anelva Corp 薄膜処理真空装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63137932U (ja) * 1987-03-02 1988-09-12
JPH01164028A (ja) * 1987-12-21 1989-06-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> オーム性電極の形成方法および装置
JPH03165034A (ja) * 1989-11-22 1991-07-17 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPH05332007A (ja) * 1992-06-03 1993-12-14 Daiken Trade & Ind Co Ltd 無機質床材
JPH0723545U (ja) * 1994-09-26 1995-05-02 イビデン株式会社 建築用化粧板
JP2002530883A (ja) * 1998-11-20 2002-09-17 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
WO2014119580A1 (ja) * 2013-02-04 2014-08-07 株式会社 アルバック 薄型基板処理装置
JP2014148736A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Ulvac Japan Ltd 薄型基板処理装置
JP2014148735A (ja) * 2013-02-04 2014-08-21 Ulvac Japan Ltd 薄型基板処理装置
US10370757B2 (en) 2013-02-04 2019-08-06 Ulvac, Inc. Thin substrate processing device
CN112725747A (zh) * 2019-10-29 2021-04-30 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射机台
CN112725747B (zh) * 2019-10-29 2022-10-18 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射机台
CN112779510A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射镀膜设备
CN112779510B (zh) * 2019-11-11 2022-11-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种磁控溅射镀膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07105345B2 (ja) 1995-11-13
US4747928A (en) 1988-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6235517A (ja) 基体処理装置
JPH0224907B2 (ja)
JP3466607B2 (ja) スパッタリング装置
US4795299A (en) Dial deposition and processing apparatus
JPS6130030B2 (ja)
US6203619B1 (en) Multiple station apparatus for liquid source fabrication of thin films
US4932358A (en) Perimeter wafer seal
JPH06124899A (ja) 半導体製造装置
TWI258516B (en) Thin-film deposition system
US20210225803A1 (en) Covalently bonded semiconductor interfaces
WO2010008929A1 (en) Work-piece transfer systems and methods
TWI797253B (zh) 用於處理各種尺寸基板的設備
JP2022507753A (ja) ワークピースを処理するためのシステムおよび方法
JP2000511357A (ja) 基板のプラズマジェット処理装置
CN111696882A (zh) 腔室及半导体加工设备
JP2000188315A (ja) 被成膜基板の支持機構および支持方法
TW201344830A (zh) 基板轉移機械裝置、基板處理裝置及其控制方法
US20070074663A1 (en) Batch wafer handling system
JP7188973B2 (ja) 成膜装置、製造システム、有機ｅｌパネルの製造システム、成膜方法、及び有機ｅｌ素子の製造方法
JPH0510356Y2 (ja)
JPH0653304A (ja) 減圧処理装置
JPS6289881A (ja) スパツタ装置
JPS6242410A (ja) 基体処理装置
TWI684659B (zh) 成膜裝置
KR100305422B1 (ko) 감압 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term