JPS62299092A - Light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔概要〕
ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等の化合物
半導体を使用する発光ダイオードの耐サージ特性を向上
する改良である。[Detailed Description of the Invention] 3. Detailed Description of the Invention [Summary] This is an improvement to improve the anti-surge characteristics of a light emitting diode using a compound semiconductor such as gallium arsenide or indium gallium arsenide phosphide.
シリコンダイオード、ゲルマニウムダイオード等の電流
・電圧特性は発光ダイオードの電流・電圧特性とお＼む
ね同一の傾向にあるが、同一電圧値に対する順方向電流
を発光ダイオードの順方向電流よりわづかに大きくする
ことができ、また、値は同一であるが符合が逆である電
圧に対する順方向電流を発光ダイオードの逆方向電流よ
りわづかに大きくすることができるという性質を利用し
、シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードを
発光ダイオードに順方向並列に接続して順方向サージ通
過手段とし、シリコンダイオードを発光ダイオードに逆
方向並列に接続して逆方向サージ通過手段としたもので
あり、特に、（イ）これら発光ダイオード、順方向サー
ジ通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオード、逆方向サージ通過手段たるシリコンダイオ
ードを同一のサブマウント上に接着し、（ロ）発光ダイ
オードは半導体サブマウント上に接着し、順方向サージ
通過手段たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダ
イオード。The current/voltage characteristics of silicon diodes, germanium diodes, etc. tend to be roughly the same as those of light emitting diodes, but the forward current for the same voltage value must be made slightly larger than the forward current of a light emitting diode. It is also possible to make a silicon diode or germanium diode light-emitting device by taking advantage of the property that the forward current for a voltage of the same value but opposite sign can be made slightly larger than the reverse current of the light-emitting diode. A silicon diode is connected in forward parallel to a diode to serve as a forward surge passage means, and a silicon diode is connected in reverse parallel to a light emitting diode to serve as a reverse surge passage means. A silicon diode or germanium diode as a directional surge passing means and a silicon diode as a reverse surge passing means are bonded on the same submount, (b) a light emitting diode is bonded on the semiconductor submount, and a silicon diode is bonded as a forward surge passing means diode or germanium diode.
逆方向サージ通過手段たるシリコンダイオードはこの半
導体サブマウント中に形成し、または。A silicon diode, which serves as a reverse surge passing means, is formed in this semiconductor submount, or.
（ハ）順方向サージ通過手段たるシリコンダイオードま
たはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段た
るシリコンダイオードを発光ダイオードの上に形成した
ものである。(c) A silicon diode or germanium diode as a forward surge passing means and a silicon diode as a reverse surge passing means are formed on a light emitting diode.
本発明は、ガリウムヒ素、インジ、ウムガリウムヒ素リ
ン等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの改良に
関する。特に、耐サージ特性を向上する改良に関する。The present invention relates to improvements in light emitting diodes using compound semiconductors such as gallium arsenide, indium, gallium arsenide phosphide, and the like. In particular, it relates to improvements that improve surge resistance.
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕ガリウ
ムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等の化合物半導体
を使用する発光ダイオードは。[Problems to be solved by the prior art and the invention] Light emitting diodes using compound semiconductors such as gallium arsenide and indium gallium arsenide phosphide.
通常の半導体装置に比し耐サージ特性が劣り、これが実
用上の制約要因の一つとされており、耐サージ特性がよ
りすぐれた発光ダイオードの開発が望まれていた。Their surge resistance is inferior to that of ordinary semiconductor devices, and this has been considered one of the limiting factors in practical use, and there has been a desire to develop light-emitting diodes with better surge resistance.
本発明の目的は、この要請に応えることにあり、耐サー
ジ特性がよりすぐれた発光ダイオードを提供することに
ある。An object of the present invention is to meet this demand, and to provide a light emitting diode with better anti-surge characteristics.
上記の目的を達成するために本発明が採ったＦ段は、シ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る順方向サージ通過手段５を発光ダイオード素子４に順
方向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過り段６を発光ダイオード素子４に逆方向並列
に接続しておき、前記の順方向サージ通過手段５の順方
向電流を前記の発光ダイオード素子４の同一電圧におけ
る順方向電流より大きく、また、前記の逆方向サージ通
過手段６の前記の順方向電流を、イ１は同一であるが符
合が逆である電圧における前記の発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大きくすることにある。In the F stage adopted by the present invention to achieve the above object, a forward surge passing means 5 made of a silicon diode or a germanium diode is connected in forward direction parallel to the light emitting diode element 4, and a reverse surge passing means made of a silicon diode is connected in parallel with the light emitting diode element 4. The pass stage 6 is connected in reverse parallel to the light emitting diode element 4, and the forward current of the forward surge passing means 5 is made larger than the forward current of the light emitting diode element 4 at the same voltage. The forward current of the reverse surge passing means 6 is applied to the light emitting diode element 4 at voltages where A1 is the same but opposite in sign.
The purpose is to make the reverse current larger than that of the reverse current.
本発明に係る発光ダイオードには、下記の三つの実施態
様がある。The light emitting diode according to the present invention has the following three embodiments.
（イ）発光ダイオード素子４、順方向サージ通過手段５
たるシリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード
、逆方向サージ通過手段６たるシリコンダイオードは単
一のサブマウント２上に接着された発光ダイオードであ
る。(a) Light emitting diode element 4, forward surge passing means 5
The silicon diode or germanium diode which is the silicon diode or germanium diode which is the reverse surge passing means 6 is a light emitting diode bonded on the single submount 2.
（ロ）発光ダイオード素子４は半導体サブマウントｚ上
に接着され、順方向サージ通過手段５たるシリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通
過手段６たるシリコンダイオードはこの半導体サブマウ
ント２中に形成された発光ダイオードである。(b) A light emitting diode element 4 is bonded onto the semiconductor submount z, and a silicon diode or germanium diode serving as the forward surge passing means 5 and a silicon diode serving as the reverse surge passing means 6 are formed in the semiconductor submount 2. It is a light emitting diode.
（ハ）順方向サージ通過手段５たるシリコンダイオード
またはゲルマニウムダイオード、逆方向サージ通過手段
６たるシリコンダイオードは発光ダイオード素子４上に
形成された発光ダイオードである。(c) The silicon diode or germanium diode serving as the forward surge passing means 5 and the silicon diode serving as the reverse surge passing means 6 are light emitting diodes formed on the light emitting diode element 4.
（作用）
本発明は、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン
等の化合物半導体を使用する発光グイ斉一ドの電流・電
圧特性とシリコンダイオード・ゲルマニウムダイオード
の電流・電圧特性との近似性を利用したものである。ガ
リウムヒ素。(Function) The present invention utilizes the similarity between the current and voltage characteristics of a light emitting device using compound semiconductors such as gallium arsenide and indium gallium arsenide phosphide and the current and voltage characteristics of silicon diodes and germanium diodes. be. Gallium arsenide.
インジウムガリウムヒ素リン等の化合物半導体を使用す
る発光ダイオードの順方向及び逆方向の電流・電圧特性
は、第４図に、それぞれ、 Ａ、 Ｂをもって示す如く
である。一方、シリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオードの順方向電流・電圧特性は、第４図にＣをも
って示す如くである。また、シリコンダイオードの順方
向電流・電圧特性は、不純物濃度を調整して第４図にＤ
をもって示すようにもなしうる。The forward and reverse current and voltage characteristics of a light emitting diode using a compound semiconductor such as indium gallium arsenide phosphide are shown by A and B in FIG. 4, respectively. On the other hand, the forward current/voltage characteristics of a silicon diode or germanium diode are as shown by C in FIG. The forward current and voltage characteristics of a silicon diode are shown in Figure 4 by adjusting the impurity concentration.
It can also be done as shown by .
そこで、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン等
の化合物半導体を使用する発光ダイオード素子４と、シ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード５と、
シリコンダイオード６とを、第５図に示すように接続す
れば、順方向サージはシリコンダイオードまたはゲルマ
ニウムダイオード５を通過して流れ、逆方向サージはシ
リコンダイオード６を通過して流れ１発光ダイオード素
子４はいづれの方向のサージからも有効に保護される。Therefore, a light emitting diode element 4 using a compound semiconductor such as gallium arsenide or indium gallium arsenide phosphide, and a silicon diode or germanium diode 5,
If the silicon diode 6 is connected as shown in FIG. 5, the forward surge will flow through the silicon diode or germanium diode 5, and the reverse surge will flow through the silicon diode 6. is effectively protected against surges in either direction.
以下１図面を参照して本発明の三つの実施例について説
明する。Three embodiments of the present invention will be described below with reference to one drawing.
第」−よ１］例 第１図参照 図は第１の実施例の断面図を示す。1] Example See Figure 1 The figure shows a sectional view of the first embodiment.
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上下
のクラッド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ型のアル
ミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニウ
ムガリウムヒ素であり、正’１］１ｔＪｉｉ ４４は下
部クラッド層４］の下面中央に、負電極４５は上部クラ
−２ド層４３の上面に発光領域を取巻いて設けられてお
り、光は矢印の方向に放出される。In the figure, 1 is a stem made of copper, and 2 is a submount made of silicon, germanium, etc., which is bonded onto the stem 1 using gold-tin solder. A pad 3 is made of gold and constitutes one electrode (the positive electrode in this example). 4 is a light emitting diode element, upper and lower cladding layers 43.4] are n-type and p-type aluminum gallium arsenide, respectively, the active layer 42 is aluminum gallium arsenide, and 44 is a lower cladding layer. 4] At the center of the lower surface, a negative electrode 45 is provided on the upper surface of the upper cladding layer 43 so as to surround the light emitting region, and light is emitted in the direction of the arrow.
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段であリシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
る。これは、サブマウント２上に接着されており１本例
においては、２層５１が下層でありパッド３と接続され
ており、ｎＪ＃５２は上層であり発光ダイオード素子４
の負電極４５と接続されている。Reference numeral 5 denotes a forward surge passing means according to the gist of the present invention, which is composed of a silicon diode or a germanium diode. This is bonded onto the submount 2, and in this example, the second layer 51 is the lower layer and is connected to the pad 3, and nJ#52 is the upper layer and is connected to the light emitting diode element 4.
It is connected to the negative electrode 45 of.
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードよりなる。これは、サブマウント２上
に接着されており、本例においては、９層６１が上層で
あり発光ダイオード素子４の負電極４５と接続されてお
り、ｎ層６２は下層でありパッド３と接続されている。Reference numeral 6 denotes a reverse surge passing means according to the gist of the present invention, which is composed of a silicon diode. This is bonded onto the submount 2, and in this example, the 9th layer 61 is the upper layer and is connected to the negative electrode 45 of the light emitting diode element 4, and the n layer 62 is the lower layer and is connected to the pad 3. has been done.
発光ダイオード素子４、順方向サージ通過手段５たるシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオード、逆方
向サージ通過手段６たるシリコンダイオードとも、独立
に１通常の手法をもって製造された後、上記のように組
み合わされる。The light emitting diode element 4, the silicon diode or germanium diode serving as the forward surge passing means 5, and the silicon diode serving as the reverse surge passing means 6 are each manufactured independently by a conventional method and then combined as described above.
上記のとうり、シリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオード５の順方向電流は発光ダイオード素子４の同
一電圧における順方向電流より大きくされており、また
、シリコンダイオード６の順方向電流は、値は同一であ
るが符合が逆である電圧における発光ダイオード素子４
の逆方向電流より大さくされている。As mentioned above, the forward current of the silicon diode or germanium diode 5 is made larger than the forward current of the light emitting diode element 4 at the same voltage, and the forward current of the silicon diode 6 has the same value, but Light emitting diode element 4 at voltages of opposite sign
The reverse current is larger than that of .
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ１発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。In the light emitting diode having the above configuration, the forward surge passes through the forward surge passage means 5 and the reverse surge passes through the reverse surge passage means 6. Also protected from surges.
１］尖１」 第２図参照 図は第２の実施例の断面図を示す。1] Cusp 1” See Figure 2 The figure shows a sectional view of the second embodiment.
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステム１上に接着される。３は金よ
りなるバットであり、一方の電極（本例においては正電
極）を構成する。４は発光ダイオード素子であり、上ド
のクラ−２ド層４３．４］はそれぞれｎ型及びｐ５のア
ルミニウムガリウムヒ素であり、活性層４２はアルミニ
ウムガリウムヒ素であり、正電極４４は下部クラフト層
４］の下面中央に、負電極４５は上部クラッド層４３の
上面に発光領域を取巻いて設けられており、光は矢印の
方向に放出される。In the figure, 1 is a stem made of copper, and 2 is a submount made of silicon, germanium, etc., which is bonded onto the stem 1 using gold-tin solder. 3 is a bat made of gold, which constitutes one electrode (the positive electrode in this example). 4 is a light emitting diode element, the upper clad layer 43.4 is made of n-type and p5 aluminum gallium arsenide, the active layer 42 is made of aluminum gallium arsenide, and the positive electrode 44 is made of aluminum gallium arsenide. 4], a negative electrode 45 is provided on the upper surface of the upper cladding layer 43 to surround the light emitting region, and light is emitted in the direction of the arrow.
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードよりな
り、ｎ型のシリコンよりなるサブマウント２内にｐ型の
不純物を導入して形成されている。正電極５３はパッド
３と接続されており、負電極５４は発光ダイオード素子
４の負電極４５と接続されている。Reference numeral 5 denotes a forward surge passing means according to the gist of the present invention, which is made of a silicon diode or a germanium diode, and is formed by introducing p-type impurities into the submount 2 made of n-type silicon. The positive electrode 53 is connected to the pad 3, and the negative electrode 54 is connected to the negative electrode 45 of the light emitting diode element 4.
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段でありシ
リコンダイオードよりなり、ｎ型のシリコンよりなるサ
ブマウント２内にｐ型とｎ型の不純物を順次導入して形
成されている。正電極（Ｐ領域と接続）６３は順方向サ
ージ通過手段５の負を極５４と共通にされており、発光
ダイオード素７−４の負電極４５と接続されている。負
電極（ｎ領域と接続）６４は順方向サージ通過手段５の
圧電極５３とともにパット３と接続されている。Reference numeral 6 denotes a reverse surge passing means according to the gist of the present invention, which is made of a silicon diode and is formed by sequentially introducing p-type and n-type impurities into the submount 2 made of n-type silicon. The positive electrode (connected to the P region) 63 has the negative terminal of the forward surge passing means 5 in common with the pole 54, and is connected to the negative electrode 45 of the light emitting diode element 7-4. A negative electrode (connected to the n region) 64 is connected to the pad 3 together with the piezo electrode 53 of the forward surge passing means 5.
第２￥施例の場合と同様に、シリコンダイオードまたは
ゲルマニウムダイオード５の順方向電流は発光ダイオー
ド素子４の同一電圧における順方向電波より大きくされ
ており、また、シリコンダイオード６の順方向電流は、
値は同一であるが符合が逆である電圧における発光ダイ
オード素子４の逆方向電流より大きくされている。As in the case of the second embodiment, the forward current of the silicon diode or germanium diode 5 is made larger than the forward direction radio wave of the light emitting diode element 4 at the same voltage, and the forward current of the silicon diode 6 is
It is made larger than the reverse current of the light emitting diode element 4 at voltages having the same value but opposite sign.
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過手段５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して流れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。In the light emitting diode having the above configuration, forward surges flow through the forward surge passage means 5, reverse surges flow through the reverse surge passage means 6, and the light emitting diode element 4 can flow in either direction. Also protected from surges.
１］１］」 第３図参照 図は第３の実施例の断面図を示す。1] 1] See Figure 3 The figure shows a cross-sectional view of the third embodiment.
図において、ｌは銅よりなるステムであり、２はシリコ
ン、ゲルマニウム等よりなるサブマウントであり、金ス
ズソルダを使用してステムｌ上に接着される。３は金よ
りなるパッドであり。In the figure, 1 is a stem made of copper, and 2 is a submount made of silicon, germanium, etc., which is bonded onto the stem 1 using gold-tin solder. 3 is a pad made of gold.
一方の電極（本例においては正電極）を構成する。４は
発光ダイオード素子であり、上下のクラフト層４３．４
］はそれぞれｎ型及びｐ型のアルミニウムガリウムヒ素
であり、活性層４２はアルミニウムガリウムヒ素であり
、正電極４４は下部クラッド層４］の下面中央に、負電
極４５は上部クラッド層４３の上面に発光領域を取巻い
て設けられており、光は矢印の方向に放出される。It constitutes one electrode (the positive electrode in this example). 4 is a light emitting diode element, and upper and lower craft layers 43.4
] are n-type and p-type aluminum gallium arsenide, respectively, the active layer 42 is aluminum gallium arsenide, the positive electrode 44 is located at the center of the lower surface of the lower cladding layer 4], and the negative electrode 45 is located at the upper surface of the upper cladding layer 43. It is provided surrounding the light emitting area, and light is emitted in the direction of the arrow.
５は本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段であり、
６は本発明の要旨に係る逆方向サージ通過１段である。5 is a forward surge passing means according to the gist of the present invention,
6 is a reverse surge passage stage according to the gist of the present invention.
いづれも、発光ダイオード未了４の延長線上に形成され
ている。すなわち、発光ダイオード素子４の延長線上に
二酸化シリコン１］２４８を介して、ｐ型シリコン層と
ｎ型シリコン層とをそれぞれ分離して形成し、これらに
レーザ！−射をなして弔結品化し、それぞれ、ｎ型不純
物とｐ型不純物とを導入して順方向サージ通過手段５と
してのシリコンダイオードと逆方向サージ通過手段６と
してのシリコンダイオードを形成する。All of them are formed on the extension line of the light emitting diode 4. That is, a p-type silicon layer and an n-type silicon layer are separately formed on an extension of the light emitting diode element 4 via silicon dioxide 1] 248, and then a laser beam is applied to these layers. A silicon diode as forward surge passing means 5 and a silicon diode as reverse surge passing means 6 are formed by introducing an n-type impurity and a p-type impurity, respectively.
順方向サージ通過手段５の正電極と逆方向サージ通過手
段６の負電極とが発光ダイオード素子４の正電極４４と
接続するパット３と接続され、順方向サージ通過手段５
の負電極と逆方向サージ通過手段６の正電極とが発光ダ
イオード素子４の負電極４５と接続され、シリコンダイ
オードまたはゲルマニウムダイオード５の順方向電流が
発光ダイオード素子４の同一電圧における順方向電流よ
り大きくされ、また、シリコンダイオード６の順方向’
ｉ４Ｈ＆が、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける発光ダイオード素子４の逆方向電流より大きくされ
ていることは、上記二つの実施例の場合と同様である。The positive electrode of the forward surge passing means 5 and the negative electrode of the reverse surge passing means 6 are connected to the pad 3 connected to the positive electrode 44 of the light emitting diode element 4, and the forward surge passing means 5
The negative electrode and the positive electrode of the reverse surge passing means 6 are connected to the negative electrode 45 of the light emitting diode element 4, so that the forward current of the silicon diode or germanium diode 5 is higher than the forward current of the light emitting diode element 4 at the same voltage. Also, the forward direction of the silicon diode 6'
As in the above two embodiments, i4H& is made larger than the reverse current of the light emitting diode element 4 at voltages having the same value but opposite sign.
以上の構成の発光ダイオードにおいては、順方向サージ
は順方向サージ通過子役５を通過して流れ、逆方向サー
ジは逆方向サージ通過手段６を通過して魔れ、発光ダイ
オード素子４はいづれの方向のサージからも保護される
。In the light emitting diode having the above configuration, forward surges flow through the forward surge passage element 5, reverse surges flow through the reverse surge passage means 6, and the light emitting diode element 4 flows in either direction. It is also protected from surges.
以上説明せるとおり１本発明に係る発光ダイオードは、
シリコンダイオードまたはゲルマニウムダイオードより
なる順方向サージ通過手段を発光ダイオード素子に順方
向並列に接続し、シリコンダイオードよりなる逆方向サ
ージ通過手段を発光ダイオード素子に逆方向並列に接続
し、前記の順方向サージ通過手段の順方向電流を前記の
発光ダイオード素子の同一電圧における順方向電流より
大きく、また、前記の逆方向サージ通過手段の前記の順
方向電流を、値は同一であるが符合が逆である電圧にお
ける前記の発光ダイオード素子の逆方向電流より大きく
しであるので。As explained above, one light emitting diode according to the present invention is:
A forward surge passing means made of a silicon diode or a germanium diode is connected in forward direction parallel to the light emitting diode element, and a reverse direction surge passing means made of a silicon diode is connected in reverse direction parallel to the light emitting diode element. The forward current of the passing means is larger than the forward current of the light emitting diode element at the same voltage, and the forward current of the reverse surge passing means is the same in value but opposite in sign. Since the reverse current of the light emitting diode element in voltage is larger than that of the above-mentioned light emitting diode element.
順方向サージはシリコンダイオードまたはゲルマニウム
ダイオードよりなる順方向サージ通過手段を通過して流
れ、逆方向サージはシリコンダイオードよりなる逆方向
サージ通過手段を通過して流れ１発光ダイオード素子は
いづれの方向のサージからも保護される。Forward surges flow through forward surge passing means made of silicon diodes or germanium diodes, and reverse surges flow through reverse surge passing means made of silicon diodes.1 The light-emitting diode element passes surges in either direction. Also protected from.
第１図は、本発明の第１の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。
第２図は、本発明の第２の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。
第３図は、本発明の第３の実施例に係る発光ダイオード
の構成図である。
第４図は、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン
等の化合物半導体を使用する発光ダイオードの順方向及
び逆方向の電流Φ電圧特性（Ａ、Ｂ）とシリコンダイオ
ードまたはゲルマニウムダイオードの順方向電流・電圧
特性（Ｃ１Ｄ）とを示すグラフである。
０′Ｓ５図は、本発明の要旨に係る発光ダイオード素子
と順方向サージ通過手段と逆方向サージ通過手段との接
続を示すブロック図である。
ｌ＠・・ステム、
２１・サブマウント。
３・０・パッド、
４・・・発光ダイオード素子、
４］・・・下部クラッド層。
４２・・・活性層、
４３１・上部クラッド層、
４４・畢・正電極、
４５争・ｅ負電極。
４６・・・二酸化シリコン膜。
５・・・本発明の要旨に係る順方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、
５１・・・下層（ｐ層）、
５２・・・上層（ｎ層）、
５３目＠正電極、
５４中・会員電極、
６・・・本発明の要旨に係る逆方向サージ通過手段を構
成するシリコンダイオード、
６１・命・上層（ｐ層）。
６２・・会下層（ｎ層）、
６３・・・正電極。
６４・・・負電極。
本発明−漕梗困
第 ５ 図
第１実ね例
第１図
第３実施例
第３図
ｊ≦支、７“イス−Ｌ−ヒ ミリフ〉／ ケ゛Ｓレマニ
＼ンム７”イイードと偽 慣乙ジ屹／’を反；午Δ・ニ
ー
第 ４ 図FIG. 1 is a configuration diagram of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a configuration diagram of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention. Figure 4 shows the forward and reverse current Φ voltage characteristics (A, B) of a light emitting diode using compound semiconductors such as gallium arsenide and indium gallium arsenide phosphide, and the forward current and voltage characteristics of a silicon diode or germanium diode. (C1D). FIG. 0'S5 is a block diagram showing the connection between a light emitting diode element, forward surge passing means, and reverse surge passing means according to the gist of the present invention. l@... Stem, 21. Submount. 3.0.Pad, 4.Light emitting diode element, 4]..Lower cladding layer. 42. Active layer, 431. Upper cladding layer, 44. Bottom, positive electrode, 45. Negative electrode. 46...Silicon dioxide film. 5... Silicon diode constituting the forward surge passing means according to the gist of the present invention, 51... Lower layer (p layer), 52... Upper layer (n layer), 53rd @ positive electrode, 54 middle... Member electrode, 6... Silicon diode constituting the reverse surge passing means according to the gist of the present invention, 61. Upper layer (p layer). 62... lower layer (n layer), 63... positive electrode. 64...Negative electrode. The present invention - Invention No. 5 Figure 1 Actual Example Figure 1 Figure 3 Embodiment Figure 3 ji屹/' に 訳; 小Δ・nee Fig. 4
Claims (1)
ドよりなる順方向サージ通過手段（５）が発光ダイオー
ド素子（４）に順方向並列に接続され、シリコンダイオ
ードよりなる逆方向サージ通過手段（６）が発光ダイオ
ード素子（４）に逆方向並列に接続されており、前記順
方向サージ通過手段（５）の順方向電流は前記発光ダイ
オード素子（４）の同一電圧における順方向電流より大
きく、前記逆方向サージ通過手段（６）の順方向電流は
、値は同一であるが符合が逆である電圧における前記発
光ダイオード素子（４）の逆方向電流より大きくされて
いることを特徴とする発光ダイオード。 ［２］前記発光ダイオード素子（４）と前記順方向サー
ジ通過手段（５）と前記逆方向サージ通過手段（６）と
は単一のサブマウント（２）上に接着されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード
。 ［３］前記発光ダイオード素子（４）は半導体サブマウ
ント（２）上に接着されてなり、前記順方向サージ通過
手段（５）と前記逆方向サージ通過手段（６）とは前記
半導体サブマウント（２）に形成されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の発光ダイオード。 ［４］前記順方向サージ通過手段（５）と前記逆方向サ
ージ通過手段（６）とは前記発光ダイオード素子（４）
の一部領域上に形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の発光ダイオード。[Scope of Claims] [1] A forward surge passing means (5) made of a silicon diode or a germanium diode is connected in forward direction parallel to the light emitting diode element (4), and a reverse surge passing means (6) made of a silicon diode is connected in forward direction parallel to the light emitting diode element (4). ) are connected in reverse parallel to the light emitting diode element (4), and the forward current of the forward surge passing means (5) is larger than the forward current of the light emitting diode element (4) at the same voltage; A light emitting diode characterized in that the forward current of the reverse surge passing means (6) is made larger than the reverse current of the light emitting diode element (4) at voltages having the same value but opposite sign. . [2] The light emitting diode element (4), the forward surge passing means (5) and the reverse surge passing means (6) are bonded onto a single submount (2). A light emitting diode according to claim 1. [3] The light emitting diode element (4) is bonded on the semiconductor submount (2), and the forward surge passing means (5) and the reverse surge passing means (6) are attached to the semiconductor submount (2). 2) The light emitting diode according to claim 1, wherein the light emitting diode is formed by: [4] The forward surge passing means (5) and the reverse surge passing means (6) are the light emitting diode element (4).
2. The light emitting diode according to claim 1, wherein the light emitting diode is formed on a partial region of the light emitting diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142525A JPS62299092A (en) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61142525A JPS62299092A (en) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | Light emitting diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62299092A true JPS62299092A (en) | 1987-12-26 |
Family
ID=15317383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61142525A Pending JPS62299092A (en) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | Light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62299092A (en) |
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