JPS62169450A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置技術、さらにはプラスチックパ
ッケージで封止された多ビン型の半導体装置に適用して
有効な技術に関するもので、たとえば、表面実装型の多
ビン半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関する
もので、たとえば、表面実装型の多ピン半導体集積回路
装置ｉｔＫ利用して有効な技術に関するものである。
ッケージで封止された多ビン型の半導体装置に適用して
有効な技術に関するもので、たとえば、表面実装型の多
ビン半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関する
もので、たとえば、表面実装型の多ピン半導体集積回路
装置ｉｔＫ利用して有効な技術に関するものである。
一般に、半導体装置ｖｔｆ′ｉ、所定の回路機能が形成
された半導体チップがパッケージに封止された状態に形
成され、この状態でもってプリント配線基板などに実装
される。この場合、そのパッケージのタイプとしては、
プラスチックタイプ、セラミックタイプ、金属缶タイプ
などがある。しかし、一般の民生用などでは、量産性に
適した安価なグラスチックタイプのものが多く使用され
ている。
された半導体チップがパッケージに封止された状態に形
成され、この状態でもってプリント配線基板などに実装
される。この場合、そのパッケージのタイプとしては、
プラスチックタイプ、セラミックタイプ、金属缶タイプ
などがある。しかし、一般の民生用などでは、量産性に
適した安価なグラスチックタイプのものが多く使用され
ている。
このグラスチックタイプのパッケージで封止された半導
体装置は、友とえば、日経マグロウヒル社発行「別冊
マイクロデバイセス４１９８４年６月１１日発行１４８
〜１５９頁（解説：グラスチツクは小型と表面実装へ、
セラミックは高速多ビンに）に記載されているように、
表面実装用に作られることが最近になって多くなってき
た。
体装置は、友とえば、日経マグロウヒル社発行「別冊
マイクロデバイセス４１９８４年６月１１日発行１４８
〜１５９頁（解説：グラスチツクは小型と表面実装へ、
セラミックは高速多ビンに）に記載されているように、
表面実装用に作られることが最近になって多くなってき
た。
一方、最近のパワー系リニアＩＣ（半導体集積回路装り
などには、パワー素子とともに複雑かつ高度な回路機能
をモノリシック化したものが現れてきた。このようなＩ
Ｃは、従前のパワー素子に比べて、非常に多くのリード
端子ビンが必要となってくる。
などには、パワー素子とともに複雑かつ高度な回路機能
をモノリシック化したものが現れてきた。このようなＩ
Ｃは、従前のパワー素子に比べて、非常に多くのリード
端子ビンが必要となってくる。
ここで、本発明者は、たとえば複雑かつ高度な回路機能
を備えたパワー系ＩＣを、プラスチックパッケージによ
って表面実装可能な形状に構成することについて検討し
た。以下は、公知とされた技術ではないが、本発明者に
よって検討された技術であり、その概要は次のとおりで
ある。
を備えたパワー系ＩＣを、プラスチックパッケージによ
って表面実装可能な形状に構成することについて検討し
た。以下は、公知とされた技術ではないが、本発明者に
よって検討された技術であり、その概要は次のとおりで
ある。
第１２図（ａ）（ｂ）は本発明者によって検討され九半
導体装置ｌの構成例を示す。同図（ａ）は上側から見た
平面状態を、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ部分の断面状態を
示す。
導体装置ｌの構成例を示す。同図（ａ）は上側から見た
平面状態を、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ部分の断面状態を
示す。
同図に示す半導体装置１は、複雑かつ高度な回路機能を
備えたパワー系ＩＪ ＝７ＩＣを表面実装用に形成した
ものであって、パワー素子とともに多数の回路素子が集
積形成された半導体チップ１が扁平なプラスチックパッ
ケージ２内にモールド封止されている。これとともに、
そのプラスチックパッケージ２の西側力からそれぞれ多
数のリード端子３が導出されている。パッケージ２の底
面と各リード端子３の先端位置はほぼ同一高さに揃えら
れている。これにより、同図（ｂ）に示すように、プリ
ント配線基板４に直接面付けできるように、つまり表面
実装できるようになりている。同図（ｂ）において、５
はハンダ付は部分、６は接着剤などＫよる接着部分をそ
れぞれ示す。
備えたパワー系ＩＪ ＝７ＩＣを表面実装用に形成した
ものであって、パワー素子とともに多数の回路素子が集
積形成された半導体チップ１が扁平なプラスチックパッ
ケージ２内にモールド封止されている。これとともに、
そのプラスチックパッケージ２の西側力からそれぞれ多
数のリード端子３が導出されている。パッケージ２の底
面と各リード端子３の先端位置はほぼ同一高さに揃えら
れている。これにより、同図（ｂ）に示すように、プリ
ント配線基板４に直接面付けできるように、つまり表面
実装できるようになりている。同図（ｂ）において、５
はハンダ付は部分、６は接着剤などＫよる接着部分をそ
れぞれ示す。
しかしながら、上述した技術には、次のような問題点の
あることが本発明者によってあきらかとされた。
あることが本発明者によってあきらかとされた。
すなわち、上述したような半導体装置では５表面実装の
効果をあげるためのパッケージ２の小型化と、回路機能
の高度化に伴う多ビン化の両方を両立させるために、そ
の多数のリード端子３はどうしてもパッケージ２の西側
力に振り分けて導出させなければならなくなる。このた
め、たとえば第１３図に示す半導体装置１のような構造
、すなわち半導体チップ７が固定されているステム９の
一部をパッケージ２の側方へ露出させて放熱効果を高め
るといった構造を探ることができなくなってしまい、こ
れによって十分な放熱効果が得られなくなってしまう、
という問題点を生じることが本発明者によってあきらか
とされた。
効果をあげるためのパッケージ２の小型化と、回路機能
の高度化に伴う多ビン化の両方を両立させるために、そ
の多数のリード端子３はどうしてもパッケージ２の西側
力に振り分けて導出させなければならなくなる。このた
め、たとえば第１３図に示す半導体装置１のような構造
、すなわち半導体チップ７が固定されているステム９の
一部をパッケージ２の側方へ露出させて放熱効果を高め
るといった構造を探ることができなくなってしまい、こ
れによって十分な放熱効果が得られなくなってしまう、
という問題点を生じることが本発明者によってあきらか
とされた。
本発明の目的は、表面実装に適した形状および大きさを
保ちつつ、プラスチックパッケージで封止された多ビン
の半導体装置の放熱効果を向上させることができるよう
にし、これによって、たとえば複雑かつ高度な回路機能
が内蔵されたパワー系ＩＪ ニアＩＣも表面実装に適し
た形状に形成できるようにする、という技術を提供する
ものである。
保ちつつ、プラスチックパッケージで封止された多ビン
の半導体装置の放熱効果を向上させることができるよう
にし、これによって、たとえば複雑かつ高度な回路機能
が内蔵されたパワー系ＩＪ ニアＩＣも表面実装に適し
た形状に形成できるようにする、という技術を提供する
ものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおシである。
を簡単に説明すれば、下記のとおシである。
すなわち、ステムに固定された半導体チップのリード端
子をグラスチックパッケージの西側力に振シ分けて導出
させるとともに、そのステムの一部をパッケージの下面
あるいは上面から部分的に露出させるようにしたもので
ある。
子をグラスチックパッケージの西側力に振シ分けて導出
させるとともに、そのステムの一部をパッケージの下面
あるいは上面から部分的に露出させるようにしたもので
ある。
上記した手段によれば、回路機能の高度化に伴う多ビン
化と表面実装に適合させるための小型化とを両立させつ
つ、プラスチックパッケージで封止された多ピンの半導
体装置の放熱効果を向上させることができるようになる
。これによって、たとえば複雑かつ高度な回路機能が内
蔵されたパワー系リニアＩＣも表面実装に適した形状に
形成できるようにする、という目的が達成される。
化と表面実装に適合させるための小型化とを両立させつ
つ、プラスチックパッケージで封止された多ピンの半導
体装置の放熱効果を向上させることができるようになる
。これによって、たとえば複雑かつ高度な回路機能が内
蔵されたパワー系リニアＩＣも表面実装に適した形状に
形成できるようにする、という目的が達成される。
以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する
。
。
なお、各図中、同一符号は同一あるいは相当部分を示す
。
。
第１図および第２図はこの発明による技術が適用された
半導体装置の一実施例を示す。この場合、第１図は実装
状態にある半導体装置の断面図を１第２図は非実装状態
にある半導体装置の斜視図をそれぞれ示す。
半導体装置の一実施例を示す。この場合、第１図は実装
状態にある半導体装置の断面図を１第２図は非実装状態
にある半導体装置の斜視図をそれぞれ示す。
同図に示す半導体装置１は多ピン型のパワー系リニアＩ
Ｃとして構成され、その半導体チップ７は表面実装に適
合させるために扁平なグラスチックパッケージ２によっ
てモールド封止されている。
Ｃとして構成され、その半導体チップ７は表面実装に適
合させるために扁平なグラスチックパッケージ２によっ
てモールド封止されている。
ここで、半導体チップ７は、第１図に示すように、パッ
ケージ２内にて金属ステム７の上に載置・固定されてい
る。このステム９に固定された半導体チップ７は、ポン
ディングワイヤ８によって多数のリード端子３に接続さ
れている。この多数のリード端子３は、第２図に示すよ
うに、ノくツケージ２の四方の側面へ略等本数ずつ振り
分けられて導出させられている。これとともに、第１図
および第２図に示すように、上記ステム９の下側部分が
プラスチックパッケージ２の下面側に露出させられてい
る。さらに、そのステム９の下側露出面は扁平に形成さ
れ、かつこの露出面と上記リード端子３の先端位置が略
等高に揃えられている。
ケージ２内にて金属ステム７の上に載置・固定されてい
る。このステム９に固定された半導体チップ７は、ポン
ディングワイヤ８によって多数のリード端子３に接続さ
れている。この多数のリード端子３は、第２図に示すよ
うに、ノくツケージ２の四方の側面へ略等本数ずつ振り
分けられて導出させられている。これとともに、第１図
および第２図に示すように、上記ステム９の下側部分が
プラスチックパッケージ２の下面側に露出させられてい
る。さらに、そのステム９の下側露出面は扁平に形成さ
れ、かつこの露出面と上記リード端子３の先端位置が略
等高に揃えられている。
上述し九半導体装＃１は、第１図に示すように、その端
子リード３およびステム９の下側露出面がそれぞれプリ
ント配線基板４の導体ランド１０面に直接ハンダ付けさ
れることにより表面実装される。５はそのハンダ付は部
分を示す。この場合、ステム９の下側露出面には、あら
かじめ銀ペーストなどを塗付してハンダ付けがしやすい
ようにしておくとよい。また、ステム９とプラスチック
パッケージ２との界面から水分などが侵入しないように
するために、そのステム９のパッケージ２で覆われる部
分には、あらかじめ適当な２イニング処理を施しておく
ことが望ましい。
子リード３およびステム９の下側露出面がそれぞれプリ
ント配線基板４の導体ランド１０面に直接ハンダ付けさ
れることにより表面実装される。５はそのハンダ付は部
分を示す。この場合、ステム９の下側露出面には、あら
かじめ銀ペーストなどを塗付してハンダ付けがしやすい
ようにしておくとよい。また、ステム９とプラスチック
パッケージ２との界面から水分などが侵入しないように
するために、そのステム９のパッケージ２で覆われる部
分には、あらかじめ適当な２イニング処理を施しておく
ことが望ましい。
以上のように構成され次半導体装置１では、半導体チッ
プ７からの発熱が、プラスチックパッケージ２に遮られ
ることなく、ステム９からプリント配線基板４へ効率良
く逃げることができる。これにより、回路機能の複雑化
および高度化に伴う多ピン化と表面実装に適合させるた
めの小型化とを両立させつつ、プラスチックパッケージ
２で封止され之多ビンの半導体装置１の放熱効果を向上
させることができるようになる。
プ７からの発熱が、プラスチックパッケージ２に遮られ
ることなく、ステム９からプリント配線基板４へ効率良
く逃げることができる。これにより、回路機能の複雑化
および高度化に伴う多ピン化と表面実装に適合させるた
めの小型化とを両立させつつ、プラスチックパッケージ
２で封止され之多ビンの半導体装置１の放熱効果を向上
させることができるようになる。
第３図および第４図はこの発明の第２実施例を示す。第
３図はその第２実施例の半導体装置１を裏返し次状態を
、第４図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
３図はその第２実施例の半導体装置１を裏返し次状態を
、第４図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
この第２実施例の半導体装置１では、ステム９の露出部
分にネジ穴１１が形成されている。このネジ穴１１にポ
ルト１２をプリント配線基板４ごしに螺入させることに
より、プリント配線基板４への取υ付は状態を機械的に
確実にする仁とができる。これとともに、そのネジ穴１
１に螺入されたボルト１２が一種の放熱体としても機能
することにより、放熱効果が一層向上させられるように
なる。ステム９と基板４０間には、熱伝導性を高めるた
めのシリコーングリース１３を塗っておくとよい。
分にネジ穴１１が形成されている。このネジ穴１１にポ
ルト１２をプリント配線基板４ごしに螺入させることに
より、プリント配線基板４への取υ付は状態を機械的に
確実にする仁とができる。これとともに、そのネジ穴１
１に螺入されたボルト１２が一種の放熱体としても機能
することにより、放熱効果が一層向上させられるように
なる。ステム９と基板４０間には、熱伝導性を高めるた
めのシリコーングリース１３を塗っておくとよい。
第５図および第６図はこの発明の第３実施例を示す。第
５図はその第３実施例の半導体装置１を裏返した状態を
、第６図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
５図はその第３実施例の半導体装置１を裏返した状態を
、第６図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
この第３実施例の半導体装ｆ１では、ステム９の露出部
分にボルト部１４が一体に突設されている。このボルト
部１４とナラ）１５でプリント配線基板４を挾み込むこ
とにより、半導体装置１″ｌ！ニブリント配線基板４に
機械的に確実に取り付けることができる。これとともに
、そのボルト部１４とナツト１５が良好な放熱体として
も機能することＫより、一層すぐれた放熱効果が得られ
るようになる。
分にボルト部１４が一体に突設されている。このボルト
部１４とナラ）１５でプリント配線基板４を挾み込むこ
とにより、半導体装置１″ｌ！ニブリント配線基板４に
機械的に確実に取り付けることができる。これとともに
、そのボルト部１４とナツト１５が良好な放熱体として
も機能することＫより、一層すぐれた放熱効果が得られ
るようになる。
第７図および第８図はこの発明の第４実施例を示す。第
７図はその第４実施例の半導体装置１を裏返した状態を
、第８図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
７図はその第４実施例の半導体装置１を裏返した状態を
、第８図はその実装状態における断面状態をそれぞれ示
す。
この第４実施例の半導体装置１では、ステア４９の両端
が下方へ直角に折り曲げられ、この折り曲げ部分がプラ
スチックパッケージ２の下方へ突出して露出させられて
いる。そして、その下端がプリント配線基板４の導体ラ
ンド１ｏにハンダ付けされている。
が下方へ直角に折り曲げられ、この折り曲げ部分がプラ
スチックパッケージ２の下方へ突出して露出させられて
いる。そして、その下端がプリント配線基板４の導体ラ
ンド１ｏにハンダ付けされている。
第９図および第１０図はこの発明の第５実施例を示す。
第９図はその第５実施例の半導体装置１を裏返した状態
を、第１０図はその実装状態における断面状態をそれぞ
れ示す。この第５実施例の半導体装置１では、ステム９
の露出部分に多数の冷却フィン部が襞状に一体形成され
ている。この第５実施例の半導体装置１は、第１０図に
示すように、そのステム９の露出部分がプリント配線基
板４に穿設された窓孔１６内に嵌入させられた状態で実
装される。
を、第１０図はその実装状態における断面状態をそれぞ
れ示す。この第５実施例の半導体装置１では、ステム９
の露出部分に多数の冷却フィン部が襞状に一体形成され
ている。この第５実施例の半導体装置１は、第１０図に
示すように、そのステム９の露出部分がプリント配線基
板４に穿設された窓孔１６内に嵌入させられた状態で実
装される。
第１１図はこの発明の第６実施例を示す。同図はその第
６実施例の半導体装置１の実装状態における断面状態を
示す。この第６実施例の半導体装置１では、ステム９が
プラスチックパッケージ２の上面側に露出させられてい
て、この露出部分に襞状の冷却フィン部が一体に形成さ
れている。
６実施例の半導体装置１の実装状態における断面状態を
示す。この第６実施例の半導体装置１では、ステム９が
プラスチックパッケージ２の上面側に露出させられてい
て、この露出部分に襞状の冷却フィン部が一体に形成さ
れている。
以上の第２〜第６実施例の半導体装置１も、前述した作
用効果、すなわち半導体チッ７″７からの発熱が、プラ
スチックパッケージ２に遮られることなく、ステム９か
らプリント配線基板４へ効率良く逃げることができ、こ
れにより、回路機能の複雑化および高度化に伴う多ビン
化と表面実装に適合させるための小型化とを両立させつ
つ、プラスチックパッケージ２で封止された多ピンの半
導体装置１の放熱効果を向上させることができる。
用効果、すなわち半導体チッ７″７からの発熱が、プラ
スチックパッケージ２に遮られることなく、ステム９か
らプリント配線基板４へ効率良く逃げることができ、こ
れにより、回路機能の複雑化および高度化に伴う多ビン
化と表面実装に適合させるための小型化とを両立させつ
つ、プラスチックパッケージ２で封止された多ピンの半
導体装置１の放熱効果を向上させることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、上記ステ
ム９ｔ−中空構造にして、その中空内部に冷却媒体液を
封入することにより一種のヒートバイブを形成させるよ
うにしてもよい。
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば、上記ステ
ム９ｔ−中空構造にして、その中空内部に冷却媒体液を
封入することにより一種のヒートバイブを形成させるよ
うにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となっ九利用分野である多ビンのパワー系リ
ニアＩＣに適用した場合について説明しｆｃが、それに
限定されるものではなく、たとえば、消費電力の大きな
ＥＣＬ（エミッタ結合論理）が形成すれた高速論理半導
体集積回路装置などにも適用できる。少なくとも、プラ
スチックパッケージタイプで多ピンかつ表面実装用に適
合させるといり条件のものには適用できる。
をその背景となっ九利用分野である多ビンのパワー系リ
ニアＩＣに適用した場合について説明しｆｃが、それに
限定されるものではなく、たとえば、消費電力の大きな
ＥＣＬ（エミッタ結合論理）が形成すれた高速論理半導
体集積回路装置などにも適用できる。少なくとも、プラ
スチックパッケージタイプで多ピンかつ表面実装用に適
合させるといり条件のものには適用できる。
本ＭＫ、おいて開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、ステムに固定された半導体チップのリード端
子をプラスチックパッケージの西側方に振シ分けて導出
させるとともに、そのステムの一部をパッケージの下面
あるいは上面から部分的に露出させるようにしたことに
より、回路機能の高度化に伴う多ビン化と表面実装に適
合させるための小型化とを両立させつつ、プラスチック
パッケージで封止された多ビンの半導体装置の放熱効果
を向上させることができるようになる、という効果が得
られる。
子をプラスチックパッケージの西側方に振シ分けて導出
させるとともに、そのステムの一部をパッケージの下面
あるいは上面から部分的に露出させるようにしたことに
より、回路機能の高度化に伴う多ビン化と表面実装に適
合させるための小型化とを両立させつつ、プラスチック
パッケージで封止された多ビンの半導体装置の放熱効果
を向上させることができるようになる、という効果が得
られる。
第１図はこの発明による技術が適用された半導体装置の
実装状態での断面状態を示す図、第２図は第１図に示し
た半導体装置を裏返し７−示す斜視図、 第３図はこの発明の第２実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第４図はこの発明の第２実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図。 第５図はこの発明の第３実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第６図はこの発明の第３実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図、 第７図はこの発明の第４実施例【よる半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第８図はこの発明の第４実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図、 第９図はこの発明の第５実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第１０図はこの発明の第５実施例による半導体装置の実
装状態での断面状態を示す図、第１１図はこの発明の第
６実施例による半導体装置の実装状態での断面状態を示
す図、第１２図（ａ）（ｂ）はこの発明に先立って検討
された表面実装型かつプラスチックパッケージ型で多ピ
ン型の半導体装置の平面状態および断面状態を示す図、 第１３図は従来の表面実装型パワー系す＝アＩＣの構成
を示す平面図である。 １・・・表面実装型で多ビンの半導体装置、２・・・プ
ラスチックパッケージ％ ３・・・リード端子、４・・
・プリント配線基板、５・・・ハンダ付は部分、７・・
・半導体チップ、８・・・ボンディングワ・・ｆヤー、
９・・・ステム、１０・・・プリント配線基板の導体ラ
ンド。 代理人 弁理士 小 川 勝 男゛ 、ゝ・、 ′
″ 第 １ 図 第 ２ 図 （１・′ 第 ３ 図 第 ４ 図 策 ５ 図 第９図 ９．５′ 、／、７ ・ｊ 第１０図 第 １１ 図
実装状態での断面状態を示す図、第２図は第１図に示し
た半導体装置を裏返し７−示す斜視図、 第３図はこの発明の第２実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第４図はこの発明の第２実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図。 第５図はこの発明の第３実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第６図はこの発明の第３実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図、 第７図はこの発明の第４実施例【よる半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第８図はこの発明の第４実施例による半導体装置の実装
状態での断面状態を示す図、 第９図はこの発明の第５実施例による半導体装置の裏側
を示す斜視図、 第１０図はこの発明の第５実施例による半導体装置の実
装状態での断面状態を示す図、第１１図はこの発明の第
６実施例による半導体装置の実装状態での断面状態を示
す図、第１２図（ａ）（ｂ）はこの発明に先立って検討
された表面実装型かつプラスチックパッケージ型で多ピ
ン型の半導体装置の平面状態および断面状態を示す図、 第１３図は従来の表面実装型パワー系す＝アＩＣの構成
を示す平面図である。 １・・・表面実装型で多ビンの半導体装置、２・・・プ
ラスチックパッケージ％ ３・・・リード端子、４・・
・プリント配線基板、５・・・ハンダ付は部分、７・・
・半導体チップ、８・・・ボンディングワ・・ｆヤー、
９・・・ステム、１０・・・プリント配線基板の導体ラ
ンド。 代理人 弁理士 小 川 勝 男゛ 、ゝ・、 ′
″ 第 １ 図 第 ２ 図 （１・′ 第 ３ 図 第 ４ 図 策 ５ 図 第９図 ９．５′ 、／、７ ・ｊ 第１０図 第 １１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ステムに固定された半導体チップが扁平なプラスチ
ックパッケージによって封止された多ピンの半導体装置
であって、上記半導体チップに接続するリード端子が上
記パッケージの四方の側面へ振り分けられて導出させら
れるとともに、上記ステムの一部がプラスチックパッケ
ージの下面あるいは上面に露出させられたことを特徴と
する半導体装置。 ２、上記ステムの一部がプラスチックパッケージの下面
に露出させられるとともに、この露出面が扁平に形成さ
れ、かつこの露出面と上記リード端子の先端位置が略等
高に揃えられていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010089A JPS62169450A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010089A JPS62169450A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169450A true JPS62169450A (ja) | 1987-07-25 |
Family
ID=11740606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61010089A Pending JPS62169450A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169450A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0539095A3 (ja) * | 1991-10-23 | 1994-02-16 | Fujitsu Ltd | |
| FR2724054A1 (fr) * | 1994-06-09 | 1996-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Structure de montage de boitier semiconducteur |
| EP0711104A1 (en) * | 1994-11-01 | 1996-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged semiconductor, semiconductor device made therewith and method for making same |
| US7245004B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61010089A patent/JPS62169450A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0539095A3 (ja) * | 1991-10-23 | 1994-02-16 | Fujitsu Ltd | |
| US5444025A (en) * | 1991-10-23 | 1995-08-22 | Fujitsu Limited | Process for encapsulating a semiconductor package having a heat sink using a jig |
| US5659200A (en) * | 1991-10-23 | 1997-08-19 | Fujitsu, Ltd. | Semiconductor device having radiator structure |
| FR2724054A1 (fr) * | 1994-06-09 | 1996-03-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Structure de montage de boitier semiconducteur |
| EP0711104A1 (en) * | 1994-11-01 | 1996-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged semiconductor, semiconductor device made therewith and method for making same |
| KR100237912B1 (ko) * | 1994-11-01 | 2000-01-15 | 기타오카 다카시 | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| US7245004B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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