JPS61276976A - 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 - Google Patents
中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置Info
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- JPS61276976A JPS61276976A JP11676285A JP11676285A JPS61276976A JP S61276976 A JPS61276976 A JP S61276976A JP 11676285 A JP11676285 A JP 11676285A JP 11676285 A JP11676285 A JP 11676285A JP S61276976 A JPS61276976 A JP S61276976A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置
に関し、特に、中間状頼種を用いて熱ＣＶＤによりシリ
コン含有高品質薄膜を製造する方法と装置に関する。
に関し、特に、中間状頼種を用いて熱ＣＶＤによりシリ
コン含有高品質薄膜を製造する方法と装置に関する。
（従来技術）
アモルファスシリコンなどのアモルファス半導体薄膜は
、現在、シランなどを放電分解することにより形成され
ている。そのため、各種のアモルファス半導体膜を多層
に積み重ねて太陽電池などを形成する際に、を−間の界
面などが放電によるプラズマダメージを受け、その特性
の向上に１つの限界を与えている。これを解決する方法
として、光化学反応によりアモルファス半導体を形成す
ることも試みられているが、膜堆積部への光の導入法や
光源自体にも問題をかかえている。
、現在、シランなどを放電分解することにより形成され
ている。そのため、各種のアモルファス半導体膜を多層
に積み重ねて太陽電池などを形成する際に、を−間の界
面などが放電によるプラズマダメージを受け、その特性
の向上に１つの限界を与えている。これを解決する方法
として、光化学反応によりアモルファス半導体を形成す
ることも試みられているが、膜堆積部への光の導入法や
光源自体にも問題をかかえている。
一方、ＭＯ８）ランジスタ々どの半導体テハイスの製作
においては、良質な絶縁膜を低温で形成する技術の開発
が望まれている。そのため、プラズマ反応や光反応を用
いる絶縁膜堆積法が検討されているが、この場合も前舵
したアモルファス半導体薄膜製造法におけると同様の問
題をかかえている。
においては、良質な絶縁膜を低温で形成する技術の開発
が望まれている。そのため、プラズマ反応や光反応を用
いる絶縁膜堆積法が検討されているが、この場合も前舵
したアモルファス半導体薄膜製造法におけると同様の問
題をかかえている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、このような従来技術の問題点を解決するため
には、熱ＣＶＩ）法を利用すれば良いのではないかとい
う考え方がその出発点となっている。すなわち、もし、
光感度などの高い良好なアモルファス半導体を熱ＣＶＤ
法で作ることができれば、成膜装置が簡嚇で安価になる
ばかりか、成膜自体が安堂化すると思われる。また、良
質な絶縁膜が室温を含む低温にでの熱ＣＶＤ法で作るこ
とができれば、半導体デバイス自体に損傷を与えない理
想的な絶縁膜形成法となる。
には、熱ＣＶＩ）法を利用すれば良いのではないかとい
う考え方がその出発点となっている。すなわち、もし、
光感度などの高い良好なアモルファス半導体を熱ＣＶＤ
法で作ることができれば、成膜装置が簡嚇で安価になる
ばかりか、成膜自体が安堂化すると思われる。また、良
質な絶縁膜が室温を含む低温にでの熱ＣＶＤ法で作るこ
とができれば、半導体デバイス自体に損傷を与えない理
想的な絶縁膜形成法となる。
したがって、本発明はプラズマ反応や光反応を用いるこ
となく、熱ＣＶＤ１のみを用いて、アモルファスシリコ
ンなどのアモルファス半導体薄膜やシリコンナイトライ
ドなどの絶縁膜などの、シリコンを含有する高品質薄膜
を形成する方法と装置ｆ提供することを目的とする。
となく、熱ＣＶＤ１のみを用いて、アモルファスシリコ
ンなどのアモルファス半導体薄膜やシリコンナイトライ
ドなどの絶縁膜などの、シリコンを含有する高品質薄膜
を形成する方法と装置ｆ提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明の方法は、天然には存在しない中間状態の種、特
に、その中で異例に寿命の長い二７フ化シリコンＳｉＦ
２又は嚇フッ化シリコンＳｉＦを用い、これに水素Ｈ２
）シランＳＩ Ｈ４、ジシランＳｉ２Ｈ６、アンモニア
ＮＨ３、ヒドラジンＮ２Ｈ４などの熱分解柚、プラズマ
分解種又は光分解種を混ぜて、この混合ガスを主成分と
する素材ガスを熱分解させて堆積させる、熱ＣＶＤ法に
より、アモルファスシリコンなどのアモルファス半導体
薄ｉやシリコンナイトライドなどの絶縁膜など、シリコ
ンを含有する高品質薄膜を形成することを特徴とする薄
膜形成法に関するものである。
に、その中で異例に寿命の長い二７フ化シリコンＳｉＦ
２又は嚇フッ化シリコンＳｉＦを用い、これに水素Ｈ２
）シランＳＩ Ｈ４、ジシランＳｉ２Ｈ６、アンモニア
ＮＨ３、ヒドラジンＮ２Ｈ４などの熱分解柚、プラズマ
分解種又は光分解種を混ぜて、この混合ガスを主成分と
する素材ガスを熱分解させて堆積させる、熱ＣＶＤ法に
より、アモルファスシリコンなどのアモルファス半導体
薄ｉやシリコンナイトライドなどの絶縁膜など、シリコ
ンを含有する高品質薄膜を形成することを特徴とする薄
膜形成法に関するものである。
本発明の方法においては、二フッ化シリコン、５ｉｎ２
又はそのフラグメントとしての嚇フッ化シリコンＳｉＦ
は、固体シリコンと四フッ化シリコンＳｉＦ４とを９０
０℃以上において化学間１６させることにより生成する
。また、二フッ化シリコンＳｉＦ２などは六フッ化工シ
リコンＳｉ２Ｆ６などＳｉｍ Ｆ’２ｍ＋２ （ｍ ＝
１．２．３・・・・・・）の化学式を持つ分子、又は
、５ｉＦ２Ｈ２などのその分子中のフッ素の一部を水素
で置き換えた分子を、熱反応、プラズマ反応又は光反応
により分解することによっても得ることができる。
又はそのフラグメントとしての嚇フッ化シリコンＳｉＦ
は、固体シリコンと四フッ化シリコンＳｉＦ４とを９０
０℃以上において化学間１６させることにより生成する
。また、二フッ化シリコンＳｉＦ２などは六フッ化工シ
リコンＳｉ２Ｆ６などＳｉｍ Ｆ’２ｍ＋２ （ｍ ＝
１．２．３・・・・・・）の化学式を持つ分子、又は
、５ｉＦ２Ｈ２などのその分子中のフッ素の一部を水素
で置き換えた分子を、熱反応、プラズマ反応又は光反応
により分解することによっても得ることができる。
本発明の方法においては、これら二フッ化シリコンＳｉ
Ｆ２ 又は学フッ化シリコン５ＩＦｅ、水素Ｈ２）シ
ランＳｉＨ，、ジシランＳｉ２Ｈ６、アンモニアＮ Ｔ
Ｔ５又はヒドラジンＮ２Ｈ１などを熱反応、プラズマ反
応又は光反応により分解した種と混合し、その混合ガス
全基板上に加熱分解堆積（いわゆる熱Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｅｒ Ｔ）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ））す
ることを特徴としている。この時、二フッ化シリコンＳ
ｉＦ２などの中間状態種、又は、水素馬の分解！４（水
素原子）など各種の分解種の生成に、例えばプラズマ反
応を用いた場合においても、それらが基板表面上へ輸送
された後、基板表面はプラズマ、高エネルギー元々とに
さらされることによる損傷を受けることなく、基板−ヒ
にシリコン含有薄膜が熱ＣＶＩ）することを発明の要点
と］７ている。
Ｆ２ 又は学フッ化シリコン５ＩＦｅ、水素Ｈ２）シ
ランＳｉＨ，、ジシランＳｉ２Ｈ６、アンモニアＮ Ｔ
Ｔ５又はヒドラジンＮ２Ｈ１などを熱反応、プラズマ反
応又は光反応により分解した種と混合し、その混合ガス
全基板上に加熱分解堆積（いわゆる熱Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｅｒ Ｔ）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ））す
ることを特徴としている。この時、二フッ化シリコンＳ
ｉＦ２などの中間状態種、又は、水素馬の分解！４（水
素原子）など各種の分解種の生成に、例えばプラズマ反
応を用いた場合においても、それらが基板表面上へ輸送
された後、基板表面はプラズマ、高エネルギー元々とに
さらされることによる損傷を受けることなく、基板−ヒ
にシリコン含有薄膜が熱ＣＶＩ）することを発明の要点
と］７ている。
形成されるアモルファス半導体薄膜は、アモルファスシ
リコン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファ
スシリコンゲルマニウム、父は、これらのフッ素含有物
からなるもので、これらが微結晶化若しくは多結晶化し
た薄膜も含まれる。
リコン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファ
スシリコンゲルマニウム、父は、これらのフッ素含有物
からなるもので、これらが微結晶化若しくは多結晶化し
た薄膜も含まれる。
また、形成される絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコ
ン又は窃酸化シリコン々どシリコンを含有するものであ
るが、また、これらの膜中には同時に７ノ素又は水素又
はその両方が含有される場合もある。
ン又は窃酸化シリコン々どシリコンを含有するものであ
るが、また、これらの膜中には同時に７ノ素又は水素又
はその両方が含有される場合もある。
薄膜を堆積させる際の基板は室温以上であり、特に、ア
モルファス半導体薄膜を形成する際には基板飄貨け１５
０℃から４００℃の範囲にあることが望ましい。
モルファス半導体薄膜を形成する際には基板飄貨け１５
０℃から４００℃の範囲にあることが望ましい。
分解種を発生させる方法としては、白熱又は赤熱したタ
ングステン、白金又はパラジウムなどの熱触媒反応を起
こす合間に水素、シラン、ジシラン、アンモニア・又り
支ヒドラジンなど全接触させる方法がある。
ングステン、白金又はパラジウムなどの熱触媒反応を起
こす合間に水素、シラン、ジシラン、アンモニア・又り
支ヒドラジンなど全接触させる方法がある。
本発明の装置は、中間状態種発生部、中間状態種発生部
に連通していて基板を中に収容してこれを所定温度に加
熱する加熱装置を備えた膜堆積部、中間状１１１ｍ発生
部と膜堆積部の連結部付近に設けられた分解欅の原料ガ
ス導入部、この導入部と基板加熱部との間のガス通路中
若しくけ膜堆積部近傍に設けられた分解種発生部、から
構成されている。
に連通していて基板を中に収容してこれを所定温度に加
熱する加熱装置を備えた膜堆積部、中間状１１１ｍ発生
部と膜堆積部の連結部付近に設けられた分解欅の原料ガ
ス導入部、この導入部と基板加熱部との間のガス通路中
若しくけ膜堆積部近傍に設けられた分解種発生部、から
構成されている。
分解種発生部の例としては、タングステン、白金、パラ
ジウムなどの熱触媒反応を起こす金属のヒータからなっ
ている。
ジウムなどの熱触媒反応を起こす金属のヒータからなっ
ている。
（実施例）
次に、本発明のシリコン含有簿膜の製造方法と製造装置
の１例を添付の図面を参照しながら説明する。
の１例を添付の図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の方法の１つの例と１−で、固体シリ
コンと四フッ化シリコンＳｉＦ、 の化学反応により
二フッ化シリコンＳｉＦ’２などを発生させ、水素と白
熱１７たタングステンとの熱触媒反応により水素の分解
種つまり水素原子を発生させ、これらの二フッ化シリコ
ンと水素原子の混合ガスを用いてアモルファスシリコン
を形成する装置の概略を示したものである。この装置は
、固体シリコン６を結める石英管等の高耐熱管５とこの
高耐熱管全加熱するための゛電気炉３とからなる中間状
態種発生部１と、基板８を中に収容する石英管等の第２
の高耐熱管７とこの高齢（１〔カ 熱管を通して基板ｆ所定湛妾に加熱する第２の電気炉４
とからなる膜堆積部ｇと、第１の高耐熱管５の出口と第
２の高耐熱管７０入口との連結部付近に設けられた水素
等の分解抽の原料ガス導入口９と、この導入口９と基板
の加熱部との間のガス通路中若しくは、基板８近傍に設
けられたタングステンヒータ１０と、から主として構成
されている。
コンと四フッ化シリコンＳｉＦ、 の化学反応により
二フッ化シリコンＳｉＦ’２などを発生させ、水素と白
熱１７たタングステンとの熱触媒反応により水素の分解
種つまり水素原子を発生させ、これらの二フッ化シリコ
ンと水素原子の混合ガスを用いてアモルファスシリコン
を形成する装置の概略を示したものである。この装置は
、固体シリコン６を結める石英管等の高耐熱管５とこの
高耐熱管全加熱するための゛電気炉３とからなる中間状
態種発生部１と、基板８を中に収容する石英管等の第２
の高耐熱管７とこの高齢（１〔カ 熱管を通して基板ｆ所定湛妾に加熱する第２の電気炉４
とからなる膜堆積部ｇと、第１の高耐熱管５の出口と第
２の高耐熱管７０入口との連結部付近に設けられた水素
等の分解抽の原料ガス導入口９と、この導入口９と基板
の加熱部との間のガス通路中若しくは、基板８近傍に設
けられたタングステンヒータ１０と、から主として構成
されている。
四フッ化シリコンＳｉＦ４は固体シリコン６の詰められ
た石英管又は高耐熱管５へと導入される。
た石英管又は高耐熱管５へと導入される。
その際、管５は電気炉３により９００℃以上、１２００
℃前後に加熱されており、そこで化学反応により二フッ
化シリコンＳｉＦ２ などが生成される。生成された
二フッ化シリコンＳｉＦ２はただちに膜堆積部？へ導入
される。膜堆積部こでは電気炉４により基板８の温間が
設定置′に保たれている。また、膜堆積部２には分解梱
原料ガス導入口９から水素Ｈ２も同時に導入されている
。
℃前後に加熱されており、そこで化学反応により二フッ
化シリコンＳｉＦ２ などが生成される。生成された
二フッ化シリコンＳｉＦ２はただちに膜堆積部？へ導入
される。膜堆積部こでは電気炉４により基板８の温間が
設定置′に保たれている。また、膜堆積部２には分解梱
原料ガス導入口９から水素Ｈ２も同時に導入されている
。
導入され次水素１１２は膜堆積部２のガス導入側又は基
板８の近傍に置かれたタングステンヒータ１０と接触し
、熱触媒反応により分解されて水素原子となる。この熱
触媒反応を赳としうる金属としてｒｌ、白金、パラジウ
ム々ども用いられる。−ｆ−Ｌ ’−Ｃ、基板８上にこ
の水素原子とニフノ化シリコンＳｉＦ２が輸送され、ア
モルファスシリコンが形成される。この時の基板ｍ Ｉ
ｌ＆ｊが１５０℃から４００ ℃の時に良好な光感度を
持つアモルファスノリコンが作られ、特に、基板謳変が
２００℃から３５０℃の間でその光感以は峡大となる。
板８の近傍に置かれたタングステンヒータ１０と接触し
、熱触媒反応により分解されて水素原子となる。この熱
触媒反応を赳としうる金属としてｒｌ、白金、パラジウ
ム々ども用いられる。−ｆ−Ｌ ’−Ｃ、基板８上にこ
の水素原子とニフノ化シリコンＳｉＦ２が輸送され、ア
モルファスシリコンが形成される。この時の基板ｍ Ｉ
ｌ＆ｊが１５０℃から４００ ℃の時に良好な光感度を
持つアモルファスノリコンが作られ、特に、基板謳変が
２００℃から３５０℃の間でその光感以は峡大となる。
第２図Ｖ１、タングステンヒータ１０に流ｔ−ｖｔ流、
及び、パイロメータで１側したその時のタングステンヒ
ータ１０の温度の関りとして、アモルファスシリコンの
成膜速度を示したものである。タングステンヒータ′屯
流か増すにつれて水素のＷ４４％率が−Ｌ昇し、それに
ともなって、成膜速度も向上する。本装智の場合には、
４７Ｘ／ ｓｅｃ’まで少なくとも成膜速度を向上でき
る。
及び、パイロメータで１側したその時のタングステンヒ
ータ１０の温度の関りとして、アモルファスシリコンの
成膜速度を示したものである。タングステンヒータ′屯
流か増すにつれて水素のＷ４４％率が−Ｌ昇し、それに
ともなって、成膜速度も向上する。本装智の場合には、
４７Ｘ／ ｓｅｃ’まで少なくとも成膜速度を向上でき
る。
第３図は、タングステンヒータ鋺靭の関数として、成膜
されたアモルファスシリコンの光導電車Δσ４、暗導電
率σｄ、光感変Δσ、／σｄ？示したもので、ここでは
光導電率Δσ、は、１００ｍＷ／ｃｒＦ？のＡＭ−１光
を用いて計測されている。
されたアモルファスシリコンの光導電車Δσ４、暗導電
率σｄ、光感変Δσ、／σｄ？示したもので、ここでは
光導電率Δσ、は、１００ｍＷ／ｃｒＦ？のＡＭ−１光
を用いて計測されている。
タングステンヒータ電流が８Ａ以下では、光感度Δσ、
／σｄけ１０６にも達し、従来からの放電分解法により
作られたアモルファスシリコンにおける光感１が１０’
から１０５であるのを上回る高品質のアモルファスシリ
コンが形成されていることがわかる。また、このアモル
ファスシリコンのＥＳＲ測定により求めたシリコンの未
結合手による欠陥に対応するスピン密には、１０１５０
ｍ−Ｓと、従来からの放電分解法により作られたアモル
ファスシリコンにおける一般的なＭ １０”ａｍ””よ
りも低い。
／σｄけ１０６にも達し、従来からの放電分解法により
作られたアモルファスシリコンにおける光感１が１０’
から１０５であるのを上回る高品質のアモルファスシリ
コンが形成されていることがわかる。また、このアモル
ファスシリコンのＥＳＲ測定により求めたシリコンの未
結合手による欠陥に対応するスピン密には、１０１５０
ｍ−Ｓと、従来からの放電分解法により作られたアモル
ファスシリコンにおける一般的なＭ １０”ａｍ””よ
りも低い。
タングステンヒータ電流を増すと、第２図に示すように
成膜速１Ｆｉ向上するが、膜中にタングステンが混入し
、膜質は劣化する。例えば、ヒータ電流が１３Ａで２０
０ｐＰｍものタングステンが混入してしまう。ヒータ電
流が６Ａでは、それは９ｐｌ）ｍ以下に抑えられて、い
る。こ（１■ の金属の混入は、白金などの低温度で熱触媒反応を起こ
す金属の使用などにより防ぐことができる。
成膜速１Ｆｉ向上するが、膜中にタングステンが混入し
、膜質は劣化する。例えば、ヒータ電流が１３Ａで２０
０ｐＰｍものタングステンが混入してしまう。ヒータ電
流が６Ａでは、それは９ｐｌ）ｍ以下に抑えられて、い
る。こ（１■ の金属の混入は、白金などの低温度で熱触媒反応を起こ
す金属の使用などにより防ぐことができる。
なお、第２図、第３図中に示しである成膜条件を表わす
記号のうち、 Ｆ Ｒ（Ｇ） 、Ｔ８、Ｐｇは、各々、
ガスＧの流量（ｓｅｃｔ）、基板謳変（℃）、ガス圧（
’ｒｏｒｒ）を示す。
記号のうち、 Ｆ Ｒ（Ｇ） 、Ｔ８、Ｐｇは、各々、
ガスＧの流量（ｓｅｃｔ）、基板謳変（℃）、ガス圧（
’ｒｏｒｒ）を示す。
（発明の効果）
本発明の方法と装置により作られたシリコン含有薄膜は
、プラズマなどによるダメージを受けていなむ）ので、
上ｌ己アモルファスシリコンを例にさって示したように
、低欠陥、高品質のものである。そのため、形成された
薄膜がアモルファスシリコン、アモルファスシリコンカ
ーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウムなどのア
モルファス半導体である場合には、高効率な太陽電池、
電子写真感光体、薄膜トランジスタ、撮像管などに使用
できる。また、形成された薄膜が悩化シリコン、酸化シ
リコンなどの絶縁薄膜である場合には、トランジスタの
ゲート絶縁膜、フィールド絶縁１１は、フィールド絶縁
膜及び、集積回路における局部酸化（Ｌ ｏ ｅ ａ
１０ｘｉｄｉｚａｔｉｏｎ、 ＬＯＧＯ８） 技術に
用いるマスク用の密化シリコン膜として用いることがで
きる。トランジスタ及び集積回路などの電子デバイスへ
本発明を応用する場合には、特に窒化シリコン、酸化シ
リコンなどの絶縁膜が低温の熱ＣＶＤ法により形成でき
る点が、本発明の大きな長所である。
、プラズマなどによるダメージを受けていなむ）ので、
上ｌ己アモルファスシリコンを例にさって示したように
、低欠陥、高品質のものである。そのため、形成された
薄膜がアモルファスシリコン、アモルファスシリコンカ
ーバイト、アモルファスシリコンゲルマニウムなどのア
モルファス半導体である場合には、高効率な太陽電池、
電子写真感光体、薄膜トランジスタ、撮像管などに使用
できる。また、形成された薄膜が悩化シリコン、酸化シ
リコンなどの絶縁薄膜である場合には、トランジスタの
ゲート絶縁膜、フィールド絶縁１１は、フィールド絶縁
膜及び、集積回路における局部酸化（Ｌ ｏ ｅ ａ
１０ｘｉｄｉｚａｔｉｏｎ、 ＬＯＧＯ８） 技術に
用いるマスク用の密化シリコン膜として用いることがで
きる。トランジスタ及び集積回路などの電子デバイスへ
本発明を応用する場合には、特に窒化シリコン、酸化シ
リコンなどの絶縁膜が低温の熱ＣＶＤ法により形成でき
る点が、本発明の大きな長所である。
本発明け、アモルファス半導体又はその微結晶化若しく
け多結ム化した薄膜のみならず、シリコンを含有する絶
縁膜の形成に関するもので、その産業に与える影響は極
めて大きくまた広い。
け多結ム化した薄膜のみならず、シリコンを含有する絶
縁膜の形成に関するもので、その産業に与える影響は極
めて大きくまた広い。
なお、本発明の方法における熱分解による分解種の発生
は、上記した例のような触媒反応を用いるものには限定
されない。また、分解櫨の発生は、熱分解以外に、プラ
ズマ反応による分解、光反応による分解なども可能であ
る。
は、上記した例のような触媒反応を用いるものには限定
されない。また、分解櫨の発生は、熱分解以外に、プラ
ズマ反応による分解、光反応による分解なども可能であ
る。
（１つ
第１図は本発明による装置の１例の概要図、第２図はヒ
ータ電流と暎成長速蜜との関係を示す特性曲線のグラフ
、第３図はヒータ電流と成膜された薄膜の特性を光導電
率Δσ９、暗導電率σｄ、光感変△σｐ／σｄを例にと
って示したグラフである。
ータ電流と暎成長速蜜との関係を示す特性曲線のグラフ
、第３図はヒータ電流と成膜された薄膜の特性を光導電
率Δσ９、暗導電率σｄ、光感変△σｐ／σｄを例にと
って示したグラフである。
Claims (10)
- （１）二フッ化シリコンＳ＿ｉＦ＿２、単フッ化シリコ
ンＳ＿ｉＦなどの中間状態の種に、水素Ｈ＿２、シラン
Ｓ＿ｉＨ＿４、ジシランＳ＿ｉ＿２Ｈ＿６、アンモニア
ＮＨ＿３又はヒドラジンＮ＿２Ｈ＿６などを熱反応、プ
ラズマ反応又は光反応により分解した種を混ぜ、この混
合ガスを主成分とする素材ガスを熱分解して堆積させる
ことによりシリコン含有薄膜を形成することを特徴とす
るシリコン含有薄膜の製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、形成されるシリ
コン含有薄膜が、アモルファスシリコン、フッ素含有ア
モルファスシリコン、アモルファスシリコンカーバイト
、フッ素含有アモルファスシリコンカーバイト、アモル
ファスシリコンゲルマニウム、フッ素含有アモルファス
シリコンゲルマニウムなどのアモルファス半導体薄膜又
はそれらが微結晶化若しくは多結晶化した膜であること
を特徴とするシリコン含有薄膜の製造方法。 - （３）特許請求の範囲第１項において、形成されるシリ
コン含有薄膜が、窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化
シリコンなどの絶縁薄膜であることを特徴とするシリコ
ン含有薄膜の製造方法。 - （４）特許請求の範囲第１項において形成されるシリコ
ン含有薄膜が窒化シリコン、酸化シリコン、窒酸化シリ
コンなどの絶縁膜であり、この絶縁膜中にはフッ素又は
水素又はその両方が含有されることを特徴とするシリコ
ン含有薄膜の製造方法。 - （５）特許請求の範囲第１項から第３項いずれかにおい
て、薄膜を堆積させる際の熱分解温度が室温以上である
ことを特徴とするシリコン含有薄膜の製造方法。 - （６）特許請求の範囲第１項から第５項いずれかにおい
て、薄膜を堆積させる際の熱分解温度が１５０℃から４
００℃の範囲にあることを特徴とするシリコン含有薄膜
の製造方法。 - （７）特許請求の範囲第１項から第６項いずれかにおい
て、白熱又は赤熱したタングステン、白金又はパラジウ
ムなどの熱触媒反応を起こす金属に水素Ｈ＿２、シラン
Ｓ＿ｉＨ＿４、ジシランＳ＿ｉ＿２Ｈ＿６、アンモニア
ＮＨ＿３又はヒドラジンＮ＿２Ｈ＿４など接触させるこ
とによって分解種を発生させることを特徴とするシリコ
ン含有薄膜の製造方法。 - （８）特許請求の範囲第１項から第７項いずれかにおい
て、薄膜を堆積させる際に薄膜堆積基板表面をプラズマ
又は高エネルギー光にさらすことを防止し、熱分解のみ
により薄膜を堆積させることを特徴とするシリコン含有
薄膜の製造方法。 - （９）中間状態種発生部、中間状態種発生部に連通して
いて基板を中に収容してこれを所定温度に加熱する加熱
装置を備えた膜堆積部、中間状態種発生部と膜堆積部の
連結部付近に設けられた分解種の原料ガス導入部、この
導入部と基板加熱部との間のガス通路中若しくは膜堆積
部近傍に設けられた分解種発生部、から構成されている
ことを特徴とするシリコン含有薄膜の製造装置。 - （１０）特許請求の範囲第９項において、分解種発生部
はタングステン、白金又はパラジウムなどの熱分解反応
を起こす金属からなるヒータからなっていることを特徴
とするシリコン含有薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11676285A JPS61276976A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11676285A JPS61276976A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276976A true JPS61276976A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0365434B2 JPH0365434B2 (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=14695106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11676285A Granted JPS61276976A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276976A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2639632A1 (fr) * | 1988-11-30 | 1990-06-01 | Kemira Oy | Procede de preparation de matieres premieres ceramiques a partir de fluorure de silicium et d'ammoniac ou d'un hydrocarbure |
| JPH02217469A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Hitachi Ltd | 薄膜の形成方法 |
| US4981723A (en) * | 1987-10-19 | 1991-01-01 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chemical vapor deposition of tungsten silicide using silicon sub-fluorides |
| JPH0790589A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-04 | G T C:Kk | シリコン酸化膜の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11676285A patent/JPS61276976A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041047A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981723A (en) * | 1987-10-19 | 1991-01-01 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Chemical vapor deposition of tungsten silicide using silicon sub-fluorides |
| FR2639632A1 (fr) * | 1988-11-30 | 1990-06-01 | Kemira Oy | Procede de preparation de matieres premieres ceramiques a partir de fluorure de silicium et d'ammoniac ou d'un hydrocarbure |
| JPH02217469A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Hitachi Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPH0790589A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-04 | G T C:Kk | シリコン酸化膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0365434B2 (ja) | 1991-10-11 |
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