JPS62281430A - 拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置Info
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- JPS62281430A JPS62281430A JP12500486A JP12500486A JPS62281430A JP S62281430 A JPS62281430 A JP S62281430A JP 12500486 A JP12500486 A JP 12500486A JP 12500486 A JP12500486 A JP 12500486A JP S62281430 A JPS62281430 A JP S62281430A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[産業上の利用分野]
本発明は拡散前ウェハ洗浄方法および該洗浄装置に関す
る。史に詳細には、本発明は超n/lI振動と揺動をか
けながらウェハを/i;?’Jlし、史に、ウェハ洗浄
中も洗浄液を強制的に循環ろ過させることからなる拡散
1Ti1ウェハ洗浄方法および該力法を実施するための
装置に関する。
る。史に詳細には、本発明は超n/lI振動と揺動をか
けながらウェハを/i;?’Jlし、史に、ウェハ洗浄
中も洗浄液を強制的に循環ろ過させることからなる拡散
1Ti1ウェハ洗浄方法および該力法を実施するための
装置に関する。
E?i*の技術]
LSI製造プロセスの中で何回も繰り返し使われる−1
.稈として酸化i;稈がある。酸化膜を7易とするのは
、MOS FETのゲート絶縁膜を筆頭に、素r間分
離用や配線相関絶縁膜、不純物拡散の際のマスクなど複
離多枝にわたる。
.稈として酸化i;稈がある。酸化膜を7易とするのは
、MOS FETのゲート絶縁膜を筆頭に、素r間分
離用や配線相関絶縁膜、不純物拡散の際のマスクなど複
離多枝にわたる。
酸化法として、電気炉の中でシリコン表面をしだいにン
リコン酸化物に変えていく方法がある。
リコン酸化物に変えていく方法がある。
電気炉は拡散炉とも呼ばれ、p型やn型の導電形を形成
する不純物をドーピングする装置として多種類のものが
使われてきた。
する不純物をドーピングする装置として多種類のものが
使われてきた。
目的とする不純物以外のものがンリコンウエハ表面に付
着しているとウェハの製品品質が低下するので、/リコ
ンウエハ中へ不純物を拡散させる処理を行うのに先qっ
て、/リコンウエハ表面を清浄化しなければならない。
着しているとウェハの製品品質が低下するので、/リコ
ンウエハ中へ不純物を拡散させる処理を行うのに先qっ
て、/リコンウエハ表面を清浄化しなければならない。
[発明が解決しようとする問題点]
このような/リコンウエハは従来、ウニ、ノド洗浄と呼
ばれる化学的方法のみにより洗浄されてきた。
ばれる化学的方法のみにより洗浄されてきた。
この洗浄方法はウェハ表面が\V・坦かまたは比較的段
差の小さいパターン形成面の洗浄に使用することができ
る。しかし、プロセスが例えば、lR形キャパシタセル
になると、溝の中の空気と洗浄液の濡れ性の問題により
N If■の中まで完全に71.浄液がまわらないので
洗浄できなくなる。
差の小さいパターン形成面の洗浄に使用することができ
る。しかし、プロセスが例えば、lR形キャパシタセル
になると、溝の中の空気と洗浄液の濡れ性の問題により
N If■の中まで完全に71.浄液がまわらないので
洗浄できなくなる。
洗浄が不完全だと以後の拡散またはデボジン・1ン1−
程に不都合が生じ、ウェハの製品品質を低ドさせる恐れ
がある。
程に不都合が生じ、ウェハの製品品質を低ドさせる恐れ
がある。
[発明の[:1的コ
従って、本発明の目的は溝形キャパシタセルが自゛する
ような、複雄で深い溝の中まで完全に洗浄液を侵入させ
てウェハを洗浄できる方法および該方法の実施に使用さ
れる装置を提供することである。
ような、複雄で深い溝の中まで完全に洗浄液を侵入させ
てウェハを洗浄できる方法および該方法の実施に使用さ
れる装置を提供することである。
〔問題点を解決するためのL段コ
11;1記の問題点を解決し、発明の目的を達成するた
めの手段として、この発明は、揺動11J能なアームに
ウェハを保持させ、このウェハを/′に、沖t )充填
されたbL郡槽に浸漬し、該洗浄液を超t°1波振動さ
せると共に前記アームを揺動させながら前記ウェハを洗
浄し、ウェハのrb rp中、該洗浄液を前記6 浄M
からオーバーフローさせ、オーバーフローした洗浄液
をフィルターでろ過し、前記洗浄槽に循環させることを
特徴とする拡散前ウェハ洗ゆ方法および、該方法を実施
するために使用される、洗/′11液の充填される洗浄
部、1亥洗浄部中の洗浄液を超高波振動させるための超
1″r波振動発生部、前記洗血液中に浸漬されるウェハ
を保持するキャリア部、1亥キャリア部を支持するキャ
リアホールドアーム部、該キャリアホールドアーム部を
揺動させる揺動部、および該洗/′71部中の洗浄液を
オーバーフローさせ、ろ過し、洗浄部に戻すための洗浄
液循環ろ過部からなることを特徴とする拡散前ウェハ洗
浄装置を提供する。
めの手段として、この発明は、揺動11J能なアームに
ウェハを保持させ、このウェハを/′に、沖t )充填
されたbL郡槽に浸漬し、該洗浄液を超t°1波振動さ
せると共に前記アームを揺動させながら前記ウェハを洗
浄し、ウェハのrb rp中、該洗浄液を前記6 浄M
からオーバーフローさせ、オーバーフローした洗浄液
をフィルターでろ過し、前記洗浄槽に循環させることを
特徴とする拡散前ウェハ洗ゆ方法および、該方法を実施
するために使用される、洗/′11液の充填される洗浄
部、1亥洗浄部中の洗浄液を超高波振動させるための超
1″r波振動発生部、前記洗血液中に浸漬されるウェハ
を保持するキャリア部、1亥キャリア部を支持するキャ
リアホールドアーム部、該キャリアホールドアーム部を
揺動させる揺動部、および該洗/′71部中の洗浄液を
オーバーフローさせ、ろ過し、洗浄部に戻すための洗浄
液循環ろ過部からなることを特徴とする拡散前ウェハ洗
浄装置を提供する。
[作用コ
1lif記のように、本発明のウェハ洗浄方法および装
置は従来の化学的ウニ・・Iト/A:浄に加えて、洗浄
液を超音波振動させなからウェハを揺動させる物理的り
段を併用する。
置は従来の化学的ウニ・・Iト/A:浄に加えて、洗浄
液を超音波振動させなからウェハを揺動させる物理的り
段を併用する。
その結果、7.■の奥深くに潜んでいる空電は溝の中に
留まることかできす、l゛2き1・、がってくる。そし
て、バリアとなっていた空気が排除されることにより、
その部分に洗浄液か侵入1−II能となる。また、ウェ
ハ表面と’151: /′j液との成れ性も、超高波振
動によりウェハと洗浄液とが絶え間なく衝突を繰り返す
ことにより極めて良好となり、1′5to液は溝の全壁
面に力遍なく接触し、商いfA、n度を達成できる。
留まることかできす、l゛2き1・、がってくる。そし
て、バリアとなっていた空気が排除されることにより、
その部分に洗浄液か侵入1−II能となる。また、ウェ
ハ表面と’151: /′j液との成れ性も、超高波振
動によりウェハと洗浄液とが絶え間なく衝突を繰り返す
ことにより極めて良好となり、1′5to液は溝の全壁
面に力遍なく接触し、商いfA、n度を達成できる。
何れにしろ、従来の化学的ウェット洗浄に加えて、超?
″1波振動と揺動を併用することにより溝形キャパシタ
セルのようなウェハの洗浄効果を高め、ウェハ製造歩留
りの向[二を図る試みは本発明者により初めて成功を見
た。
″1波振動と揺動を併用することにより溝形キャパシタ
セルのようなウェハの洗浄効果を高め、ウェハ製造歩留
りの向[二を図る試みは本発明者により初めて成功を見
た。
[実施例コ
以ド、図面を参照しながら本発明の一実施例について史
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第1図は本発明のウェハ洗浄方法を実施するのに使用さ
れる装置の概要図である。
れる装置の概要図である。
第1図に示されるように、本発明の洗浄装置1は、大き
く分けて、/Aθ部10.超、″′i′波振動発生都2
0.ウェハ揺動部30および/A、θ液循環ろ過部40
からなる。。
く分けて、/Aθ部10.超、″′i′波振動発生都2
0.ウェハ揺動部30および/A、θ液循環ろ過部40
からなる。。
洗浄品10は円形または角形の洗浄槽12からなる。b
し4槽12内には洗浄液14が充填されている。ウェハ
の洗浄目的に使用できる/′X、浄液は当業者に周知で
ある。洗浄槽12のl一部外用には洗浄槽からオーバー
フローされた洗浄液を受けるための溢流槽16が配設さ
れている。溢流槽16の外周壁は洗浄槽12の外周壁よ
りも高い。
し4槽12内には洗浄液14が充填されている。ウェハ
の洗浄目的に使用できる/′X、浄液は当業者に周知で
ある。洗浄槽12のl一部外用には洗浄槽からオーバー
フローされた洗浄液を受けるための溢流槽16が配設さ
れている。溢流槽16の外周壁は洗浄槽12の外周壁よ
りも高い。
超n波振動発生部20は超音波発振器22と振動子24
からなる。26は発振器22と振動T24とを結ぶケー
ブルである。
からなる。26は発振器22と振動T24とを結ぶケー
ブルである。
超音波発振器22としては出力可変型9周波数可変型、
多周波数型)の当業者゛に周知のタイプのものを使用で
きる。振動J’24としては投込型。
多周波数型)の当業者゛に周知のタイプのものを使用で
きる。振動J’24としては投込型。
外付型、埋込型等の何れのタイプのものも使用できる。
図示されたものは、外付型振動rであり、超音波振動を
/1:浄槽の洗ゆ液に伝えるために、内部に水28が充
填された超j′1彼受槽29を使用している。投込型ま
たは埋込型振動rを使用する場合、図示されたような超
&彼受槽は不安である。
/1:浄槽の洗ゆ液に伝えるために、内部に水28が充
填された超j′1彼受槽29を使用している。投込型ま
たは埋込型振動rを使用する場合、図示されたような超
&彼受槽は不安である。
ウェハ揺動部30はパイブレーク32を使用スる。バイ
ブレータ32は例えば、振動ソレノイドまたはモータ回
転式機械的カム機構などを利用できる。数枚から数I一
枚のウェハ34をウェハキャリア36に載侑し、このウ
ェハキャリア36をキャリアホールドアー1138の−
・端にハングする。
ブレータ32は例えば、振動ソレノイドまたはモータ回
転式機械的カム機構などを利用できる。数枚から数I一
枚のウェハ34をウェハキャリア36に載侑し、このウ
ェハキャリア36をキャリアホールドアー1138の−
・端にハングする。
そして、アーム38の他端をバイブレータ32に接続す
る。
る。
第1図に図示されたものは振動ソレノイドタイプのバイ
ブレータであり、1から500Hzの周波数で振動され
る。バイブレータ32が駆動すれると、その振動はキャ
リアホールドアーム38に伝えられ、その=一端にハン
グされたウェハキャリア36を洗浄槽12内で1゛、ド
、および/または、左右方向に揺動させる。かくして、
超音波洗浄中に被洗浄体であるウェハが揺動されるので
、超?’I、:彼a1効果が飛躍的に向1−する。
ブレータであり、1から500Hzの周波数で振動され
る。バイブレータ32が駆動すれると、その振動はキャ
リアホールドアーム38に伝えられ、その=一端にハン
グされたウェハキャリア36を洗浄槽12内で1゛、ド
、および/または、左右方向に揺動させる。かくして、
超音波洗浄中に被洗浄体であるウェハが揺動されるので
、超?’I、:彼a1効果が飛躍的に向1−する。
/′A、浄を続けていると洗浄液がlりれてくるので、
超?°7波振動および揺動連動により洗浄槽12から/
′A、浄液14を溢流させ、これを洗浄液循環ろ過部4
0で清θ化処理して[1利用する。
超?°7波振動および揺動連動により洗浄槽12から/
′A、浄液14を溢流させ、これを洗浄液循環ろ過部4
0で清θ化処理して[1利用する。
溢流槽16の底面に排出11を設け、これにパイプ42
aを接続する。パイプ42aの他端はポンプ44に接続
されている。ポンプ44で加圧された6!流l先庁液は
パイプ42bによりフィルタ46に送られ、ここで液内
の汚染粒状物またはl゛??遊物をろ過し清浄化する。
aを接続する。パイプ42aの他端はポンプ44に接続
されている。ポンプ44で加圧された6!流l先庁液は
パイプ42bによりフィルタ46に送られ、ここで液内
の汚染粒状物またはl゛??遊物をろ過し清浄化する。
ろIa清浄化された洗浄液はパイプ42cにより洗浄槽
12に循環される。
12に循環される。
清浄化循環液は/1.1槽の底M≦付近から洗浄槽内に
戻すことが好ましい。
戻すことが好ましい。
フィルタ46でろ過し、循環させていても、洗浄液内に
溶は込んでしまった汚染物はフィルタ46では除去でき
ないので、洗浄液は時間の経過につれて徐々にp7れて
くる。洗ゆ液が?りれたままの状態で洗浄を続けている
と、ウェハ洗浄効果が低ドするので、/′A、θ液を所
定時間使用したら、その一部または全部を交換すること
がi!rましい。この[1的のために、パイプ42bの
途中に廃液弁48aと、10檀12の底部に廃液弁48
bを配設する。
溶は込んでしまった汚染物はフィルタ46では除去でき
ないので、洗浄液は時間の経過につれて徐々にp7れて
くる。洗ゆ液が?りれたままの状態で洗浄を続けている
と、ウェハ洗浄効果が低ドするので、/′A、θ液を所
定時間使用したら、その一部または全部を交換すること
がi!rましい。この[1的のために、パイプ42bの
途中に廃液弁48aと、10檀12の底部に廃液弁48
bを配設する。
かくして、溢流槽16と洗浄槽12内の11.°濁洗浄
液の=一部または全部を廃棄することができる。
液の=一部または全部を廃棄することができる。
/1.0槽12内へは洗浄液補給部50から新紅な洗浄
液を補給する。
液を補給する。
廃液弁48aおよび48bは別の種類の15V、浄液に
交換する際にも役\fつ。実際、ウェハによっては洗浄
液の組成を変化させたほうが洗浄効果の高まることもあ
る。洗浄液にはウェハに悪影響を!町。
交換する際にも役\fつ。実際、ウェハによっては洗浄
液の組成を変化させたほうが洗浄効果の高まることもあ
る。洗浄液にはウェハに悪影響を!町。
えない範囲内で、当業者に周知の界面活性剤および/ま
たはその他の洗0効宋を高めることのできる薬剤等を配
合することができる。
たはその他の洗0効宋を高めることのできる薬剤等を配
合することができる。
以−1〕、本発明のウェハ洗浄方法および装置を拡散処
理+]i(の洗浄相として説明してきたが、本発明の洗
浄方法および洗浄装置は拡散処理前に限らす、ウェハを
洗0する必τのある場合には何れの[−程または段階に
おいても適用できる。
理+]i(の洗浄相として説明してきたが、本発明の洗
浄方法および洗浄装置は拡散処理前に限らす、ウェハを
洗0する必τのある場合には何れの[−程または段階に
おいても適用できる。
[発明の効果コ
以1.説明したように、本発明のウェハ洗浄JJ法およ
び装置は従来の化学的ウェット/’A、、rPに加えて
、fA、浄液を超j”7波振動させなからウェハを揺動
させる物理的1段を4Jl用する。
び装置は従来の化学的ウェット/’A、、rPに加えて
、fA、浄液を超j”7波振動させなからウェハを揺動
させる物理的1段を4Jl用する。
その結束、溝の奥深くに潜んでいる空気は溝の中に留ま
ることができず、1′2き1−がって(る。そして、バ
リアとなっていた空気が排除されることにより、その部
分に洗浄液が侵入l■能となる。また、ウェハ表面と洗
浄液との濡れ性も、超音波振動によりウェハと洗浄液と
が絶え間なく衝突を繰り返すことにより極めて良好とな
り、/′X、血液は溝の全壁面に万一なく接触し、高い
洗浄度を達成できる。
ることができず、1′2き1−がって(る。そして、バ
リアとなっていた空気が排除されることにより、その部
分に洗浄液が侵入l■能となる。また、ウェハ表面と洗
浄液との濡れ性も、超音波振動によりウェハと洗浄液と
が絶え間なく衝突を繰り返すことにより極めて良好とな
り、/′X、血液は溝の全壁面に万一なく接触し、高い
洗浄度を達成できる。
ウェハに超音波振動を加えるだけでなく、超音波洗浄中
に破洗θ体であるウェハが揺動されるので、揺動させず
静1トさせている場合に比べて、超音波洗浄効果が飛躍
的に向1・する。
に破洗θ体であるウェハが揺動されるので、揺動させず
静1トさせている場合に比べて、超音波洗浄効果が飛躍
的に向1・する。
また、洗浄液も循環ろ過して14使用するので、洗浄コ
ストも安価に抑えることができる。
ストも安価に抑えることができる。
何れにしろ、従来の化学的ウェットnnに加えて、超?
五彼振動と揺動を併用することにより溝形キャパ/タセ
ルのようなウェハの洗n効果を、1゛6め、ウェハ製造
歩留りの向Iを図る試みは本発明者により初めて成功を
見た。
五彼振動と揺動を併用することにより溝形キャパ/タセ
ルのようなウェハの洗n効果を、1゛6め、ウェハ製造
歩留りの向Iを図る試みは本発明者により初めて成功を
見た。
第1図は本発明のウェハ洗浄)」法を実施するのに使用
される装置の僚隻図である。 1・・・ウェハ洗抑装置、10・・・15シθ部、12
・・・洗0槽、14・・・15=浄液、16・・・溢流
槽、20・・・超n/gl振動発生都、22・・・超高
波発振器、24・・・振動r129・・・超吉波受槽、
30・・・ウェハ揺動部、32・・・パイ、プレーグ、
34・・・ウェハ、36・・・ウェハキャリア、38・
・・キャリアホールドアーム、40・・・洗浄液循環ろ
渦部、42a、42bおよび42c・・・パイプ、44
・・・ポンプ、46・・・フィルタ、48aおよび48
b・・・廃液弁、50・・・洗浄液補給部 特許1j願人 I I X7. 電’J’エンジニアリング株式会社代
理人 弁理l・ 梶 山 拮 足 弁理I° 山 木 富−11月
される装置の僚隻図である。 1・・・ウェハ洗抑装置、10・・・15シθ部、12
・・・洗0槽、14・・・15=浄液、16・・・溢流
槽、20・・・超n/gl振動発生都、22・・・超高
波発振器、24・・・振動r129・・・超吉波受槽、
30・・・ウェハ揺動部、32・・・パイ、プレーグ、
34・・・ウェハ、36・・・ウェハキャリア、38・
・・キャリアホールドアーム、40・・・洗浄液循環ろ
渦部、42a、42bおよび42c・・・パイプ、44
・・・ポンプ、46・・・フィルタ、48aおよび48
b・・・廃液弁、50・・・洗浄液補給部 特許1j願人 I I X7. 電’J’エンジニアリング株式会社代
理人 弁理l・ 梶 山 拮 足 弁理I° 山 木 富−11月
Claims (4)
- (1)揺動可能なアームにウェハを保持させ、このウェ
ハを洗浄液の充填された洗浄槽に浸漬し、該洗浄液を超
音波振動させると共に前記アームを揺動させながら前記
ウェハを洗浄し、ウェハの洗浄中、該洗浄液を前記洗浄
槽からオーバーフローさせ、オーバーフローした洗浄液
をフィルターでろ過し、前記洗浄槽に循環させることを
特徴とする拡散前ウェハ洗浄方法。 - (2)前記洗浄液は強制的に、洗浄槽からオーバーフロ
ーさせ、ろ過し、洗浄槽に循環させる特許請求の範囲第
1項に記載の拡散前ウェハ洗浄方法。 - (3)洗浄液の充填される洗浄部、該洗浄部中の洗浄液
を超音波振動させるための超音波振動発生部前記洗浄液
中に浸漬されるウェハを保持するキャリア部、該キャリ
ア部を支持するキャリアホールドアーム部、該キャリア
ホールドアーム部を揺動させる揺動部、および該洗浄部
中の洗浄液をオーバーフローさせ、ろ過し、洗浄部に戻
すための洗浄液循環ろ過部からなることを特徴とする拡
散前ウェハ洗浄装置。 - (4)前記超音波振動発生部は超音波発振器および振動
子からなり、前記揺動部はバイブレータからなり、前記
洗浄液循環ろ過部はポンプによる強制循環方式からなる
特許請求の範囲第3項に記載の拡散前ウェハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12500486A JPS62281430A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12500486A JPS62281430A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62281430A true JPS62281430A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14899491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12500486A Pending JPS62281430A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 拡散前ウエハ洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62281430A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156531A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Shioya Seisakusho:Kk | リフトドライ装置 |
US5226437A (en) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus |
JPH062685U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-01-14 | 株式会社カイジョー | 半導体基板自動処理装置 |
US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
US6391067B2 (en) * | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
KR100496855B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
US6941957B2 (en) * | 2002-01-12 | 2005-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
CN110813888A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-21 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种掩模版清洗装置和掩模版清洗方法 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12500486A patent/JPS62281430A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02156531A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Shioya Seisakusho:Kk | リフトドライ装置 |
US5226437A (en) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus |
JPH062685U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-01-14 | 株式会社カイジョー | 半導体基板自動処理装置 |
US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
US6391067B2 (en) * | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
KR100496855B1 (ko) * | 1998-09-24 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
US6941957B2 (en) * | 2002-01-12 | 2005-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for pretreating a substrate prior to electroplating |
CN110813888A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-21 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种掩模版清洗装置和掩模版清洗方法 |
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