JPS6126539A - ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 - Google Patents
ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物Info
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- 239000004568 cement Substances 0.000 title claims description 37
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical class C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 10
- -1 alkali metal salts Chemical class 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 14
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 10
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical class N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000003129 oil well Substances 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutylphosphonic acid Chemical class OP(O)(=O)CCCCP(O)(O)=O JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011398 Portland cement Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- TZLNJNUWVOGZJU-UHFFFAOYSA-M sodium;3-chloro-2-hydroxypropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].ClCC(O)CS([O-])(=O)=O TZLNJNUWVOGZJU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 3
- HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical group CC(O)CS(O)(=O)=O HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical group OCCCS(O)(=O)=O WQPMYSHJKXVTME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TTZMPOZCBFTTPR-UHFFFAOYSA-N O=P1OCO1 Chemical group O=P1OCO1 TTZMPOZCBFTTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical class [H]O* 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- VQVUBYASAICPFU-UHFFFAOYSA-N (6'-acetyloxy-2',7'-dichloro-3-oxospiro[2-benzofuran-1,9'-xanthene]-3'-yl) acetate Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC(Cl)=C(OC(C)=O)C=C1OC1=C2C=C(Cl)C(OC(=O)C)=C1 VQVUBYASAICPFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEAKEDLKWXPWEN-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylsulfonyl)propan-1-ol Chemical compound OCCCS(=O)(=O)CCCO ZEAKEDLKWXPWEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPXQRXLUHJKZIE-UHFFFAOYSA-N 8-azaguanine Chemical compound NC1=NC(O)=C2NN=NC2=N1 LPXQRXLUHJKZIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N Dicyclopentadiene Chemical compound C1C2C3CC=CC3C1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 102000011782 Keratins Human genes 0.000 description 1
- 108010076876 Keratins Proteins 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical class [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001570 bauxite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical group CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011396 hydraulic cement Substances 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical group OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005610 lignin Polymers 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004324 sodium propionate Substances 0.000 description 1
- 229960003212 sodium propionate Drugs 0.000 description 1
- 235000010334 sodium propionate Nutrition 0.000 description 1
- CSKVLUWCGPWCQR-UHFFFAOYSA-M sodium;3-hydroxypropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].OCCCS([O-])(=O)=O CSKVLUWCGPWCQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical class [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K trisodium;hydroxy-[[phosphonatomethyl(phosphonomethyl)amino]methyl]phosphinate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].OP(O)(=O)CN(CP(O)([O-])=O)CP([O-])([O-])=O SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジシクロペンタジェンのビス(メチルアミン)
から誘導された化合物である特殊な固定化遅延剤を営む
水性液圧セメントスラリ組成物に関する。
から誘導された化合物である特殊な固定化遅延剤を営む
水性液圧セメントスラリ組成物に関する。
疎水性置換のホスホン酸もしくはホスフィノ酸ならびに
それらのアルカリ金属塩は凍結−解凍性および塩抵抗を
改良するためにセメント類、主として土壌/セメント混
合物に使用されていた。6〜18個の炭素のアルキルポ
スポン酸またはそのアルカリ金属塩は米国特許第3,7
94.506号にそのように記載されている。ポートラ
ンドセメントと固定化時間延長剤としての1−ヒドロキ
シエチリデンポスホン酸トリナトリウム塩またはトリカ
リウム塩とから成る高温の油およびガスの井戸用の充て
ん混合物はソ連特許第640.019号についてのダー
ウェントアブストラクト71376B/39 <x9i
ci)に記載されている。このアブストラクトにはこれ
らのホスホネート塩を75〜150℃の温度において0
.1〜0.3重量%の量で使用する仁とが記載されて−
る。
それらのアルカリ金属塩は凍結−解凍性および塩抵抗を
改良するためにセメント類、主として土壌/セメント混
合物に使用されていた。6〜18個の炭素のアルキルポ
スポン酸またはそのアルカリ金属塩は米国特許第3,7
94.506号にそのように記載されている。ポートラ
ンドセメントと固定化時間延長剤としての1−ヒドロキ
シエチリデンポスホン酸トリナトリウム塩またはトリカ
リウム塩とから成る高温の油およびガスの井戸用の充て
ん混合物はソ連特許第640.019号についてのダー
ウェントアブストラクト71376B/39 <x9i
ci)に記載されている。このアブストラクトにはこれ
らのホスホネート塩を75〜150℃の温度において0
.1〜0.3重量%の量で使用する仁とが記載されて−
る。
その他の有機リン酸誘導体が乱流誘起用およびフロー特
性改良の添加剤としてセメント組成物中の有用な添加剤
であることも教示されてφる(それぞれ米国特許第3.
964゜921号および同第4,040,854号)。
性改良の添加剤としてセメント組成物中の有用な添加剤
であることも教示されてφる(それぞれ米国特許第3.
964゜921号および同第4,040,854号)。
別の乱流誘起剤は尿素の熱分解生成物およびビス(アル
キレンピロホスフェ−トンである(米国特許第3.40
9,080号)。
キレンピロホスフェ−トンである(米国特許第3.40
9,080号)。
アルキレンジホスホン酸およびその可溶性塩はギプスプ
ラスターの固定化時間延長剤および水減少剤であると記
載されている(米国特許第4225.361号)。エー
テル結合によりホスホノアルキル化したリグニンまたは
対応するスルホネート、サルファイド、ヒドロキシルま
たはアミンの誘導体は主として分散剤または表面活性剤
として有用でらると記載され(米国特許第3,865,
803号)、また特定用途を示すことなしに”セメント
添加剤″としても有用でらるとiわれている。
ラスターの固定化時間延長剤および水減少剤であると記
載されている(米国特許第4225.361号)。エー
テル結合によりホスホノアルキル化したリグニンまたは
対応するスルホネート、サルファイド、ヒドロキシルま
たはアミンの誘導体は主として分散剤または表面活性剤
として有用でらると記載され(米国特許第3,865,
803号)、また特定用途を示すことなしに”セメント
添加剤″としても有用でらるとiわれている。
種々の酸塩添加剤を含む超迅速硬化ポートランドセメン
ト組成物が記載されている(米国特許第4066.46
9号)。
ト組成物が記載されている(米国特許第4066.46
9号)。
酸ホスフェートを酸塩として使用することは、これらの
ホスフェートがこれらに特有の特徴的な強力な遅延性を
もつために、除外されている。
ホスフェートがこれらに特有の特徴的な強力な遅延性を
もつために、除外されている。
油井に使用するセメントの大部分はポートランドセメン
トでるるといわれる。ボートランドセメントは石灰石、
粘土、頁岩、およびスラッグから成る粗原料をロータリ
ーキルン中で2,600〜2,800″Fで収部するこ
とによって製造される。
トでるるといわれる。ボートランドセメントは石灰石、
粘土、頁岩、およびスラッグから成る粗原料をロータリ
ーキルン中で2,600〜2,800″Fで収部するこ
とによって製造される。
生成物を冷却して少量割合の石膏と相互粉砕してボート
ランドセメントとする。上記の粗原料のほかに、他の成
分たとえば砂、ボーキサイト、酸化鉄などを加えてその
化学組成を所望の種類のボートランドセメントに応じて
調節することもできる。
ランドセメントとする。上記の粗原料のほかに、他の成
分たとえば砂、ボーキサイト、酸化鉄などを加えてその
化学組成を所望の種類のボートランドセメントに応じて
調節することもできる。
蚊終のポート2ンドセメントの主な成分辻石灰、シリカ
、アルミナおよび鉄でるる。これらの成分は次の複合化
合物類を形成するニトリカルシウムアルミネート<3C
a0・11.0.)、5−トラカルシウムアルミノフェ
ライト(4CaO・AA!!()8 ・Fetos )
、Fリカルシウムシリフート(3CcLO・5iOv)
、およびリカルシウムシリフート(2CaO−8iO2
)。
、アルミナおよび鉄でるる。これらの成分は次の複合化
合物類を形成するニトリカルシウムアルミネート<3C
a0・11.0.)、5−トラカルシウムアルミノフェ
ライト(4CaO・AA!!()8 ・Fetos )
、Fリカルシウムシリフート(3CcLO・5iOv)
、およびリカルシウムシリフート(2CaO−8iO2
)。
セメントに水を加えると、固定化および硬化が直ちに始
まる。セメント中の化学化合物類は水和および再結晶の
処理を受けて固定化生成物となる。油井用セメントに使
用しうる水の最大量は固体分離の起る以前に加えうる量
でおる。
まる。セメント中の化学化合物類は水和および再結晶の
処理を受けて固定化生成物となる。油井用セメントに使
用しうる水の最大量は固体分離の起る以前に加えうる量
でおる。
水の最小量線スラリをポンプ給送性にするに必要な量で
ろる。それ故、通常の場合の水の比′4−は特定の種類
のセメントについての最大および最小の限界値によって
支配される。
ろる。それ故、通常の場合の水の比′4−は特定の種類
のセメントについての最大および最小の限界値によって
支配される。
粘稠化時間はセメントが油井中にポンプ給送可能な状態
にとどする時間である。これは油井用セメン、トの最も
重要な性質でるる。粘稠化時間線所定の場所にポンプ給
送するに十分な長さで必るべきであり、また操業を迅速
に再開させるに十分な短かさであるべきである。一般に
、必要な配置時間プラス安定係数として3時間が与えら
れる。
にとどする時間である。これは油井用セメン、トの最も
重要な性質でるる。粘稠化時間線所定の場所にポンプ給
送するに十分な長さで必るべきであり、また操業を迅速
に再開させるに十分な短かさであるべきである。一般に
、必要な配置時間プラス安定係数として3時間が与えら
れる。
その他の因子たとえば流動性喪失、粘度および密度も考
慮に入れなけれはならず、そしてこれらの因子のそれぞ
れにならびに上述の固定化もしくは粘稠化の時間の因子
に影響を及ぼす添加剤は当業者に周仰である。固定化時
間に及ぼす影響をもつ別のパラメータは温度である。セ
メントレ温度上昇につれてより迅速に固定化する。井戸
の深さが大きくなるにつれて温度が上昇するので、深い
井戸にセメントをポンプ給送するときには特にこの仁と
に社章を払わなけれはならない。温度はまたセメントの
強度にも影響を及ぼし、温度が上昇するにつれて強度は
小さくなる。
慮に入れなけれはならず、そしてこれらの因子のそれぞ
れにならびに上述の固定化もしくは粘稠化の時間の因子
に影響を及ぼす添加剤は当業者に周仰である。固定化時
間に及ぼす影響をもつ別のパラメータは温度である。セ
メントレ温度上昇につれてより迅速に固定化する。井戸
の深さが大きくなるにつれて温度が上昇するので、深い
井戸にセメントをポンプ給送するときには特にこの仁と
に社章を払わなけれはならない。温度はまたセメントの
強度にも影響を及ぼし、温度が上昇するにつれて強度は
小さくなる。
この11“、Xのために、深い井戸に使用するセメント
の固定化を遅らせることがM要である。
の固定化を遅らせることがM要である。
おる種の新規なホスホノメチル化化合物が水性セメント
スラリ中で固定化遅延添加剤として有用であることが今
や発見された。これらの化合物の−くつかはキレート剤
でめるが、その他は水溶液からの金属イオンの沈殿を遅
延させる量刑として有用である。然し、このような化合
物類のすべてがセメント固定化遅延剤として有用と−う
わけではない。
スラリ中で固定化遅延添加剤として有用であることが今
や発見された。これらの化合物の−くつかはキレート剤
でめるが、その他は水溶液からの金属イオンの沈殿を遅
延させる量刑として有用である。然し、このような化合
物類のすべてがセメント固定化遅延剤として有用と−う
わけではない。
本発明においてセメント固定化遅延剤として有用な化合
物は次式tもつものでるる。
物は次式tもつものでるる。
〔ただし式中において、A%ESCおよびDの置換分は
それぞれ独立に水素、CHAP 0sHt (メチレン
ホスホン酸基]、(C&)nOH(nは1〜4)、−C
H2CHOH8O3H(ヒドロキシエチルスルホン酸基
)、C11tCHO1iCHtSOsll(ヒドロキシ
プロピルスルホン酸基) 、−(CJI2) nC00
H(nは1〜3)ならびに上記のホスホン酸、スルホン
酸またはカルボン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金
属塩、アンモニア塩、およびアミン塩であるが、上記置
換分の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基またはそ
の塩である。〕すべてのジシクロペンタジェンビス(メ
チルアミンン(DCPD−BMA3誘導体が同じ目的に
有用であるわけではないことがわかった。すなわち、少
なくとも1個のメチレンホスホン酸基を含む限られた僅
かなもののみがセメントの固定化遅延剤として有効でろ
るにすぎない。メチレンホスホン酸基を含むものでさえ
、ある種の他の基か存在すれは無効である。すなわち、
たとえば1個のメチレンスルホン酸基と3個のメチレン
ホスホン酸基を富むDCFD−HMA誘導体は試験粂件
下でセメントの固定化を遅延させない。
それぞれ独立に水素、CHAP 0sHt (メチレン
ホスホン酸基]、(C&)nOH(nは1〜4)、−C
H2CHOH8O3H(ヒドロキシエチルスルホン酸基
)、C11tCHO1iCHtSOsll(ヒドロキシ
プロピルスルホン酸基) 、−(CJI2) nC00
H(nは1〜3)ならびに上記のホスホン酸、スルホン
酸またはカルボン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金
属塩、アンモニア塩、およびアミン塩であるが、上記置
換分の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基またはそ
の塩である。〕すべてのジシクロペンタジェンビス(メ
チルアミンン(DCPD−BMA3誘導体が同じ目的に
有用であるわけではないことがわかった。すなわち、少
なくとも1個のメチレンホスホン酸基を含む限られた僅
かなもののみがセメントの固定化遅延剤として有効でろ
るにすぎない。メチレンホスホン酸基を含むものでさえ
、ある種の他の基か存在すれは無効である。すなわち、
たとえば1個のメチレンスルホン酸基と3個のメチレン
ホスホン酸基を富むDCFD−HMA誘導体は試験粂件
下でセメントの固定化を遅延させない。
そのように使用される化合物はアミン窒素の置換基とし
て少なくとも1個のメチレンホスホネート基を含壕なけ
れにならないけれども、める種の他の基が存在してもよ
い。
て少なくとも1個のメチレンホスホネート基を含壕なけ
れにならないけれども、める種の他の基が存在してもよ
い。
換言すれば残余のアミンリ素り置換されていなくてもよ
い。
い。
メチレンホスホン酸基以外の置換基にLアルカノール基
(そのアルキル基は1〜4個の炭素原子を含む]、アル
キルカルボン酸基(そのアルキル基は2〜4個の炭素原
子を含b) 、ヒドロキシエチルスルホン酸基、ヒドロ
キシプロピルスルホン酸基、ならびに上記のホスホン酸
基、スルホレ酸基、またはカルボン酸基の任意のものの
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア塩ま
たはアミン塩が包含される。
(そのアルキル基は1〜4個の炭素原子を含む]、アル
キルカルボン酸基(そのアルキル基は2〜4個の炭素原
子を含b) 、ヒドロキシエチルスルホン酸基、ヒドロ
キシプロピルスルホン酸基、ならびに上記のホスホン酸
基、スルホレ酸基、またはカルボン酸基の任意のものの
アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア塩ま
たはアミン塩が包含される。
混合誘導体かえられたときは、どのアミン水素が置換さ
れたのかを明言または予言することはふつうはできない
ということを認識すべきである。生成物は、すべての確
率において、異性体化合物類の混合物を含む。
れたのかを明言または予言することはふつうはできない
ということを認識すべきである。生成物は、すべての確
率において、異性体化合物類の混合物を含む。
ホルムアルデヒドおよびリンrllkDcPD ビス(
メチルアミン)〔以下仁れをDCPD−BMAと呼ぶ〕
と反応させるときには、生成物は下記の構造式をもつ新
規化合物である。
メチルアミン)〔以下仁れをDCPD−BMAと呼ぶ〕
と反応させるときには、生成物は下記の構造式をもつ新
規化合物である。
上記の化合物はすぐれたセメント遅延性をもつことが発
見された。
見された。
上記のDCFD誘導体のアミン基の水素のその他の置換
基は有用なキレート剤を生成させるが、少なくとも1個
のメチレンホスホン酸基をもつ化合物またはアルカリ金
属、アルカリ土類金属、アイモニア、もしくはアミンの
塩の誘導体のみがセメント固定化遅延剤として有効でろ
る〇メチレンホスホネート以外の置換分は次の構造式を
もつ化合物を与える。
基は有用なキレート剤を生成させるが、少なくとも1個
のメチレンホスホン酸基をもつ化合物またはアルカリ金
属、アルカリ土類金属、アイモニア、もしくはアミンの
塩の誘導体のみがセメント固定化遅延剤として有効でろ
る〇メチレンホスホネート以外の置換分は次の構造式を
もつ化合物を与える。
〔ただし式中において、AXBXXおよびYは水素:C
!〜C6ヒドロキシアルキル基;ヒドロキシエチル−お
よびヒドロキシプロピル−スルホン#基;メチレン−、
エチレン−1およびプロピレン−スルホン酸基二〇、〜
C4アルキルカルボン酸基;ならびに上記の酸訪導体の
任意のもののアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモ
ニア、またはアミンの塩でありうる。ただしこれらのう
ちの基の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基または
その塩でなければならガい。
!〜C6ヒドロキシアルキル基;ヒドロキシエチル−お
よびヒドロキシプロピル−スルホン#基;メチレン−、
エチレン−1およびプロピレン−スルホン酸基二〇、〜
C4アルキルカルボン酸基;ならびに上記の酸訪導体の
任意のもののアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモ
ニア、またはアミンの塩でありうる。ただしこれらのう
ちの基の少なくとも1つはメチレンホスホン酸基または
その塩でなければならガい。
次の実施例は本発明に有用な化合物の製造を説明するも
のである。
のである。
実施例り
水冷還流冷却器、機械的なかくはん機、温度調節器付き
温度計、および添加ローH−備えた500−の丸底反応
フラスコに、脱イオン水(10(1g)およびDCPD
−BMA(49,0g、0.25モル)を秤量して入れ
た。約120gの濃塩酸溶液および98.7.9(1,
20モル)のリン酸を上記の水性アミン溶液に加え、反
応混合物を加熱還流させて1時間保持した。37%ホル
ムアルデヒド溶液(85,1,’y’。
温度計、および添加ローH−備えた500−の丸底反応
フラスコに、脱イオン水(10(1g)およびDCPD
−BMA(49,0g、0.25モル)を秤量して入れ
た。約120gの濃塩酸溶液および98.7.9(1,
20モル)のリン酸を上記の水性アミン溶液に加え、反
応混合物を加熱還流させて1時間保持した。37%ホル
ムアルデヒド溶液(85,1,’y’。
1.05モル)全添加ロートに入れ、2時間にわたって
加えた。この反応混合物を更に2時間加熱還流させてか
ら冷却した。えられた生成物はそれぞれのアざン窒素が
メチレン誘導体であった。
加えた。この反応混合物を更に2時間加熱還流させてか
ら冷却した。えられた生成物はそれぞれのアざン窒素が
メチレン誘導体であった。
実施例2
0.60モルのリン酸および0.53モルのホルムアル
デヒド水溶液を使用した以外は実施例1の方法をくりか
えした。
デヒド水溶液を使用した以外は実施例1の方法をくりか
えした。
えられた生成物は2個のメチレンホスホン酸基置換分が
存在し2個の木葉が置換されないまま残っているDCF
D−BMA誘導体でめった。
存在し2個の木葉が置換されないまま残っているDCF
D−BMA誘導体でめった。
実施例a
水容Ll流冷却器、機械的なかくはん機、温度調節器付
き温度計、および添加ロートを備えた5 00Wtの丸
底フラスコに、脱イオン水(40,!i’)およびDC
PD−BMA(24,5g、0.125モル)を秤量し
て入れた。かきまぜながら、苛性溶液(50%溶液10
.1 、!i’ )および3−クロロ−2−ヒドロキシ
−1−プロパンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g、
0.127モル)を加え、反応混合物を85℃で1時間
加熱した。次いで、追加の苛性溶液(50%溶液12.
0 g)および3−クロロ−2−ヒドロキシ−1−プロ
パンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g)を加え、こ
の溶液を85℃で1%時間加熱した。約60gの濃塩酸
溶6iオ、l:ヒ24.7 、!i’ (0,300モ
ル)のリン酸を加え、反応混合物を加熱還流させて1時
間保った。37%ホルムアルデヒド水溶液(21,3g
、 0.263モノ四に’l/hg加ロートに入れて約
1時間Vこわたって添加した。反応7艙物を更に3時間
還流下に加熱してから冷却した。えられた生成物は2個
のメチレンホスホン酸基と2個の2−ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸基−&CCHOHCH25O3Hを含むD
CPD−BMA誘導体であった。
き温度計、および添加ロートを備えた5 00Wtの丸
底フラスコに、脱イオン水(40,!i’)およびDC
PD−BMA(24,5g、0.125モル)を秤量し
て入れた。かきまぜながら、苛性溶液(50%溶液10
.1 、!i’ )および3−クロロ−2−ヒドロキシ
−1−プロパンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g、
0.127モル)を加え、反応混合物を85℃で1時間
加熱した。次いで、追加の苛性溶液(50%溶液12.
0 g)および3−クロロ−2−ヒドロキシ−1−プロ
パンスルホン酸ナトリウム塩(25,0g)を加え、こ
の溶液を85℃で1%時間加熱した。約60gの濃塩酸
溶6iオ、l:ヒ24.7 、!i’ (0,300モ
ル)のリン酸を加え、反応混合物を加熱還流させて1時
間保った。37%ホルムアルデヒド水溶液(21,3g
、 0.263モノ四に’l/hg加ロートに入れて約
1時間Vこわたって添加した。反応7艙物を更に3時間
還流下に加熱してから冷却した。えられた生成物は2個
のメチレンホスホン酸基と2個の2−ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸基−&CCHOHCH25O3Hを含むD
CPD−BMA誘導体であった。
実施例生
0.127モルの3−クロロ−2−ヒドロキシ−1−プ
ロパンスルホン酸ナトリウム塩と37.1 (0,45
0モル)のリン酸と32.0 、!7の37%ホルムア
ルデヒド溶液を使用した以外は実施例3の方法をくりか
えした。えられた生成物は3価のメチレンホスホン酸基
と1伊の2−ヒドロキシプロピルスルホン酸基ヲ宮むD
CPD−BMA誘導体でめった。
ロパンスルホン酸ナトリウム塩と37.1 (0,45
0モル)のリン酸と32.0 、!7の37%ホルムア
ルデヒド溶液を使用した以外は実施例3の方法をくりか
えした。えられた生成物は3価のメチレンホスホン酸基
と1伊の2−ヒドロキシプロピルスルホン酸基ヲ宮むD
CPD−BMA誘導体でめった。
実施例5
エチレンオキサイド(11,6,@、0.263モル)
をDCFD−HMA<24.59.0.125モル)と
反応させ、次いでこの生成物を0.300モルのリン酸
およヒ0.263モルのホルムアルデヒド溶液を使用し
て実施例1の方法によりホスホノメチル化した。えられ
た生成物は2個のヒドロキシエチル基と2個のメチレン
ホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめった。
をDCFD−HMA<24.59.0.125モル)と
反応させ、次いでこの生成物を0.300モルのリン酸
およヒ0.263モルのホルムアルデヒド溶液を使用し
て実施例1の方法によりホスホノメチル化した。えられ
た生成物は2個のヒドロキシエチル基と2個のメチレン
ホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめった。
実施例6
7ミyi0.132モルのエチレンオキサイドと反応さ
せ、この反応生成物’i0.450モルのリン酸と0.
394モルのホルムアルデヒド溶液を使用してホスボッ
メチル化した以外は実施例5の方法をくりかえした。え
られた生成物は1個のヒドロキシエチル基と3個のメチ
レンホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめっ
た。
せ、この反応生成物’i0.450モルのリン酸と0.
394モルのホルムアルデヒド溶液を使用してホスボッ
メチル化した以外は実施例5の方法をくりかえした。え
られた生成物は1個のヒドロキシエチル基と3個のメチ
レンホスホン酸基を含むDCPD−BMA誘導体でめっ
た。
実施例7
プロピレンオキサイド(7,6p 、 0.130モル
)をDCFD−HMA(24,5g、0.125モル)
と反応させ、次いでこの反応生成物を0.450モルの
リンil、!−0,394モルのホルムアルデヒド溶液
を使用して実施例1の方法によりホスホノメチル化した
。えられた生成物はヒドロキシエチル基の代りにヒドロ
キシプロピル基が存在する以外、実施例6と同じでらっ
た。
)をDCFD−HMA(24,5g、0.125モル)
と反応させ、次いでこの反応生成物を0.450モルの
リンil、!−0,394モルのホルムアルデヒド溶液
を使用して実施例1の方法によりホスホノメチル化した
。えられた生成物はヒドロキシエチル基の代りにヒドロ
キシプロピル基が存在する以外、実施例6と同じでらっ
た。
同様にして、本発明に有用な更に数種の化合物(実施例
8〜11)ならびに本発明の範囲外の数種の類似化合物
(比較例1〜4)を製造した。
8〜11)ならびに本発明の範囲外の数種の類似化合物
(比較例1〜4)を製造した。
これらの化合物の構造を第1表に示す。
これらの各化合物が固定化遅延剤として有用でめるか否
かを駒べるために次の試験を使用した。
かを駒べるために次の試験を使用した。
L 次の諸成分を秤量:
セメント 100g
水 38g
添加剤 0.2II(活性成分物質)2 水
および液体添加剤を混合; a この液にセメントを添加、ボトルt−密封し、振と
うして混合: 表 ボトルをあらかじめ加熱した180下(82℃)の
浴中に入れる: 66時間後および24時間後にセメントの固定化を調べ
それぞれの添加剤との比較のためにブランク(添加剤な
し)の試験も行なった(比較例5)。
および液体添加剤を混合; a この液にセメントを添加、ボトルt−密封し、振と
うして混合: 表 ボトルをあらかじめ加熱した180下(82℃)の
浴中に入れる: 66時間後および24時間後にセメントの固定化を調べ
それぞれの添加剤との比較のためにブランク(添加剤な
し)の試験も行なった(比較例5)。
次の第夏表はこれらの化合物の試験結果を示すものでめ
(1)HE=ヒドロキシエチル:HP=ヒドロキシプロ
ビル二MP=メチレンホスホン酸:HPf;−ヒドロキ
シプロピルスルホン酸;SA−酢酸ナトリウム;SP−
プロピオン酸ナトリウム二MS−メチレンスルホン酸;
jSHPS=ヒドロキシプロピルスルホン酸ナトリウム
。
(1)HE=ヒドロキシエチル:HP=ヒドロキシプロ
ビル二MP=メチレンホスホン酸:HPf;−ヒドロキ
シプロピルスルホン酸;SA−酢酸ナトリウム;SP−
プロピオン酸ナトリウム二MS−メチレンスルホン酸;
jSHPS=ヒドロキシプロピルスルホン酸ナトリウム
。
畳畳指示化合物について1種またけそれ以上の異性体が
存在しうろこと、すなわちA、 B、 C,Dの置換弁
は互換性があること、を理解すべきでろる。
存在しうろこと、すなわちA、 B、 C,Dの置換弁
は互換性があること、を理解すべきでろる。
蔓本発明の実施例ではない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、水性セメントスラリーに遅延剤を添加することから
成る水性セメントの固定化を遅延させる方法において;
該遅延剤が次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
)_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
である〕をもつ化合物であることを特徴とする水性セメ
ントの固定化を遅延させる方法。 2、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
ルアミン)のテトラメチレンホスホン酸誘導体またはそ
の塩である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
ルアミン)の置換分として3個のメチレンホスホン酸基
またはその塩を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、使用する化合物がジシクロペンタジエンビス(メチ
ルアミン)の置換分として2個のメチレンホスホン酸基
またはその塩を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、セメントスラリの温度が少なくとも82℃にある特
許請求の範囲第1項記載の方法。 6、セメントスラリを油井戸に注入する特許請求の範囲
第1項記載の方法。 7、井戸にセメントスラリを注入することによって井戸
を処理する方法において、セメントスラリが水性セメン
トスラリに次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
)_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
である〕をもつ化合物からなる遅延剤を添加することに
よって得られたものであることを特徴とする井戸の処理
方法。 8、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし式中において、A、B、CおよびDの置換分は
独立に水素、−CH_2PO_3H_2、−(CH_2
)_nOH(nは1〜4)、−CH_2CHOHSO_
3H、−CH_2CHOHCH_2SO_3H、−(C
H_2)_nCOOH(nは1〜3)、および上記の酸
類のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニア
塩、およびアミン塩からえらばれるが、上記置換分の少
なくとも1つは−CH_2PO_3H_2またはその塩
である〕をもつ化合物からなる遅延剤を加えた水性セメ
ントスラリで処理することによって製造した井戸。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE8302516,A NL187416C (nl) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
NL8302516 | 1983-07-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6126539A true JPS6126539A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=19842158
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14248184A Pending JPS6126539A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | ジシクロペンタジエン誘導体を基材とする固定化遅延剤を含有するセメント組成物 |
JP59142479A Granted JPS6057677A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | 放射感応半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59142479A Granted JPS6057677A (ja) | 1983-07-14 | 1984-07-11 | 放射感応半導体装置 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4652899A (ja) |
JP (2) | JPS6126539A (ja) |
AT (1) | AT392704B (ja) |
AU (1) | AU3057484A (ja) |
CA (1) | CA1243103A (ja) |
DE (1) | DE3425309C2 (ja) |
ES (1) | ES8505144A1 (ja) |
FR (1) | FR2549295B1 (ja) |
GB (1) | GB2143373B (ja) |
IT (1) | IT1176383B (ja) |
NL (1) | NL187416C (ja) |
SE (2) | SE460002B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2628562A1 (fr) * | 1988-03-11 | 1989-09-15 | Thomson Csf | Dispositif d'imagerie a structure matricielle |
US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
JP2711038B2 (ja) * | 1991-11-20 | 1998-02-10 | 富士通株式会社 | 光検知装置 |
EP2287917B1 (en) | 1999-02-25 | 2016-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving element and photoelectric conversion device |
JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US6960817B2 (en) * | 2000-04-21 | 2005-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device |
RU2290721C2 (ru) | 2004-05-05 | 2006-12-27 | Борис Анатольевич Долгошеин | Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя |
JP2009525619A (ja) * | 2006-02-01 | 2009-07-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガイガーモード・アバランシェ・フォトダイオード |
US8829453B2 (en) * | 2009-06-05 | 2014-09-09 | Rti Electronics Ab | X-ray detection device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1072080A (en) * | 1965-12-31 | 1967-06-14 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to semiconductor devices |
US3501678A (en) * | 1967-06-28 | 1970-03-17 | Ortec | Tapered-shelf semiconductor |
US3832732A (en) * | 1973-01-11 | 1974-08-27 | Westinghouse Electric Corp | Light-activated lateral thyristor and ac switch |
US3994012A (en) * | 1975-05-07 | 1976-11-23 | The Regents Of The University Of Minnesota | Photovoltaic semi-conductor devices |
DE2927126A1 (de) * | 1979-07-05 | 1981-01-08 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Photodiode |
US4394676A (en) * | 1980-12-17 | 1983-07-19 | Agouridis Dimitrios C | Photovoltaic radiation detector element |
-
1983
- 1983-07-14 NL NLAANVRAGE8302516,A patent/NL187416C/xx not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-07-02 US US06/627,309 patent/US4652899A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-06 FR FR8410787A patent/FR2549295B1/fr not_active Expired
- 1984-07-10 DE DE3425309A patent/DE3425309C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-11 SE SE8403661A patent/SE460002B/sv not_active IP Right Cessation
- 1984-07-11 GB GB08417670A patent/GB2143373B/en not_active Expired
- 1984-07-11 JP JP14248184A patent/JPS6126539A/ja active Pending
- 1984-07-11 IT IT21834/84A patent/IT1176383B/it active
- 1984-07-11 ES ES534204A patent/ES8505144A1/es not_active Expired
- 1984-07-11 JP JP59142479A patent/JPS6057677A/ja active Granted
- 1984-07-11 SE SE8403661D patent/SE8403661L/xx not_active Application Discontinuation
- 1984-07-11 CA CA000458633A patent/CA1243103A/en not_active Expired
- 1984-07-12 AT AT2254/84A patent/AT392704B/de not_active IP Right Cessation
- 1984-07-13 AU AU30574/84A patent/AU3057484A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT392704B (de) | 1991-05-27 |
JPS6057677A (ja) | 1985-04-03 |
CA1243103A (en) | 1988-10-11 |
DE3425309A1 (de) | 1985-01-24 |
GB2143373B (en) | 1986-11-12 |
IT8421834A0 (it) | 1984-07-11 |
SE8403661L (sv) | 1985-01-15 |
SE8403661D0 (sv) | 1984-07-11 |
DE3425309C2 (de) | 1994-02-10 |
FR2549295B1 (fr) | 1987-07-31 |
NL8302516A (nl) | 1985-02-01 |
IT1176383B (it) | 1987-08-18 |
IT8421834A1 (it) | 1986-01-11 |
GB2143373A (en) | 1985-02-06 |
US4652899A (en) | 1987-03-24 |
ES534204A0 (es) | 1985-04-16 |
NL187416C (nl) | 1991-09-16 |
ATA225484A (de) | 1990-10-15 |
AU3057484A (en) | 1985-01-17 |
ES8505144A1 (es) | 1985-04-16 |
GB8417670D0 (en) | 1984-08-15 |
NL187416B (nl) | 1991-04-16 |
SE460002B (sv) | 1989-08-28 |
FR2549295A1 (fr) | 1985-01-18 |
JPH0527997B2 (ja) | 1993-04-22 |
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