JPS62144378A - 分布帰還覆半導体レ−ザ− - Google Patents
分布帰還覆半導体レ−ザ−Info
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- JPS62144378A JPS62144378A JP60285295A JP28529585A JPS62144378A JP S62144378 A JPS62144378 A JP S62144378A JP 60285295 A JP60285295 A JP 60285295A JP 28529585 A JP28529585 A JP 28529585A JP S62144378 A JPS62144378 A JP S62144378A
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- JP
- Japan
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- layer
- section
- straight line
- optical waveguide
- bent section
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- Pending
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/124—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts
- H01S5/1243—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers incorporating phase shifts by other means than a jump in the grating period, e.g. bent waveguides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/1085—Oblique facets
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分布帰還型半導体レーザーに関するものであっ
て、特に単−縦モート発振を可能にしたものである。
て、特に単−縦モート発振を可能にしたものである。
本発明は、第１のクラッド層と、この第１のクラッド層
上に設けられている活性層と、この活ｌ生層上に設けら
れかつグレーティングを有、するガイド層と、このガイ
ド層上に設けられかつ光導波路を有する第２のクラッド
層とをそれぞれ具備する分布帰還型半導体レーザーにお
いて、上記光導波路に折曲部を設け、この折曲部によっ
て、上記光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
（λ：発振波長）に対応する位相シフトを与えることに
より、単−縦モード発振を実現することができるように
したものである。
上に設けられている活性層と、この活ｌ生層上に設けら
れかつグレーティングを有、するガイド層と、このガイ
ド層上に設けられかつ光導波路を有する第２のクラッド
層とをそれぞれ具備する分布帰還型半導体レーザーにお
いて、上記光導波路に折曲部を設け、この折曲部によっ
て、上記光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
（λ：発振波長）に対応する位相シフトを与えることに
より、単−縦モード発振を実現することができるように
したものである。
分布帰還型（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃ
ｋ）半回体レーザー（以下ＤＦＢレーザーという）は、
３１１−縦モード発振を実現し得るレーザーとして期待
されている。このＤＦＢレーザーにおいては、従来、ブ
ラッグ反射により光を分布的に帰還させるためのグレー
ティング（回折格子）として、凹凸のピッチが一様なも
のが用いられていた。ところが、一様なグレーティング
を有するＤＦＢレーザーでは、本来、利得の等しい２つ
の縦モード発振が生じ、さらにはモードホッピングが生
ずる可能性があるため、単−縦モード発振の実現は容易
ではなかった。
ｋ）半回体レーザー（以下ＤＦＢレーザーという）は、
３１１−縦モード発振を実現し得るレーザーとして期待
されている。このＤＦＢレーザーにおいては、従来、ブ
ラッグ反射により光を分布的に帰還させるためのグレー
ティング（回折格子）として、凹凸のピッチが一様なも
のが用いられていた。ところが、一様なグレーティング
を有するＤＦＢレーザーでは、本来、利得の等しい２つ
の縦モード発振が生じ、さらにはモードホッピングが生
ずる可能性があるため、単−縦モード発振の実現は容易
ではなかった。
このような欠点を是正し、単−縦モード発振を実現する
ために、グレーティングの中央部において周期的凹凸の
位相をシフトさせ、この部分により光にπの位相差すな
わちλ／４シフト（λ：発振波長）を生じさせるように
したＤＦＢレーザーが近年提案されている。
ために、グレーティングの中央部において周期的凹凸の
位相をシフトさせ、この部分により光にπの位相差すな
わちλ／４シフト（λ：発振波長）を生じさせるように
したＤＦＢレーザーが近年提案されている。
しかしながら、周期的凹凸の位相が中央部でシフトした
グレーティングを精度良く製作することは難しく、レー
ザーの製造歩留まりの低下を生ずるおそれがある。
グレーティングを精度良く製作することは難しく、レー
ザーの製造歩留まりの低下を生ずるおそれがある。
本発明は、従来技術が有する上述のような欠点を是正し
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る分布帰還型半導体レーザーは、第１のクラ
ッド層（例えばｎ−Ａ４ＸＧａ、−ＸＡｓ層２）と、こ
の第１のクラッド層上に設けられている活性層（例えば
Ａ Ｅ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ層３）と、この活性層上
に設けられかつグレーティングを有するガイド層（例え
ばグレーティング７を有するｐ−Ａβ２Ｇａ、−、＾Ｓ
層４）と、このガイド層上に設けられかつ光導波路を有
する第２のクラッド層（例えばリッジ導波路８を有する
ｐ −Ａ（ｌＸＧａ、−ＸＡｓＡＢＯ３をそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記光導波路
に折曲部（例えば折曲部８ｂ）を設け、この折曲部によ
って、上記光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
（λ：発振波長）に対応する位相シフトを与えるよう
にしている。
ッド層（例えばｎ−Ａ４ＸＧａ、−ＸＡｓ層２）と、こ
の第１のクラッド層上に設けられている活性層（例えば
Ａ Ｅ ｙ Ｇａ１−ｙ Ａｓ層３）と、この活性層上
に設けられかつグレーティングを有するガイド層（例え
ばグレーティング７を有するｐ−Ａβ２Ｇａ、−、＾Ｓ
層４）と、このガイド層上に設けられかつ光導波路を有
する第２のクラッド層（例えばリッジ導波路８を有する
ｐ −Ａ（ｌＸＧａ、−ＸＡｓＡＢＯ３をそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記光導波路
に折曲部（例えば折曲部８ｂ）を設け、この折曲部によ
って、上記光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
（λ：発振波長）に対応する位相シフトを与えるよう
にしている。
以下本発明をリッジ（ｒｉｄｇｅ） ’Ｊ−波路を有す
るＤＦＢレーザーに適用した一実施例につき図面を参照
しながら説明する。
るＤＦＢレーザーに適用した一実施例につき図面を参照
しながら説明する。
第１Ａ図に示すように、本実施例によるＤＦＢレーザー
においては、ｎ ＧａＡｓ基板１上にクラッド層を構
成するｎ −ＡＡＸＧａｌ−、Ａｓ層２、活性層を構成
する＾ｌｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ □’ ＜ Ｘ） Ｎ
３、ガイド層を構成するｐ−ＡＲｚ Ｇａ＋−ｚ Ａｓ
（ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ）層・１及びクラット層を構成
するｐ−ＡβＸ Ｇａ１−ＸＡｓＡＢＯ３次設けられて
いる。
においては、ｎ ＧａＡｓ基板１上にクラッド層を構
成するｎ −ＡＡＸＧａｌ−、Ａｓ層２、活性層を構成
する＾ｌｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ □’ ＜ Ｘ） Ｎ
３、ガイド層を構成するｐ−ＡＲｚ Ｇａ＋−ｚ Ａｓ
（ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ）層・１及びクラット層を構成
するｐ−ＡβＸ Ｇａ１−ＸＡｓＡＢＯ３次設けられて
いる。
上記ガイド層を構成するｐ−Ａｌ□Ｇａｐ−２Ａｓ層４
のｐ−へ１２．Ｇａ、−、八Ｓ層５側の表面には、端面
６ａに平行な方向に延びる周期的な三角波状凹凸から成
るグレーティング７が設けられている。さらに、第１Ａ
図及び第１Ｂ図に示すように、上記クラット層を構成す
るｐ −ＡｆｆＸＧａ、−ＸＡｓＡＢＯ３面には、例え
ば矩形断面を有しかつ上記端面６ａからこの端面６ａに
平行な他方の端面６ｂに向かって延びる折れ線状の突出
部が設けられ、この突出部によってリッジ導波路８が構
成されている。
のｐ−へ１２．Ｇａ、−、八Ｓ層５側の表面には、端面
６ａに平行な方向に延びる周期的な三角波状凹凸から成
るグレーティング７が設けられている。さらに、第１Ａ
図及び第１Ｂ図に示すように、上記クラット層を構成す
るｐ −ＡｆｆＸＧａ、−ＸＡｓＡＢＯ３面には、例え
ば矩形断面を有しかつ上記端面６ａからこの端面６ａに
平行な他方の端面６ｂに向かって延びる折れ線状の突出
部が設けられ、この突出部によってリッジ導波路８が構
成されている。
このリッジ導波路８は、端面６ａからこれに垂直にｐ−
Ａ１ＸＧａ、□ＡｓＡｓＯ２央部に向かって延びる直線
部８ａと、この直線部８ａと角度θをなす方向に延びか
つ上記中央部に位置する長、さｐの折曲部８ｂと、この
折曲部８ｂから端面６ｂに向かって上記直線部８ａと平
行な方向に延びる直線線８Ｃとから成っている。
Ａ１ＸＧａ、□ＡｓＡｓＯ２央部に向かって延びる直線
部８ａと、この直線部８ａと角度θをなす方向に延びか
つ上記中央部に位置する長、さｐの折曲部８ｂと、この
折曲部８ｂから端面６ｂに向かって上記直線部８ａと平
行な方向に延びる直線線８Ｃとから成っている。
上述のリッジ導波路８の折曲部８ｂの長さρ及び直線部
８ａ、８ｃとなす角θは次のようにして決定される。グ
レーティング７を構成する凹凸の延びる方向が上述のよ
うに端面６ａに平行である場合、リッジ導波路８に沿っ
て導波される光が上記折曲部８ｂにおいて惑しるグレー
ティングピノチΔ′は、θ−０９の時のピッチをΔ。と
すると、ｃｏｓ θ で表される。この（１）弐から、リッジ導波路８の中央
の折曲部８ｂに対応する部分では、第２図（Ｂ）に示す
ように、直線部８ａ、８Ｃに比べて、光が感じるグレー
ティングピンチが少し長くなることがわかる。なお比較
のために、折曲部を有しない直線状リッジ導波路の場合
におけるグレーティングピッチを第２図（Ａ）に示す。
８ａ、８ｃとなす角θは次のようにして決定される。グ
レーティング７を構成する凹凸の延びる方向が上述のよ
うに端面６ａに平行である場合、リッジ導波路８に沿っ
て導波される光が上記折曲部８ｂにおいて惑しるグレー
ティングピノチΔ′は、θ−０９の時のピッチをΔ。と
すると、ｃｏｓ θ で表される。この（１）弐から、リッジ導波路８の中央
の折曲部８ｂに対応する部分では、第２図（Ｂ）に示す
ように、直線部８ａ、８Ｃに比べて、光が感じるグレー
ティングピンチが少し長くなることがわかる。なお比較
のために、折曲部を有しない直線状リッジ導波路の場合
におけるグレーティングピッチを第２図（Ａ）に示す。
今、第２図（Ａ）（Ｂ）に示すようにグレーティング位
相Ω１、Ω２、Ω３を定めれば、次の２式が成立する。
相Ω１、Ω２、Ω３を定めれば、次の２式が成立する。
ここで、ｎはグレーティングの次数である。従って（２
）及び（３）式より、Ω２とΩ、との位相差ΔΩミとな
り、Ω１に無関係な値となる。このΔΩがπ＋２πｍ
（ｍは整数）に等しければλ／４シフトが実現されたこ
とになるので、ΔΩ−π＋２πｍとおいて（４）弐を用
いると、 が成立する。この（５）式と（１）式とから、が得られ
る。ただし、θ≠０である。従ってこの（６）式により
決められるｌ、θの値を有する折曲部８ｂを設けること
により、リッジ導波路８に沿って導波される光に実効的
にλ／４シフト（πの位相シフトに対応する）を生じさ
せることができる。
）及び（３）式より、Ω２とΩ、との位相差ΔΩミとな
り、Ω１に無関係な値となる。このΔΩがπ＋２πｍ
（ｍは整数）に等しければλ／４シフトが実現されたこ
とになるので、ΔΩ−π＋２πｍとおいて（４）弐を用
いると、 が成立する。この（５）式と（１）式とから、が得られ
る。ただし、θ≠０である。従ってこの（６）式により
決められるｌ、θの値を有する折曲部８ｂを設けること
により、リッジ導波路８に沿って導波される光に実効的
にλ／４シフト（πの位相シフトに対応する）を生じさ
せることができる。
−例として上記（６）式においてｍ＝ｏ、Δ。／ ｎ
＝０．１２５μｍとすると、θ−５°でＡ＝１６．４μ
ｍとなり、実現は容易である。
＝０．１２５μｍとすると、θ−５°でＡ＝１６．４μ
ｍとなり、実現は容易である。
このように、上述の実施例によれば、リッジ導波路８に
折曲部８ｂを設けているので、上述のような原理でλ／
４シフトを実現することができ、従って単−縦モード発
振を容易に実現することができる。しかもグレーティン
グ７の位相を中央部でシフトさせる等の特別な細工を施
すことなくλ／４シフトを実現することができるので、
グレーティング製作上の困難さがなく、従って歩留まり
低下も生じない。
折曲部８ｂを設けているので、上述のような原理でλ／
４シフトを実現することができ、従って単−縦モード発
振を容易に実現することができる。しかもグレーティン
グ７の位相を中央部でシフトさせる等の特別な細工を施
すことなくλ／４シフトを実現することができるので、
グレーティング製作上の困難さがなく、従って歩留まり
低下も生じない。
以上本発明の一実施例につき説明したが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実
施例においては、リッジ導波路８の折曲部８ｂを直線状
としたが、この折曲部８ｂは種々の形状にすることがで
き、例えば直線部８ａ、８ｃを滑らかに結ぶ曲線状の形
状としてもよい。このようにすれば、導波時の光の損失
か少ない点で有利である。また折曲部８ｂの長さＣは、
ＤＦＢレーザーの全長、すなわち端面６ａ、６ｂ間の距
離の約１／１０以内にするのが望ましい。さらに、折曲
部８ｂの傾斜角θは、散乱による光の損失を抑えるため
に１０°以下とするのが望ましい。さらにまた、上述の
実施例においては、光導波路としてリッジ導波路８を用
いたが、必要に応じてＢ Ｈ（ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃＬｕｒｅ）、リブ（ｒｉｂ） 、ＣＳ
Ｐ （ｃｈａｎｎｅｌｅｄ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐｌ
ａｎａｒ）等の各種の屈折率導波路を用いることができ
る。なお上述の実施例においては、クラッド層としてｎ
Ａｊ２ＸＧａ＋−ｘへｓＮ２及びｐ−へｊ２．Ｇａ＋−
８Ａｓ層５、活性層としてＡＩ、Ｇａ、、４３層３、ガ
イＦ層としてｐ−ＡＩ、 Ｇａ、−、Ａｓ層４を用いた
が、必要に応じてその他の各種半導体層を用いることが
可能である。
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実
施例においては、リッジ導波路８の折曲部８ｂを直線状
としたが、この折曲部８ｂは種々の形状にすることがで
き、例えば直線部８ａ、８ｃを滑らかに結ぶ曲線状の形
状としてもよい。このようにすれば、導波時の光の損失
か少ない点で有利である。また折曲部８ｂの長さＣは、
ＤＦＢレーザーの全長、すなわち端面６ａ、６ｂ間の距
離の約１／１０以内にするのが望ましい。さらに、折曲
部８ｂの傾斜角θは、散乱による光の損失を抑えるため
に１０°以下とするのが望ましい。さらにまた、上述の
実施例においては、光導波路としてリッジ導波路８を用
いたが、必要に応じてＢ Ｈ（ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅ
ｒｏｓｔｒｕｃＬｕｒｅ）、リブ（ｒｉｂ） 、ＣＳ
Ｐ （ｃｈａｎｎｅｌｅｄ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐｌ
ａｎａｒ）等の各種の屈折率導波路を用いることができ
る。なお上述の実施例においては、クラッド層としてｎ
Ａｊ２ＸＧａ＋−ｘへｓＮ２及びｐ−へｊ２．Ｇａ＋−
８Ａｓ層５、活性層としてＡＩ、Ｇａ、、４３層３、ガ
イＦ層としてｐ−ＡＩ、 Ｇａ、−、Ａｓ層４を用いた
が、必要に応じてその他の各種半導体層を用いることが
可能である。
本発明によれば、光導波路に折曲部を設け、この折曲部
によって、光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
に対応する位相シフトを与えるようにしているので、グ
レーティングに特別な細工を施すことなく、従って製造
歩留まり低下を生ずることなく単−縦モード発振を容易
に実現することができる。
によって、光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４
に対応する位相シフトを与えるようにしているので、グ
レーティングに特別な細工を施すことなく、従って製造
歩留まり低下を生ずることなく単−縦モード発振を容易
に実現することができる。
第１Ａ図は本発明の一実施例によるＤＦＢレーザーの斜
視図、第１Ｂ図は第１Ａ図の平面図、第２図はλ／４シ
フトの原理図、第３図は本発明の変形例によるＤＦＢレ
ーザーの平面図である。 なお図面に用いた符号において、 １−−−−−−− ｎ −ＧａＡｓ７Ｊ”板２−−−−
−−−−−ｎ−Ａ （ｌ ＸＧａ１−２ へＳ層３ −
−−−−−−−−− Ａ （ｌ ｙ Ｇａ＋−ｙ
Ａｓ層４−−−−−−−一−−−−ｐ−へ１．Ｇａ、
−，Ａｓ層５ −・−−−−−−−−−ｐ−八Ｅ ＸＧ
ａ、−Ｘ Ａｓ層７−−−−−−−−−−−グレーテイ
ング８−−−−一−−−−−・−・・−リッジ導波路８
ａ、８ｃ −−−−−−−−一直線部８ｂ−−・−−−
−−−−一折曲部 である。
視図、第１Ｂ図は第１Ａ図の平面図、第２図はλ／４シ
フトの原理図、第３図は本発明の変形例によるＤＦＢレ
ーザーの平面図である。 なお図面に用いた符号において、 １−−−−−−− ｎ −ＧａＡｓ７Ｊ”板２−−−−
−−−−−ｎ−Ａ （ｌ ＸＧａ１−２ へＳ層３ −
−−−−−−−−− Ａ （ｌ ｙ Ｇａ＋−ｙ
Ａｓ層４−−−−−−−一−−−−ｐ−へ１．Ｇａ、
−，Ａｓ層５ −・−−−−−−−−−ｐ−八Ｅ ＸＧ
ａ、−Ｘ Ａｓ層７−−−−−−−−−−−グレーテイ
ング８−−−−一−−−−−・−・・−リッジ導波路８
ａ、８ｃ −−−−−−−−一直線部８ｂ−−・−−−
−−−−一折曲部 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層と、この活性層上に設けられかつグレー
ティングを有するガイド層と、このガイド層上に設けら
れかつ光導波路を有する第２のクラッド層とをそれぞれ
具備する分布帰還型半導体レーザーにおいて、 上記光導波路に折曲部を設け、この折曲部によって、上
記光導波路に沿って導波される光にほぼλ／４（λ：発
振波長）に対応する位相シフトを与えるようにした分布
帰還型半導体レーザー。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285295A JPS62144378A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 分布帰還覆半導体レ−ザ− |
| KR1019860009527A KR950003961B1 (ko) | 1985-12-18 | 1986-11-12 | 분포귀환형(分布歸還型) 반도체레이저 |
| US06/942,269 US4833687A (en) | 1985-12-18 | 1986-12-16 | Distributed feedback semiconductor laser |
| GB8630146A GB2185149B (en) | 1985-12-18 | 1986-12-17 | Distributed feedback semiconductor lasers |
| DE3643361A DE3643361C2 (de) | 1985-12-18 | 1986-12-18 | Mehrschichtiger DFB-Halbleiterlaser |
| FR8617746A FR2591818B1 (fr) | 1985-12-18 | 1986-12-18 | Laser a semiconducteurs a renvoi reparti |
| NL8603229A NL194219C (nl) | 1985-12-18 | 1986-12-18 | Gedistribueerd teruggekoppelde halfgeleiderlaser. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285295A JPS62144378A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 分布帰還覆半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| DE19520819A1 (de) * | 1995-05-30 | 1996-12-05 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren zur Ausnutzung scheibenförmigen Ausgangsmaterials bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente mit Gittern variabler Gitterperiode |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01201977A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Canon Inc | 半導体レーザー装置 |
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