JPS61265794A - 半導体記憶装置のデコ−ダ回路 - Google Patents
半導体記憶装置のデコ−ダ回路Info
- Publication number
- JPS61265794A JPS61265794A JP60107826A JP10782685A JPS61265794A JP S61265794 A JPS61265794 A JP S61265794A JP 60107826 A JP60107826 A JP 60107826A JP 10782685 A JP10782685 A JP 10782685A JP S61265794 A JPS61265794 A JP S61265794A
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- Japan
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- decoder
- circuit
- gate
- signal
- transistor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/10—Decoders
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
- Compression, Expansion, Code Conversion, And Decoders (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体記憶装置のワード線或いはビット線の全選択モー
ドを行なうための回路であって、デコーダの論理ゲート
の電源に電圧制御回路を設け、全選択時（；その電圧を
低下するようにしてあり、デコーダ回路の構造を簡単化
した。
ドを行なうための回路であって、デコーダの論理ゲート
の電源に電圧制御回路を設け、全選択時（；その電圧を
低下するようにしてあり、デコーダ回路の構造を簡単化
した。
本発明は、集積回路の試験時等（；用いられるワード線
或いはビット線の全選択モードを行なわせるための回路
に係り、特にＣＭＯＳメモリを用いた回路シ；関する。
或いはビット線の全選択モードを行なわせるための回路
に係り、特にＣＭＯＳメモリを用いた回路シ；関する。
従来例として、ＣＭＯＳデコーダ（ＨＡＮＤタイプ）を
コンパクトにまとめ、しかも全選択モードが可能Ｃ；す
るため、第６図のような回路が使用されている。第５図
はロク（行）デコーダの例であり、二のような回路を各
ワード線毎に備える。１〜５はロクアドレス入力端子で
（α０．α１．α、） 〜（’Ｏｙ ”ｌ ｐ ’りの
８種の信号のいずれかが印加（第５図は”Ｏｙαｌ、α
！が入力）され、それぞれＨＡＮＤ回路のｒ＆デャネル
ＭＯ＆ ）ランジスタＱ。
コンパクトにまとめ、しかも全選択モードが可能Ｃ；す
るため、第６図のような回路が使用されている。第５図
はロク（行）デコーダの例であり、二のような回路を各
ワード線毎に備える。１〜５はロクアドレス入力端子で
（α０．α１．α、） 〜（’Ｏｙ ”ｌ ｐ ’りの
８種の信号のいずれかが印加（第５図は”Ｏｙαｌ、α
！が入力）され、それぞれＨＡＮＤ回路のｒ＆デャネル
ＭＯ＆ ）ランジスタＱ。
〜Ｑ２のゲーＨ：［続される。Ｑａはディプレッション
型のＨＡＮＤ回路の負荷用のトランジスタであり、高位
の電源Ｖｃｃ−二そのドレインが、またソース及びゲー
トがトランジスタＱ、のドレインとの接続ノードＮ１に
接続し、さらに、デコーダの出力駆動用の０Ｍ０８回路
のトランジスタＱ４（７’ｆヤネル）及びＱｓ（％チャ
ネル）のゲート檻；接続し、０ＭＯ８出力は出力端子５
に接続し、これよニ属するワード線Ｃニデコーダ出力が
供給される。一方、ノードＮ１Ｃ；はさらにルチャネル
ＭＯ８）ランジスタＱｘのドレインを接続し、そのソー
スを低位の電源Ｙ、、＋二接続しており、ゲート端子４
に制御信号φな入力する。
型のＨＡＮＤ回路の負荷用のトランジスタであり、高位
の電源Ｖｃｃ−二そのドレインが、またソース及びゲー
トがトランジスタＱ、のドレインとの接続ノードＮ１に
接続し、さらに、デコーダの出力駆動用の０Ｍ０８回路
のトランジスタＱ４（７’ｆヤネル）及びＱｓ（％チャ
ネル）のゲート檻；接続し、０ＭＯ８出力は出力端子５
に接続し、これよニ属するワード線Ｃニデコーダ出力が
供給される。一方、ノードＮ１Ｃ；はさらにルチャネル
ＭＯ８）ランジスタＱｘのドレインを接続し、そのソー
スを低位の電源Ｙ、、＋二接続しており、ゲート端子４
に制御信号φな入力する。
このトランジスタＱｚのゲートの制御信号φ＝“Ｌ”の
ときは通常モードであって第５図の回路はデコーダとし
て機能し、φ＝“Ｈ”ではトランジスタＱｘがＯＮＬ、
、ノードＮ、の電位が下がりＬ″となり、したがって出
力端子５の電位は“Ｈ”となる。丁なわち、φ＝“Ｈ”
ですべてのデコーダ出力は“Ｈ”となり、ワード線全選
択モードになる。
ときは通常モードであって第５図の回路はデコーダとし
て機能し、φ＝“Ｈ”ではトランジスタＱｘがＯＮＬ、
、ノードＮ、の電位が下がりＬ″となり、したがって出
力端子５の電位は“Ｈ”となる。丁なわち、φ＝“Ｈ”
ですべてのデコーダ出力は“Ｈ”となり、ワード線全選
択モードになる。
トコろが第５図の回路においては、全選択モードの切換
えのため鑑；トランジスタＱｚを設けなければならず、
十分コンパクトなデコーダパターンをつくるのが困＠に
なる。また、回路の電流消費が大きいため電源の金属配
線幅を細くすることができないという欠点もある。これ
らのことは、より集積度を上げるためセルサイズを微細
化し、これに伴ないデコーダの回路を小型化するシニあ
たり障害になる。
えのため鑑；トランジスタＱｚを設けなければならず、
十分コンパクトなデコーダパターンをつくるのが困＠に
なる。また、回路の電流消費が大きいため電源の金属配
線幅を細くすることができないという欠点もある。これ
らのことは、より集積度を上げるためセルサイズを微細
化し、これに伴ないデコーダの回路を小型化するシニあ
たり障害になる。
本発明においては、アドレス信号を入力とし、これに応
じて選択（ｉ号を発生する論理ゲートの電源制御回路を
デコーダ外に設Ｃする。そして全選択モード指定信号の
印加鑑；より、電源電圧を低下せしめて、論理ゲート出
力を全て“Ｌ”となし、これにより各デコーダの０ＭＯ
８出力を全て“Ｈ”にして、ワード線又はビット線の全
選択を行なう。
じて選択（ｉ号を発生する論理ゲートの電源制御回路を
デコーダ外に設Ｃする。そして全選択モード指定信号の
印加鑑；より、電源電圧を低下せしめて、論理ゲート出
力を全て“Ｌ”となし、これにより各デコーダの０ＭＯ
８出力を全て“Ｈ”にして、ワード線又はビット線の全
選択を行なう。
上記Ｃ二より、メモリ領域のデコーダ内にモード切換え
手段を設けることが必要でなくなり、十分コンパクトな
デコーダが形成でき、また、全選択モード時鑑二輪理ゲ
ートの電源を落とすようにするため電流消費が比較的に
少なくでき、論理ゲート′鑞源の金属配線幅が、第２図
の従来例より細くできる。
手段を設けることが必要でなくなり、十分コンパクトな
デコーダが形成でき、また、全選択モード時鑑二輪理ゲ
ートの電源を落とすようにするため電流消費が比較的に
少なくでき、論理ゲート′鑞源の金属配線幅が、第２図
の従来例より細くできる。
第１図５二本発明の実施例の回路ｔ／８わしてあり、以
下Ｃ二これを説明する。本実施例においてデコーダ自体
は普通のものでｓ ＱＯ〜Ｑ、はアドレス信号（８ｏ、
α１．α、）により選択され出力を発生するＮ−心ωゲ
ートであり、Ｑｓは負荷用のディプレッション型のトラ
ンジスタであり、両者の接続ノードＮ、の電位が選択１
時シ＝“Ｌ”になる。それ５二より、ＣＭＱＳインバー
タの入力ノードＮ、が“Ｌ−；なり、トランジスタＱ４
（Ｆ ”）がＯＮ、）ランジスタＱ１（３−ａｈ）が
ＯＦＦ ｌ：、転じ、出力端子１５の電位Ｖ。、ｔが“
Ｈ”になり、これに接続されているワード線（図示せず
）が駆動される。
下Ｃ二これを説明する。本実施例においてデコーダ自体
は普通のものでｓ ＱＯ〜Ｑ、はアドレス信号（８ｏ、
α１．α、）により選択され出力を発生するＮ−心ωゲ
ートであり、Ｑｓは負荷用のディプレッション型のトラ
ンジスタであり、両者の接続ノードＮ、の電位が選択１
時シ＝“Ｌ”になる。それ５二より、ＣＭＱＳインバー
タの入力ノードＮ、が“Ｌ−；なり、トランジスタＱ４
（Ｆ ”）がＯＮ、）ランジスタＱ１（３−ａｈ）が
ＯＦＦ ｌ：、転じ、出力端子１５の電位Ｖ。、ｔが“
Ｈ”になり、これに接続されているワード線（図示せず
）が駆動される。
同様なデコーダ回路がアドレス信号（α２αｌ ”０）
ｓ（”ｘ α、α。）、（α２ α１ α。）、（α
、α１ α。） 。
ｓ（”ｘ α、α。）、（α２ α１ α。）、（α
、α１ α。） 。
に２ α、；。）、（７Ｌ２ ｊ α。） ＊ （”
！ ”ｓ ”。）を入力として構成され、それぞれ１；
接続するワード線を駆動するようになっている（第２図
参照）。
！ ”ｓ ”。）を入力として構成され、それぞれ１；
接続するワード線を駆動するようになっている（第２図
参照）。
これらの各デコーダ回路のＮＡＩωゲートの負荷トラン
ジスタのドレインは電源制御回路１１の出力ノードＮ、
ｒ；接続される。電源制御回路１１のディプレッショ
ン型Ｍｏ５ｓ ）ランジスタＱ１１は制御信号φをゲー
ト入力とし、ドレインを高電位Ｖｃｏに接続し、ソース
は出力ノードＮｓ及びルチャネルエンハンスメントｆＪ
ＭＯ８Ｉ−ランジスタＱ１２のドレインＣ；接続し、Ｑ
１２のゲートｉ二側側信号φを入力し、ソースを低位電
源Ｖｌｌに接続している。
ジスタのドレインは電源制御回路１１の出力ノードＮ、
ｒ；接続される。電源制御回路１１のディプレッショ
ン型Ｍｏ５ｓ ）ランジスタＱ１１は制御信号φをゲー
ト入力とし、ドレインを高電位Ｖｃｏに接続し、ソース
は出力ノードＮｓ及びルチャネルエンハンスメントｆＪ
ＭＯ８Ｉ−ランジスタＱ１２のドレインＣ；接続し、Ｑ
１２のゲートｉ二側側信号φを入力し、ソースを低位電
源Ｖｌｌに接続している。
全デコーダ出力ｔ″Ｂ”とするワード、綴金選択モード
においては、制御信号φ＝“Ｈ″とすれば、トランジス
タＱ１２がＯＮとなり、ｉ＝“Ｌ”をゲート入力とする
ディプレッショントランジスタＱ１１との接続ノードの
電位を引下げ、電源制御回路の出力ノードＮ、の電圧を
ほぼＯＶに落とす。それにより、全てのデコーダ回路の
ＮＡＮＤゲートの出力ノ−ドＮ、及びＣＭＯＳインバー
タの入力ノード＃１ ）：“Ｌ”１：より、その出力端
子１５の電圧は“Ｈ”となる。
においては、制御信号φ＝“Ｈ″とすれば、トランジス
タＱ１２がＯＮとなり、ｉ＝“Ｌ”をゲート入力とする
ディプレッショントランジスタＱ１１との接続ノードの
電位を引下げ、電源制御回路の出力ノードＮ、の電圧を
ほぼＯＶに落とす。それにより、全てのデコーダ回路の
ＮＡＮＤゲートの出力ノ−ドＮ、及びＣＭＯＳインバー
タの入力ノード＃１ ）：“Ｌ”１：より、その出力端
子１５の電圧は“Ｈ”となる。
ここで、ＮＡＮＤゲートの電源制御回路１１は、ラコー
ダ回路の外部の適当な場所Ｃ；配置することｔできるか
ら、デコーダ回路自体は十分コンバク１喀：形成するこ
とが可能になる。
ダ回路の外部の適当な場所Ｃ；配置することｔできるか
ら、デコーダ回路自体は十分コンバク１喀：形成するこ
とが可能になる。
以上、ワード線側について示したが、ビット扉側も同様
に構成してビット線全選択を行なうこ２ができ−る。
に構成してビット線全選択を行なうこ２ができ−る。
以上から明らかなごとく、本発明によれば、Ｕ来のごと
く、全選択モード切換用のトランジスタが不用となるの
で、デコーダ回路を十分コンパクトに形成でき、また全
選択時Ｃ二輪理ゲートの１に２Ｉｉを落とすようＣ二し
ているので、電流消費が少なべでき、論理ゲートの金−
配線幅を細くするととｔできる。これらのことから、セ
ルサイズを縮少するの１＝伴ないデコーダ回路を小型化
することが釜Ｌ 易となり、集積度の向上が可能となる
。
く、全選択モード切換用のトランジスタが不用となるの
で、デコーダ回路を十分コンパクトに形成でき、また全
選択時Ｃ二輪理ゲートの１に２Ｉｉを落とすようＣ二し
ているので、電流消費が少なべでき、論理ゲートの金−
配線幅を細くするととｔできる。これらのことから、セ
ルサイズを縮少するの１＝伴ないデコーダ回路を小型化
することが釜Ｌ 易となり、集積度の向上が可能となる
。
第１図は本発明の実施例の回路図、
１ 第２図は実施例の全体的回路量。
第３図は従来の回路図である。
１〜３・・・アドレス入力端子。
１ １１・・・電源制御回路。
１５・・・（デコーダの）出力端子。
Claims (1)
- アドレス信号に応じて選択信号を発生する論理ゲート
と、該論理ゲートの電源電圧をモード指定信号に応じて
制御する電源制御回路とを有し、全選択モード指定信号
の入力により、該電源電圧を低下するようにしたことを
特徴とする半導体記憶装置のデコーダ回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107826A JPS61265794A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体記憶装置のデコ−ダ回路 |
| DE8686303806T DE3680822D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Dekodierschaltung fuer eine halbleiterspeicheranordnung. |
| EP86303806A EP0202910B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Decoder circuit for a semiconductor memory device |
| KR8603882A KR900001598B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | The decoder circuit of semiconductor memory device |
| US06/864,243 US4730133A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Decoder circuit of a semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107826A JPS61265794A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体記憶装置のデコ−ダ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265794A true JPS61265794A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14469015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60107826A Pending JPS61265794A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体記憶装置のデコ−ダ回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4730133A (ja) |
| EP (1) | EP0202910B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61265794A (ja) |
| KR (1) | KR900001598B1 (ja) |
| DE (1) | DE3680822D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366789A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ｃｍｏｓ行デコ−ダ回路 |
| US4851716A (en) * | 1988-06-09 | 1989-07-25 | National Semiconductor Corporation | Single plane dynamic decoder |
| JP2555165B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1996-11-20 | 富士通株式会社 | ナンド回路 |
| US5157283A (en) * | 1988-12-23 | 1992-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tree decoder having two bit partitioning |
| JPH04184793A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Nec Corp | 半導体デコード装置 |
| US5396459A (en) * | 1992-02-24 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Single transistor flash electrically programmable memory cell in which a negative voltage is applied to the nonselected word line |
| KR100281600B1 (ko) * | 1993-01-07 | 2001-03-02 | 가나이 쓰도무 | 전력저감 기구를 가지는 반도체 집적회로 |
| US6384623B1 (en) * | 1993-01-07 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuits with power reduction mechanism |
| US7388400B2 (en) * | 1993-01-07 | 2008-06-17 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor integrated circuits with power reduction mechanism |
| US5389836A (en) * | 1993-06-04 | 1995-02-14 | International Business Machines Corporation | Branch isolation circuit for cascode voltage switch logic |
| US5995016A (en) * | 1996-12-17 | 1999-11-30 | Rambus Inc. | Method and apparatus for N choose M device selection |
| CN104993574B (zh) * | 2015-07-06 | 2017-06-06 | 上海巨微集成电路有限公司 | 一种适用于otp存储器的电源切换电路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105031A (ja) * | 1974-01-23 | 1975-08-19 | ||
| JPS5979487A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-08 | Nec Corp | デコ−ダ回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931253B2 (ja) * | 1972-08-25 | 1984-08-01 | 株式会社日立製作所 | デプレツシヨン型負荷トランジスタを有するｍｉｓｆｅｔ論理回路 |
| JPS5625295A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-11 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS59124092A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | メモリ装置 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60107826A patent/JPS61265794A/ja active Pending
-
1986
- 1986-05-19 KR KR8603882A patent/KR900001598B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-19 EP EP86303806A patent/EP0202910B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-19 DE DE8686303806T patent/DE3680822D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-19 US US06/864,243 patent/US4730133A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105031A (ja) * | 1974-01-23 | 1975-08-19 | ||
| JPS5979487A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-08 | Nec Corp | デコ−ダ回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001598B1 (en) | 1990-03-15 |
| EP0202910A3 (en) | 1989-05-24 |
| US4730133A (en) | 1988-03-08 |
| EP0202910A2 (en) | 1986-11-26 |
| EP0202910B1 (en) | 1991-08-14 |
| DE3680822D1 (de) | 1991-09-19 |
| KR860009418A (ko) | 1986-12-22 |
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