JPS6141538A - セラミツク基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミツク基板及びその製造方法Info
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- JPS6141538A JPS6141538A JP59163894A JP16389484A JPS6141538A JP S6141538 A JPS6141538 A JP S6141538A JP 59163894 A JP59163894 A JP 59163894A JP 16389484 A JP16389484 A JP 16389484A JP S6141538 A JPS6141538 A JP S6141538A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composite material
- plating
- ceramic substrate
- nickel
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、セラミック基板及びその製造方法に係わジ、
特に好ましくは、セラミック基板の表層に半導体素子で
あるシリコンや放熱板との接合全阻害しない金属層全被
覆した半導体素子搭載用セラミック基板及びその製造方
法に関する。
特に好ましくは、セラミック基板の表層に半導体素子で
あるシリコンや放熱板との接合全阻害しない金属層全被
覆した半導体素子搭載用セラミック基板及びその製造方
法に関する。
炭化ケイ累に少量のベリリア金含むセラミックは、高熱
伝導性と高電気絶縁性を兼ね備えた新しいタイプのセラ
ミックである。このように優れた特性全有するセラミッ
クは、半導体素子搭載用基板等に用いられるが、半導体
素子のシリコン等と接合するため、表層を金属化する必
要がある。
伝導性と高電気絶縁性を兼ね備えた新しいタイプのセラ
ミックである。このように優れた特性全有するセラミッ
クは、半導体素子搭載用基板等に用いられるが、半導体
素子のシリコン等と接合するため、表層を金属化する必
要がある。
従来、セラミック表ＩｔＩＷ金属化する方法は、用途及
び目的によって種々ある。例えば、アルミナセラミック
への金属化法は、特開昭５５−１１３６８３号にも述べ
られているように金属用組成物ペーストをセラミック上
に塗布し、水素中あるいは水素と窒素の混合気中で焼結
して金属化＠全作り、しかる後ニッケルめっき等ｔ施す
方法が一般的に行われている。そこで従来の方法で炭化
ケイ素を主成分とするセラミック表層全金属化、すなわ
ち、モリブデン粉末ベースト全印刷し、１３００〜１５
００℃の湿潤水素雰囲気及び乾燥水素雰囲気中で焼成し
て金属化し電気ニッケルめっきする構造では、熱処理に
よる信頼性がニッケルめっき厚みに左右されると言う問
題がある。
び目的によって種々ある。例えば、アルミナセラミック
への金属化法は、特開昭５５−１１３６８３号にも述べ
られているように金属用組成物ペーストをセラミック上
に塗布し、水素中あるいは水素と窒素の混合気中で焼結
して金属化＠全作り、しかる後ニッケルめっき等ｔ施す
方法が一般的に行われている。そこで従来の方法で炭化
ケイ素を主成分とするセラミック表層全金属化、すなわ
ち、モリブデン粉末ベースト全印刷し、１３００〜１５
００℃の湿潤水素雰囲気及び乾燥水素雰囲気中で焼成し
て金属化し電気ニッケルめっきする構造では、熱処理に
よる信頼性がニッケルめっき厚みに左右されると言う問
題がある。
ここで、従来製造法の問題点について考察する。第２図
に示すように、炭１じケイ素を主成分とするセラミック
基体１表層全金属化２２して電気ニッケルめつき２３し
た従来構造は、金属化層とセラミック境界からはく離會
起しやすい。
に示すように、炭１じケイ素を主成分とするセラミック
基体１表層全金属化２２して電気ニッケルめつき２３し
た従来構造は、金属化層とセラミック境界からはく離會
起しやすい。
そして、第２図に示す従来構造の金属化層がば〈離する
原因は、炭化ケイ素、モリブデン及びニッケルの熱膨張
率が異なることにある。すなわち、炭化ケイ素は３．５
Ｘ １０＝／ ｕ、モリブデン４．９ Ｘ １０−６
／ ℃ と炭化ケイ素とモリブデンとの熱膨張率は大差
ないのに比べ、ニッケルの熱膨張率は１３．６ Ｘ １
ｏ−６／ ｒ： と大きいため、熱処理の際の冷却
時において、ニッケル層の収縮がセラミック及びモリブ
デン＃に比べ犬となり、収縮率なモリブデン層とセラミ
ック全引張り、相対的強さから金属化層とセラミック境
界にはく離を起してしまうことにある。特に、ニッケル
めつき膜厚分布が不均一であったり厚目であったりする
と、熱処理による収縮応力が大きくなり、金属化層によ
りはく離しやすくなってしまう。そのため、ニッケルめ
っき膜は薄目に均一に分布しなければならないとの制約
がある。
原因は、炭化ケイ素、モリブデン及びニッケルの熱膨張
率が異なることにある。すなわち、炭化ケイ素は３．５
Ｘ １０＝／ ｕ、モリブデン４．９ Ｘ １０−６
／ ℃ と炭化ケイ素とモリブデンとの熱膨張率は大差
ないのに比べ、ニッケルの熱膨張率は１３．６ Ｘ １
ｏ−６／ ｒ： と大きいため、熱処理の際の冷却
時において、ニッケル層の収縮がセラミック及びモリブ
デン＃に比べ犬となり、収縮率なモリブデン層とセラミ
ック全引張り、相対的強さから金属化層とセラミック境
界にはく離を起してしまうことにある。特に、ニッケル
めつき膜厚分布が不均一であったり厚目であったりする
と、熱処理による収縮応力が大きくなり、金属化層によ
りはく離しやすくなってしまう。そのため、ニッケルめ
っき膜は薄目に均一に分布しなければならないとの制約
がある。
他方、半導体素子搭載用基板に用いられるセラミックは
小形であり、大量に生産される。一般に、小形物音一度
に多数めっきする方法にバレルめつき法がある。しかし
、バレルめつきは、ダミー全弁して通電するため、めっ
き電流密度が一定でなく、めつき膜厚分布もまた均一で
ない。したがって、炭化けい素を生成分とするセラミッ
ク表層全金属化し、バレル電気ニッケルめっきすると、
ニッケルめつき膜厚分布が不均一であるために、熱処理
の際の収縮応力の不均一から金属１ヒ層がはく離しやす
くなってしまう。
小形であり、大量に生産される。一般に、小形物音一度
に多数めっきする方法にバレルめつき法がある。しかし
、バレルめつきは、ダミー全弁して通電するため、めっ
き電流密度が一定でなく、めつき膜厚分布もまた均一で
ない。したがって、炭化けい素を生成分とするセラミッ
ク表層全金属化し、バレル電気ニッケルめっきすると、
ニッケルめつき膜厚分布が不均一であるために、熱処理
の際の収縮応力の不均一から金属１ヒ層がはく離しやす
くなってしまう。
第 １ 表
第１表は、硫酸ニッケル２４０９／ｌ、塩化ニッケル４
５ ｔ／ｌ、ホウ酸３ｏｔ７ｔから成るワット浴又はス
ルファミン酸ニッケル３７５ｆ／ｌ、ホウ酸３０ ｆ／
ｌ、ラウリル硫酸ナトリウム０．４ｆ／ｌから成るスル
ファミン酸ニッケルめっき浴を用い、温度５０℃、めっ
き電流密度Ｉ Ａ／ ｄｍ”、回転速度５ ｒｐｍ、め
っき厚み２．５．１０μｍにバレルめっきした後、水素
雰囲気中、温度５００℃、保持時間５分の熱処理をした
結果全示し、Δ印は金属化層がはく離したものもあり、
ｘ印は金属化層がほとんどに〈離してしまったこと全示
す。その結果、ワット浴又はスルフアミノ酸ニッケルめ
っき浴を用いた場合共に、ニッケルめっきが厚くなると
特に金属化層がはく離してしまう傾向にある。そのため
、炭化ケイ素を主成分とするセラミック表層全モリブデ
ン金属化した後のニッケルめっきは、ニッケルめっき厚
みが均一に分布している必要がある。しかし、バレルめ
つきでは、めっき電流密度が不均一なので均一なめつき
厚みが得られない。したがって、炭化ケイ素を主成分と
するセラミック表層全モリブデン金属化した後のニッケ
ルめっきは、単品ずつ行わねばならず生産性が悪い。
５ ｔ／ｌ、ホウ酸３ｏｔ７ｔから成るワット浴又はス
ルファミン酸ニッケル３７５ｆ／ｌ、ホウ酸３０ ｆ／
ｌ、ラウリル硫酸ナトリウム０．４ｆ／ｌから成るスル
ファミン酸ニッケルめっき浴を用い、温度５０℃、めっ
き電流密度Ｉ Ａ／ ｄｍ”、回転速度５ ｒｐｍ、め
っき厚み２．５．１０μｍにバレルめっきした後、水素
雰囲気中、温度５００℃、保持時間５分の熱処理をした
結果全示し、Δ印は金属化層がはく離したものもあり、
ｘ印は金属化層がほとんどに〈離してしまったこと全示
す。その結果、ワット浴又はスルフアミノ酸ニッケルめ
っき浴を用いた場合共に、ニッケルめっきが厚くなると
特に金属化層がはく離してしまう傾向にある。そのため
、炭化ケイ素を主成分とするセラミック表層全モリブデ
ン金属化した後のニッケルめっきは、ニッケルめっき厚
みが均一に分布している必要がある。しかし、バレルめ
つきでは、めっき電流密度が不均一なので均一なめつき
厚みが得られない。したがって、炭化ケイ素を主成分と
するセラミック表層全モリブデン金属化した後のニッケ
ルめっきは、単品ずつ行わねばならず生産性が悪い。
本発明の目的は、熱処理による信頼性が高く、また、生
産性全高めたセラミック基板及びその製造方法を提供す
ることにある。
産性全高めたセラミック基板及びその製造方法を提供す
ることにある。
氷見開音概説すれば、本発明の第１の発明にセラミック
基板に関する発明であって、セラミック製基体と、この
基体上に接合される銅又はアルミニウム−炭素繊維複合
材料層と、この複合材料層上に形成される金属めつ＠層
全備え、該複合材料Ｉｖｉ表面は該めっき層に対して該
炭素繊維が触れない構造であることを特徴とする。
基板に関する発明であって、セラミック製基体と、この
基体上に接合される銅又はアルミニウム−炭素繊維複合
材料層と、この複合材料層上に形成される金属めつ＠層
全備え、該複合材料Ｉｖｉ表面は該めっき層に対して該
炭素繊維が触れない構造であることを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は、セラミック基板の製造
方法に関する発明であって、セラミック製基体に、銅又
はアルミニウム−炭素繊維複合材料層全接合させる工程
、該工程の前又は後で該複合材料層表面に該炭素繊維が
露出しないように処理する工程、及び最後に金属めっき
？行う工程の各工程全包含することを特徴とする。
方法に関する発明であって、セラミック製基体に、銅又
はアルミニウム−炭素繊維複合材料層全接合させる工程
、該工程の前又は後で該複合材料層表面に該炭素繊維が
露出しないように処理する工程、及び最後に金属めっき
？行う工程の各工程全包含することを特徴とする。
本発明方法において使用する銅又にアルミニウムマトリ
ックスに炭素繊維ケ埋め込んだ形態の銅又はアルミニウ
ム−炭素繊維複合材料に、熱伝導性及び導電性が良く、
熱膨張率が低い等の特性會有すると共に、銅又はアルミ
ニウムマトリックスは柔軟性を有するので応力緩和材に
もなる。
ックスに炭素繊維ケ埋め込んだ形態の銅又はアルミニウ
ム−炭素繊維複合材料に、熱伝導性及び導電性が良く、
熱膨張率が低い等の特性會有すると共に、銅又はアルミ
ニウムマトリックスは柔軟性を有するので応力緩和材に
もなる。
本発明者等は、本発明によるセラミック基板では、熱処
理により金属めっき層に生じる収縮応力が銅（又はアル
ミニウム）−炭素繊維複合材料によって緩和されるので
、金属１ヒ層のはく離全防止できること全見出した。
理により金属めっき層に生じる収縮応力が銅（又はアル
ミニウム）−炭素繊維複合材料によって緩和されるので
、金属１ヒ層のはく離全防止できること全見出した。
本発明において使用する前記複合材料は公知の材料であ
り、例えば銅−炭素繊維複合材料は、特開昭５５−１２
８２７４号公報に、他方アルミニウム−炭素繊維複合材
料は、特開昭４９−１８８９１号公報に記載されている
。
り、例えば銅−炭素繊維複合材料は、特開昭５５−１２
８２７４号公報に、他方アルミニウム−炭素繊維複合材
料は、特開昭４９−１８８９１号公報に記載されている
。
しかし、前述したように、銅（又はアルミニウム）−炭
素繊維複合材料は、銅（又はアルミニウム）マトリック
スに炭素繊維を埋め込んだ形態であり、表面に炭素繊維
が露出していると均一な金属めっきができない。そこで
、銅（又はアルミニウム）−炭素繊維複合材料の表面に
炭素繊維が露出しない形態にすることにより均一な金属
めっき層が得られる。
素繊維複合材料は、銅（又はアルミニウム）マトリック
スに炭素繊維を埋め込んだ形態であり、表面に炭素繊維
が露出していると均一な金属めっきができない。そこで
、銅（又はアルミニウム）−炭素繊維複合材料の表面に
炭素繊維が露出しない形態にすることにより均一な金属
めっき層が得られる。
また、セラミック製基体に接合した銅（又はアルミニウ
ム）−炭素繊維複合材料は、金属めっき膜に悪影響を及
ぼさないばかりでなく、本発明のセラミック基板の１用
途である半導体素子搭載用基板としての特性にも何ら悪
影響を及ぼさない。
ム）−炭素繊維複合材料は、金属めっき膜に悪影響を及
ぼさないばかりでなく、本発明のセラミック基板の１用
途である半導体素子搭載用基板としての特性にも何ら悪
影響を及ぼさない。
したがって、本発明のセラミック基板は、セラミック本
来の特性を損わないばかりでなく、銅（又はアルミニウ
ム）−炭素繊維複合材料の特性音も兼ね備えた新規構造
を有する。そして、金属めつ＠會する手段としてバレル
めつき法？用いても、熱処理による信頼性を低下させな
いので、該基板の量産ができることも見出した。
来の特性を損わないばかりでなく、銅（又はアルミニウ
ム）−炭素繊維複合材料の特性音も兼ね備えた新規構造
を有する。そして、金属めつ＠會する手段としてバレル
めつき法？用いても、熱処理による信頼性を低下させな
いので、該基板の量産ができることも見出した。
しかして、本発明方法において重要なる、炭素繊維が露
出しないように処理する工程は、それ自体公知の方法で
行ってよく、例えば、該複合材料を接合する前又は後で
、該複合材料を銅箔をつけるか、めっきで覆えばよく、
あるいは、ホットプレスで複合材料全サンドイッチすれ
ばよい。
出しないように処理する工程は、それ自体公知の方法で
行ってよく、例えば、該複合材料を接合する前又は後で
、該複合材料を銅箔をつけるか、めっきで覆えばよく、
あるいは、ホットプレスで複合材料全サンドイッチすれ
ばよい。
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが
、本発明はこれら実施例に限定されない。
、本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、第１図は、本発明のセラミック基板の１例の構造
を示す断面概略図である。第１図において、符号１はセ
ラミック基体、２は銅（又はアルミニウム）−炭素繊維
複合材、５は接合材、４はめつきした金属材を意味する
。
を示す断面概略図である。第１図において、符号１はセ
ラミック基体、２は銅（又はアルミニウム）−炭素繊維
複合材、５は接合材、４はめつきした金属材を意味する
。
実施例１
造粒−ホットプレス−切断・研削した厚み［１６１１１
１％幅９１１１１ ％長す１５ ａｍ （７）炭化ケ（
’ＸＫ少量のベリリアを含むセラミック基体と、直径６
μｍの炭素繊維を４５％含み表面全厚み２０μｍの銅箔
で覆った厚み０．１＝、幅８ｍ、長さ１２■の銅−炭素
繊維複合材料を、厚み２５μｍのマンガンろう全用いア
ルゴン雰囲気中、温度８７０℃、保持時間１秒の条件で
接合し、酸性浴中で表面活性化処理した後、硫酸ニッケ
ル２４０ｔ ／ ｔ、塩化ニッケル４５１／ｌ、ホウ酸
５０ｆ ／ ｔから成るワット浴又はスルファミン酸ニ
ッケル５７５ ｔ／ｌ、 ホウ酸５０９／ｌ、５ウリル
硫酸ナトリウム０−４ｆ／ｌから成るスルフアミン酸ニ
ッケルめっき浴を用い、温度５０℃、めっき電流密度Ｉ
Ａ／ａｍ”、回転速度５ ｒｐｍで平均厚み２．５．
１０μｍにバレルニッケルめっきしてセラミック／１Ｉ
ｉＩｌ−炭素繊維複合材料／ニッケルの複合板全作製し
た。
１％幅９１１１１ ％長す１５ ａｍ （７）炭化ケ（
’ＸＫ少量のベリリアを含むセラミック基体と、直径６
μｍの炭素繊維を４５％含み表面全厚み２０μｍの銅箔
で覆った厚み０．１＝、幅８ｍ、長さ１２■の銅−炭素
繊維複合材料を、厚み２５μｍのマンガンろう全用いア
ルゴン雰囲気中、温度８７０℃、保持時間１秒の条件で
接合し、酸性浴中で表面活性化処理した後、硫酸ニッケ
ル２４０ｔ ／ ｔ、塩化ニッケル４５１／ｌ、ホウ酸
５０ｆ ／ ｔから成るワット浴又はスルファミン酸ニ
ッケル５７５ ｔ／ｌ、 ホウ酸５０９／ｌ、５ウリル
硫酸ナトリウム０−４ｆ／ｌから成るスルフアミン酸ニ
ッケルめっき浴を用い、温度５０℃、めっき電流密度Ｉ
Ａ／ａｍ”、回転速度５ ｒｐｍで平均厚み２．５．
１０μｍにバレルニッケルめっきしてセラミック／１Ｉ
ｉＩｌ−炭素繊維複合材料／ニッケルの複合板全作製し
た。
以上の方法で作製したセラミック／銅−炭素滅維複合材
料／ニッケル複合板ケ、水素雰囲気中、温度５００℃、
保持時間５分の熱処理をした結果、第２表に示すように
金属化層がはく離する等の変形は認められなかった。表
中Ｏ印に金属化層に変形のないこと全示す。
料／ニッケル複合板ケ、水素雰囲気中、温度５００℃、
保持時間５分の熱処理をした結果、第２表に示すように
金属化層がはく離する等の変形は認められなかった。表
中Ｏ印に金属化層に変形のないこと全示す。
第 ２ 表
次に、同じく作製したセラミック／銅−炭素繊維複合材
料／ニッケル複合板の特性全調査した結果、半導体素子
搭載用基板として用いるに十分満足できるものであった
。
料／ニッケル複合板の特性全調査した結果、半導体素子
搭載用基板として用いるに十分満足できるものであった
。
また本発明によれば、セラミック表層全金属化する際の
金属化組成ペーストの作製及び塗布、焼結等の工程を省
くことができる。
金属化組成ペーストの作製及び塗布、焼結等の工程を省
くことができる。
したがって、本発明により、熱処理による信頼性が高く
、生産性も高い半導体素子搭載用基板に用いられる炭１
１Ｚケイ素を主成分とするセラミック基板を効率良く製
造できる。
、生産性も高い半導体素子搭載用基板に用いられる炭１
１Ｚケイ素を主成分とするセラミック基板を効率良く製
造できる。
実施例２
実施例１と同じ方法で作製した厚み０．６ｍ＋、幅９
ｔｌｌ ｓ長さ１３慎の炭化ケイ素に少量のベリリアを
含むセラミック基体と、直径６μｍの炭素繊維を４５％
含む厚み［ｌＬｌｍｍ、幅８劉、長さ１２憫の銅−炭素
繊維複合材料を厚み２５μｍのマンガンろうを用い、ア
ルゴン雰囲気中、温度８７０℃、保持時間１秒の条件で
接合し、酸性浴中で表面活性化処理した後、硫酸銅２０
０ ｔｌｌ、硫酸５０づ／ｌ、塩酸α１５ゴ／ｌの硫酸
銅めっき浴全用い、温度３０℃、めっき電流密度１Ａ
／ ｄｍ”、回転速度５ ｒｐｍで第１層に厚み５μｍ
の銅めっきを行い、更に第２層ＶＣ実施例１のニッケル
めっきと同じ条件で、厚み２．５．１０μｍにバレルニ
ッケルめっきして、セラミック／銅−炭素繊維複合材料
／ニッケルの複合板全作製した。
ｔｌｌ ｓ長さ１３慎の炭化ケイ素に少量のベリリアを
含むセラミック基体と、直径６μｍの炭素繊維を４５％
含む厚み［ｌＬｌｍｍ、幅８劉、長さ１２憫の銅−炭素
繊維複合材料を厚み２５μｍのマンガンろうを用い、ア
ルゴン雰囲気中、温度８７０℃、保持時間１秒の条件で
接合し、酸性浴中で表面活性化処理した後、硫酸銅２０
０ ｔｌｌ、硫酸５０づ／ｌ、塩酸α１５ゴ／ｌの硫酸
銅めっき浴全用い、温度３０℃、めっき電流密度１Ａ
／ ｄｍ”、回転速度５ ｒｐｍで第１層に厚み５μｍ
の銅めっきを行い、更に第２層ＶＣ実施例１のニッケル
めっきと同じ条件で、厚み２．５．１０μｍにバレルニ
ッケルめっきして、セラミック／銅−炭素繊維複合材料
／ニッケルの複合板全作製した。
以上の方法で作製したセラミック／銅−炭素繊維複合材
料／ニッケル板を、実施例１と同じように水素雰囲気中
、温度５００℃、保持時間５分の熱処理會した結果、実
施例１の結果と同様、金属化層がはく離する等の現象は
認められなかった。
料／ニッケル板を、実施例１と同じように水素雰囲気中
、温度５００℃、保持時間５分の熱処理會した結果、実
施例１の結果と同様、金属化層がはく離する等の現象は
認められなかった。
以上、実施例１及び２では、炭化ケイ素に少量のベリリ
ア會含むセラミック基体に銅−炭素繊維複合材料全マン
ガンろう付けする前、又はろう付は後に炭素繊維が表面
ＶＣ露出しないように処理してニッケルめっきし、セラ
ミック／＠−炭素繊維複合材料／ニッケル複合板全作製
することについて述べたが、本発明の目的は、根本的に
は表層を金属化した半導体素子搭載用セラミック基板の
熱処理による信頼性全低下させないで生産性金高めるこ
とにある。したがって、本発明に、本実施例１及び２で
説明した銅−炭素繊維複合材料の他に、アルミニウム−
炭素繊維複合材料等を接合し、ニッケル等の金属めっき
？してセラミック／繊維強化複合材料／金属めっき層か
らなること全特徴とする構造の複合板、及びその複合板
の製造法全般に適用できる。
ア會含むセラミック基体に銅−炭素繊維複合材料全マン
ガンろう付けする前、又はろう付は後に炭素繊維が表面
ＶＣ露出しないように処理してニッケルめっきし、セラ
ミック／＠−炭素繊維複合材料／ニッケル複合板全作製
することについて述べたが、本発明の目的は、根本的に
は表層を金属化した半導体素子搭載用セラミック基板の
熱処理による信頼性全低下させないで生産性金高めるこ
とにある。したがって、本発明に、本実施例１及び２で
説明した銅−炭素繊維複合材料の他に、アルミニウム−
炭素繊維複合材料等を接合し、ニッケル等の金属めっき
？してセラミック／繊維強化複合材料／金属めっき層か
らなること全特徴とする構造の複合板、及びその複合板
の製造法全般に適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、熱処理による信
頼性が高く、工程省略等により生産性の高いセラミック
基板及びその製造方法が提供された点で、顕著な効果が
奏せられた。
頼性が高く、工程省略等により生産性の高いセラミック
基板及びその製造方法が提供された点で、顕著な効果が
奏せられた。
第１図は本発明のセラミック基板の１例の構造金示す断
面概略図、第２図は従来のセラミック基板の１例の構造
全示す断面概略図である。 １：セラミック基体、２：銅（又はアルミニウム）−炭
素繊維複合材、５：接合材、４：めっきした金属材、２
２：金属化層、２３：ニツケルめっき材
面概略図、第２図は従来のセラミック基板の１例の構造
全示す断面概略図である。 １：セラミック基体、２：銅（又はアルミニウム）−炭
素繊維複合材、５：接合材、４：めっきした金属材、２
２：金属化層、２３：ニツケルめっき材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック製基体と、この基体上に接合される銅又
はアルミニウム−炭素繊維複合材料層と、この複合材料
層上に形成される金属めつき層を備え、該複合材料層表
面は該めつき層に対して該炭素繊維が触れない構造であ
ることを特徴とするセラミック基板。 ２、セラミック製基体に、銅又はアルミニウム−炭素繊
維複合材料層を接合させる工程、該工程の前又は後で該
複合材料層表面に該炭素繊維が露出しないように処理す
る工程、及び最後に金属めつきを行う工程の各工程を包
含することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163894A JPS6141538A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | セラミツク基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163894A JPS6141538A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | セラミツク基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141538A true JPS6141538A (ja) | 1986-02-27 |
| JPH0214189B2 JPH0214189B2 (ja) | 1990-04-06 |
Family
ID=15782826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59163894A Granted JPS6141538A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | セラミツク基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521479A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JP2007500450A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-01-11 | クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー | 複合材料及び電気回路又は電気モジュール |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113683A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-02 | Kyoto Ceramic | Method and composition of metallizing carbide type ceramic body |
| JPS55127044A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Electric circuit substrate and its manufacture |
| JPS5745248A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP59163894A patent/JPS6141538A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113683A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-02 | Kyoto Ceramic | Method and composition of metallizing carbide type ceramic body |
| JPS55127044A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Electric circuit substrate and its manufacture |
| JPS5745248A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521479A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
| JP2007500450A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-01-11 | クラミック エレクトロニクス ゲーエムベーハー | 複合材料及び電気回路又は電気モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214189B2 (ja) | 1990-04-06 |
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