JPH03131001A - 抵抗温度センサ - Google Patents
抵抗温度センサInfo
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- JPH03131001A JPH03131001A JP26811189A JP26811189A JPH03131001A JP H03131001 A JPH03131001 A JP H03131001A JP 26811189 A JP26811189 A JP 26811189A JP 26811189 A JP26811189 A JP 26811189A JP H03131001 A JPH03131001 A JP H03131001A
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜温度センサに関するもので、ニッケル、
鉄の金属皮膜を感温膜として用いた抵抗温度センサを提
供するものである。
鉄の金属皮膜を感温膜として用いた抵抗温度センサを提
供するものである。
従来の薄膜を用いた抵抗温度センサは絶靜基板上に所望
あ組成比の合金又は単一金属を着膜しこれを熱処理する
事により所望の抵抗温度係数を得ていた。
あ組成比の合金又は単一金属を着膜しこれを熱処理する
事により所望の抵抗温度係数を得ていた。
〔この発明が解決しようとしている問題点〕前述の製造
方法では熱処理により抵抗温度係数を制御出来る範囲が
限定され各冨の抵抗温度係数が必要な場合にはそれぞれ
着膜する材料の組成比を変える必要があった。
方法では熱処理により抵抗温度係数を制御出来る範囲が
限定され各冨の抵抗温度係数が必要な場合にはそれぞれ
着膜する材料の組成比を変える必要があった。
本発明は、ニッケル、鉄を層状に着膜しこれを熱処理温
度によりニッケルー鉄間での拡散をＩ制御し任意の抵抗
温度係数の抵抗温度センサを提供するものである。
度によりニッケルー鉄間での拡散をＩ制御し任意の抵抗
温度係数の抵抗温度センサを提供するものである。
〔実施例１〕
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による抵抗温度センサの構成の断面図で
ある。
ある。
図１において厚さＱ、４ｍｍのアルミナ磁器基板を絶縁
基体とし、その表面に真空蒸着法にて鉄を７１０人彼透
した。続いて二ッケルを２９０人波着し！８温戊をｊ唇
な。
基体とし、その表面に真空蒸着法にて鉄を７１０人彼透
した。続いて二ッケルを２９０人波着し！８温戊をｊ唇
な。
このＰＡｆ’ｌ状着膜体をアルゴンガス中で４００”Ｃ
１時間の熱処理を施し感温膜とした。
１時間の熱処理を施し感温膜とした。
この感温膜をフォトエツチングにより第２図に示すよう
なバタンを形成した。
なバタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の電極と保護膜をつけ抵抗温度
センサを得た。
センサを得た。
この薄膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は３０００ ｐ
ｐｍ／’Ｃであった。
ｐｍ／’Ｃであった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよ０゜ 〔実施例２〕 本発明の実施例を図面を用いて説明する。
ンガス以外の不活性ガス中でもよ０゜ 〔実施例２〕 本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による抵抗温度センサの構成の断面図で
ある。
ある。
図１において厚さ０．４ｍｍのアルミナ磁器基板を絶緯
基体とし、その表面に真空蒸着法にて鉄を７１０人波着
した。続いてニッケルを２９０人波着し感温膜を得た。
基体とし、その表面に真空蒸着法にて鉄を７１０人波着
した。続いてニッケルを２９０人波着し感温膜を得た。
この該層状着膜体をアルゴンガス中で５００℃１時間の
熱処理を施し感温膜とした。
熱処理を施し感温膜とした。
このｓｗＬｇをフォトエツチングにより第２図に示すよ
うなバタンを形成した。
うなバタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の！極と保護膜をつけ抵抗温２
度センサを得た。
度センサを得た。
この３膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は２１００ ｐ
ｐｍ／’Ｃであった。
ｐｍ／’Ｃであった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
〔実施例３〕
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
Ｗ１図は本発明による抵抗温度センサの構成の断面図で
ある。
ある。
図１において厚さＱ、４ｍｍのアルミナ磁器基鈑を絶シ
基体とし、その表面に真空ｎ暦法にて鉄を７１０人波着
した。続いてニッケルを２９０人波着しＩ６温膜を得た
。
基体とし、その表面に真空ｎ暦法にて鉄を７１０人波着
した。続いてニッケルを２９０人波着しＩ６温膜を得た
。
このＴｆｘＮＪ状着膜体をアルゴンガス中で６５０℃１
時間の熱処理を施し感温膜とした。
時間の熱処理を施し感温膜とした。
この感温膜をフォトエツチングにより第２図に示すよう
なバタンを形成した。
なバタンを形成した。
さらに第３図に示す構造の電極と保護膜をつけ抵抗温度
センサを得た。
センサを得た。
この薄膜抵抗温度センサの抵抗温度係数は１１００ ｐ
Ｐｌ／’ｃであった。
Ｐｌ／’ｃであった。
本実施例における熱処理雰囲気は真空中あるいはアルゴ
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
ンガス以外の不活性ガス中でもよい。
実施例１．２．３、において説明した熱処理温度、時間
と温度係数の関係を図４に示します。
と温度係数の関係を図４に示します。
前記の製造方法で熱処理温度を変化させて作成した抵抗
温度センサの２５℃−６５°Ｃの抵抗温度係数と熱処理
温度の関係を図４に示した。
温度センサの２５℃−６５°Ｃの抵抗温度係数と熱処理
温度の関係を図４に示した。
図４で明らかなように本発明の製造方法によれば１８！
類の着膜基板で多種意の抵抗温度係数の抵抗温度センサ
を得ることができる。
類の着膜基板で多種意の抵抗温度係数の抵抗温度センサ
を得ることができる。
ここで抵抗温度係数（ＴＣＲ）は
ＴＣＲ（ｐｐｍ／’Ｃ） ＝ Ｒ”−Ｒ” ’Ｒ
２Ｓ ｘ 面×１０゜ Ｒｓｓ ： ６５℃の抵抗値 Ｒ２Ｓ：２５℃の抵抗値 である。
２Ｓ ｘ 面×１０゜ Ｒｓｓ ： ６５℃の抵抗値 Ｒ２Ｓ：２５℃の抵抗値 である。
第１図は、本発明による抵抗温度センサの構成図、第２
図はｅＩ温膜の構造図であり、第３図は抵抗温度センサ
の構造図である。 また第４図は本実施例により作成した抵抗温度センサの
ＴＣＲと熱処理温度の関係を図示したものである。 各図中の各符号は次の各構成を示す。 １： 絶縁基板 ２： 鉄薄膜 ３： ニッケルβ腰 ４： ニッケル、鉄薄膜 ５： 電極 ６： 保ｔ！ｌ塗装 第２図 第３図
図はｅＩ温膜の構造図であり、第３図は抵抗温度センサ
の構造図である。 また第４図は本実施例により作成した抵抗温度センサの
ＴＣＲと熱処理温度の関係を図示したものである。 各図中の各符号は次の各構成を示す。 １： 絶縁基板 ２： 鉄薄膜 ３： ニッケルβ腰 ４： ニッケル、鉄薄膜 ５： 電極 ６： 保ｔ！ｌ塗装 第２図 第３図
Claims (1)
- 絶縁基板上にニッケル、鉄の薄膜を層状に形成し、熱
処理により任意の抵抗温度係数を得ることを特徴とした
抵抗温度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26811189A JPH03131001A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26811189A JPH03131001A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131001A true JPH03131001A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17454044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26811189A Pending JPH03131001A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 抵抗温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03131001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430428A (en) * | 1991-02-15 | 1995-07-04 | Siemens Aktiengesellschaft | High-temperature sensor made of metal of the platinum group |
| CN102692280A (zh) * | 2011-03-24 | 2012-09-26 | 兴化市新兴电子有限公司 | Ntc温度传感器芯片电极结构 |
| CN107806939A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-16 | 河南汇纳科技有限公司 | 一种高可靠性温度传感器 |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP26811189A patent/JPH03131001A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430428A (en) * | 1991-02-15 | 1995-07-04 | Siemens Aktiengesellschaft | High-temperature sensor made of metal of the platinum group |
| CN102692280A (zh) * | 2011-03-24 | 2012-09-26 | 兴化市新兴电子有限公司 | Ntc温度传感器芯片电极结构 |
| CN107806939A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-03-16 | 河南汇纳科技有限公司 | 一种高可靠性温度传感器 |
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