[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPS6126539A - ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 - Google Patents

ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物

Info

Publication number
JPS6126539A
JPS6126539A JP14248184A JP14248184A JPS6126539A JP S6126539 A JPS6126539 A JP S6126539A JP 14248184 A JP14248184 A JP 14248184A JP 14248184 A JP14248184 A JP 14248184A JP S6126539 A JPS6126539 A JP S6126539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
salts
salt
cement slurry
cement
metal salts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14248184A
Other languages
English (en)
Inventor
ドルシー ケイ クランプ
デビツド エイ ウイルソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Chemical Co
Original Assignee
Dow Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Chemical Co filed Critical Dow Chemical Co
Publication of JPS6126539A publication Critical patent/JPS6126539A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02027Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はジシクロペンタジェンのビス(メチルアミン)
から誘導された化合物である特殊な固定化遅延剤を営む
水性液圧セメントスラリ組成物に関する。
疎水性置換のホスホン酸もしくはホスフィノ酸ならびに
それらのアルカリ金属塩は凍結−解凍性および塩抵抗を
改良するためにセメント類、主として土壌/セメント混
合物に使用されていた。6〜18個の炭素のアルキルポ
スポン酸またはそのアルカリ金属塩は米国特許第3,7
94.506号にそのように記載されている。ポートラ
ンドセメントと固定化時間延長剤としての1−ヒドロキ
シエチリデンポスホン酸トリナトリウム塩またはトリカ
リウム塩とから成る高温の油およびガスの井戸用の充て
ん混合物はソ連特許第640.019号についてのダー
ウェントアブストラクト71376B/39 <x9i
ci)に記載されている。このアブストラクトにはこれ
らのホスホネート塩を75〜150℃の温度において0
.1〜0.3重量%の量で使用する仁とが記載されて−
る。
その他の有機リン酸誘導体が乱流誘起用およびフロー特
性改良の添加剤としてセメント組成物中の有用な添加剤
であることも教示されてφる(それぞれ米国特許第3.
964゜921号および同第4,040,854号)。
別の乱流誘起剤は尿素の熱分解生成物およびビス(アル
キレンピロホスフェ−トンである(米国特許第3.40
9,080号)。
アルキレンジホスホン酸およびその可溶性塩はギプスプ
ラスターの固定化時間延長剤および水減少剤であると記
載されている(米国特許第4225.361号)。エー
テル結合によりホスホノアルキル化したリグニンまたは
対応するスルホネート、サルファイド、ヒドロキシルま
たはアミンの誘導体は主として分散剤または表面活性剤
として有用でらると記載され(米国特許第3,865,
803号)、また特定用途を示すことなしに”セメント
添加剤″としても有用でらるとiわれている。
種々の酸塩添加剤を含む超迅速硬化ポートランドセメン
ト組成物が記載されている(米国特許第4066.46
9号)。
酸ホスフェートを酸塩として使用することは、これらの
ホスフェートがこれらに特有の特徴的な強力な遅延性を
もつために、除外されている。
油井に使用するセメントの大部分はポートランドセメン
トでるるといわれる。ボートランドセメントは石灰石、
粘土、頁岩、およびスラッグから成る粗原料をロータリ
ーキルン中で2,600〜2,800″Fで収部するこ
とによって製造される。
生成物を冷却して少量割合の石膏と相互粉砕してボート
ランドセメントとする。上記の粗原料のほかに、他の成
分たとえば砂、ボーキサイト、酸化鉄などを加えてその
化学組成を所望の種類のボートランドセメントに応じて
調節することもできる。
蚊終のポート2ンドセメントの主な成分辻石灰、シリカ
、アルミナおよび鉄でるる。これらの成分は次の複合化
合物類を形成するニトリカルシウムアルミネート<3C
a0・11.0.)、5−トラカルシウムアルミノフェ
ライト(4CaO・AA!!()8 ・Fetos )
、Fリカルシウムシリフート(3CcLO・5iOv)
、およびリカルシウムシリフート(2CaO−8iO2
)。
セメントに水を加えると、固定化および硬化が直ちに始
まる。セメント中の化学化合物類は水和および再結晶の
処理を受けて固定化生成物となる。油井用セメントに使
用しうる水の最大量は固体分離の起る以前に加えうる量
でおる。
水の最小量線スラリをポンプ給送性にするに必要な量で
ろる。それ故、通常の場合の水の比′4−は特定の種類
のセメントについての最大および最小の限界値によって
支配される。
粘稠化時間はセメントが油井中にポンプ給送可能な状態
にとどする時間である。これは油井用セメン、トの最も
重要な性質でるる。粘稠化時間線所定の場所にポンプ給
送するに十分な長さで必るべきであり、また操業を迅速
に再開させるに十分な短かさであるべきである。一般に
、必要な配置時間プラス安定係数として3時間が与えら
れる。
その他の因子たとえば流動性喪失、粘度および密度も考
慮に入れなけれはならず、そしてこれらの因子のそれぞ
れにならびに上述の固定化もしくは粘稠化の時間の因子
に影響を及ぼす添加剤は当業者に周仰である。固定化時
間に及ぼす影響をもつ別のパラメータは温度である。セ
メントレ温度上昇につれてより迅速に固定化する。井戸
の深さが大きくなるにつれて温度が上昇するので、深い
井戸にセメントをポンプ給送するときには特にこの仁と
に社章を払わなけれはならない。温度はまたセメントの
強度にも影響を及ぼし、温度が上昇するにつれて強度は
小さくなる。
この11“、Xのために、深い井戸に使用するセメント
の固定化を遅らせることがM要である。
おる種の新規なホスホノメチル化化合物が水性セメント
スラリ中で固定化遅延添加剤として有用であることが今
や発見された。これらの化合物の−くつかはキレート剤
でめるが、その他は水溶液からの金属イオンの沈殿を遅
延させる量刑として有用である。然し、このような化合
物類のすべてがセメント固定化遅延剤として有用と−う
わけではない。
本発明においてセメント固定化遅延剤として有用な化合
物は次式tもつものでるる。
〔ただし式中において、A%ESCおよびDの置換分は
それぞれ独立に水素、CHAP 0sHt (メチレン
ホスホン酸基]、(C&)nOH(nは1〜4)、−C
H2CHOH8O3H(ヒドロキシエチルスルホン酸基
)、C11tCHO1iCHtSOsll(ヒドロキシ
プロピルスルホン酸基) 、−(CJI2) nC00
H(nは1〜3)ならびに上記のホスホン酸、スルホン
酸またはカルボン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金
属塩、アンモニア塩、およびアミン塩であるが、上記置
換分の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基またはそ
の塩である。〕すべてのジシクロペンタジェンビス(メ
チルアミンン(DCPD−BMA3誘導体が同じ目的に
有用であるわけではないことがわかった。すなわち、少
なくとも1個のメチレンホスホン酸基を含む限られた僅
かなもののみがセメントの固定化遅延剤として有効でろ
るにすぎない。メチレンホスホン酸基を含むものでさえ
、ある種の他の基か存在すれは無効である。すなわち、
たとえば1個のメチレンスルホン酸基と3個のメチレン
ホスホン酸基を富むDCFD−HMA誘導体は試験粂件
下でセメントの固定化を遅延させない。
そのように使用される化合物はアミン窒素の置換基とし
て少なくとも1個のメチレンホスホネート基を含壕なけ
れにならないけれども、める種の他の基が存在してもよ
い。
換言すれば残余のアミンリ素り置換されていなくてもよ
い。
メチレンホスホン酸基以外の置換基にLアルカノール基
(そのアルキル基は1〜4個の炭素原子を含む]、アル
キルカルボン酸基(そのアルキル基は2〜4個の炭素原
子を含b) 、ヒドロキシエチルスルホン酸基、ヒドロ
キシプロピルスルホン酸基、ならびに上記のホスホン酸
基、スルホレ酸基、またはカルボン酸基の任意のものの
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア塩ま
たはアミン塩が包含される。
混合誘導体かえられたときは、どのアミン水素が置換さ
れたのかを明言または予言することはふつうはできない
ということを認識すべきである。生成物は、すべての確
率において、異性体化合物類の混合物を含む。
ホルムアルデヒドおよびリンrllkDcPD ビス(
メチルアミン)〔以下仁れをDCPD−BMAと呼ぶ〕
と反応させるときには、生成物は下記の構造式をもつ新
規化合物である。
上記の化合物はすぐれたセメント遅延性をもつことが発
見された。
上記のDCFD誘導体のアミン基の水素のその他の置換
基は有用なキレート剤を生成させるが、少なくとも1個
のメチレンホスホン酸基をもつ化合物またはアルカリ金
属、アルカリ土類金属、アイモニア、もしくはアミンの
塩の誘導体のみがセメント固定化遅延剤として有効でろ
る〇メチレンホスホネート以外の置換分は次の構造式を
もつ化合物を与える。
〔ただし式中において、AXBXXおよびYは水素:C
!〜C6ヒドロキシアルキル基;ヒドロキシエチル−お
よびヒドロキシプロピル−スルホン#基;メチレン−、
エチレン−1およびプロピレン−スルホン酸基二〇、〜
C4アルキルカルボン酸基;ならびに上記の酸訪導体の
任意のもののアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモ
ニア、またはアミンの塩でありうる。ただしこれらのう
ちの基の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基または
その塩でなければならガい。
次の実施例は本発明に有用な化合物の製造を説明するも
のである。
実施例り 水冷還流冷却器、機械的なかくはん機、温度調節器付き
温度計、および添加ローH−備えた500−の丸底反応
フラスコに、脱イオン水(10(1g)およびDCPD
−BMA(49,0g、0.25モル)を秤量して入れ
た。約120gの濃塩酸溶液および98.7.9(1,
20モル)のリン酸を上記の水性アミン溶液に加え、反
応混合物を加熱還流させて1時間保持した。37%ホル
ムアルデヒド溶液(85,1,’y’。
1.05モル)全添加ロートに入れ、2時間にわたって
加えた。この反応混合物を更に2時間加熱還流させてか
ら冷却した。えられた生成物はそれぞれのアざン窒素が
メチレン誘導体であった。
実施例2 0.60モルのリン酸および0.53モルのホルムアル
デヒド水溶液を使用した以外は実施例1の方法をくりか
えした。
えられた生成物は2個のメチレンホスホン酸基置換分が
存在し2個の木葉が置換されないまま残っているDCF
D−BMA誘導体でめった。
実施例a 水容Ll流冷却器、機械的なかくはん機、温度調節器付
き温度計、および添加ロートを備えた5 00Wtの丸
底フラスコに、脱イオン水(40,!i’)およびDC
PD−BMA(24,5g、0.125モル)を秤量し
て入れた。かきまぜながら、苛性溶液(50%溶液10
.1 、!i’ )および3−クロロ−2−ヒドロキシ
−1−プロパンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g、
0.127モル)を加え、反応混合物を85℃で1時間
加熱した。次いで、追加の苛性溶液(50%溶液12.
0 g)および3−クロロ−2−ヒドロキシ−1−プロ
パンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g)を加え、こ
の溶液を85℃で1%時間加熱した。約60gの濃塩酸
溶6iオ、l:ヒ24.7 、!i’ (0,300モ
ル)のリン酸を加え、反応混合物を加熱還流させて1時
間保った。37%ホルムアルデヒド水溶液(21,3g
、 0.263モノ四に’l/hg加ロートに入れて約
1時間Vこわたって添加した。反応7艙物を更に3時間
還流下に加熱してから冷却した。えられた生成物は2個
のメチレンホスホン酸基と2個の2−ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸基−&CCHOHCH25O3Hを含むD
CPD−BMA誘導体であった。
実施例生 0.127モルの3−クロロ−2−ヒドロキシ−1−プ
ロパンスルホン酸ナトリウム塩と37.1 (0,45
0モル)のリン酸と32.0 、!7の37%ホルムア
ルデヒド溶液を使用した以外は実施例3の方法をくりか
えした。えられた生成物は3価のメチレンホスホン酸基
と1伊の2−ヒドロキシプロピルスルホン酸基ヲ宮むD
CPD−BMA誘導体でめった。
実施例5 エチレンオキサイド(11,6,@、0.263モル)
をDCFD−HMA<24.59.0.125モル)と
反応させ、次いでこの生成物を0.300モルのリン酸
およヒ0.263モルのホルムアルデヒド溶液を使用し
て実施例1の方法によりホスホノメチル化した。えられ
た生成物は2個のヒドロキシエチル基と2個のメチレン
ホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめった。
実施例6 7ミyi0.132モルのエチレンオキサイドと反応さ
せ、この反応生成物’i0.450モルのリン酸と0.
394モルのホルムアルデヒド溶液を使用してホスボッ
メチル化した以外は実施例5の方法をくりかえした。え
られた生成物は1個のヒドロキシエチル基と3個のメチ
レンホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめっ
た。
実施例7 プロピレンオキサイド(7,6p 、 0.130モル
)をDCFD−HMA(24,5g、0.125モル)
と反応させ、次いでこの反応生成物を0.450モルの
リンil、!−0,394モルのホルムアルデヒド溶液
を使用して実施例1の方法によりホスホノメチル化した
。えられた生成物はヒドロキシエチル基の代りにヒドロ
キシプロピル基が存在する以外、実施例6と同じでらっ
た。
同様にして、本発明に有用な更に数種の化合物(実施例
8〜11)ならびに本発明の範囲外の数種の類似化合物
(比較例1〜4)を製造した。
これらの化合物の構造を第1表に示す。
これらの各化合物が固定化遅延剤として有用でめるか否
かを駒べるために次の試験を使用した。
L 次の諸成分を秤量: セメント     100g 水         38g 添加剤      0.2II(活性成分物質)2 水
および液体添加剤を混合; a この液にセメントを添加、ボトルt−密封し、振と
うして混合: 表 ボトルをあらかじめ加熱した180下(82℃)の
浴中に入れる: 66時間後および24時間後にセメントの固定化を調べ
それぞれの添加剤との比較のためにブランク(添加剤な
し)の試験も行なった(比較例5)。
次の第夏表はこれらの化合物の試験結果を示すものでめ
(1)HE=ヒドロキシエチル:HP=ヒドロキシプロ
ビル二MP=メチレンホスホン酸:HPf;−ヒドロキ
シプロピルスルホン酸;SA−酢酸ナトリウム;SP−
プロピオン酸ナトリウム二MS−メチレンスルホン酸;
jSHPS=ヒドロキシプロピルスルホン酸ナトリウム
畳畳指示化合物について1種またけそれ以上の異性体が
存在しうろこと、すなわちA、 B、 C,Dの置換弁
は互換性があること、を理解すべきでろる。
蔓本発明の実施例ではない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、水性セメントスラリーに遅延剤を添加することから
    成る水性セメントの固定化を遅延させる方法において;
    該遅延剤が次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
    独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
    )_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
    3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
    H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
    類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
    塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
    なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
    である〕をもつ化合物であることを特徴とする水性セメ
    ントの固定化を遅延させる方法。 2、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
    ルアミン)のテトラメチレンホスホン酸誘導体またはそ
    の塩である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
    ルアミン)の置換分として3個のメチレンホスホン酸基
    またはその塩を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
    ルアミン)の置換分として2個のメチレンホスホン酸基
    またはその塩を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、セメントスラリの温度が少なくとも82℃にある特
    許請求の範囲第1項記載の方法。 6、セメントスラリを油井戸に注入する特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 7、井戸にセメントスラリを注入することによって井戸
    を処理する方法において、セメントスラリが水性セメン
    トスラリに次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
    独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
    )_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
    3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
    H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
    類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
    塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
    なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
    である〕をもつ化合物からなる遅延剤を添加することに
    よって得られたものであることを特徴とする井戸の処理
    方法。 8、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
    独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
    )_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
    3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
    H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
    類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
    塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
    なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
    である〕をもつ化合物からなる遅延剤を加えた水性セメ
    ントスラリで処理することによって製造した井戸。
JP14248184A 1983-07-14 1984-07-11 ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 Pending JPS6126539A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE8302516,A NL187416C (nl) 1983-07-14 1983-07-14 Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
NL8302516 1983-07-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6126539A true JPS6126539A (ja) 1986-02-05

Family

ID=19842158

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14248184A Pending JPS6126539A (ja) 1983-07-14 1984-07-11 ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物
JP59142479A Granted JPS6057677A (ja) 1983-07-14 1984-07-11 放射感応半導体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59142479A Granted JPS6057677A (ja) 1983-07-14 1984-07-11 放射感応半導体装置

Country Status (12)

Country Link
US (1) US4652899A (ja)
JP (2) JPS6126539A (ja)
AT (1) AT392704B (ja)
AU (1) AU3057484A (ja)
CA (1) CA1243103A (ja)
DE (1) DE3425309C2 (ja)
ES (1) ES8505144A1 (ja)
FR (1) FR2549295B1 (ja)
GB (1) GB2143373B (ja)
IT (1) IT1176383B (ja)
NL (1) NL187416C (ja)
SE (2) SE460002B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2628562A1 (fr) * 1988-03-11 1989-09-15 Thomson Csf Dispositif d'imagerie a structure matricielle
US5049962A (en) * 1990-03-07 1991-09-17 Santa Barbara Research Center Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions
JP2711038B2 (ja) * 1991-11-20 1998-02-10 富士通株式会社 光検知装置
EP2287917B1 (en) 1999-02-25 2016-05-25 Canon Kabushiki Kaisha Light-receiving element and photoelectric conversion device
JP3467013B2 (ja) 1999-12-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6960817B2 (en) * 2000-04-21 2005-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device
RU2290721C2 (ru) 2004-05-05 2006-12-27 Борис Анатольевич Долгошеин Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя
JP2009525619A (ja) * 2006-02-01 2009-07-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ガイガーモード・アバランシェ・フォトダイオード
US8829453B2 (en) * 2009-06-05 2014-09-09 Rti Electronics Ab X-ray detection device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1072080A (en) * 1965-12-31 1967-06-14 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to semiconductor devices
US3501678A (en) * 1967-06-28 1970-03-17 Ortec Tapered-shelf semiconductor
US3832732A (en) * 1973-01-11 1974-08-27 Westinghouse Electric Corp Light-activated lateral thyristor and ac switch
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
DE2927126A1 (de) * 1979-07-05 1981-01-08 Standard Elektrik Lorenz Ag Photodiode
US4394676A (en) * 1980-12-17 1983-07-19 Agouridis Dimitrios C Photovoltaic radiation detector element

Also Published As

Publication number Publication date
AT392704B (de) 1991-05-27
JPS6057677A (ja) 1985-04-03
CA1243103A (en) 1988-10-11
DE3425309A1 (de) 1985-01-24
GB2143373B (en) 1986-11-12
IT8421834A0 (it) 1984-07-11
SE8403661L (sv) 1985-01-15
SE8403661D0 (sv) 1984-07-11
DE3425309C2 (de) 1994-02-10
FR2549295B1 (fr) 1987-07-31
NL8302516A (nl) 1985-02-01
IT1176383B (it) 1987-08-18
IT8421834A1 (it) 1986-01-11
GB2143373A (en) 1985-02-06
US4652899A (en) 1987-03-24
ES534204A0 (es) 1985-04-16
NL187416C (nl) 1991-09-16
ATA225484A (de) 1990-10-15
AU3057484A (en) 1985-01-17
ES8505144A1 (es) 1985-04-16
GB8417670D0 (en) 1984-08-15
NL187416B (nl) 1991-04-16
SE460002B (sv) 1989-08-28
FR2549295A1 (fr) 1985-01-18
JPH0527997B2 (ja) 1993-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5417759A (en) Set retarding additive for cement slurries
US4466836A (en) Set retarding compounds for use in cement slurries
US4472200A (en) New additives for retarding setting of cement from methylenephosphonated aminohydrocarbylpiperazine-urea adducts
US4468252A (en) Set retarding additives for cement from aminomethylenephosphonic acid derivatives
JPS6126540A (ja) アミノメチレンホスホン酸誘導体から成るセメント固定化遅延添加剤
US5879445A (en) Thinners for aqueous suspensions of mineral particles and hydraulic binder pastes
CA1241029A (en) Set delayed cement compositions and method of using the same
EP1060147B1 (en) Retarding systems and application to oil well cementing
JPS6126539A (ja) ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物
US4500356A (en) Methylenephosphonic acid derivatives of bis(aminoalkyl)piperazines as cement set retarding agents
EP0166797A1 (en) Cement compositions containing set retarders
EP0177308A2 (en) Well cementing methods and compositions
GB1058056A (en) Improvements relating to oil-in-water asphalt emulsions
GB2157279A (en) Well treating composition
EP0154474B1 (en) Bis(aminoalkyl)piperazine derivatives and their use as metal ion control agents and cement set retarding agents
US2416035A (en) Gypsum compositions capable of setting at elevated temperatures
CA1234582A (en) Cement compositions containing set retarders
CA1228080A (en) Set retarding additives for cement from aminomethylenephosphonic acid derivatives
CA1223280A (en) Set retarding compounds for use in cement slurries
NO842634L (no) Fremgangsmaate til aa retardere stivningen av vandige sement-vellinger.
US2674320A (en) Retarded set cement slurry
EP0172282A1 (en) The use of polymeric alkylenephosphoric acid piperazine derivatives as set retarding compounds for use in cement slurries
WO1986001194A1 (en) Polymeric alkylenephosphoric acid piperazine derivatives as set retarding compounds for use in cement slurries
NO842635L (no) Fremgangsmaate til aa retardere stivningen av vandige sementvellinger.
CA1216742A (en) Well treating process and composition