JPS6376120A - 消去可能型光記録媒体 - Google Patents
消去可能型光記録媒体Info
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- JPS6376120A JPS6376120A JP61219421A JP21942186A JPS6376120A JP S6376120 A JPS6376120 A JP S6376120A JP 61219421 A JP61219421 A JP 61219421A JP 21942186 A JP21942186 A JP 21942186A JP S6376120 A JPS6376120 A JP S6376120A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、レーザービームを照射して、その照射部に光
学的変化を起こさせて記録するに適したレーザー記録媒
体に関するものである。
学的変化を起こさせて記録するに適したレーザー記録媒
体に関するものである。
［従来の技術］
従来レーザービームの熱作用による物質の状態変化を利
用して情報を記録する材料としては、金属膜、色素膜な
どに局部的に孔または変形を起こさせる方法があるが、
この方法では記録情報の消去は不可能であり、いわゆる
追記型光記録媒体として用いられている。
用して情報を記録する材料としては、金属膜、色素膜な
どに局部的に孔または変形を起こさせる方法があるが、
この方法では記録情報の消去は不可能であり、いわゆる
追記型光記録媒体として用いられている。
一方、情報の書換えが可能な書換型光記録媒体としては
、結晶−非晶質相間の転移を利用するもので、Ｔｅ−５
ｎを主成分とし、それにＳｅまたはＧｅ。
、結晶−非晶質相間の転移を利用するもので、Ｔｅ−５
ｎを主成分とし、それにＳｅまたはＧｅ。
Ｇａ等を添加した三元合金膜のものと、５ｅ−５ｂ。
５ｅ−Ｉｎ等の高融点相を利用したＳｅ系二元合金膜な
どが知られている。
どが知られている。
まず、Ｓｅ系２元合金膜においては、１μｓｅｃ以下で
の書込み消去が可能であるが、（ｉ）情報を記録したピ
ットの部分と未記録部分との反射率差が小さく、記録情
報の読み取りが難しい。（ｉ ｉ）高融点相を利用して
いるため２０ｍＷ以上の大田レーザが必要である。（ｉ
ｉ ｉ）高融点相を利用しているためプラスチック基
板を利用できない。等の欠点を持っている。次にＴｅ系
合金膜においては、記録部分と未記録部分との反射率差
は大きく、４００〜５００℃程度のレーザー加熱で相間
の転移を起こせるためＳｅ系合金膜におけるような問題
は生じないが、室温における充分に長い記録寿命（非晶
質寿命）と１μｓｅｃ以下での完全消去を両立させるこ
とは今のところ難しいとされている。これは以下の理由
によっている。すなわち記録時は、大田カシヨードパル
スのレーザー光を媒体に照射することで、急加熱し、約
１μｍφのスポット状に媒体を溶融し、これが急冷され
ることで、結晶状態から非晶質状態に転移させる。そし
て、消去時は、ロングパルスのレーザー光の照射で、記
録部分をアニールし、より安定な結晶状態に転移させる
。
の書込み消去が可能であるが、（ｉ）情報を記録したピ
ットの部分と未記録部分との反射率差が小さく、記録情
報の読み取りが難しい。（ｉ ｉ）高融点相を利用して
いるため２０ｍＷ以上の大田レーザが必要である。（ｉ
ｉ ｉ）高融点相を利用しているためプラスチック基
板を利用できない。等の欠点を持っている。次にＴｅ系
合金膜においては、記録部分と未記録部分との反射率差
は大きく、４００〜５００℃程度のレーザー加熱で相間
の転移を起こせるためＳｅ系合金膜におけるような問題
は生じないが、室温における充分に長い記録寿命（非晶
質寿命）と１μｓｅｃ以下での完全消去を両立させるこ
とは今のところ難しいとされている。これは以下の理由
によっている。すなわち記録時は、大田カシヨードパル
スのレーザー光を媒体に照射することで、急加熱し、約
１μｍφのスポット状に媒体を溶融し、これが急冷され
ることで、結晶状態から非晶質状態に転移させる。そし
て、消去時は、ロングパルスのレーザー光の照射で、記
録部分をアニールし、より安定な結晶状態に転移させる
。
このときのアニールは、融点以下の温度で行わなければ
ならない。一方、結晶成長の速度Ｖは下式（１）で示す
ように、温度が高いほど速いため、結晶化は、融点直下
で行わざるをえない。ところが、融点直下では、核形成
頻度Ｉが減少するため、（２）式で与えられるトータル
の結晶化速度■は、さほど向上しない。
ならない。一方、結晶成長の速度Ｖは下式（１）で示す
ように、温度が高いほど速いため、結晶化は、融点直下
で行わざるをえない。ところが、融点直下では、核形成
頻度Ｉが減少するため、（２）式で与えられるトータル
の結晶化速度■は、さほど向上しない。
ｖ ＝ ｖ ｏｅｘｐ ［−ＥＡ／ ｋａＴ ］
−（１）Ｖ＝ｖ・■ ・・・
（２）但し、ＥＡ：活性化エネルギー ｋＢニボルツマン定数 Ｔ：温度 ■ｏ ：定数 ［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、高融点相を用いず、３００〜５００℃までの
加熱で結晶−非晶質間の転移を行いかつ、Ｔｅ−５ｎ系
の持つ前述の欠点を除去し、融点付近での結晶核形成頻
度を増加させ、短パルスレーザ−光での消去と長い記録
寿命を両立させることのできる光記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
−（１）Ｖ＝ｖ・■ ・・・
（２）但し、ＥＡ：活性化エネルギー ｋＢニボルツマン定数 Ｔ：温度 ■ｏ ：定数 ［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、高融点相を用いず、３００〜５００℃までの
加熱で結晶−非晶質間の転移を行いかつ、Ｔｅ−５ｎ系
の持つ前述の欠点を除去し、融点付近での結晶核形成頻
度を増加させ、短パルスレーザ−光での消去と長い記録
寿命を両立させることのできる光記録媒体を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明においては、
基板と、基板上に設けられ、Ｔｅと肋を主成分とし、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｇａのうちの少な
くとも一独を含む合金膜からなる光記録層とを具えたこ
とを特徴とする。
基板と、基板上に設けられ、Ｔｅと肋を主成分とし、Ｉ
ｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｇａのうちの少な
くとも一独を含む合金膜からなる光記録層とを具えたこ
とを特徴とする。
［作 用］
本発明によれば、Ｔｅを主成分とし、＾Ｕを主添加物と
する多元合金膜を記録層とするので、消去時における結
晶核形成の頻度が大きく、短パルスレーザ−光での消去
が可能であり、また記録状態は室温において十分に安定
である。
する多元合金膜を記録層とするので、消去時における結
晶核形成の頻度が大きく、短パルスレーザ−光での消去
が可能であり、また記録状態は室温において十分に安定
である。
［実施例］
以下に実施例によって本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図は、本発明の第１の実施例を説明する記録媒体の
断面図であって、１は厚さ１．２＋ｎｍのガラス基板、
２は厚さ９０ｎｍの記録層でＴｅ７ｏＡｕ２ｏ１ｎ＋
ｏの組成の合金薄膜で３元真空蒸着により作製した。
断面図であって、１は厚さ１．２＋ｎｍのガラス基板、
２は厚さ９０ｎｍの記録層でＴｅ７ｏＡｕ２ｏ１ｎ＋
ｏの組成の合金薄膜で３元真空蒸着により作製した。
３は厚さ３００ｎｍのＳｉＯ保護層、４は厚さ１［１０
ｎｍのＳｉＯ地下層である。 Ｓｉ０層３および４は真
空蒸着によって設けた。これをオーブンに入れ２００℃
で１時間加熱結晶化させた後、波長８３０ｎＩＩ＋の半
導体レーザー光を開口率５．０のレンズで約１．５ μ
ｍφのスポットに絞り、ガラス基板側から記録膜に照射
し、記録消去の実験を行った。また、同時に透過光を顕
微鏡で観察した。媒体上にパワー８ｍＷのレーザー光を
パルス幅２００ｎｓで照射したところ非晶化し、記録で
きた。これにレーザーパワー０．４ｍＷの連続発振光を
照射し、記録情報の記み出しを行うことができた。なお
、この間に記録状態に変化は見られなかった。次にパワ
ー５ｍＷのレーザー光をパルス幅０．３μｓｅｃで照射
して記録ビットの消去を行うことができた。さらに同じ
条件で記録消去を１０３回くり返したところ記録状態に
変化はみられなかった。
ｎｍのＳｉＯ地下層である。 Ｓｉ０層３および４は真
空蒸着によって設けた。これをオーブンに入れ２００℃
で１時間加熱結晶化させた後、波長８３０ｎＩＩ＋の半
導体レーザー光を開口率５．０のレンズで約１．５ μ
ｍφのスポットに絞り、ガラス基板側から記録膜に照射
し、記録消去の実験を行った。また、同時に透過光を顕
微鏡で観察した。媒体上にパワー８ｍＷのレーザー光を
パルス幅２００ｎｓで照射したところ非晶化し、記録で
きた。これにレーザーパワー０．４ｍＷの連続発振光を
照射し、記録情報の記み出しを行うことができた。なお
、この間に記録状態に変化は見られなかった。次にパワ
ー５ｍＷのレーザー光をパルス幅０．３μｓｅｃで照射
して記録ビットの消去を行うことができた。さらに同じ
条件で記録消去を１０３回くり返したところ記録状態に
変化はみられなかった。
本実施例の光記録層は、Ｔｅに＾Ｕを生温加分とし、さ
らにＩｎを添加しているので、相転移温度が低く、また
消去時における結晶核形成の頻度が大きく、そのために
短パルスレーザ−光での消去が可能である。
らにＩｎを添加しているので、相転移温度が低く、また
消去時における結晶核形成の頻度が大きく、そのために
短パルスレーザ−光での消去が可能である。
また、上述の媒体の基板をヒーターで加熱し、一定速度
（１０℃／ｍ１ｎ）で昇温させながら記録状態の観察を
行ったところ、１１５℃まで結晶化が起こらず、室温に
おける記録状態は充分に安定であることがわかった。
（１０℃／ｍ１ｎ）で昇温させながら記録状態の観察を
行ったところ、１１５℃まで結晶化が起こらず、室温に
おける記録状態は充分に安定であることがわかった。
衷五■ユ
実施例１と同様の媒体構成で、記録膜にＴｅ、、Ａｕ２
゜５ｂ２ｏの組成の合金膜を用いて、実施例１と同様の
実験を行ったところレーザーパワー４ ｍＷ、パルス幅
０．４μｓｅｃの条件で消去を行うことができ、記録ビ
ットの定速昇温加熱実験では、１１０℃で結晶化が始ま
った。
゜５ｂ２ｏの組成の合金膜を用いて、実施例１と同様の
実験を行ったところレーザーパワー４ ｍＷ、パルス幅
０．４μｓｅｃの条件で消去を行うことができ、記録ビ
ットの定速昇温加熱実験では、１１０℃で結晶化が始ま
った。
五五■旦
実施例１と同様の媒体構成で記録膜に
Ｔｅ７゜八ｕ２゜Ｇａ＋ｏの組成の合金膜を用いて実施
例１と同様の実験を行ったところレーザーパワー６ ｍ
Ｗ。
例１と同様の実験を行ったところレーザーパワー６ ｍ
Ｗ。
パルス幅０．６μＳ［ｌＣの条件で消去を行うことがで
き、記録ピットの定速昇温加熱実験では、１２５℃で結
晶化がはじまり、記録状態は室温で充分で安定であるこ
とがわかった。
き、記録ピットの定速昇温加熱実験では、１２５℃で結
晶化がはじまり、記録状態は室温で充分で安定であるこ
とがわかった。
Ｔｅ−ＡＵ系合金に、Ｓｕ、八ｓ、ＰｂまたはＧｅのう
ちの１種またはこれらの元素にＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを加え
たもののうちの２種以上を添加しても、Ｔｅ−Ａｕ−Ｉ
ｎ。
ちの１種またはこれらの元素にＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを加え
たもののうちの２種以上を添加しても、Ｔｅ−Ａｕ−Ｉ
ｎ。
Ｔｅ−Ａｕ−５ｂ、 Ｔｅ−Ａｕ−Ｇａ５元合金と同様
の効果がある。実施例工ないし３に示した合金膜はＡｕ
Ｔｅ２近傍の組成であるが、Ｔｅ２５ａｔ％以上、八ｕ
５〜６０％の範囲の合金膜を記録層として用い、上述の
各実施例と同様の効果を得ることができる。基板にはガ
ラスでなく、透明プラスチックを用いることもできる。
の効果がある。実施例工ないし３に示した合金膜はＡｕ
Ｔｅ２近傍の組成であるが、Ｔｅ２５ａｔ％以上、八ｕ
５〜６０％の範囲の合金膜を記録層として用い、上述の
各実施例と同様の効果を得ることができる。基板にはガ
ラスでなく、透明プラスチックを用いることもできる。
［発明の効果］
以上説明したように、Ｔｅへの主な添加物としてＡｕを
用いた多元合金系とすることで記録状態が室温では充分
に安定でかつ、レーザー光の照射による消去時には、１
μｓｅｃ以下の短時間の照射によって結晶化をさせるこ
とができた。
用いた多元合金系とすることで記録状態が室温では充分
に安定でかつ、レーザー光の照射による消去時には、１
μｓｅｃ以下の短時間の照射によって結晶化をさせるこ
とができた。
第１図は本発明の光記録媒体の構成図である。
１・・・透明基板、
２・・・記録層、
３・・・透明保護層、
４・・・透明下地層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板と、該基板上に設けられ、ＴｅとＡｕを主成分
とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｇｅのう
ちの少なくとも一種を含む合金膜からなる光記録層とを
具えたことを特徴とする消去可能型光記録媒体。 ２）前記合金膜が２５ａｔ％以上のＴｅおよび５〜６０
ａｔ％のＡｕを含有する合金膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の消去可能型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219421A JPS6376120A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 消去可能型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219421A JPS6376120A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 消去可能型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376120A true JPS6376120A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16735127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219421A Pending JPS6376120A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 消去可能型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263643A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hoya Corp | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
| JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
| JPH02175285A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219421A patent/JPS6376120A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63263643A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hoya Corp | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 |
| JPH0566874B2 (ja) * | 1987-04-22 | 1993-09-22 | Hoya Corp | |
| JPH02151481A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
| JPH02175285A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体 |
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