JPS62289396A - セラミツクスの接合方法 - Google Patents
セラミツクスの接合方法Info
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- JPS62289396A JPS62289396A JP25726585A JP25726585A JPS62289396A JP S62289396 A JPS62289396 A JP S62289396A JP 25726585 A JP25726585 A JP 25726585A JP 25726585 A JP25726585 A JP 25726585A JP S62289396 A JPS62289396 A JP S62289396A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/302—Cu as the principal constituent
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説用
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミックスの低温度接合方法に係り、特に、
セラミックス同士又はセラミックスと金属とを、不活性
雰囲気又は還元雰囲気中において接合する方法に関する
。
セラミックス同士又はセラミックスと金属とを、不活性
雰囲気又は還元雰囲気中において接合する方法に関する
。
従来より、セラミ−7クス同士又は金属とセラミックス
とを接合する場合には、接合方法としてテレフンケン法
、活性金属法、銅化合物法等が利用されている。
とを接合する場合には、接合方法としてテレフンケン法
、活性金属法、銅化合物法等が利用されている。
しかしながら、テレフンケン法及び銅化合物法等にあっ
ては、複数の接合工程を必要とするものであり、また、
接合する際には1000℃以上に加熱する必要があり、
低温度では接合できない、という欠点があった。一方、
上記活性金属法によれば一回のみの工程で接合可イをで
あるが、A文203 、ZrO2、又はSiC等のセ
ラミックスと、SS又はSUS等の金属とを一回の操作
により接合した場合には、接合温度が高くなる程、セラ
ミックスから成る。接合材と被接合材との熱膨張差によ
り発生した応力を緩和できず、確実に接合できない場合
がある、という欠点があった。
ては、複数の接合工程を必要とするものであり、また、
接合する際には1000℃以上に加熱する必要があり、
低温度では接合できない、という欠点があった。一方、
上記活性金属法によれば一回のみの工程で接合可イをで
あるが、A文203 、ZrO2、又はSiC等のセ
ラミックスと、SS又はSUS等の金属とを一回の操作
により接合した場合には、接合温度が高くなる程、セラ
ミックスから成る。接合材と被接合材との熱膨張差によ
り発生した応力を緩和できず、確実に接合できない場合
がある、という欠点があった。
そこで、このような接合時における熱膨張差により発生
した応力を緩衝するために接合材と被接合材との間に緩
衝材をインサートする場合がある。そして、−回の工程
でセラミックスから成る接合材、緩衝材及び被接合材を
接合するためには、セラミックスから成る接合材と緩衝
材との接合温度及び緩衝材と被接合材との接合温度とを
同一にしておく必要があり、緩衝材として市販の銀ロウ
系ロウ材を使用する場合には、高温でろう接することは
好ましくなく、850℃以下で接合するのが好ましい、
一方、活性金属法において一般に用いられるロウ材とし
ては^g−Cu −Ti 、 Ag −Ni −Ti等
があり、N1cholas (USP No、 4,4
71,028 )によりCu−5n−Tiのロウ材も開
発されている。
した応力を緩衝するために接合材と被接合材との間に緩
衝材をインサートする場合がある。そして、−回の工程
でセラミックスから成る接合材、緩衝材及び被接合材を
接合するためには、セラミックスから成る接合材と緩衝
材との接合温度及び緩衝材と被接合材との接合温度とを
同一にしておく必要があり、緩衝材として市販の銀ロウ
系ロウ材を使用する場合には、高温でろう接することは
好ましくなく、850℃以下で接合するのが好ましい、
一方、活性金属法において一般に用いられるロウ材とし
ては^g−Cu −Ti 、 Ag −Ni −Ti等
があり、N1cholas (USP No、 4,4
71,028 )によりCu−5n−Tiのロウ材も開
発されている。
しかしながら、これら3成分系ロウ材の一般的な接合温
度は850℃〜1050℃であり、接合温度が高く、被
接合材と接合する際の応力を充分に緩衝することができ
ず、セラミックスに亀裂が生じる場合や、接合後にはく
離が生ずる等の欠点があった。また、従来の接合方法に
あっては、#触性に欠け、信頼性の点で劣るものであっ
た。
度は850℃〜1050℃であり、接合温度が高く、被
接合材と接合する際の応力を充分に緩衝することができ
ず、セラミックスに亀裂が生じる場合や、接合後にはく
離が生ずる等の欠点があった。また、従来の接合方法に
あっては、#触性に欠け、信頼性の点で劣るものであっ
た。
そこで本発明の技術的課題は、セラミックスと被接合材
とを低温度において単純な工程において接合することが
できると共に信頼性が高く耐蝕性に富むセラミックスの
接合方法を提供することにある。
とを低温度において単純な工程において接合することが
できると共に信頼性が高く耐蝕性に富むセラミックスの
接合方法を提供することにある。
かかる目的を達成するため、本発明にあっては、銀(A
s)と、銅(Cu)と、錫(Sn)と、チタニウム(T
i)との4成分から成るロウ材を用いてセラミックスと
被接合材とを接合するように構成されている。
s)と、銅(Cu)と、錫(Sn)と、チタニウム(T
i)との4成分から成るロウ材を用いてセラミックスと
被接合材とを接合するように構成されている。
即ち、上記錫(Sn)はセラミックス接合層の濡れ性の
改善に寄与すると共にロウ材の低融点化に効果があり、
更に、銀ロウ等のロウ材との併用によりタングステンカ
ーバイド、窒化硼素等、超硬材料との接合をも回部にす
るものである。また、銅(Cu)については銀(Ag)
との共晶により低融点化を助け、展延性の面においても
優れ、また、錫(Sn)との合金によって耐蝕性も高め
られるものである。さらに、チタニウムは活性金属の一
種でセラミックの界面に濃縮され確実な接合を回走とす
るものである。一方、銀(Ag)は接合界面に近い部位
に濃縮されて接合層における緩衝層を形成し、膨張、収
縮に伴なう応力緩和に寄与するものである。また、銅(
Cu)と錫(Ag)とを合金とした場合にはチタニウム
(Ti)中に固溶され、ロウ材の低融点化と濡れ性を高
めるものと考えられる。
改善に寄与すると共にロウ材の低融点化に効果があり、
更に、銀ロウ等のロウ材との併用によりタングステンカ
ーバイド、窒化硼素等、超硬材料との接合をも回部にす
るものである。また、銅(Cu)については銀(Ag)
との共晶により低融点化を助け、展延性の面においても
優れ、また、錫(Sn)との合金によって耐蝕性も高め
られるものである。さらに、チタニウムは活性金属の一
種でセラミックの界面に濃縮され確実な接合を回走とす
るものである。一方、銀(Ag)は接合界面に近い部位
に濃縮されて接合層における緩衝層を形成し、膨張、収
縮に伴なう応力緩和に寄与するものである。また、銅(
Cu)と錫(Ag)とを合金とした場合にはチタニウム
(Ti)中に固溶され、ロウ材の低融点化と濡れ性を高
めるものと考えられる。
上記4成分の各金属の状態については粉状、箔状もしく
はプレート状のいずれであっても良く、また、チタニウ
ムについては水素化物(Ti N2 )であっても良い
。また、tj4(Cu)錫(Sn)については両者の合
金が好ましく重量組成比は銅(Cu):錫(Sn) =
(20〜80%) : (80〜20%)であること
が必要である。そして、このようなCu−Sn合金にお
いて、重量組成比Cu : Sn= 80 : 20の
場合の溶融温度は約920℃、重量組成比Cu : S
n= 20 : 80の場合の溶融温度は約550℃で
ある。また、その他、Ag−Cu系、Ag−5n系、A
g Cu−3ol系の各種合金であっても良い。
はプレート状のいずれであっても良く、また、チタニウ
ムについては水素化物(Ti N2 )であっても良い
。また、tj4(Cu)錫(Sn)については両者の合
金が好ましく重量組成比は銅(Cu):錫(Sn) =
(20〜80%) : (80〜20%)であること
が必要である。そして、このようなCu−Sn合金にお
いて、重量組成比Cu : Sn= 80 : 20の
場合の溶融温度は約920℃、重量組成比Cu : S
n= 20 : 80の場合の溶融温度は約550℃で
ある。また、その他、Ag−Cu系、Ag−5n系、A
g Cu−3ol系の各種合金であっても良い。
また、緩衝材として上記ロウ材を構成する4成分の各金
属の単体か、又は、各金属の単体を含むものを用いる場
合、接合層における拡散によりロウ材の組成が影響を受
ける場合もありうるが、影響を受は組成に加わった部分
も4成分の各金属の状態の一つとして含まれる0例えば
、Cuを接合母材としてのセラミックスと、被接合母材
の金属との間の緩衝材として用いる場合、温度及び時間
等の原因により表面からlθ〜40ALの反応層が生成
し、Cuが他の成分(3成分乃至4成分)中に溶出して
ロウ材成分の一部となる場合、溶出した部分についても
、上記粉状、箔状等と同様の金属の状態の一種と考えら
れるものであり、やはり本発明におけるロウ材の組成範
囲に含まれるものである。
属の単体か、又は、各金属の単体を含むものを用いる場
合、接合層における拡散によりロウ材の組成が影響を受
ける場合もありうるが、影響を受は組成に加わった部分
も4成分の各金属の状態の一つとして含まれる0例えば
、Cuを接合母材としてのセラミックスと、被接合母材
の金属との間の緩衝材として用いる場合、温度及び時間
等の原因により表面からlθ〜40ALの反応層が生成
し、Cuが他の成分(3成分乃至4成分)中に溶出して
ロウ材成分の一部となる場合、溶出した部分についても
、上記粉状、箔状等と同様の金属の状態の一種と考えら
れるものであり、やはり本発明におけるロウ材の組成範
囲に含まれるものである。
尚、上記4成分以外の成分、例えば、Fe、Mn。
Co又はCr′3を緩衝材に含めてもよい。また、4成
分の各金属の純度に関連し不可避不純物が加わることも
あり、さらに、接合母材であるセラミックスの成分又は
助剤成分の拡散により4次分が接合層において影響を受
けることもありうる。
分の各金属の純度に関連し不可避不純物が加わることも
あり、さらに、接合母材であるセラミックスの成分又は
助剤成分の拡散により4次分が接合層において影響を受
けることもありうる。
加熱雰囲気については、Tiは酸化し易いため10−”
tarr以上の真空中か、遺児雰囲気又は水素ガス、
窒素ガス、アルゴンガス等の不活性雰囲気であることが
必要となる。
tarr以上の真空中か、遺児雰囲気又は水素ガス、
窒素ガス、アルゴンガス等の不活性雰囲気であることが
必要となる。
加熱温度については、ロウ材の組成によっても異なるが
1本発明においては750〜1000℃の範囲が好適で
ある。また、加熱速度及び冷却速度の条件は、本発明に
おいて特に制約はなく、急熱及び急冷(夫々、50℃/
win以上)であっても是し支えない、但し、脱詣及び
脱気のため500〜600℃の温度において10〜20
分間加熱する工程を設けることが望ましい。
1本発明においては750〜1000℃の範囲が好適で
ある。また、加熱速度及び冷却速度の条件は、本発明に
おいて特に制約はなく、急熱及び急冷(夫々、50℃/
win以上)であっても是し支えない、但し、脱詣及び
脱気のため500〜600℃の温度において10〜20
分間加熱する工程を設けることが望ましい。
本発明において、セラミックスから成る被接合材として
は、アルミナセラミックス等の金属酸化物系のセラミッ
クス、窒化珪素等の窒化物セラミックス、炭化物、硼化
物、スピネル類、フォルステライト類等が該当する。ま
た、金属から成る被接合材としては、ss 、 sc
、 SK 、 SOS等の鋼鉄もしくは特殊鋼類、また
、Xi −Cr 、 Fe −Ni、 Fe −Ni
−Go、超硬材料(例えばWC)等の合金も広く対象と
なる。また、上記セラミックス同士の接合においては、
銀ロウ等の他のロウ材と併用する必要はなく、本発明に
おけるロウ材のみを使用すればよいものであり、上記4
次分中の一つである銅の緩衝材を使用してもよい。
は、アルミナセラミックス等の金属酸化物系のセラミッ
クス、窒化珪素等の窒化物セラミックス、炭化物、硼化
物、スピネル類、フォルステライト類等が該当する。ま
た、金属から成る被接合材としては、ss 、 sc
、 SK 、 SOS等の鋼鉄もしくは特殊鋼類、また
、Xi −Cr 、 Fe −Ni、 Fe −Ni
−Go、超硬材料(例えばWC)等の合金も広く対象と
なる。また、上記セラミックス同士の接合においては、
銀ロウ等の他のロウ材と併用する必要はなく、本発明に
おけるロウ材のみを使用すればよいものであり、上記4
次分中の一つである銅の緩衝材を使用してもよい。
以上を基にして、各種実験を行い、その結果を総括し、
ロウ材の重量組成としてAg:10〜40%、Cu:
8〜58%、Sn: 8〜58%、Ti:5〜25
%が最適である、という結果が得られた。
ロウ材の重量組成としてAg:10〜40%、Cu:
8〜58%、Sn: 8〜58%、Ti:5〜25
%が最適である、という結果が得られた。
以下、添付図面に示す実施例に基づき本発明の詳細な説
明する。
明する。
1回の操作でセラミックス板と金属との接合を行った。
第1図に示すように、セラミックス板として30X 1
5X 5■/1のアルミナ板(純度33.5%、表面粗
さ1〜2 gRa) l、金属は5 m/m厚の545
C板2を使用し、またインサート材として2腸111厚
のCu板3を使用した。まず、銀、銅、錫、チタニウム
の金属粉末(240層esh全通)を所定の配合割合に
秤取し、十分混合した後、混合粉末100 ii部に対
し、スクリーンオイル1023,1部を混合してペース
ト状とした0次に、アルミナ板1の表面をエタノールで
法外、乾燥した後、この表面にペーストを60gm厚に
塗布した。これを真空乾燥器でインサート材としてCu
板3をはさみ、真空中(約950℃の場合はCu−3n
ロウ、800℃の場合には銀ロウ(BAg−8)のロウ
材4を使用した。その時の接合の状態を第1図に示し、
接合層の断面のEPMAによる結果を第2図に示した。
5X 5■/1のアルミナ板(純度33.5%、表面粗
さ1〜2 gRa) l、金属は5 m/m厚の545
C板2を使用し、またインサート材として2腸111厚
のCu板3を使用した。まず、銀、銅、錫、チタニウム
の金属粉末(240層esh全通)を所定の配合割合に
秤取し、十分混合した後、混合粉末100 ii部に対
し、スクリーンオイル1023,1部を混合してペース
ト状とした0次に、アルミナ板1の表面をエタノールで
法外、乾燥した後、この表面にペーストを60gm厚に
塗布した。これを真空乾燥器でインサート材としてCu
板3をはさみ、真空中(約950℃の場合はCu−3n
ロウ、800℃の場合には銀ロウ(BAg−8)のロウ
材4を使用した。その時の接合の状態を第1図に示し、
接合層の断面のEPMAによる結果を第2図に示した。
尚、図中符号5はTi 、 Sn濃集部、6はTi 、
Ag 、 Sn濃集部、7はCu−リ 主速度は0.51■/winである。
Ag 、 Sn濃集部、7はCu−リ 主速度は0.51■/winである。
本発明の以上のような構成を有することから、セラミッ
クスと被接合材とを低温度において接合することが可能
となった。また、従来必要であったメッキ工程を省略す
ることが必要であったメッキ工程を省略することが可能
となり、−回のみの工程により接合することができ、従
来より少ない工程で接合できるものである。さらに、窒
化珪素等の非酸化物セラミックスをも接合することが可
使となり、より多種類の被接合部材を接合できるように
なった。また、バラツキが少なく信頼性及び耐蝕性に富
む接合が可使となる、という効果を奏する。
クスと被接合材とを低温度において接合することが可能
となった。また、従来必要であったメッキ工程を省略す
ることが必要であったメッキ工程を省略することが可能
となり、−回のみの工程により接合することができ、従
来より少ない工程で接合できるものである。さらに、窒
化珪素等の非酸化物セラミックスをも接合することが可
使となり、より多種類の被接合部材を接合できるように
なった。また、バラツキが少なく信頼性及び耐蝕性に富
む接合が可使となる、という効果を奏する。
z1久
第1図は本発明に係るセラミックスの接合方法を用いて
セラミックスと金属とを接合した状態を示す断面図、第
2図は第1図に示す断面図におけるセラミックスと緩衝
材との間の接合層の結晶の構造を示すEPMAによる組
成像であり、各成分元素の分布状態を示した写真である
。 、l・・・セラミックス 2・・・被接合材(545C板) 4・・・ロウ材 特許出願人 住友セメント株式会社 第1図 1・・・・セラミックス 2・−・−板1(8科(S45C) 3・−・緩を材(Cu版) 4−・・・ロウ材 (巨糸売滓甫正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第257265号
2、発明の錫 セラミックスの接合方法代麩今用彦二 氏名 (7519) 弁理士土橋皓5、補正命
令の日付 昭和62年3月31日(発送旧)6、補正
により増加する発明の数 なし7、補正の対象
明細書の「図面の簡単な説明」の欄補正の内容 明細書第11ページ第4行乃至第7行に「示す断面図、
第2図は第1図に示す断面図におけるセラミックスと緩
衝材との間の接合層の結晶の構造を示すEPMAによる
組成像であり、各成分元素の分布状態を示した写真であ
る。」とあるのを「示す断面図である。」と補正する。
セラミックスと金属とを接合した状態を示す断面図、第
2図は第1図に示す断面図におけるセラミックスと緩衝
材との間の接合層の結晶の構造を示すEPMAによる組
成像であり、各成分元素の分布状態を示した写真である
。 、l・・・セラミックス 2・・・被接合材(545C板) 4・・・ロウ材 特許出願人 住友セメント株式会社 第1図 1・・・・セラミックス 2・−・−板1(8科(S45C) 3・−・緩を材(Cu版) 4−・・・ロウ材 (巨糸売滓甫正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和60年特許願第257265号
2、発明の錫 セラミックスの接合方法代麩今用彦二 氏名 (7519) 弁理士土橋皓5、補正命
令の日付 昭和62年3月31日(発送旧)6、補正
により増加する発明の数 なし7、補正の対象
明細書の「図面の簡単な説明」の欄補正の内容 明細書第11ページ第4行乃至第7行に「示す断面図、
第2図は第1図に示す断面図におけるセラミックスと緩
衝材との間の接合層の結晶の構造を示すEPMAによる
組成像であり、各成分元素の分布状態を示した写真であ
る。」とあるのを「示す断面図である。」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)銀(Ag)と、銅(Cu)と、錫(Sn)と、チタ
ニウム(Ti)との4成分から成るロウ材を用いてセラ
ミックスと被接合材とを接合するセラミックスの接合方
法。 2)上記ロウ材を構成する4成分の重量組成は、銀(A
g)10〜40%、銅(Cu)8〜58%、錫(Sn)
8〜56%、チタニウム(Ti)5〜25%であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセラミックス
の接合方法。 3)上記ロウ材を構成する4成分のうち銅(Cu)と錫
(Sn)とが、銅(Cu)20〜80%であって錫(S
n)8.0〜20%の重量組成比から成るCu−Sn合
金を用いてセラミックスと被接材とを接合する特許請求
の範囲第1項記載のセラミックスの接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25726585A JPS62289396A (ja) | 1985-11-16 | 1985-11-16 | セラミツクスの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25726585A JPS62289396A (ja) | 1985-11-16 | 1985-11-16 | セラミツクスの接合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62289396A true JPS62289396A (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=17303977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25726585A Pending JPS62289396A (ja) | 1985-11-16 | 1985-11-16 | セラミツクスの接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62289396A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0725677A (ja) * | 1993-05-10 | 1995-01-27 | Isuzu Motors Ltd | セラミックスとニッケル又はニッケル系合金との接合方 法 |
EP0798781A2 (en) * | 1996-03-27 | 1997-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and producing method therefor |
JPH09321400A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-12-12 | Cts Corp | 半田活性鑞および導電性トレースの形成方法 |
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JP2011067849A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Kyocera Corp | ろう材およびこれを用いて接合された放熱基体 |
WO2015079844A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 株式会社村田製作所 | 金属間化合物の生成方法および金属間化合物を用いた接続対象物の接続方法 |
JP2016145132A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | イビデン株式会社 | 複合部品 |
CN113278824A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-20 | 西安理工大学 | 一种高锡含量高塑性Cu-Sn-Ti合金的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5811389A (ja) * | 1981-07-02 | 1983-01-22 | キヤリア・コ−ポレイシヨン | 高性能伝熱管およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-16 JP JP25726585A patent/JPS62289396A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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