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JPS6153320A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing semiconductor device

Info

Publication number
JPS6153320A
JPS6153320A JP59174147A JP17414784A JPS6153320A JP S6153320 A JPS6153320 A JP S6153320A JP 59174147 A JP59174147 A JP 59174147A JP 17414784 A JP17414784 A JP 17414784A JP S6153320 A JPS6153320 A JP S6153320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
parts
resin
epoxy
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59174147A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Yoshizumi
善積 章
Shinetsu Fujieda
新悦 藤枝
Kazutaka Matsumoto
松本 一高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59174147A priority Critical patent/JPS6153320A/en
Priority to US06/760,770 priority patent/US4719255A/en
Priority to EP85110154A priority patent/EP0174510B1/en
Priority to DE8585110154T priority patent/DE3568451D1/en
Priority to KR1019850006072A priority patent/KR890003362B1/en
Publication of JPS6153320A publication Critical patent/JPS6153320A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:The titled composition providing a cured material having improved water vapor resistance and thermal shock resistance, obtained by blending a specific epoxy resin with a specified novolak phenolic resin, a specific polyvinyl acetal compound and a specified silicone oil in a specific ratio. CONSTITUTION:(A) 100-125pts.wt. epoxy resin containing two or more epoxy groups in the molecule (e.g., novolak type epoxy resin, etc., preferably having 70-85 deg.C softening point and 175-220 epoxy equivalent) is blended with (B) 40-65pts.wt. novolak type phenolic resin having <=50% ortho formation ratio (preferably 20-30%) (preferably one having 80-100 deg.C melting point and 100- 110 hydroxyl group equivalent), (C) 2-40pts.wt. polyvinyl acetal compound [e.g., polyvinyl butyral, etc., having preferably 100cps viscosity (25 deg.C, in 10wt% ethanol/toluene solution)], and (D) 1-30pts.wt. silicone oil [preferably one having 50,000-500,000cps (20 deg.C) viscosity, to give the aimed composition].

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関し、
更に詳しくは、優れた耐湿性及び耐熱衝愁性を有する硬
化物を与える半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関
する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device,
More specifically, the present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices that provides a cured product having excellent moisture resistance and heat shock resistance.

[発明の技術的背景とその問題点] 近年、半導体装置の封止に関する分野においては、半導
体素子の高集積化に伴って、素子上の各種機能単位の細
密化、素子ペレット自体の大型化が急速に進んでいる。
[Technical background of the invention and its problems] In recent years, in the field of encapsulation of semiconductor devices, with the increasing integration of semiconductor devices, various functional units on the device have become smaller and the device pellet itself has become larger. It's progressing rapidly.

これらの素子ペレットの変化によ、り封止用樹脂も従来
の封止用樹脂では要求が満足できなくなってきた。従来
、半導体装置の封止用樹脂として用いられている。フェ
ノールノポラ−2り樹脂で硬化させたエポキシ樹脂組成
物は吸湿性、高温電気特性、成形性などがすぐれ、モー
ルド用樹脂の主流となっている。
Due to these changes in element pellets, conventional encapsulating resins are no longer able to meet the requirements. Conventionally, it has been used as a sealing resin for semiconductor devices. Epoxy resin compositions cured with phenol nopolar-2 resin have excellent hygroscopicity, high-temperature electrical properties, moldability, etc., and have become the mainstream resin for molding.

しかし、この系統の樹脂組成物を用いて大型でかつ微細
な表面構造を有する素子ペレットを封止すると、素子ペ
レット表面のアルミニウム(All)パターンを保護す
るための被覆材であるリンケイ酸ガラス(PSG) l
りや窒化ケイ素(Sin)膜に割れを生じたり、素子ペ
レットに割れを生じたりする。
However, when this type of resin composition is used to seal a large device pellet with a fine surface structure, phosphosilicate glass (PSG), which is a coating material to protect the aluminum (All) pattern on the surface of the device pellet, is sealed. ) l
Otherwise, cracks may occur in the silicon nitride (Sin) film or in the element pellet.

特に冷熱サイクル試験を実施した場合に、その傾向が非
常に大きい、その結果、ペレット割れによる素子特性の
不良や保護膜の割れに起因するAnパターンの腐食によ
る不良などを生じる。
Particularly when a thermal cycle test is carried out, this tendency is very large, resulting in defects in element characteristics due to pellet cracks and defects due to corrosion of the An pattern due to cracks in the protective film.

その対策としては、封止樹脂の内部封入物に対する応力
を小さくし、かつ封止樹脂と素子上のPSG膜やSiN
膜などのガラス膜との密着性を大きくする必要がある。
As a countermeasure, the stress on the internal sealing resin is reduced, and the PSG film or SiN film on the sealing resin and the element is
It is necessary to increase the adhesion with glass films such as membranes.

しかも、硬化物については、素子表面のAnパターンの
腐食を極力防止するために、加水分解性のハロゲン化合
物、特に塩素濃度を低くおさえ、かつ吸湿時や)温時の
電気絶縁性能を高レベルに保つ必要がある。
Moreover, in order to prevent corrosion of the An pattern on the element surface as much as possible, the cured product contains hydrolyzable halogen compounds, especially chlorine, at a low concentration, and has a high level of electrical insulation performance at high temperatures (such as when moisture is absorbed). need to be kept.

[発明の目的] 本発明の目的は、上記した欠点の解消にあり、優れた耐
湿性及び耐熱衝撃性を有する硬化物を与える半導体装置
封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks and to provide an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device that provides a cured product having excellent moisture resistance and thermal shock resistance.

[発明の概要] 本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物は。[Summary of the invention] The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device of the present invention is:

a)1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有するエポ
キシ樹脂      100〜125重量部b)オルト
化率50%以下のノボラック型フェノール樹脂    
       40〜85重量部C)ポリビニルアセタ
ール化合物 2〜40重量部d承部リコーンオイル  
     1〜30重量部から成ることを特徴とするも
のである。
a) Epoxy resin having at least two epoxy groups in one molecule 100 to 125 parts by weight b) Novolac type phenol resin with an ortho conversion rate of 50% or less
40 to 85 parts by weight C) Polyvinyl acetal compound 2 to 40 parts by weight d Sealing part silicone oil
It is characterized by comprising 1 to 30 parts by weight.

本発明に係る組成物中の一成分であるエポキシ樹脂(a
)は1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有するもの
であればいかなるものであってもよく、例えば、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
、脂環型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂が挙げられ、これらを組み合わせても良い、これら
のエポキシ樹脂の具体例としては、EOCN−102S
(日本化上■、軟化点74℃、エポキシ樹脂215) 
、 ECN−1273(チバガイギー社、軟化点73℃
、エポキシ当量230) 、 EPPN−201(日本
化上■、軟化点65℃、エポキシ当量181)、二ピコ
ート1001(シェル化学、軟化点70℃、エポキシ当
量475) 、チッソノックス201(チッソ■、粘度
1800cps(25℃)、エポキシ当量154) 、
チッソノックス283(チッソ■、粘度870cps 
(25℃)、エポキシ当量213)なとが挙げられる。
Epoxy resin (a) which is one component in the composition according to the present invention
) may be of any type as long as it has at least two epoxy groups in one molecule; for example, bisphenol A type epoxy resin, novolac type epoxy resin, alicyclic type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin. Specific examples of these epoxy resins include EOCN-102S, which may be used in combination.
(Japanese version ■, softening point 74℃, epoxy resin 215)
, ECN-1273 (Ciba Geigy, softening point 73°C
, epoxy equivalent 230), EPPN-201 (Nippon Kagaku ■, softening point 65°C, epoxy equivalent 181), Nipicote 1001 (Shell Chemical, softening point 70°C, epoxy equivalent 475), Chissonox 201 (Tisso ■, viscosity 1800 cps (25°C), epoxy equivalent 154),
Chisson Knox 283 (Chisso ■, viscosity 870 cps
(25°C), epoxy equivalent: 213).

上記エポキシ樹脂の中でも、軟化点60〜100℃を有
するものが好ましく、特に好ましくは70〜85゛Cを
有するものである。また、エポキシ当量 100〜30
0を有するも゛のが好ましく、特に好ましくは 175
〜220を有するものである。
Among the above epoxy resins, those having a softening point of 60 to 100°C are preferred, and those having a softening point of 70 to 85°C are particularly preferred. In addition, the epoxy equivalent is 100 to 30
0 is preferred, particularly preferably 175
~220.

この(a)成分の配合割合は、通常、 100〜125
重量部で、エポキシ樹脂100重量部を基本とし、25
重量%までの難燃エポキシ樹脂を加えることで、構成さ
れる。
The blending ratio of component (a) is usually 100 to 125
Based on 100 parts by weight of epoxy resin, 25 parts by weight
Constructed by adding up to % by weight of flame retardant epoxy resin.

本発明に係るノボラック型フェノール樹脂(b)はオル
ト化率が0〜50%のものであればいかなるものであっ
てもよく、例えば、フェノールノボラック樹脂、タレゾ
ールノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を2個以
上有するものであって、好ましくはオルト化率20〜3
0%の範囲のものが挙げられる0本件中、オルト化率と
は、フェノール樹脂の構造中、フェノールの水酸基に対
して、オルト位とパラ位及びオルト位とオルト位に結合
したメチレン結合の内、オルト位とオルト位の結合の割
り合いと定義される。オルト化率が50%を超える場合
には封止した場合の樹脂の残留応力が大きくなり、好ま
しくない、前記ノボラック型フェノール樹脂の中でも、
軟化点60〜120℃を有するものが好ましく、特に好
ましくは80〜100°Cを有するものであり、水酸基
当量100〜150を有するものが好ましく、特に好ま
しくはtoo−tioを有するものである。
The novolac type phenolic resin (b) according to the present invention may be any resin as long as it has an ortho conversion rate of 0 to 50%, for example, a phenolic novolac resin, a talesol novolac resin, etc., which has 2 phenolic hydroxyl groups. or more, preferably an ortho conversion rate of 20 to 3
In this case, the ortho conversion rate refers to the percentage of methylene bonds bonded to the ortho and para positions and the ortho and ortho positions of the phenol hydroxyl group in the structure of the phenol resin. , is defined as the ratio of bonds between ortho and ortho positions. Among the above-mentioned novolak type phenolic resins, if the ortho conversion rate exceeds 50%, the residual stress of the resin increases when sealed, which is undesirable.
Those having a softening point of 60 to 120°C are preferable, particularly preferably those having a softening point of 80 to 100°C, those having a hydroxyl equivalent of 100 to 150 are preferable, and those having too-tio are particularly preferable.

この (b)成分の配合割合は通常40〜65重量部で
、好ましくは45〜55重量部である。この配合割合が
40重量部未満の場合には樹脂硬化物の強度が弱くなり
好ましくない、一方85i量部を超える場合には封止樹
脂の耐湿性が低下し好ましくない。
The blending ratio of component (b) is usually 40 to 65 parts by weight, preferably 45 to 55 parts by weight. If the blending ratio is less than 40 parts by weight, the strength of the cured resin product will be weakened, which is undesirable. On the other hand, if it exceeds 85 parts by weight, the moisture resistance of the sealing resin will decrease, which is not preferred.

本発明に係るポリビニルアセタール化合物(C)はポリ
ビニルへキシラール樹脂、ポリビニルプロピオナール樹
脂、ポリビニルアセトアセタール樹脂、ポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブ
チラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂などが挙げら
れる。これらのポリビニルアセタール樹脂の具体例とし
ては、エスレックBMS[積水化学輛、エタノール/ト
ルエン−1フ1中の10%濃度溶液の粘度25℃80−
150r、pH,ブチラール基70モル%以上]、エス
レックBL−1[1水化学■、粘度25℃10〜30c
ps、ブチラール基63モル%]、ニスレックBL−S
 [積水化学味、粘度25℃10〜30cps、ブチラ
ール基70モル%以上]、ビニレックB−2【チッソ■
、ホルマール分81%以上]などが挙げられる。
Examples of the polyvinyl acetal compound (C) according to the present invention include polyvinyl hexylal resin, polyvinyl propional resin, polyvinyl acetoacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyvinyl butyral resin, and polyvinyl formal resin. Specific examples of these polyvinyl acetal resins include S-LEC BMS [Sekisui Chemical Co., Ltd.;
150r, pH, butyral group 70 mol% or more], S-LEC BL-1 [1 water chemistry ■, viscosity 25℃ 10-30℃
ps, butyral group 63 mol%], Nislec BL-S
[Sekisui Chemical Flavor, viscosity 25°C 10-30 cps, butyral group 70 mol% or more], Vinylec B-2 [Chisso ■
, formal content of 81% or more].

前記ポリビニルアセタール樹脂の中でも、粘度(25℃
で測定)5〜400cp’s (但しエタノール/トル
エン=171の10部濃度溶液の粘度)を有するものが
好ましく、特に好ましくは10〜200cpsを有する
ものである。
Among the polyvinyl acetal resins, the viscosity (25℃
The viscosity of a 10-part solution of ethanol/toluene (171) is preferably 5 to 400 cps (measured at 100 cps), and particularly preferably 10 to 200 cps.

この(c)成分の配合割合は、通常、2〜40重量部で
、好ましくは10〜30重量部である。この配合割合が
2重量部未満の場合には、耐衝撃性能の改良効果が十分
でなく、40重量部を超える場合には樹脂の成形性が劣
化し好ましくない。
The blending ratio of component (c) is usually 2 to 40 parts by weight, preferably 10 to 30 parts by weight. If the blending ratio is less than 2 parts by weight, the effect of improving impact resistance performance will not be sufficient, and if it exceeds 40 parts by weight, the moldability of the resin will deteriorate, which is undesirable.

本発明に係るシリコーンオイル(d)は、賦 (Si−0)の繰り返し単位を持つ常温で液状の化合勿
であればいかなるものであってもよく、例えば、ジメチ
ルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル
が挙げられる。また、これらのシリコーンオイルを変性
したものであってもよく、例えば、メチルハイドロジエ
ンシリコーンオイル、ポリジオルガノシロキサンオイル
、フロロシリコーンオイル、シリコーンポリエーテル共
重合うオイル、フルキル変性シリコーンオイル、脂肪酸
変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーンオイル、
エポキシ変性シリコーンオイルが挙げられる。前記シリ
コーンオイルの中でも、粘度(20℃)500〜100
0000cpsを有するものが好tL〈、特に好ましく
は50000〜500 Q OOc p sを有するも
のである。
The silicone oil (d) according to the present invention may be any compound as long as it has a repeating unit of Si-0 and is liquid at room temperature, such as dimethyl silicone oil and methylphenyl silicone oil. Can be mentioned. Furthermore, modified versions of these silicone oils may be used, such as methylhydrogen silicone oil, polydiorganosiloxane oil, fluorosilicone oil, silicone polyether copolymer oil, furkyl-modified silicone oil, and fatty acid-modified silicone oil. , amino-modified silicone oil,
Examples include epoxy-modified silicone oil. Among the silicone oils, those with a viscosity (20°C) of 500 to 100
It is preferable to have a tL of 0,000 cps, particularly preferably 50,000 to 500 QOOcps.

この (d)成分の配合割合は、通常、 1〜30重量
部で、好ましくは2〜B重量部である。この配合割合が
1重量部未満の場合には耐湿性や耐熱衝撃性の改良効果
が十分で゛なく、30重量部を超える場合には硬化物の
表面がシリコーンオイルの浮き出しで汚れ好ましくない
The blending ratio of component (d) is usually 1 to 30 parts by weight, preferably 2 to B parts by weight. If the blending ratio is less than 1 part by weight, the effect of improving moisture resistance and thermal shock resistance will not be sufficient, and if it exceeds 30 parts by weight, the surface of the cured product will become undesirably stained due to embossed silicone oil.

つぎに、本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
の製造方法について述べる。
Next, a method for producing the epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device of the present invention will be described.

本発明の組成物は、上記した各成分を、加熱ロールによ
る溶融混練、ニーグーによる溶融混練、押出機による溶
融混線、微粉砕後の特殊混合機による混合及びこれらの
各方法の適宜な組合せによって容易に吻造することがで
きる。
The composition of the present invention can be easily produced by melt-kneading the above-mentioned components using heated rolls, melt-kneading using a Ni-Goo, melt-mixing using an extruder, mixing using a special mixer after pulverization, or an appropriate combination of these methods. It is possible to create a proboscis.

なお、本発明の組成物は、必要に応じて、イミダゾール
もしくはその誘導体、第三級アミン系誘導体、ホスフィ
ン銹導体、シクロアミジン訝導体などの硬化促進剤;ジ
ルコン、シリカ、溶融石英ガラス、アルミナ、水酸化ア
ルミニウム、ガラス、石英ガラス、ケイ醜カルシウム、
石コウ、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カオ
リン、タルク、鉄粉、銅粉、マイカ、アスベスト、炭化
珪素、窒化ホウ素、二酸化モリブデン、鉛化合物、鉛酸
化物、亜鉛華、チタン白、カーボンブラックなどの充填
剤;高級脂肪酸、ワックス類などの離型剤;エポキシシ
ラン、ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、
アルコキシチタネート系化合物、アルミキレート系化合
物などのカップリング剤;アンチモン、燐化合物、臭素
や塩素を含む公知の難燃化剤が配合されてもよい。
The composition of the present invention may optionally contain a curing accelerator such as imidazole or a derivative thereof, a tertiary amine derivative, a phosphine conductor, a cycloamidine conductor; zircon, silica, fused silica glass, alumina, Aluminum hydroxide, glass, quartz glass, silica calcium,
Gypsum, calcium carbonate, magnesite, clay, kaolin, talc, iron powder, copper powder, mica, asbestos, silicon carbide, boron nitride, molybdenum dioxide, lead compounds, lead oxide, zinc white, titanium white, carbon black, etc. fillers; release agents such as higher fatty acids and waxes; epoxysilane, vinylsilane, aminosilane, poran compounds,
Coupling agents such as alkoxy titanate compounds and aluminum chelate compounds; known flame retardants containing antimony, phosphorus compounds, bromine and chlorine may also be blended.

以下において、実施例及び比較例を掲げ、本発明を更に
詳しく説明する。
EXAMPLES Below, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

なお、実施例及び比較例中、「部」は全て「重量部」を
示す。
In addition, in Examples and Comparative Examples, all "parts" indicate "parts by weight."

[発明の実施例] 1直1」 オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点=
74℃、エポキシ当量:21B)100部、ブロム化フ
ェノールノボラックエボキシ樹脂(臭素含有量:30%
、軟化点:87℃、エポキシ当量:270)14部、フ
ェノールノボラック樹脂(オルト化率:25%、軟化点
=95℃、水酸基当量:104) 50部、ポリビニル
ブチラール(エタノール/トルエン10%溶液中の粘度
(25℃) : 100cpa、ブチラール基ニア2%
)12部、ジメチルシリコーンオイル(粘度:1000
00cps) 3部を、更に硬化促進剤としてトリフェ
ニルホスフィン165部、離型剤としてカルナラバろう
 1.2部、着色剤としてカーボン粉末 1・8部、充
填剤として溶融シリカ粉405部、難燃助剤として三酸
化アンチモン粉末11部、充填剤の表面処理のためエポ
キシシラン系カップリング剤2.4部を配合し、70〜
100℃の二軸ロールで混練し、冷却粉砕し、タブレッ
ト化して本発明の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物
を調製した。
[Embodiments of the invention] 1 shift 1" ortho-cresol novolac type epoxy resin (softening point =
74°C, 100 parts of epoxy equivalent: 21B), brominated phenol novolac epoxy resin (bromine content: 30%)
, Softening point: 87°C, Epoxy equivalent: 270) 14 parts, Phenol novolak resin (ortho conversion rate: 25%, Softening point = 95°C, Hydroxyl equivalent: 104) 50 parts, Polyvinyl butyral (in 10% ethanol/toluene solution) Viscosity (25℃): 100 cpa, butyral base concentration 2%
) 12 parts, dimethyl silicone oil (viscosity: 1000
00 cps), 165 parts of triphenylphosphine as a curing accelerator, 1.2 parts of carnaraba wax as a mold release agent, 1.8 parts of carbon powder as a coloring agent, 405 parts of fused silica powder as a filler, and a flame retardant additive. 70 ~
The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device of the present invention was prepared by kneading with a twin-screw roll at 100°C, cooling and pulverizing, and tableting.

得られた組成物を用いて、低圧トランスファー成形機(
175℃、 80kg/c+w2、120秒)により表
面に P2O層を有する大型ペレット評価用試料素子(
8a+mX 8a+m)を封止した。
Using the obtained composition, a low pressure transfer molding machine (
175℃, 80kg/c+w2, 120 seconds) to prepare a large pellet evaluation sample element (
8a+mX 8a+m) was sealed.

得られた試料素子について、耐熱衝撃性及び耐湿性を評
価するために、熱衝撃試験(TCT)及び耐湿劣化試験
(POT)を実施した。
Thermal shock test (TCT) and moisture resistance deterioration test (POT) were conducted on the obtained sample element in order to evaluate thermal shock resistance and moisture resistance.

耐衝撃試験・・・得られた試料素子を、各冷熱サイクル
にかけ、特性不良を測定し た。不良発生量は発煙硝酸を用 いて成形用樹脂を溶かし去り、 m微鏡でクラックの発生を確認 した。
Impact resistance test: The obtained sample element was subjected to each cooling and heating cycle, and characteristic defects were measured. The amount of defects was determined by melting away the molding resin using fuming nitric acid, and checking for cracks using an m-microscope.

耐湿劣化試験・・・素子表面のアルミニウム(A文)配
線腐食測定用素子を封止したのち 2.5気圧の飽和水蒸気に各試験時 間さらしたのち、A又腐食による 断線不良にて良否を判定した。
Moisture resistance deterioration test: After sealing the element for measuring aluminum wiring corrosion on the surface of the element and exposing it to 2.5 atmospheres of saturated water vapor for each test period, pass/fail is judged based on A or disconnection due to corrosion. did.

結果を表に示す。The results are shown in the table.

支呈上」 実施例1のポリビニルブチラールを24部、溶融シリカ
粉を393部とした以外は、実施例1と同様にして本発
明の組成物を調製し、同様の評価試験を実施した。結果
を表に示す。
A composition of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1, except that the polyvinyl butyral of Example 1 was changed to 24 parts, and the fused silica powder was changed to 393 parts, and the same evaluation test was conducted. The results are shown in the table.

支立史」 実施例1のポリビニルブチラールをポリビニルホルマー
ル(軟化点:145℃、ビニルホルマール含宥量:83
%)とした以外は、実施例1と同様にして本発明の組成
物を調製し、同様の評価試験を実施した。結果を表に示
す。
The polyvinyl butyral of Example 1 was converted into polyvinyl formal (softening point: 145°C, vinyl formal content: 83
%), the composition of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1, and the same evaluation test was conducted. The results are shown in the table.

1立]」 実施例1のジメチルシリコーンオイルを、両末端基を水
酸基に変性したシリコーンオイル(粘度:80000c
ps)とした以外は、実施例1と同様にして本発明の組
成物を調製し、同様の評価試験を実施した。結果を表に
示す。
Silicone oil (viscosity: 80,000 c
ps) A composition of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1, and the same evaluation tests were conducted. The results are shown in the table.

を笠l」 実施例1のポリビニルブチラール12部、ジメチルシリ
コーンオイルを用いず、代えて溶融シリカ粉15部をさ
らに加えた以外は、実施例1と同様にして比較用の組成
物を調製し、同様の評価試験を実施した。結果を表に示
す。
A comparative composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 12 parts of polyvinyl butyral and 15 parts of fused silica powder were added instead of dimethyl silicone oil. A similar evaluation test was conducted. The results are shown in the table.

之笠1」 実施例1のポリビニルブチラール12部を用いず、代え
て溶融シリカ粉12部をさらに加えた以外は、実施例1
と同様にして比較用の組成物を調製し、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す。
Example 1 except that 12 parts of polyvinyl butyral in Example 1 was not used and 12 parts of fused silica powder was added instead.
A comparative composition was prepared in the same manner as above, and the same evaluation test was conducted. The results are shown in the table.

嵐較l」 実施例1のジメチルシリコーンオイル3部を用いず、代
えて溶融シリカ粉3部をさらに加えた以外は、実施例1
と同様にして比較用の組成物を調製し、同様の評価試験
を実施した。結果を表に示す・ 11口IA 実施例1のフェノールノボラック樹脂に代えて、バラオ
クチルフェノール変性のフェノールノボラック樹脂(オ
ルト化率二65%、軟化点=85°C9分子量:880
)を用いた以外は、実施例1と同様にして比較用の組成
物を調製し、同様の評価試験を実施した。結果を表に示
す。
Example 1 except that 3 parts of dimethyl silicone oil in Example 1 was not used and 3 parts of fused silica powder was added instead.
A comparative composition was prepared in the same manner as above, and the same evaluation test was conducted. The results are shown in the table. 11 Mouth IA In place of the phenol novolak resin of Example 1, a roseoctylphenol-modified phenol novolac resin (ortho conversion rate 265%, softening point = 85°C 9 molecular weight: 880
) was used, but a comparative composition was prepared in the same manner as in Example 1, and the same evaluation test was conducted. The results are shown in the table.

[発明の効果] 以上に詳述した通り、本発明の半導体装置封止用エポキ
シ樹脂組成物は、その硬化物が優れた耐湿性及び耐熱衝
撃性を有するものであり、高集積度の半導体装置等の用
途における実用的価値は極めて大と言える。
[Effects of the Invention] As detailed above, the cured product of the epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices of the present invention has excellent moisture resistance and thermal shock resistance, and is suitable for use in highly integrated semiconductor devices. It can be said that the practical value in such applications is extremely large.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 a)1分子中にエポキシ基を少なくとも2個有するエポ
キシ樹脂100〜125重量部 b)オルト化率50%以下のノボラック型フェノール樹
脂40〜65重量部 c)ポリビニルアセタール化合物2〜40重量部d)シ
リコーンオイル1〜30重量部 を含有することを特徴とする半導体装置封止用エポキシ
樹脂組成物。
[Scope of Claims] a) 100 to 125 parts by weight of an epoxy resin having at least two epoxy groups in one molecule b) 40 to 65 parts by weight of a novolac type phenol resin having an ortho conversion rate of 50% or less c) Polyvinyl acetal compound 2 ~40 parts by weight d) An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device, comprising 1 to 30 parts by weight of silicone oil.
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