JPS62201264A - 薄膜型サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜型サ−マルヘツドInfo
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- JPS62201264A JPS62201264A JP61044248A JP4424886A JPS62201264A JP S62201264 A JPS62201264 A JP S62201264A JP 61044248 A JP61044248 A JP 61044248A JP 4424886 A JP4424886 A JP 4424886A JP S62201264 A JPS62201264 A JP S62201264A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は薄膜型サーマルヘッドに関し、特に改良された
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
[従来技術とその問題点]
薄膜発熱抵抗体を用いる薄膜型サーマルヘッドはコンピ
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、 Ta2N 、 Ta−3i02、Cr−3
i等がある。
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、 Ta2N 、 Ta−3i02、Cr−3
i等がある。
これらはサーマルヘッド用抵抗発熱体としてすぐれた特
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルキーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルキーを繰返し印加した場合、発熱によって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
また、これらの金属系の発熱抵抗体は繰返し通電による
熱パルスにより急激な熱ザイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠(プ、印字品質
を低下させた。
熱パルスにより急激な熱ザイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を生じてクラックの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠(プ、印字品質
を低下させた。
また、金属系の発熱抵抗体は固有抵抗率が小さく、また
−]〕記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく
(Ta2Nで200〜300μΩcm1丁a−3i02
でも約2000μΩcm)、サーマルヘッドに必要な面
積抵抗1(転)7口前後を得ようとすると、数−1−人
の薄膜の発熱抵抗体を実現しなければなら〜ず、安定し
て11!造することが困難である。曲型的な製法はスパ
ッタリング、イオンブレーティング、CVD法などの周
知の半導体プロセス技術であるが、膜厚が1000人程
度ないと工程制御か困it+である。また、これらの発
熱体材料の抵抗温度係数は成分比に対して比較的不感で
あり、所望値に制御覆ることが困難である。ざらに、金
属系では発熱体と電力供給電極との間に反応が生じ、発
熱抵抗体の抵抗値変動や断線等の不良の発生の原因とな
る。
−]〕記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく
(Ta2Nで200〜300μΩcm1丁a−3i02
でも約2000μΩcm)、サーマルヘッドに必要な面
積抵抗1(転)7口前後を得ようとすると、数−1−人
の薄膜の発熱抵抗体を実現しなければなら〜ず、安定し
て11!造することが困難である。曲型的な製法はスパ
ッタリング、イオンブレーティング、CVD法などの周
知の半導体プロセス技術であるが、膜厚が1000人程
度ないと工程制御か困it+である。また、これらの発
熱体材料の抵抗温度係数は成分比に対して比較的不感で
あり、所望値に制御覆ることが困難である。ざらに、金
属系では発熱体と電力供給電極との間に反応が生じ、発
熱抵抗体の抵抗値変動や断線等の不良の発生の原因とな
る。
[発明の目的]
従って、本発明の目的は、耐熱性が高く、寿命が長く、
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数が調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
[発明の概要]
本発明は、薄膜発熱抵抗体として、高融点金属と、硅素
と、アルミニウムと、窒素と、酸素とを主成分として含
有させたことを特徴とする。すなわち、H−3i−AL
−N−0系発熱抵抗体である。ここに■は高融点金属テ
Ti、 No、 w 、 Hf1Ni、 V 、 2r
、La、Ta、 Fe、 Co及びCrより選ばれた少
なくとも1種である。
と、アルミニウムと、窒素と、酸素とを主成分として含
有させたことを特徴とする。すなわち、H−3i−AL
−N−0系発熱抵抗体である。ここに■は高融点金属テ
Ti、 No、 w 、 Hf1Ni、 V 、 2r
、La、Ta、 Fe、 Co及びCrより選ばれた少
なくとも1種である。
高融点金属の存在により発熱体の抵抗率は繰返し熱パル
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
金属やA12 N、At! 203の量比を越えると熱
伝導性が良くなり均熱性が得られサーマルヘッドとして
の電力効率の向上が得られた。また、十分な窒素及び酸
素の存在により経時酸化のおそれもなく特性が安定する
。さらに、高融点金属の含有率に対して固有抵抗率が大
きく変化し、かつ酸化物成分の構成比率によって抵抗温
度係数が変化するので、その組成比を制御することでサ
ーマルヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば
104μΩcm抵抗温度係数±1100pp/ ’Cの
ような発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このような
高抵抗率では、発熱体の薄膜は1000八前後が好適と
なり、成膜が容易となる。
伝導性が良くなり均熱性が得られサーマルヘッドとして
の電力効率の向上が得られた。また、十分な窒素及び酸
素の存在により経時酸化のおそれもなく特性が安定する
。さらに、高融点金属の含有率に対して固有抵抗率が大
きく変化し、かつ酸化物成分の構成比率によって抵抗温
度係数が変化するので、その組成比を制御することでサ
ーマルヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば
104μΩcm抵抗温度係数±1100pp/ ’Cの
ような発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このような
高抵抗率では、発熱体の薄膜は1000八前後が好適と
なり、成膜が容易となる。
[発明の詳細な説明]
本発明の薄膜型tl−マルヘッドの構成の概要は第1図
に示されている。図中1はグレース′ドセラミック基板
であり、その表面にグレーズ層2が形成される。グレー
ズ層2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅
素及びアルミニウムの酸化物を含む。グレーズ層2の上
には例えば公知のスパッタ法により本発明の薄膜抵抗発
熱体3が成膜され、さらに電力供給用電極(旧、Cr、
AU、A12等、特にAN)4が蒸着またはスパッタ
などで成膜され、最後に公知の耐摩耗性保護膜(例えば
5i−0系、5i−A2−0系、Ta205、SiC系
、等)6がスパッタ法等で成膜される。
に示されている。図中1はグレース′ドセラミック基板
であり、その表面にグレーズ層2が形成される。グレー
ズ層2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅
素及びアルミニウムの酸化物を含む。グレーズ層2の上
には例えば公知のスパッタ法により本発明の薄膜抵抗発
熱体3が成膜され、さらに電力供給用電極(旧、Cr、
AU、A12等、特にAN)4が蒸着またはスパッタ
などで成膜され、最後に公知の耐摩耗性保護膜(例えば
5i−0系、5i−A2−0系、Ta205、SiC系
、等)6がスパッタ法等で成膜される。
発熱抵抗体3は本発明に従って、硅素とアルミニウムと
高融点金JAM (Ti、 No、 W 、Hf、 N
i、 V、Zr1La、 Cr、 Ta、 Fe、 C
oの少なくとも1種)とを含む酸−窒化物である。この
高融点金属は種類によって作用上のちがいがあるが、し
かし単独またはどの組合せを用いても発熱抵抗体の抵抗
率と抵抗温度係数107〜102μΩcmの範囲で大き
く変動する。更には特定の高融点金属以外の成分の構成
比率を選択することにより、所望の抵抗率に於いて所望
の温度係数の発熱体を設訓しうる。例えば抵抗率104
μΩcmのものを選択すれば膜厚は1000△以トどな
しうる。一般に高融点金属は20〜60w(%の範囲で
選択しうる。この点については実施例により具体的に示
す。
高融点金JAM (Ti、 No、 W 、Hf、 N
i、 V、Zr1La、 Cr、 Ta、 Fe、 C
oの少なくとも1種)とを含む酸−窒化物である。この
高融点金属は種類によって作用上のちがいがあるが、し
かし単独またはどの組合せを用いても発熱抵抗体の抵抗
率と抵抗温度係数107〜102μΩcmの範囲で大き
く変動する。更には特定の高融点金属以外の成分の構成
比率を選択することにより、所望の抵抗率に於いて所望
の温度係数の発熱体を設訓しうる。例えば抵抗率104
μΩcmのものを選択すれば膜厚は1000△以トどな
しうる。一般に高融点金属は20〜60w(%の範囲で
選択しうる。この点については実施例により具体的に示
す。
s*、 Ap、N、0は耐熱性、耐酸性の酸化物を形
成しうるちのであり、それらの比率を変えることにより
耐熱性を保ちなから抵抗率を変えることかできる。例え
ばSi ts Aj O,30Nは抵抗率>>107
μΩcm1温度係数<−1500ppm/ ’Cである
が、高融点金属Mの含有率が10W1%以上で107μ
ΩCm以下、−100ppm/ °C以上を得ることが
できる。
成しうるちのであり、それらの比率を変えることにより
耐熱性を保ちなから抵抗率を変えることかできる。例え
ばSi ts Aj O,30Nは抵抗率>>107
μΩcm1温度係数<−1500ppm/ ’Cである
が、高融点金属Mの含有率が10W1%以上で107μ
ΩCm以下、−100ppm/ °C以上を得ることが
できる。
H,Si、 AI2.0. Nの少なくとも2種を
含有する耐摩耗保護膜6を選択すれば、本発明の発熱抵
抗体は、耐摩耗保護膜に良くなじみ、また熱膨張係数の
差が少なくなり好ましい。さらに、電極4.5としてA
jを用いれば、同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良
くなり好ましい。
含有する耐摩耗保護膜6を選択すれば、本発明の発熱抵
抗体は、耐摩耗保護膜に良くなじみ、また熱膨張係数の
差が少なくなり好ましい。さらに、電極4.5としてA
jを用いれば、同様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良
くなり好ましい。
本発明の発熱抵抗体は特にスパッタ法で製造することか
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲットとしてArをスパッタガスとして用い、その他必
要に応じてN2ガス等を共存させ、Arイオンをターゲ
ラ1〜に衝撃させ、放出されたイオンないし原子を基板
上に付着させる。膜組成(Jペレットの組成及びスパッ
タ条件を変えることにより調整しうる。
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレット化し、これをター
ゲットとしてArをスパッタガスとして用い、その他必
要に応じてN2ガス等を共存させ、Arイオンをターゲ
ラ1〜に衝撃させ、放出されたイオンないし原子を基板
上に付着させる。膜組成(Jペレットの組成及びスパッ
タ条件を変えることにより調整しうる。
実施例
組成NOx S i (>、 36 八で 0.07
0.22NO,23の°0 ペレットをターゲットとして1〜6mTorrのArを
スパッタガスとして用い、ターゲット−基板距離60馴
、RF電力1〜10見/cm2、基板温度200〜40
0°Cの条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作
し、ざらにAe電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘ
ッドを作成した。なお、基板表面間及び保護層にはAj
及びSiの他にNoを少量含有させた。得られたサーマ
ルヘッドに対して、次ぎのテストを行った。
0.22NO,23の°0 ペレットをターゲットとして1〜6mTorrのArを
スパッタガスとして用い、ターゲット−基板距離60馴
、RF電力1〜10見/cm2、基板温度200〜40
0°Cの条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作
し、ざらにAe電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘ
ッドを作成した。なお、基板表面間及び保護層にはAj
及びSiの他にNoを少量含有させた。得られたサーマ
ルヘッドに対して、次ぎのテストを行った。
X= 0.12のサンプルに対してパルス幅0.3m秒
、周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして
従来のTa2N発熱抵抗体Aと、Zr−3i発熱抵抗体
Cに対する耐熱パルステストの結果を第2図に併記した
。第2図のBは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
、周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして
従来のTa2N発熱抵抗体Aと、Zr−3i発熱抵抗体
Cに対する耐熱パルステストの結果を第2図に併記した
。第2図のBは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
[作用効果]
第2図から分るように、本発明のNo−8i−Aj −
N−〇未発熱抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パル
スを多数加えても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。従来
の発熱抵抗体A(Ta2N)やC(Zr−3i)では成
る一定数の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる
。
N−〇未発熱抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パル
スを多数加えても抵抗値が変らず、耐熱性が良い。従来
の発熱抵抗体A(Ta2N)やC(Zr−3i)では成
る一定数の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる
。
第3図から分るように、本発明の発熱抵抗体は高融点金
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
発熱体中にAjを含むために耐熱性の向上、発熱体面内
の温度分布の均一化、及び熱膨張係数の減少によるもの
と思われる。また、Aj電極を用いてもそれが発熱体中
へ拡散するおそれがなく、従って安価なAj電極を給電
用に用いることができる。また耐摩耗保護膜にNo、
Aff、si、OlNを含有した材料を用いれば、相
互間のなじみが良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に
強くなり、クラック・剥離等の発生が抑制される。また
、本発明の発熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿
気の影響を受は難い。
の温度分布の均一化、及び熱膨張係数の減少によるもの
と思われる。また、Aj電極を用いてもそれが発熱体中
へ拡散するおそれがなく、従って安価なAj電極を給電
用に用いることができる。また耐摩耗保護膜にNo、
Aff、si、OlNを含有した材料を用いれば、相
互間のなじみが良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に
強くなり、クラック・剥離等の発生が抑制される。また
、本発明の発熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿
気の影響を受は難い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱絶縁層を有する下地基板に、高融点金属と硅素と
アルミニウムと窒素と酸素とを主成分とする発熱抵抗体
薄膜を設け、その表面に耐摩耗性保護膜を形成し、さら
に前記抵抗体に電力供給用電極を接続した、薄膜型サー
マルヘッド。 2、高融点金属がTi、Mo、W、Hf、Ni、V、Z
r、La、Cr、Ta、Fe、Coよりなる群から選ば
れる前記第1項記載のサーマルヘッド。 3、耐摩耗性保護膜が、酸素と、窒素と、硅素と、アル
ミニウムと、高融点金属のうち少なくとも2種の元素を
含んでいる前記第1項記載のサーマルヘッド。 4、電力供給用電極がAl単層である前記第1項ないし
第3項のいずれかに記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61044248A JPS62201264A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61044248A JPS62201264A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62201264A true JPS62201264A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12686231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61044248A Pending JPS62201264A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62201264A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1072417A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Hewlett-Packard Company | Printhead containing an oxynitride-based resistor system |
US6562689B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
JP2004288981A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜抵抗材料、これを用いた抵抗器、及び抵抗器の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP61044248A patent/JPS62201264A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1072417A1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-01-31 | Hewlett-Packard Company | Printhead containing an oxynitride-based resistor system |
US6299294B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-10-09 | Hewlett-Packard Company | High efficiency printhead containing a novel oxynitride-based resistor system |
US6562689B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
US6576978B2 (en) * | 2000-04-14 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Use of non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
JP2004288981A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜抵抗材料、これを用いた抵抗器、及び抵抗器の製造方法 |
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