[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS62232795A - Mos型メモリ回路 - Google Patents

Mos型メモリ回路

Info

Publication number
JPS62232795A
JPS62232795A JP61077412A JP7741286A JPS62232795A JP S62232795 A JPS62232795 A JP S62232795A JP 61077412 A JP61077412 A JP 61077412A JP 7741286 A JP7741286 A JP 7741286A JP S62232795 A JPS62232795 A JP S62232795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
word line
circuit
voltage
type memory
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61077412A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Kihara
雄治 木原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61077412A priority Critical patent/JPS62232795A/ja
Priority to US07/032,551 priority patent/US4787068A/en
Publication of JPS62232795A publication Critical patent/JPS62232795A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は高速スタティックRAM等からなるMOS型
メモリ回路において、ワード線の遅延を減らすことによ
り高速化を図るとともに書き込みタイミングマージンの
拡大を実現したMOS型メモリ回路に関するものである
〔従来の技術〕
第5図は従来のスタティックRAMのワード線及びその
周辺の回路を示す。図において、ID〜nDはデコーダ
用NAND回路、If−’−fllはワード線ドライバ
用インバータ、11〜nnはメモリセル、1WxnWは
ワード線、B1〜Bnはビット線である。l a〜na
、1 b−wnb、l c 〜ncは各ノードである。
次に動作について説明する。各デコーダID〜nDはN
AND回路で構成されており、その全入力がHのときの
み出力が“L”となる。そしてその結果、ノード1ax
naのうち1つのノードのみ′L”となる、従って、イ
ンバータ1■〜niによりワード線IWxnWのうちの
1本だけが“H′となる。これにより、”H″となった
ワード線につながっている全セルのデータがビット線8
1〜Bnに出力される。この際ワード線は一般に多結晶
シリコンで配線されているからある値の抵抗値をもつ。
一方、このワード線はメモリセルのアタセストランジス
タのゲートとなっているから、ある値のゲート容量をも
つ。そしてこの抵抗と容量で分布定数回路が構成されて
いるので、ワード線のっけねと先端では動作波形が大き
く異なることとなり、ノードlc〜ncはノードより〜
nbに比べて大きな遅延が生じてしまう。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のMO3型メモリ回路は以上のように構成されてい
るので、ワード線がある時定数をもつ分布定数回路とし
て作用し、遅延が生ずることは避けられなかった。この
問題を解決する方法としてワード線の分割またはシリサ
イド化が行なわれてきたが、メモリ容量の増大に伴い、
チップサイズとのかねあいで、ワード線遅延を無限小に
抑えることには限界が生じていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ワード線遅延を抑制できるとともに、書き込
み系のタイミングマージンの増大をも達成できるMO3
型メモリ回路を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るMO3型メモリ回路は、ワード線の先端
部に、アドレスが変化する際ワード線を電源電圧と接地
電圧との間のあるレベルに固定する回路を付加したもの
である。
〔作用〕
この発明にかかるMO3型メモリ回路においては、ワー
ド線先端部に印加された中間レベルの電圧によりワード
線先端部の遅延が抑制され、全体としての遅延が抑えら
れる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例によるMO3型メモリ回路
を示す回路図であり、図においてID〜nDはデコーダ
のNAND回路、If〜nIはインバータ、ll〜nn
はメモリセル、IT−nTはnチャンネルトランジスタ
、A、Bはpチャンネルトランジスタ、Eはインバータ
である。
また、1 aA7na、l b〜nb、l c〜nc。
d、eは各ノードを示す。
NAND回路ID−nDおよびインバータ1■〜nlに
より構成されたデコーダ、およびメモリセル11〜nn
の構成は従来回路と同じである。
ITmnTはワード線の終端に接続されたnチャンネル
トランジスタであり、それらのゲートはATD発生回路
30に、ドレインはノードdに接続されている。ここで
ATD発生回路30とはアドレスが変化する際、つまり
新たなアクセスが生じた際にパルスを発生させる回路で
ある。ノードdはpチャンネルトランジスタBによりG
NDよりも該トランジスタBOVTlfP分高い電位に
なっている。従ってこのノードdの電位は通常0.7〜
0゜8■である。Aはpチャンネルトランジスタである
から、ATD発生回路30の出力と逆相の信号を入力と
して入れるようにしており、これによりこれはnチャネ
ルトランジスタITxnTがON状態のときにONとな
る。
アドレスが変化して選択されたデコーダがIDから2D
に変化する際、ワード線のっけねであるノード1bは急
速に立ち下り、ノード2bは急速に立ち上る。一方アド
レスが変化したのに伴い、ATD発生回路30からパル
スが発生し、nチャネルトランジスタITxnTおよび
pチャネルトランジスタAがONL、アドレスが変化す
る以前に″H″レベルであったノードICは、トランジ
スタBで規定されるレベル(IVTHP)に急速に立ち
下る。一方、ノード2C−ncはトランジスタAがON
するため一斉に立ち上がろうとする。
ただしATD発生回路30から発生されるパルスの幅と
トランジスタAの駆動力とによって立ち上がる電位VQ
が規定される。ドライバ1■〜nIからワード線を伝わ
って正規の信号がノードIC〜ncに到達する時点にお
いて、トランジスタIT−nTおよびAはOFFしてい
る。従って新しく選択されたワード線の終端2cは0 
(V)ではなくVoから立ち上ればよいからその分アク
セスが速くなる。また、このとき非選択となったワード
線IWおよび3 W w n WはATDパルスが切れ
るとインバータ11.3I〜nlによってCNDレベル
にもどる。
以上のように本実施例回路では、トランジスタIT〜n
T、A、BおよびATD発生回路30からなり、アドレ
スの切替わり時にワード線の終端部に一定電圧を与える
回路を設けたことにより、ワード線のつけねに影響を与
えずにワード線終端部のみアドレスの切替わりが速くな
り、書き込み時の特性もよくなる。
即ち、第7図に示すように、外部入力のアドレスの切替
わりと外部のWE傷信号立上がりが同じである場合の、
内部アドレスが切替わってから内部のWE傷信号立下が
るまでのアドレスセットアツプタイムは、ワード線の終
端部(ノードC)の最もアクセスが遅いアドレスで最大
となり一方、内部のWE傷信号立上がってから内部アド
レスが切替わるまでのライドリカバリータイムは、ワー
ド線のっけね(ノードlb)の最もアクセスが速いアド
レスで最大となるが、本実施例では上記の構成によりワ
ード線のつけねに影響を与えることなく、ワード線の終
端のみ信号の速度が速くなったので、アドレスセットア
ツプタイムの特性が良くなり、書き込み系のタイミング
マージンを増大することができる。
なお、上記実施例では中間電位VQを得るのにpチャン
ネルトランジスタA、Bを用いたが、第3図に示すよう
にトランジスタE、Fで構成されたインバータを用いて
、VQをインバータのベータ比で強制的に決める方法も
考えられる。図中、Gはパワーカット用のトランジスタ
である。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、ワード線の終端部に
電源電圧と接地電位との中間レベルの電圧を与える回路
を設け、ワード線のつけねに影響を与えずに、ワード線
の終端のみを高速化するようにしたので、アクセスタイ
ムが速くなるとともにアドレスセントアップタイムのマ
ージンをも拡大できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるMOS型メモリ回路
を示す回路図、第2図は第1図の回路におけるワード線
の動作波形を示す図、第3図はこの発明の他の実施例に
よるMOS型メモリ回路の回路図、第4図は第3図の回
路の動作波形を示す図、第5図は従来のワード線を含む
回路の回路図、第6図は第5図の回路の動作波形を示す
図、第7図は書込み特性のマージンを示す概念図である
。 10−’−nDはデコーダのNAND回路、II〜nl
はワード線ドライバ、81〜Bnはビット線、I W 
−n Wはワード線、A、B、Eはpチャンネルトラン
ジスタ、C,F、Gはnチャンネルトランジスタである

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)MOS型メモリ回路において、 メモリアドレスの切替わり時に電源電圧と接地電位との
    間のあるレベルの電圧をワード線の終端に与える回路を
    備えたことを特徴とするMOS型メモリ回路。
JP61077412A 1986-04-02 1986-04-02 Mos型メモリ回路 Pending JPS62232795A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61077412A JPS62232795A (ja) 1986-04-02 1986-04-02 Mos型メモリ回路
US07/032,551 US4787068A (en) 1986-04-02 1987-04-01 MOS-type memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61077412A JPS62232795A (ja) 1986-04-02 1986-04-02 Mos型メモリ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62232795A true JPS62232795A (ja) 1987-10-13

Family

ID=13633214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61077412A Pending JPS62232795A (ja) 1986-04-02 1986-04-02 Mos型メモリ回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4787068A (ja)
JP (1) JPS62232795A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2805761B2 (ja) * 1988-08-29 1998-09-30 日本電気株式会社 スタティックメモリ
EP0662690B1 (en) * 1993-12-02 1998-05-27 STMicroelectronics S.r.l. Bias circuit for a memory line decoder driver of non-volatile memories
US5448529A (en) * 1994-11-17 1995-09-05 Alliance Semiconductor Corporation High speed and hierarchical address transition detection circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778695A (en) * 1980-10-29 1982-05-17 Toshiba Corp Semiconductor storage device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4099265A (en) * 1976-12-22 1978-07-04 Motorola, Inc. Sense line balance circuit for static random access memory
US4338679A (en) * 1980-12-24 1982-07-06 Mostek Corporation Row driver circuit for semiconductor memory
JPS5968889A (ja) * 1982-10-08 1984-04-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US4558435A (en) * 1983-05-31 1985-12-10 Rca Corporation Memory system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778695A (en) * 1980-10-29 1982-05-17 Toshiba Corp Semiconductor storage device

Also Published As

Publication number Publication date
US4787068A (en) 1988-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6091626A (en) Low voltage, low power static random access memory cell
US5371713A (en) Semiconductor integrated circuit
JP3100488B2 (ja) 電圧、温度および処理の変動に対する補償を備えたメモリ
KR19980080153A (ko) 고속 기입 회복을 하는 메모리 장치 및 고속 기입회복 방법
US7852700B2 (en) Memory device
JPH07107796B2 (ja) 非クロック・スタティック・メモリ・アレイ
KR0155986B1 (ko) 반도체 기억장치
JPH1027476A (ja) Sramセル
US4563598A (en) Low power consuming decoder circuit for a semiconductor memory device
JPH07169272A (ja) エッジ遷移検知装置
JPS62232795A (ja) Mos型メモリ回路
JP2003030991A (ja) メモリ
JPS638555B2 (ja)
JPH10162589A (ja) 強誘電体メモリ装置
JPH07254288A (ja) 半導体記憶装置
JP2833535B2 (ja) 半導体記憶回路のワード線駆動回路
JPH02146188A (ja) 同期式スタティックランダムアクセスメモリ
KR100386620B1 (ko) 에스램(sram)의 전원 전압 제어 회로
KR0167679B1 (ko) 듀얼 커런트패스를 구비하는 로우어드레스버퍼
JPH04298893A (ja) 半導体記憶装置
JP2986939B2 (ja) ダイナミックram
JPH07182869A (ja) 半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置
JP2590696B2 (ja) 半導体スタティックメモリ用ワード線駆動回路
JPH08203274A (ja) 半導体記憶装置
JP3162783B2 (ja) 半導体記憶装置