JPS6220155A - 光デイスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔斗既要〕 基板上に形成した合金薄膜にフラッシュランプ照射の前
処理を行った後、熱処理して結晶化させる光デイスク基
板の製造方法。

〔産業上の利用分野〕

本発明は二段加熱により不感期間を無くした光ディスク
の製造方法に関する。

光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく非接触で記録と再生を
行うことができ、また塵埃の影響を受けないなど優れた
特徴をもっている。

すなわちレーザ光はレンズによって直径が約１μｍの小
さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１ビ
ツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる。

そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの情
報記録に数１０〜数１００μｍ２の面積が必要なのと較
べて温かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。

このように優れた特性を備えた光ディスクは記録媒体と
して低融点金属を用い、情報の記録を穴の有無により行
う追記型のメモリ以外に結晶−結晶間あるいは結晶−非
晶質（アモルファス）間の反射率の差を利用した書替え
可能なメモリ（Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｍｅｍｏｒｙ）が開
発されている。

ここで後者の書替え可能なメモリは記録媒体が初期の段
階から使用可能な状態をとることが望ましい。

〔従来の技術〕

書替え可能な光メモリは結晶−結晶間の相転移あるいは
結晶−アモルファス間の相転移を利用する何れのタイプ
についてもメモリとして使用する場合に記録媒体は初期
状態として粒径が数１００人の微結晶からなっているこ
とが必要であり、この初ｊｔＪ１条件は一般に書込みと
消去を繰り返すことにより実現されている。

第３図は一例として本発明の実施に使用した光パルスの
使用条件を示すものである。

すなわち波長が８３０ｎｍの半導体レーザを使用し、書
込みはパルス幅５００ｎｓ、強度１０ｍＷの書込みパル
ス１を用いて行い、消去はパルス幅５μｓ３強度５ｍＷ
の消去パルス２を用いて行っている。

また読出し、すなわち反射率の測定は０．５ｍＷのレー
ザ光を照射して行った。

ここで形成直後の記録媒体に書込みパルス１と消去パル
ス２の照射を繰り返し、記録状態と消去状態との反射率
が一定の状態となるまでの期間は・不感期間と言われて
いるが、この不感期間を極力短縮することは光デイスク
製造の面から必要である。

そこで電気炉加熱やフラッシュランプ照射などの前処理
を行い、不感期間を無くするための初期化処理が行われ
ている。

然し、光デイスク基板はポリメチルメタクリエイト（略
称ＰＭＭＡ）　、ポリカーボネート（略称ＰＣ）などプ
ラスチック基板が多く使用されており、このため加熱温
度には制限があって、６０〜７０℃の加熱が限界であり
、また基板として加熱が可能なガラスを使用する場合で
も、記録媒体によっては加熱によって蒸発するものがあ
り、電気炉加熱やフラッシュランプ照射だけで不感期間
を無くすることは困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

書替え可能な光ディスクの記録媒体の不感期間を短縮し
、或いは無くすることは光ディスクを製造するに当たっ
て必要であるが、容易に実行が可能な方法が見当たらな
いことが問題である。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の問題は基板上に合金薄膜を形成して記録媒体とし
、該記録媒体の相変態を利用して情゛報の記録と消去と
を行う光ディスクにおいて、前記合金薄膜にフラッシュ
ランプを照射する前処理を行って後、炉内に移して熱処
理し、結晶化させることを特徴とする光ディスクの製造
方法により解決することができる。

〔作用〕

本発明は不感期間を無くする方法として二段加熱を行う
ものである。

すなわち光ディスクの記録媒体を直ちに使用可能な状態
とするには粒径が数１．００人の微結晶が均一に分布し
ている状態を形成することが必要である。

ここでフラッシュランプの照射を行う場合は結晶核は多
く生じるもののそのまま結晶化させることは難しく、結
晶化させるために照射パワーを増加すると加熱によって
記録媒体の変形成いは蒸発が起こってしまう。

一方、電気炉加熱による場合は少数の結晶が大きく発達
する傾向にあり、何れも不感期間を短縮することはでき
るが無くすることはできない。

そこで本発明はフラッシュランプ照射によって結晶核が
多く発生することを利用し、これと熱処理とを併用する
二段加熱を行うことにより微細結晶を均一に成長させ、
これにより不感期間を無くするものである。

〔実施例〕

予め電子ビーム蒸着法により約１１００ｎの二酸化硅素
（ＳｉＯ□）層を設けた厚さ１．２龍のＰＭＭＡ基板を
真空蒸着機にセントし、チャンバ内の真空度をｌＸｌ０
−’Ｐａに調節した状態でガリウム（Ｇａ）とセレン（
Ｓｅ）の二元蒸着を行い、ＧａとＳｅの組成比が２０：
８０の合金膜を１２０ｎｍの厚さに形成した。

なお、これを行うためにＧａの蒸着温度は１０４０°Ｃ
に、またＳｅの蒸着温度は２３５　”ｃに調節した。

またこの上に電子ビーム蒸着法によりＳｉ０２を２００
ｎｍの厚さに形成して保護膜とした。

次にかかる基板をフラッシュランプ照射装置にセットし
、光源と基板間の距離を１００　ｍｍとし、ソースパワ
ー３４００　Ｊのキセノン（Ｘｅ）光を１ｍｓ照射して
核発生を行った後、７０℃の恒温槽に３時間保持して結
晶化させた。

第１図はこのようにして形成した光ディスクについて第
３図の条件の消去パルス２と書込みパルスＩとを与え、
反射率の変化を調べた結果で、当初より書込み状態３の
反射率は約４０％、また消去状態の反射率は約２０％と
一定しており、これにより不感期間が解消したことが判
る。

この結果から二段加熱を行うことにより多数回の書込み
と消去を行った場合と同様な結晶状態を実現し得ること
が判る。

比較例： 実施例と同様な基板について７０℃で１０時間保持する
熱処理のみを行って結晶化させ、このようにして形成し
た光ディスクについて第３図の条件の消去パルス２と書
込みパルス１とを与え、反射率の変化を調べた。

第２図はこの結果を示すもので当初の消去状態４と書込
み状態３の反射率は何れも少なく、次第に回復して実施
例１と同様な値に達するものの、不感期間は明瞭に存在
している。

Ｃ発明の効果〕 以上説明したように二段加熱を行う本発明の実施により
不感期間を無くすることが可能となり、これにより光デ
ィスクの製造時間の短縮が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した記録媒体の反射率の推移図、 第２図は従来の記録媒体の反射率の推移図、第３図は一
シ込みおよび消去パルスの一例、である。 図において、 ■は書込みパルス、　　　　２は消去パルス、３は書込
み状態、　　　　４は消去状態、である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に合金薄膜を形成して記録媒体とし、該記録媒体
   の相変態を利用して情報の記録と消去とを行う光ディス
   クにおいて、前記合金薄膜にフラッシュランプを照射す
   る前処理を行って後、炉内に移して熱処理し、結晶化さ
   せることを特徴とする光ディスクの製造方法。