JPH01189127A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- JPH01189127A JPH01189127A JP1379988A JP1379988A JPH01189127A JP H01189127 A JPH01189127 A JP H01189127A JP 1379988 A JP1379988 A JP 1379988A JP 1379988 A JP1379988 A JP 1379988A JP H01189127 A JPH01189127 A JP H01189127A
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はウェハの洗浄方法に係り、特にウェハを効率的
にかつ高清浄に洗浄することができるウェハの洗浄方法
に関する。
にかつ高清浄に洗浄することができるウェハの洗浄方法
に関する。
[従来の技術]
従来、半導体ウニへの洗浄には水洗方式が採用されてい
る。水洗にあたっては、ウェハは極めて高清浄であるこ
とが要求されることから、洗浄水として超純水が用いら
れている。また、洗浄効果を上げるために、薬品や超音
波による洗浄が採用されている。
る。水洗にあたっては、ウェハは極めて高清浄であるこ
とが要求されることから、洗浄水として超純水が用いら
れている。また、洗浄効果を上げるために、薬品や超音
波による洗浄が採用されている。
[発明が解決しようとする課題]
従来のウェハの洗浄方法では、十分に満足し得る洗浄効
果が得られていない。
果が得られていない。
今後、ウェハの微細化が進めば、より効率の良い洗浄方
法が必要とされることから、より洗浄効果の高い洗浄方
法が求められている。
法が必要とされることから、より洗浄効果の高い洗浄方
法が求められている。
一方、アスペクト比の高いトレンチ構造内を洗浄する場
合、トレンチ内は表面張力が高くなるため、従来の水洗
方法ではトレンチ内を十分に水洗することはできなかっ
た。このため、トレンチのような表面張力が高い構造の
ウェハをも、効率的に洗浄する方法が強く望まれている
。
合、トレンチ内は表面張力が高くなるため、従来の水洗
方法ではトレンチ内を十分に水洗することはできなかっ
た。このため、トレンチのような表面張力が高い構造の
ウェハをも、効率的に洗浄する方法が強く望まれている
。
[課題を解決するための手段]
本発明はウェハを、超純水を加熱して発生させた水蒸気
の中にさらした後、超純水で洗浄することを特徴とする
ものである。
の中にさらした後、超純水で洗浄することを特徴とする
ものである。
洗浄に使用する超純水は特に45〜95℃の温水である
ことが好ましい。
ことが好ましい。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のウェハの洗浄方法では、ウェハをまず超純水を
原水としてこれを加熱して発生させた水蒸気(以下、こ
の水蒸気を「ピュアスチーム」ということがある。)中
にさらした後(以下、この処理を「ピュアスチーム洗浄
」ということがある。)、超純水で水洗する。
原水としてこれを加熱して発生させた水蒸気(以下、こ
の水蒸気を「ピュアスチーム」ということがある。)中
にさらした後(以下、この処理を「ピュアスチーム洗浄
」ということがある。)、超純水で水洗する。
ここで、ピュアスチームの原水となる超純水及び水洗に
用いる超純水は、通常、ウェハの洗浄水として提供され
ている超純水を用いることができるが、好ましくは比抵
抗17MΩ・Cm以上、微粒子20個/mj! (o、
2μ)以下、TOC20PPb以下、5i025ppb
以下、バクテリア0.1個/ m 11以下の超純水を
用いるのが好適である。
用いる超純水は、通常、ウェハの洗浄水として提供され
ている超純水を用いることができるが、好ましくは比抵
抗17MΩ・Cm以上、微粒子20個/mj! (o、
2μ)以下、TOC20PPb以下、5i025ppb
以下、バクテリア0.1個/ m 11以下の超純水を
用いるのが好適である。
ピュアスチーム洗浄後の水洗は、常法に従って行なうこ
とができるが、この場合、超音波を併用するのが効果的
である。超音波の周波数は、洗浄効果の点から200K
Hz〜IMHzとするのが好ましい。
とができるが、この場合、超音波を併用するのが効果的
である。超音波の周波数は、洗浄効果の点から200K
Hz〜IMHzとするのが好ましい。
なお、水洗に用いる超純水は、45〜95℃程度の温水
とすることにより、すすぎ効果が高められ、より高い洗
浄効果を得ることができる。
とすることにより、すすぎ効果が高められ、より高い洗
浄効果を得ることができる。
本発明の方法において、ピュアスチーム洗浄及び水洗を
行なったウェハは、水洗後の滅菌のために、ドレン排出
後再度ピュアスチーム洗浄するのが好ましい。
行なったウェハは、水洗後の滅菌のために、ドレン排出
後再度ピュアスチーム洗浄するのが好ましい。
[作用]
超純水を原水にしたピュアスチームは、超純水よりも更
に純度も高く、殺菌、溶解、洗浄力も高い。しかも、気
体状態にあるので水に比べて極めて微細な部分まで浸透
する。このため、特にアスペクト比の高いトレンチ構造
のウェハであっても、ピュアスチームによる浸透が予め
なされるため、その後の水洗に際し、超純水による表面
濡れ性を高め、トレンチ内の洗浄効果を向上させること
ができる。
に純度も高く、殺菌、溶解、洗浄力も高い。しかも、気
体状態にあるので水に比べて極めて微細な部分まで浸透
する。このため、特にアスペクト比の高いトレンチ構造
のウェハであっても、ピュアスチームによる浸透が予め
なされるため、その後の水洗に際し、超純水による表面
濡れ性を高め、トレンチ内の洗浄効果を向上させること
ができる。
特に、洗浄に用いる超純水として45〜95℃の温水を
用いることにより、極めて優れた洗浄効果が得られる。
用いることにより、極めて優れた洗浄効果が得られる。
[実施例]
以下に図面を参照して本発明の一実施例について具体的
に説明する。
に説明する。
実施例1
第1図に示す洗浄装置を用いて汚染ウェハの洗浄を行な
った。
った。
図示の装置は、電気ヒータ1を備えるピュアスチーム発
生器2と耐熱材(PEEK;ポリエーテルエーテルケト
ン)で構成される超音波洗浄槽3とで主に構成されるも
のである。超音波洗浄槽3は底部に超音波発振子4を備
え、また、内部にはウェハキャリア5を有し、ピュアス
チームの漏出を少なくするために、上蓋6にて密閉する
密閉型の構造とされている。上蓋は排気量が十分確保で
きれば削除できる。
生器2と耐熱材(PEEK;ポリエーテルエーテルケト
ン)で構成される超音波洗浄槽3とで主に構成されるも
のである。超音波洗浄槽3は底部に超音波発振子4を備
え、また、内部にはウェハキャリア5を有し、ピュアス
チームの漏出を少なくするために、上蓋6にて密閉する
密閉型の構造とされている。上蓋は排気量が十分確保で
きれば削除できる。
このような装置では、超純水は配管11.12を経てタ
ンク7に貯められ、ここからポンプPでピュアスチーム
発生器2に送られる。そして、電気ヒータ1で加熱され
て発生したピュアスチームはバルブ■1を開とすること
により、配管13.14を経て超音波洗浄槽3に供給さ
れ噴出管15から噴出される。このピュアスチームはウ
ェハキャリア5に載置されたウェハにあたり、ピュアス
チーム洗浄を行なう。洗浄後のピュアスチームは配管1
6より排出され、凝縮槽8で凝縮液化した後、配管17
.18を経て排水系へ送られる。
ンク7に貯められ、ここからポンプPでピュアスチーム
発生器2に送られる。そして、電気ヒータ1で加熱され
て発生したピュアスチームはバルブ■1を開とすること
により、配管13.14を経て超音波洗浄槽3に供給さ
れ噴出管15から噴出される。このピュアスチームはウ
ェハキャリア5に載置されたウェハにあたり、ピュアス
チーム洗浄を行なう。洗浄後のピュアスチームは配管1
6より排出され、凝縮槽8で凝縮液化した後、配管17
.18を経て排水系へ送られる。
ピュアスチーム洗浄後の超純水による水洗を行なう際に
は、バルブVlを閉とし、バルブ■2を開として、超純
水を配管11.19.14、噴出管15を経て超音波洗
浄槽3に導入し、洗浄槽3内を超純水で満たす(W:水
位)。そして、超音波発振子4より超音波を発振して超
音波洗浄を行なう。水洗後は、バルブ■2を閉、バルブ
v3、v4を開として、ドレン水を配管20,18を経
て排水系へ送る。
は、バルブVlを閉とし、バルブ■2を開として、超純
水を配管11.19.14、噴出管15を経て超音波洗
浄槽3に導入し、洗浄槽3内を超純水で満たす(W:水
位)。そして、超音波発振子4より超音波を発振して超
音波洗浄を行なう。水洗後は、バルブ■2を閉、バルブ
v3、v4を開として、ドレン水を配管20,18を経
て排水系へ送る。
本実施例においては、このようにしてピュアスチーム洗
浄及び水洗を行なった後、再びバルブv2、■3、v4
を閉、バルブvIを開として、ピュアスチームを超音波
洗浄槽3内に送給し、洗浄されたウェハの滅菌を行ない
、クリーンベンチ内で自然乾燥した。
浄及び水洗を行なった後、再びバルブv2、■3、v4
を閉、バルブvIを開として、ピュアスチームを超音波
洗浄槽3内に送給し、洗浄されたウェハの滅菌を行ない
、クリーンベンチ内で自然乾燥した。
なお、用いた洗浄装置の各機器の仕様及び洗浄手順、洗
浄条件、洗浄に供した汚染ウェハは下記に示す通りであ
る。
浄条件、洗浄に供した汚染ウェハは下記に示す通りであ
る。
ピュアスチーム発生器:
ヒータ 10 KW、材質 SL]S316ドラム材質
5US316 スチーム発生量 10 K g / h r超音波洗浄
槽: 寸法幅270X長さ250×高さ300 (mm)(有
効容積18. 5fl) 材質 PEEK 超音波 300Wx400KHz 洗浄手順: ■ ピュアスチーム洗浄 1分 ■ 超純水水洗 10分 (超音波洗浄) ■ ドレン ■ ピュアスチーム洗浄 1分 洗浄条件: ピュアスチーム温度 125℃(飽和)洗浄水量
917m1n 洗浄水温 80℃ 汚染ウェハ:希フッ酸洗浄後に純水浸漬した鏡面ウェハ 洗浄前のウェハ及び洗浄後のウェハについて、それぞれ
、レーザ敗乱光によるウェハゴミ検査計(ドブコンWM
−3)を用いて汚染粒子数を調べ、汚染除去率を求めた
。
5US316 スチーム発生量 10 K g / h r超音波洗浄
槽: 寸法幅270X長さ250×高さ300 (mm)(有
効容積18. 5fl) 材質 PEEK 超音波 300Wx400KHz 洗浄手順: ■ ピュアスチーム洗浄 1分 ■ 超純水水洗 10分 (超音波洗浄) ■ ドレン ■ ピュアスチーム洗浄 1分 洗浄条件: ピュアスチーム温度 125℃(飽和)洗浄水量
917m1n 洗浄水温 80℃ 汚染ウェハ:希フッ酸洗浄後に純水浸漬した鏡面ウェハ 洗浄前のウェハ及び洗浄後のウェハについて、それぞれ
、レーザ敗乱光によるウェハゴミ検査計(ドブコンWM
−3)を用いて汚染粒子数を調べ、汚染除去率を求めた
。
結果を第1表に示す。
比較例1
ピュアスチーム洗浄を行なわなかったこと以外は実施例
1と同様にして超純水による超音波洗浄を行ない、汚染
除去率を求めた。結果を第1表に示す。
1と同様にして超純水による超音波洗浄を行ない、汚染
除去率を求めた。結果を第1表に示す。
第1表より、本発明の方法に従って、水洗に先立ちピュ
アスチーム洗浄を行なった場合には、ピュアスチームに
よる溶解力及び濡れ性増進の効果により、極めて優れた
洗浄効果が得られることが明らかである。
アスチーム洗浄を行なった場合には、ピュアスチームに
よる溶解力及び濡れ性増進の効果により、極めて優れた
洗浄効果が得られることが明らかである。
第1表
※0.3μ粒子/4 ウェハ
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明のウェハの洗浄方法は、ウェ
ハをピュアスチーム洗浄した後超純水で洗浄するもので
あって、 ■ 超純水から発生させたピュアスチームは更に高純度
であるため、洗浄による再汚染が防止される。
ハをピュアスチーム洗浄した後超純水で洗浄するもので
あって、 ■ 超純水から発生させたピュアスチームは更に高純度
であるため、洗浄による再汚染が防止される。
■ ピュアスチームの高い溶解力により極めて高い洗浄
効果が得られる。
効果が得られる。
■ ピュアスチームの高い濡れ性増進効果により、高ア
スペクト比のトレンチ構造のウェハも有効に洗浄するこ
とが可能とされる。
スペクト比のトレンチ構造のウェハも有効に洗浄するこ
とが可能とされる。
■ 高温のピュアスチームによりウェハ上のバクテリア
による汚染が防止される。
による汚染が防止される。
等の優れた効果を奏する。このため、洗浄に要する超純
水量を低減して、効率的にウェハの洗浄を行なうことに
よって、清浄度の著しく高いウェハを提供することが可
能とされる。
水量を低減して、効率的にウェハの洗浄を行なうことに
よって、清浄度の著しく高いウェハを提供することが可
能とされる。
第1図は実施例1で用いた洗浄装置を示す系統図である
。 1・・・電気ヒータ、 2・・・ピュアスチーム発生器、 3・・・超音波洗浄槽、 4・・・超音波発振子、 5・・・ウェハキャリア。 代 理 人 弁理士 重 野 剛
。 1・・・電気ヒータ、 2・・・ピュアスチーム発生器、 3・・・超音波洗浄槽、 4・・・超音波発振子、 5・・・ウェハキャリア。 代 理 人 弁理士 重 野 剛
Claims (2)
- (1)ウェハを、超純水を加熱して発生させた水蒸気の
中にさらした後、超純水で洗浄することを特徴とするウ
ェハの洗浄方法。 - (2)洗浄に使用する超純水は45〜95℃の温水であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の洗浄
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1379988A JPH01189127A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1379988A JPH01189127A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01189127A true JPH01189127A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11843301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1379988A Pending JPH01189127A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01189127A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0276228A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH02177327A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄方法,エツチング方法および半導体ウエハ用処理装置 |
JPH06177102A (ja) * | 1990-09-17 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体表面の清浄化方法および装置 |
US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
JP2008085150A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1379988A patent/JPH01189127A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0276228A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH02177327A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄方法,エツチング方法および半導体ウエハ用処理装置 |
JPH06177102A (ja) * | 1990-09-17 | 1994-06-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体表面の清浄化方法および装置 |
US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
US6378534B1 (en) | 1993-10-20 | 2002-04-30 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
JP2008085150A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄方法 |
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