JPS6189891A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ技術分野〕 本発明は記録層中に特定の高分子物質を含む光情報記録
媒体に関する。さらに詳しくは１本発明は保存安定性お
よび光安定性が改良された光情報記録媒体に関する。

〔従来技術〕

従来６回転しているディスク状の情報記録媒体にレーザ
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。そしてこの種の情報記録装置に用いら
れる情報記録媒体の記録層としては低融点金属または低
融点金属と誘電体を用いるものなどが提案されている。

しかし、これらは保存性が悪い１分解能が低い。

記録密度が低い、コスト高になるなどの欠点を有する。

また、最近になって比較的長波長の光で物性変化し得る
有機色素薄膜を記録層に用いることが提案されている。

この有機色素薄膜は上記欠点を除去するものでおるが一
般に長波長側に吸収特性をもつ有機色素は熱および光に
対して安定性が低いなどの問題点がある。

〔目的〕

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
目的は有機色素を用いる記録媒体において保存安定性お
よび光安定性（再生劣化の低減）などの向上にある。

〔構成〕

本発明者は上記目的を達成するために種々研究を行った
結果、下記式の繰返し単位を有する高分子物質を記録層
に含有させることにより有機色素の再生劣化を低減させ
耐光性も格段に向上できることを見出し本発明の完成に
至った。

すなわち１本発明は基板上に直接または下引き層を介し
て記録層を設けさらにその上に必要に応じて保護層を設
けてなる光情報記録媒体において、前記記録層中に有機
色素および式（式中１ＭはＮｉ、　Ｐｄまたばｐｔを表
わし、ＸおよびＹは０またはＳを表わし、φは共役系を
形成するのに必要な原子群を表わす）の繰返し単位を有
する高分子物質を含有させることを特徴とする光情報記
録媒体を提供することである。

本発明における上記式の繰返し単位を有する高分子物質
の代表例としては下記のものをあげることができるがこ
れらに限定されるものではない。

ｔ 本発明における記録層はレーザ光の照射により何らかの
光学的変化を生じさせその変化により情報を記録できる
ものであって、この記録層中には有機色素および上記高
分子物質が含有されていることが必要である。また、記
録層の形成にあたっては有機色素および高分子物質をそ
れぞれ２種以上組合せて用いることができる。

さらに、金属および金属化合物など例えばＩｎ。

Ｓｎ、　Ｔｏ、　Ｂｉ、　ＡＩ　、　Ｓｅ、ＴｅＯ２、
ＳｎＯ，Ａｓ　、　Ｃｄなどと混合分散あるいは積層し
てもよい。さらに１本発明の高分子物質は高分子材料例
えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹
脂。

天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料も
しくはシランカップリング剤などの中に混合分散して用
いてもよいしあるいは特性改良の目的で安定剤１分散剤
、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤など
と一緒に用いることもできる。

以下に１本発明における記録層に含有させる有機色素の
代表例をＩ−■とじてあげるがこれらに制限されるもの
ではない。

■、ジクロコニウム色素 ただし、Ｘは発色団を示し、岬は陽イオンを示しそして
Ｙｏは陰イオンを表わすが発色団中に陰イオンが含有さ
れるときにはＹｅは存在しないものとする。

■、アズレン系色素 し、　Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ４およびＲ５は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基あるいは置換または未置換の
アリール基を示す。

ｍ、　　トリ７工／ジチアジン化合物 ただし、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なっていても
よくそしてそれぞれは水素原子、ノ・ロケン、アルキル
基、フェニル基およびアルキル。

フルコキシ、カルボキシル、カルボン酸塩基。

ハロゲン、水酸基、スルホン酸基およびスルホン酸塩基
の１種またはそれ以上によって置換されていてもよい。

■、フタロシアニン系化合物 ただし、ＭＦｉ水素、酸化バナジウム、銅、ベリリウム
、マグネシウム、カルシウム、亜鉛。

カドミウム、バリウム、アルミニウム、錫、鉛。

バナジウム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ッケル、ハロゲン化錫、ハロゲン化アルミニウムなどが
あげられ、特に好ましいものは水素、鉛、ニッケル、コ
バルト、銅、酸化バナジウム、塩化アルミニウムおよび
塩化錫などがめげられる。Ｘは水素および塩素、臭素、
沃素および弗素などのハロゲンを示しそしてｎは１〜１
６の整数である。

■、　テトラデヒドロコリン系化合物 ＣＨ５ＣＨｓ ただし、Ｒはアルキル、カルボアルコキシ例えばＣＯＯ
Ｃ２Ｈ５などを表わし、Ｒ４は水素、アルキルなどを表
わし、ＭはＨ、Ｎ１（Ｉｆ）　、Ｃｏ（ＩＩ）　、　Ｃ
ｏ（Ｉｎ）などを表わし、そしてＸはＢｒ、　　ＣｌＯ
４などを表わす。

■、ジオキサジン化合物およびその誘導体ａ）芳香族ア
ミンとフルオシニル。クロラニル。

ブロマニル、ヨードアニルとの縮合閉環反応生成物 Ａ：非置換または置換芳香族アミンの残基ＸニーＦ、−
Ｃｔ、−Ｂｒ、−１ ｂ） Ｘ　：　−Ｆ、−ＣＬ、−８ｒ、−Ｘ Ｒ二　　−Ｈ，−Ｎｏ　２　、　　−ＮＨ２、−０ＣＲ
，、−ＱＣ２Ｈ，。

−Ｆ　、　−ＣＬ　、　−Ｂｒ　、　−Ｉ　、芳香族基
ｍ、ｎ：１〜４ ■、アントラキノン誘導体 下記の構造式ＩＩＩ）および（Ｉｔ、ｌによって表わす
ことができる。

構造式ＣＩ） ただし、　ＸＩ、　Ｘ２．　ＸＲおよびＸ４はそれぞれ
水素。

アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アミノ基、シ
アノ基およびノーロゲンを表わし、　ＹＨ水素およびス
ルホネート基を表わし、　Ａｒ１は水素、フェニル基、
ナフチル基およびそれらのスルホン化物および塩を表わ
し、そして前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基
、アミノ基。

アルキルカルボニル基、メチルチオ基、７１０ゲ／およ
びフェニルカルボニル基によって置換されていてもよく
ぞしてＡｒ２は水素、フェニル基。

およびそれらのスルホン化物および塩を表わし。

そして前記フェニル基はアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基、アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基
およびハロゲンによって置換されていてもよい。

構造式（ＩＩ〕 ただし、　ｘ、　、Ｘ２　、　ＸＳおよびｘ４は上記と
同じ意味を有し、　Ｘｓは水素および−ＮＨ−Ａｒ１を
表わし。

２は水素、　−ＮＨ−Ａｒ１および−８−Ａｒ１を表わ
し、そしてＡｒ１は上記と同じ意味を有する。

特に構造式［ＩＩ］のようにインダンスレン骨格をもつ
化合物は極大吸収波長が８００　ｎｍ付近であるため、
半導体レーザ用の材料としては最適である。

上記構造式ＣＩ）および（ＩＩ）で表わされるアントラ
キノン誘導体の例を以下に示す。

１−アミノ−４−（４−スルホン酸フェニルアミノ）　
−６，７−シニトロアントラキノンナトリウム塩、１−
アニリノ−２−スルホン酸ナトリウム−４−（４−メチ
ルフェニルアミノ）アントラキノン、　８．１７−ビス
−（４−メトキシフェニルアミノ）−インダンスレン、
１，４−ビス（３−スルホン酸ナトリウム−４−メトキ
シフェニルアミノ）　−６，７−ジシアツア／トラキノ
ン、１．４−ヒス（３−スルホン酸ナトリウム・４−ク
ロロフェニルアミノ）　−５，８−’）７口【アントラ
キノン、１−（２−メチルフェニルアノ）−２−スルホ
ン酸ナトリウム−４−（４−アミノフェニルアミノ）　
−６，７−シニトロア〉トラキノン、１．４−ビス（３
−スルホン酸ナトリウム−４−アニリノ−１−アントラ
キノリルアミノ）（ンゼン、１，４−ビス（４−（４−
，１ルホン酸ナトリウム−フェニルアミノ）−１−アン
トラキノリルアミノ）ベンゼンなどをありることかでき
る。

■、キサンチン系化合物 Ｒ，：　−ＯＨ，−０、−Ｎ（Ｒ）２　（Ｒ＝０１〜Ｃ
ｔｏアルキル基）Ｒ２：　＝Ｎ十（Ｒ）２・Ｘ−（Ｘ−
＝酸７ニオン、Ｒ＝ｃ１〜ｃ１゜アルキル基） Ｒ５：　Ｈ，Ｃ１〜Ｃ２，アルキル、　ＳＯ３Ｎａ、　
Ｓ○３Ｈ。

８０２Ｎ（Ｒ）２　（Ｒ＝＝　Ｃ，〜Ｃ’ｊｏアルキル
基）、Ｃ０ＯＨ。

ＣＯＯＮａ、　ＣｏＯｘ ■　トリフェニルメタン系化合物 Ｒ１：　Ｈ，−Ｎ（Ｒ）２　（Ｒ＝　Ｃ１〜Ｃ１ｏアル
キル基）、ｃ、＜２゜アルキル、　−０Ｈ Ｒ２：　Ｈ，−Ｎ（Ｒ）２（Ｒ＝Ｃ，〜Ｃ１ｏアルキル
基）、Ｃ，−Ｃ２゜アルキル、　−ＯＨ Ｒ３：　Ｈ，Ｃ１〜Ｃ２，アルキル、ハロケン、　５Ｏ
５Ｈ。

−ＮＣＲ）２　（Ｒ＝Ｃｔ〜Ｃ”＋ｏアルキル基）ｘｅ
：酸アニオン Ｘ、ピリリウム系化合物 ｅ ｅ 式中。

ＸｌおよびＸ２：硫黄原子、酸素原子またはセレン原子
を示す。

Ｚｌ：Ｗ換されてもよいピリリウム、チオピリリウム、
セレナピリリウム、ベンゾピリリウム、ベンゾチオピリ
リウム、ベンゾセレナピリリウム、す７トピリリウム、
ナフトチオピリリウムまたはナンドセレナピリリウムを
完成する必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

Ｚ２：置換されてもよいピラン、チオピラ／、セレナピ
ラン、にンゾピラン、ベンゾチオピラン、ベンゾセレナ
ピラン、ナフトピラ／。

ナフトチオピランまたはナフトセレナピランを完成する
に必要な原子群からなる炭化水素基を示す。

Ｒ１，Ｒ２、Ｒ，およびＲ４：水素原子、置換もしくは
未置換のアルキル基または置換もしくは未置換のアリー
ル基を示す。

Ｒ５，Ｒ，およびＲ７：水素原子、ハロゲン原子、＃換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のア
リール基または置換もしくは未置換のアラルキル基を示
す。

ｍおよびｔ：１または２を示す。

ｎ：０，１または２を示す。

℃、シアニン色素 または （式中、　Ｒ１およびＲ２は置換もしくは未置換のアル
キル基、置換もしくは未置換のアラルキル基またはアル
ケニル基を示し、　ＺｌおよびＺ２は置換または未置換
の複素環を完成するに必要な原子群を示し、　ｚ５は置
換もしくは未置換の５員環または６員環を完成するに必
要な原子群を示し。

また前記５員環もしくは６員環は芳香族環と縮合してい
てもよく、Ｒ５は水素原子またはハロゲン原子を示し、
　Ｒ４およびＲ５は水素原子、）・ロゲン原子、ヒドロ
キシ基、カルボキシル基、アルキル基、置換もしくは未
置換のアリール基またはアシルオキシ基を示し、Ｘｅは
酸アニオンを示し、そしてり、ｍおよびｎは０または１
である）。

■、メロシアニ／色素 を表わし、そして上記式中のベンゼン環およびす７チル
環は置換されていてもよく。

２Ｈ５ ２を示す）。

Ｘｌｌ１．　　）リフェニルアミン系色素ＮＬ（Ｒ１）
ｎ−ｘｅ （Ｒ２）ａ−ｎ （式中、Ｘは酸アニオンを表わしそしてＲ１およびＲ２
はそれぞれ置換または未置換のアリール基を表わす） 次に１図面について本発明による光情報記録媒体の構成
を説明する。

第１図に示すように０本発明の光情報記録媒体は基本的
にけ基板１上に上記高分子物質および有機色素を含む記
録層２を設けたものである。

また、記録層は光反射層と光吸収層とを任意の屓序で組
合せた２層構成とすることもできる。

記録層の形成は蒸着、スパッタリング、　ＣＶＤまたは
溶液塗布法などの通常の手段によって行うことができる
。溶液塗布法を用いる場合には記録材料を有機溶媒に溶
解してδプレー、ローラーコーティング、ディッピング
およびスピンユング。ブレードコーティング、カーテン
コーティングなどの慣用のコーティング法によって行な
われる。有機溶媒としては一般には、メタノール、エタ
ノール、インプロパツールなどのアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン。

シクロヘキサノンなどのケトン類、　Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール
モノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢
酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンな
どの脂肪族へロケ゛ン化炭化水素類ある゛いはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンセンなどの芳香族類などを用いること
ができる。

記録層の膜厚は１００Ａ〜１０μｍ好ましくけ２００Ａ
〜２μｍが適当である。

基板１は基板側から書込み記録を行なう場合は使用レー
ザ光に対して透明でなければならず。

また記録層側から行なう場合は透明である必要はない。

基板としてはガラス、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
オレフィン、ポリカーボネート、エポキシ、ポリイミド
、ポリメチルメタクリレートなどのプラスチック、金属
、セラミックスが通常使用されるがその他記録媒体に使
用されるものならどれでもよい。

また、第２図ないし第４図に示すように第１図の構成の
ものＫさらに下引層３および／または保護層４を設けた
構成とすることもできる。

この際、下引層および／または保護層中には本発明の上
記高分子物質が含有されていてもよい。

また、下引層または保護層には安定剤１分散剤。

難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤なども
含有されていてもよい。

下引層３は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上。

（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護およ
び（ｆ）プレグルーブの形成などを目的として使用され
る。（ａ）の目的に対しては前記高分子材料およびシラ
ンカップリング剤などの□□□々の物質を用いることが
でき、（ｂ）、　（ｃ）の目的に対しては上記高分子材
料以外に無機化合物例えば５ｉｏ２゜ＭｇＦ２．　Ｓｉ
Ｏ、ＴｉＯ２，ＺｎＯ、ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金属ま
たは半金属例えばＺｎ、　Ｃｕ、Ｓ　、　Ｎｉ、Ｃｒ、
　Ｇｅ　、　Ｓｅ　。

Ｃｄ、Ａｇ、ＡＡなどを用いることができる。（ａ）の
目的に対しては金属例えばＡｔ　、　Ａｇなどまたは金
属光沢を有する有機薄膜例えばメチン染料、キサンチン
系染料などを用いることができそして（ｅ）。

（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂
、熱可塑性樹脂などを用いることができる。

下引層の膜厚けα１〜３０μｍ好ましくは０．２〜１０
μｍが適当である。また、保護層４はキズ、ホコリ、汚
れなどからの保腫および記録１ｉの保存安定性の向上お
よび反射率の向上を目的として設けられ、その材料とし
ては下引きＩ−と同じ材料を使用することができる。保
護層の膜厚は０．１μｍ以上好ましくは５０μｍ以上が
適当である。

さらに１本発明による光情報記録媒体の別の構成として
は、第１図ないし第４図に示した同一構成の２枚の記録
媒体（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記
録層２を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層４を介して接着した
いわゆる密着サンドインチ構造（貼り合せ構造）にして
もよい。

なお、レーザ光源として波長７５０〜８５０ｎｍの半導
体レーザを用いると装置の小型化が可能となる。

〔実施例〕

以下に実施例および比較例を掲げて本発明をさらに説明
するが１本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例　１ 厚さ１．２１ｕｌのポリメチルメタクリレート（以下、
ｒ　ＰＭＭＡ　Ｊと略記）基板上に、下記式の色素と前
掲例示化合物Ａ−１（平均分子量３００００　）とを８
：２の重量比で１，２−ジクロルエタンに溶解した溶液
をスピナー塗布して厚さ７００大の記録層を形成し記録
媒体を作製した。

実施例　２ 実施例１における色素の代シに下記式の色素を用いた以
外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。

実施例　３ 実施例１における色素の代シに下記式の色素を用いた以
外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。

実施例　４ 実施例２における高分子物質（Ａ−１）の代りＫｎ掲例
示化合物Ａ−４（平均分子１ｔ１００００）を用いた以
外は実施例２と同様にして記録媒体を作製した。

実施例　５ 実施例４における色素の代りに下記式の色素を用いた以
外は実施例４と同様にして記録媒体を作製した。

実施例　６ 厚さ１．２朋のＰＭＭＡ基板上に厚さ１００′にのＴｅ
を真空蒸着しさらにその上に実施例５の記録層を設けて
記録媒体を作製した。

実施例　７ 実施例２における高分子物質（Ａ−１）の代りに前掲例
示化合物Ａ−６（平均分子量２００００）を用いた以外
は実施例２と同様にして記録媒体を作製した。

実施しＩＩ　　８ 実施例２における高分子物質（Ａ−１）の代りに前掲５
１Ｊ示化合物Ａ−７（平均分子＝ｉｏｏｏｏ）を用いた
以外は実施例−２と同様にして記録媒体を作製した。

実施例　９ 実施例２における高分子物質（Ａ−１）の代りに前掲例
示化合物Ａ−８（平均分子量２００００　）を用いた以
外は実施例２と同様にして記録媒体を作製した。

比較例　１ 実施例１において色素のみを用いて記録媒体を作製した
。

比較例　２ 実施例２において色素のみを用いて記録媒体を作製した
。

比較例　３ 実施例３において色素のみを用いて記録媒体を作製した
。

上記実施例および比較例で作製した各記録媒体に波長７
９０ｎｍの半導体レーザ光を用いて基板側より、記録周
波数０．５ＭＨｚ、線速１．５　ｍ／ｓｅ＝で情報を書
込み再生し、その再生波形をス堅りトル解析（スキャニ
ングフィルター、バンド幅３０ＫＨｚ）ｌ、てＣ／Ｎを
測定した。次に、同じ記録媒体に５４０００ルツクスの
タングステン光を５０時間照射した後の反射率およびＣ
／Ｎを測定した。

なお１反射率は基板側よシ測定した。その結果を下記表
にまとめて示す。

実施例１　２６．８　　２．５　　５６　　１９．１　
　２．７　　５１２　　２６．５　　２．５　　５６　
　２２．７　　２．５　　５４５　　２４．２　　２．
５　　５３　　１９．８　　２．７　　５１４　　２６
．７　　２．５　　５５　　２五３　　２．５　　５３
５　　２２．７　　２．７　　５４　　２１．１　　２
．７　　５２６　　３２．３　　　　ｉ　　　５２　　
　３１．１　　　　五〇　　４６７　　２＆５　　２．
５　　５６　　　１９．６　　２．７　　５１８　　２
５．９　　２．５　　５５　　２０．７　　２．５　　
５０９　　２７．１　　　２．５　　５６　　　１＆４
　　２．７　　４８比較例１　２ａ３　　２．３　　５
７　　１０．９　測定不可測距不可２　　２７．９　　
　２．３　　５８　　　１２．１　　　１３　２五４　
　　２．３　　５６　　　１５．４　　　五〇　　５３
〔効　果〕 上述のようにして構成された本発明の光情報記録媒体は
以下の効果を奏することができる。

１、　長波長レーザ（＃−厚導体、−ザ）を用いても高
感度に記録できる。

２、　良好な形状でピットを形成することが出来。

高いＣ／Ｎが得られる。

五　熱および光に対する安定性が高く、保存性に優れ、
再生劣化の少い記録体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の光情報記録媒体の構成を
示す断面図である。 １・・・基板、２・・・有機薄膜記録層、５・・・下引
き層、４・・・保護層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に直接または下引き層を介して記録層を設けさら
   にその上に必要に応じて保護層を設けてなる光情報記録
   媒体において、前記記録層中に有機色素および式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＭはＮｉ、ＰｄまたはＰｔを表わし、Ｘおよび
   Ｙは０またはＳを表わし、φは共役系を形成するのに必
   要な原子群を表わす）の繰返し単位を有する高分子物質
   を含有させることを特徴とする光情報記録媒体。